| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 牺牲膜用组合物、以及其制造方法、以及具备有使用该组合物而形成的空隙的半导体装置、以及使用了该组合物的半导体装置的制造方法 | CN201580042676.X | 2015-07-29 | CN106575617A | 2017-04-19 | 中杉茂正; 绢田贵史; 能谷刚; 柳田浩志; 浜祐介 |
| 本发明的课题是提供一种耐热性和保存稳定性优异的牺牲膜用组合物与使用了其的半导体装置的制造方法。本发明的解决手段是如下：一种牺牲膜用组合物，其包含有：包含着含有具有孤对电子的氮原子的重复单元的聚合物、以及溶剂，其中特定的过渡金属离子含有率非常低；一种以牺牲材料的形式利用前述组合物从而制造具备有多孔质材料的半导体装置的方法。 | ||||||
| 2 | 有机电致发光元件、组合物以及有机电致发光装置 | CN201280005215.1 | 2012-01-12 | CN103314463B | 2017-04-05 | 安部智宏; 田中太; 冈部一毅; 高桥敦史; 饭田宏一朗; 今田一郎 |
| 本发明提供可在低电压下进行驱动的有机电致发光元件。另外，其课题在于通过使用该元件而得到充分发挥了作为低电力消耗的OA计算机或壁挂电视机等用的平板显示器、显示板、标识灯和复印机的光源、液晶显示器、计量表类的背光光源等面发光体的特征的光源等。本发明涉及有机电致发光元件，在使用含有在重复单元中具有叔芳氨基结构的芳胺高分子化合物作为空穴注入传输性化合物的组合物并通过湿式成膜法来形成而得到的空穴注入传输层具有2层以上的情况下，在将该高分子化合物中存在的叔芳氨基结构中的不具有芳香性的任意2个叔氮原子连结而成的路径之中，将位于路径上的原子的数目最少的路径中的该原子的数目设为“N：氮间最小原子数”时，各空穴注入传输层中的N呈特定状态。 | ||||||
| 3 | 空隙形成用组合物、具备使用该组合物而形成的空隙的半导体装置、以及使用了该组合物的半导体装置的制造方法 | CN201580028112.0 | 2015-05-26 | CN106471057A | 2017-03-01 | 中杉茂正; 绢田贵史; 能谷刚 |
| 本发明提供一种空隙形成用组合物与使用了其的半导体装置的制造方法，该空隙形成用组合物可形成由在所希望的温度完全地分解气化的牺牲材料形成的牺牲区域。一种空隙形成用组合物，其特征在于，其包含聚合物以及溶剂，该聚合物包含5个以上的由下述式(1)或者下述式(2)表示的至少1种重复单元。[式中，Ar1、Ar2以及Ar2’分别独立地为非取代或者取代了的芳香族基团，L1～L2分别独立地从由氧、硫、烷基、砜、酰胺、酮或者下述通式(3){式中，Ar3为芳香族基团，L3是从由氮、硼以及磷组成的组中选出的三价原子}组成的组中选出。] | ||||||
| 4 | 导电性高分子、导电性高分子的质量管理方法以及导电性高分子的提纯方法 | CN201180015600.X | 2011-03-23 | CN102869702B | 2016-05-25 | 酒井隆宏; 高木珠衣; 山嵜明; 堀内康司; 高原麻实子; 中山将辉; 星野学; 入山浩彰; 百濑扶实乃 |
| 一种导电性高分子的质量管理方法，选择所述面积比（Y／X）在0.60以下的导电性高分子，该导电性高分子在作成涂膜时，即使经过一段时间也不易产生异物，具有下述式（1）表示的重复单元。式（1）中，R1~R4各自独立地为-H、碳原子数1~24的直链或者含支链的烷基、碳原子数1~24的直链或者含支链的烷氧基、酸性基团、羟基、硝基、-F、-Cl、-Br或-I，R1~R4中的至少一个为酸性基团或其盐。 | ||||||
| 5 | 碳材料分散膜形成用组合物 | CN201480042831.3 | 2014-07-31 | CN105431489A | 2016-03-23 | 鹿内康史; 西村直也; 小泽雅昭 |
| 含有包含例如由下述式(17)表示的、具有三嗪环的重复单元结构的聚合物、交联剂、以及碳材料的碳材料分散膜形成用组合物，由于碳材料在其中良好地分散，因此，通过使用该组合物，能够制作碳材料良好地分散的状态的固化膜。 | ||||||
