集成电路装置 |
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| 申请号 | CN201911075689.3 | 申请日 | 2019-11-06 | 公开(公告)号 | CN112636766B | 公开(公告)日 | 2024-03-22 |
| 申请人 | 南亚科技股份有限公司; | 发明人 | 商凯博; 饶瑞修; | ||||
| 摘要 | 本 发明 公开了一种集成 电路 装置，包含电容阵列、译码电路以及集成电路。电容阵列包含多个电容单元。译码电路耦接于电容阵列。集成电路耦接于译码电路。译码电路用以导通部分的多个电容单元，并不导通部分的多个电容单元，以调整耦接于集成电路的电容值。本发明的集成电路装置可节省相应集成电路的旁边的面积。 | ||||||
| 权利要求 | 1.一种集成电路装置，其特征在于，包含： |
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| 说明书全文 | 集成电路装置技术领域[0001] 本发明是有关于一种集成电路装置，且特别是有关于包含许多电容和集成电路的集成电路装置。 背景技术[0002] 在某些特定用途中，电容是作为IC(集成电路)与外部电路(例如电源，I/O引脚等)之间的桥梁。例如，将去耦电容连接至IC以降低噪声。然而，目前的电路设计通常在一个对应的IC的旁边组合一个或多个电容，这需要相对较大的面积。 发明内容[0003] 本发明的目的在于提供一种可节省相应集成电路的旁边的面积的集成电路装置。 [0004] 本发明的一目的是在提供一种集成电路装置包含电容阵列、译码电路以及集成电路。电容阵列包含多个电容单元。译码电路耦接于电容阵列。集成电路耦接于译码电路。译码电路用以导通部分的多个电容单元，并不导通部分的多个电容单元，以调整耦接于集成电路的电容值。 [0005] 在部分实施例中，其中这些电容单元经由多条金属线耦接于该译码电路。 [0006] 在部分实施例中，其中这些电容单元系多个去耦电容单元。 [0007] 在部分实施例中，其中该译码电路判断这些金属线中的每一个是为导通或不导通。 [0008] 在部分实施例中，其中该译码电路接收指令并依据该指令判断这些金属线中的每一个是为导通或不导通。 [0009] 在部分实施例中，其中该集成电路包含多个子集成电路，且该电容阵列包含多个电容组，其中这些子集成电路中的每一个分别对应于这些电容组中的一个。 [0010] 在部分实施例中，其中这些电容组互相独立。 [0011] 在部分实施例中，其中该译码电路包含多个子译码电路，其中这些子译码电路中的每一个分别连接于这些子集成电路中的一个以及这些电容组中的一个之间。 [0012] 在部分实施例中，其中该电容阵列为三维阵列。 [0014] 因此，根据本发明的技术目的，通过使用电容阵列结构，可以在需要时通过译码器调整连接到相应的IC的电容，于不同情况下更加灵活。此外，通过将所有电容放在一起，可以节省相应集成电路的旁边的面积。附图说明 [0015] 为让本发明的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，现结合并参照附图说明如下： [0016] 图1为根据本发明一些实施例所绘示的集成电路装置的示意图；以及[0017] 图2为根据本发明一些实施例所绘示的集成电路装置的示意图。 [0018] 主要附图标记说明： [0019] 100A、100B‑集成电路装置，110‑电源供应电路，130‑电容阵列，132A至132C‑电容组，150‑译码电路，152A至152C‑子译码电路，170‑集成电路，170A至170C‑子集成电路，SCOM‑指令，SCOMA至SCOMC‑指令，134A1至134A3、134B1至134B3‑电容单元，134C1至134C3‑电容单元，142A1至142A3、142B1至142B3‑金属线，142C1至142C3‑金属线。 具体实施方式[0020] 以下揭示提供许多不同实施例或例证用以实施本发明的不同特征。特殊例证中的组件及配置在以下讨论中被用来简化本发明。所讨论的任何例证只用来作解说的用途，并不会以任何方式限制本发明或其例证的范围和意义。此外，本发明在不同例证中可能重复引用数字符号且/或字母，这些重复皆为了简化及阐述，其本身并未指定以下讨论中不同实施例且/或配置之间的关系。 [0021] 在全篇说明书与权利要求所使用的用词(terms)，除有特别注明外，通常具有每个用词使用在此领域中、在此公开的内容中与特殊内容中的平常意义。某些用以描述本发明的用词将于下或在此说明书的别处讨论，以提供本领域技术人员在有关本发明的描述上额外的引导。 [0022] 关于本文中所使用的”耦接”或”连接”，均可指二或多个组件相互直接作实体或电性接触，或是相互间接作实体或电性接触，而”耦接”或”连接”还可指二或多个组件相互步骤或动作。 [0023] 在本文中，使用第一、第二与第三等等的词汇，是用于描述各种组件、组件、区域、层与/或区块是可以被理解的。但是这些组件、组件、区域、层与/或区块不应该被这些术语所限制。这些词汇只限于用来辨别单一组件、组件、区域、层与/或区块。因此，在下文中的第一组件、组件、区域、层与/或区块也可被称为第二组件、组件、区域、层与/或区块，而不脱离本发明的本意。如本文所用，词汇”与/或”包含了列出的关联项目中的一个或多个的任何组合。本发明文件中提到的“及/或”是指表列组件的任一个、全部或至少一个的任意组合。 [0024] 请参阅图1。图1为根据本发明一些实施例所绘示的集成电路装置100A的示意图。集成电路装置100A包含电容阵列130、译码电路150以及集成电路170。在部分实施例中，译码电路150耦接于电容阵列130。集成电路170耦接于译码电路150。此外，电容阵列130包含多个电容单元134A1至134A3、134B1至134B3，以及134C1至134C3。在部分实施例中，电容单元可以由一般用于形成电容的材料形成。 [0025] 在操作关系上，译码电路150用以导通部分的电容单元134A1至134A3、134B1至134B3以及134C1至134C3。译码电路150并用以不导通部分的电容单元134A1至134A3、134B1至134B3以及134C1至134C3，以调整耦接于集成电路170的电容值。 [0026] 如图1所绘式，在部分实施例中，电容单元134A1至134A3、134B1至134B3以及134C1至134C3经由多条金属线142A1至142A3、142B1至142B3以及142C1至142C3耦接于译码电路150。 [0027] 详细而言，电容单元134A1经由金属线142A1耦接于译码电路150，电容单元134A2经由金属线142A2耦接于译码电路150，电容单元134A3经由金属线142A3耦接于译码电路150，电容单元134B1经由金属线142B1耦接于译码电路150，电容单元134B2经由金属线 142B2耦接于译码电路150，电容单元134B3经由金属线142B3耦接于译码电路150，电容单元 134C1经由金属线142C1耦接于译码电路150，电容单元134C2经由金属线142C2耦接于译码电路150，且电容单元134C3经由金属线142C3耦接于译码电路150。 [0028] 在部分实施例中，译码电路150判断金属线142A1至142A3、142B1至142B3以及142C1至142C3中的每一个是为导通或不导通，以调整电容阵列130的电容值。 [0029] 在部分实施例中，译码电路150导通部分的电容单元134A1至134A3、134B1至134B3以及134C1至134C3并不导通部分的电容单元134A1至134A3、134B1至134B3以及134C1至134C3以调整电容阵列130的电容值。电容单元134A1至134A3、134B1至134B3以及134C1至 134C3可为串联连接或是并联连接，取决于译码电路150的控制。 [0030] 在部分实施例中，译码电路150接收指令SCOM并依据指令SCOM判断多条金属线142A1至142A3、142B1至142B3以及142C1至142C3中的每一个是为导通或不导通。 [0031] 在部分实施例中，电容单元134A1至134A3、134B1至134B3以及134C1至134C3是为去耦电容单元。去耦电容器(也称为旁路电容器)是用于将电力网络(电路)的一部分与另一部分去耦的电容。其他电路组件引起的噪声通过电容分流，从而减少了对电路其余部分的影响。 [0032] 如图1所绘式，在部分实施例中，集成电路装置100A包含电源供应电路110。电源供应电路110耦接于电容阵列130。电容阵列130用以经由电容阵列130传送信号至集成电路170。在部分实施例中，信号可能是电源信号，I/O信号等等。 [0033] 请参阅图2。图2为根据本发明一些实施例所绘示的集成电路100B装置的示意图。如图2所绘式，集成电路170包含多个子集成电路170A至170C，且电容阵列130包含多个电容组132A至132C。子集成电路170A至170C中的每一个对应于电容组132A至132C中的一个。详细而言，子集成电路170A对应于电容组132A，子集成电路170B对应于电容组132B，子集成电路170C对应于电容组132C。 [0034] 在部分实施例中，电容组132A至132C彼此独立。 [0035] 在部分实施例中，译码电路150包含多个子译码电路152A至152C。子译码电路152A至152C中的每一个连接于子集成电路170A至170C中的一个以及电容组132A至132C中的一个之间。详细而言，子译码电路152A是连接于子集成电路170A以及电容组132A之间，子译码电路152B是连接于子集成电路170B以及电容组132B之间，且子译码电路152C是连接于子集成电路170C以及电容组