| 6 | 电荷传输性清漆 | CN201480011062.0 | 2014-02-24 | CN105009318A | 2015-10-28 | 大谷直树 |
| 本发明提供电荷传输性清漆，其包含：含有氟原子的电荷传输性物质、不含氟原子的电荷传输性物质、含有杂多酸的掺杂剂物质、和有机溶剂，含有氟原子的电荷传输性物质是使三芳基胺化合物、含有氟原子的芳基醛化合物和具有羰基的芴衍生物缩合而得到的重均分子量1,000～200,000的聚合物，不含氟原子的电荷传输性物质为低聚苯胺化合物，该电荷传输性清漆给予如下薄膜：即使在阳极与发光层之间以与它们相接的方式作为单一层使用的情况下也能够实现具有优异的亮度特性和耐久性的有机EL元件。 | ||||||
| 7 | 热电转换材料、热电转换元件以及使用其的热电发电用物品和传感器用电源 | CN201480004535.4 | 2014-01-23 | CN104919608A | 2015-09-16 | 野村公笃; 西尾亮; 林直之; 丸山阳一 |
| 本发明涉及热电转换材料、热电转换元件以及使用其的热电发电用物品和传感器用电源。本发明的热电转换元件(1)是在基材(12)上具有第一电极(13)、热电转换层(14)和第二电极(15)的热电转换元件(1)，在该热电转换层(14)中含有纳米导电性材料、以及至少含有通式(1)所表示的结构作为重复结构的高分子；本发明的热电发电用物品和传感器用电源等使用了该热电转换元件(1)；本发明的热电转换材料含有该高分子和纳米导电性材料。通式(1)中，Ar11和Ar12表示亚芳基或杂亚芳基。Ar13表示芳基或杂芳基。R11、R12和R13表示取代基。此处，R11与R12、R11与R13、R12与R13可以相互键合而形成环。L表示单键或下式(l-1)～(l-4)中的任意式所表示的连接基团。n11、n12和n13表示0～4的整数，n1表示5以上的整数。连接基团中，Ar14和Ar16表示亚芳基或杂亚芳基，Ar15表示芳基或杂芳基。R14～R16表示取代基。此处，R14与R12、R15与R12、R16与R12、R15与R16可以相互键合而形成环。n14～n16表示0～4的整数。X1表示亚芳基羰基亚芳基或亚芳基磺酰基亚芳基，X2表示亚芳基、杂亚芳基或者将它们组合而成的连接基团。 | ||||||
| 8 | 可用于光电子器件的材料的制造方法、材料和光电子器件 | CN201080052057.6 | 2010-11-09 | CN102725875B | 2015-05-06 | 刘杰; 叶青; C.L.琼斯; H.塔卡 |
| 一种制造可用于光电子器件的材料的方法，所述方法包含:提供聚三芳基胺和一种化合物的混合物；形成混合物膜；并处理所述膜；其中所述化合物包含至少一个选自芳基胺和芳基膦的官能团和至少两个选自乙烯基、烯丙基、乙烯基醚、环氧基和丙烯酸酯的官能团。本发明还提供制造的材料和光电子器件。 | ||||||
| 9 | 苯并噁嗪树脂 | CN201280006411.0 | 2012-01-10 | CN103339202B | 2015-04-22 | 史蒂芬·理查德·沃德; 保罗·克劳斯; 罗宾·马斯科尔 |
| 本发明涉及一种可固化聚合物组合物，其含有：(A)热固性苯并噁嗪树脂前体组份；(B)任选地，含有芳基砜的苯并噁嗪组份，和(C)聚芳基砜热塑性增韧剂，其中在不存在组份(B)时，组份(C)含有一个或一个以上苯并噁嗪侧基和/或端基。 | ||||||
| 10 | 聚(磺基氨基蒽醌)材料及其制备和使用方法 | CN201180062705.0 | 2011-02-25 | CN103282408B | 2015-02-04 | 黄美荣; 黄绍军; 李新贵 |
| 本文中公开了聚(磺基氨基蒽醌)聚合物组合物和制备这些组合物的方法。所述聚合物组合物可以例如用于从样品中去除金属离子。 | ||||||
| 11 | 有机场致发光元件用组合物和有机场致发光元件 | CN201380018895.5 | 2013-04-08 | CN104254930A | 2014-12-31 | 水上润二; 清水渡; 竹本洋己 |
| 本发明的目的在于提供一种有机场致发光元件用组合物，其是异物含量少的组合物。本发明涉及一种有机场致发光元件用组合物，是用于形成选自有机场致发光元件的发光层、空穴注入层和空穴输送层中的至少1层的有机场致发光元件用组合物，含有重均分子量3000～1000000的芳香族胺系聚合物和有机溶剂，上述组合物中的Zn浓度小于0.5ppm。 | ||||||
| 12 | 导电性高分子、导电性高分子的质量管理方法以及导电性高分子的提纯方法 | CN201180015600.X | 2011-03-23 | CN102869702A | 2013-01-09 | 酒井隆宏; 高木珠衣; 山嵜明; 堀内康司; 高原麻实子; 中山将辉; 星野学; 入山浩彰; 百濑扶实乃 |
| 一种导电性高分子的质量管理方法，选择所述面积比（Y／X）在0.60以下的导电性高分子，该导电性高分子在作成涂膜时，即使经过一段时间也不易产生异物，具有下述式（1）表示的重复单元。式（1）中，R1~R4各自独立地为-H、碳原子数1~24的直链或者含支链的烷基、碳原子数1~24的直链或者含支链的烷氧基、酸性基团、羟基、硝基、-F、-Cl、-Br或-I，R1~R4中的至少一个为酸性基团或其盐。 | ||||||
| 13 | 聚合物、有机电场发光元件材料、有机电场发光元件用组合物、有机电场发光元件、显示装置及照明装置 | CN201180008737.2 | 2011-02-09 | CN102791768A | 2012-11-21 | 饭田宏一朗; 五郎丸英贵; 李延军; 马场达志; 冈本智美 |
| 本发明的目的在于，提供单重态激发能级和三重态激发能级高、电荷传输能力和电化学稳定性优异、能够进行层叠、不易发生分解等、能提供均匀膜质的聚合物、有机电场发光元件材料及有机电场发光元件用组合物，以及发光效率高、能以低电压驱动、驱动稳定性高的有机电场发光元件、显示装置及照明装置。本发明涉及具有下述通式（1）表示的重复单元和交联性基团的聚合物。（通式（1）中，Ar11～Ar13各自独立地表示2价芳香族基团，Ar14和Ar15各自独立地表示芳香族基团，Ar16和Ar17各自独立地表示直接键合、或者2价芳香族基团，R11和R12各自独立地表示氢原子、烷基、烷氧基、或者芳香族基团，r表示0～5的整数。R11和R12可以相互键合而形成环结构。应予说明，交联性基团可以包含在下述通式（1）表示的重复单元中）。 | ||||||
| 14 | 可用于光电子器件的材料的制造方法、材料和光电子器件 | CN201080052057.6 | 2010-11-09 | CN102725875A | 2012-10-10 | 刘杰; 叶青; C.L.琼斯; H.塔卡 |
| 一种制造可用于光电子器件的材料的方法，所述方法包含:提供聚三芳基胺和一种化合物的混合物；形成混合物膜；并处理所述膜；其中所述化合物包含至少一个选自芳基胺和芳基膦的官能团和至少两个选自乙烯基、烯丙基、乙烯基醚、环氧基和丙烯酸酯的官能团。本发明还提供制造的材料和光电子器件。 | ||||||
| 15 | 用于光电器件的聚合物 | CN201080061073.1 | 2010-09-10 | CN102686637A | 2012-09-19 | 叶青; 刘杰; K.S.奇查克 |
| 用于光电器件的聚合物包含式I的结构单元，其中：R1在每次出现时独立地为C1-C20脂族基团、C3-C20芳族基团或C3-C20脂环族基团；a在每次出现时独立地为0-4的整数；Ar1为芳基或杂芳基；Ar2为芴；R2为亚烷基、被取代的亚烷基、氧杂亚烷基、CO或CO2；R3、R4和R5独立地为氢、烷基、烷氧基、烷基芳基、芳基、芳基烷基、杂芳基、被取代的烷基、被取代的烷氧基、被取代的烷基芳基、被取代的芳基、被取代的芳基烷基或被取代的杂芳基；且L衍生自苯基吡啶、甲苯基吡啶、苯并噻吩基吡啶、苯基异喹啉、二苯并喹唑啉、芴基吡啶、酮基吡咯、2-(1-萘基)苯并噁唑))、2-苯基苯并噁唑、2-苯基苯并噻唑、香豆素、噻吩基吡啶、苯基吡啶、苯并噻吩基吡啶、3-甲氧基-2-苯基吡啶、噻吩基吡啶、苯基亚胺、乙烯基吡啶、吡啶基萘、吡啶基吡咯、吡啶基咪唑、苯基吲哚、其衍生物或其组合。 | ||||||
| 16 | 一种组合物及由其制成的场致发光器件 | CN200710109116.9 | 1999-04-09 | CN101058672B | 2012-07-04 | E·P·伍; M·T·比尼厄斯; M·印巴斯卡兰; 吴唯实 |
| 包含10-90wt％式(I)基团和10-90wt％选自式(II)、(III)和(IV)基团及其混合物的共聚物。其中，R1分别独立地为H，C1-C20烃基或含一个或多个S、N、O、P或Si原子的C1-C20烃基，C4-C16烃基羰基氧基，C4-C16芳基(三烷基硅烷氧基)，或者两个R1可与芴环上的9位碳原子形成C5-C20脂肪环结构或含一个或多个S、N或O杂原子的C4-C20脂肪环结构；R2分别独立地为C1-C20烃基、C1-C20烃氧基、C1-C20硫醚、C1-C20烃基羰基氧基或氰基；R3分别独立地为羧基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基或式为-CO2R4的基团，其中R4为C1-C20烷基；a和b分别独立地为0至3的整数。和。 | ||||||
| 17 | 高分子化合物及用其形成的高分子发光元件 | CN200680037672.3 | 2006-08-10 | CN101283019B | 2011-09-21 | 小林谕; 小林重也 |
| 本发明涉及含有由下述式(1)表示的化合物残基的高分子化合物。式中，C1环、C2环及C3环各自独立地表示芳香烃环或杂环。A1表示含有选自硼原子、碳原子、氮原子、氧原子、磷原子、硫原子及硒原子中的一种以上原子的2价基团。R1表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、烯基、炔基、二取代氨基、三取代甲硅烷基、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、1价杂环基、取代羧基、杂芳氧基或杂芳硫基，或与结合有R1的C3环上的原子的相邻原子结合形成环。 | ||||||
| 18 | 电荷传输性聚合物、有机场致发光元件用组合物、有机场致发光元件、有机EL显示器及有机EL照明 | CN200980128784.3 | 2009-08-10 | CN102105511A | 2011-06-22 | 饭田宏一朗; 日下晴彦; 远藤恭子; 李延军; 冈部一毅 |
| 本发明的课题在于提供一种空穴传输能力高、溶解性及成膜性优异的电荷传输性聚合物，以及含有该电荷传输性聚合物的有机场致发光元件用组合物。此外，本发明的课题还在于提供一种电流效率高、驱动稳定性高的有机场致发光元件。本发明的电荷传输性聚合物具有下述式(1)所示的基团作为侧链。(式(1)中，苯并环丁烯环任选具有1个或2个以上取代基，且取代基之间任选彼此键合形成环，间隔基团代表通过3个以上的单键连接苯并环丁烯环和电荷传输性聚合物的主链的基团。) | ||||||
| 19 | 高分子化合物、由该高分子化合物交联而得到的网状高分子化合物、有机场致发光元件用组合物、有机场致发光元件、有机EL显示器及有机EL照明 | CN200980110914.0 | 2009-04-01 | CN101981086A | 2011-02-23 | 饭田宏一朗; 远藤恭子; 李延军; 冈部一毅; 矢部昌义 |
| 本发明的目的在于提供一种空穴传输能力高、电化学稳定性优异、且适于利用湿式成膜法成膜的高分子化合物。此外，本发明的另一目的在于提供一种电流效率高、驱动电压低、且驱动寿命长的有机场致发光元件。为此，本发明提供一种高分子化合物，该高分子化合物具有交联性基团，且在该高分子化合物中，由重复单元中所含的芳胺部位隔着至少一个单键具有交联性基团。 | ||||||
| 20 | 含有稀土金属配合物的多官能共聚物及其器件 | CN200580046249.5 | 2005-11-10 | CN101128506B | 2010-12-29 | 凌启淡; 黄维; 康燕堂; 梁君仪 |
| 本发明涉及化学式(I)的共聚物配合物：其中[Ax-[B(C)]y-Dz]是指该共聚物配合物的一个单元，其重复n次，其中n是大于1的整数，并且其中该一个单元包括配位至含有稀土金属的配合物(C)的共轭骨架；x、y和z是大于零的数并且x＝y+z；A独立地选自由芴、咔唑、噁二唑、三苯胺或其衍生物组成的组；B是选自由苯甲酸、1，3-二苯基丙烷-1，3-二酮、1，10-邻二氮菲、2，2-二吡啶或其衍生物组成的组的官能配体；而D独立地选自由芴、咔唑、噁二唑、三苯胺或其衍生物组成的组。 | ||||||
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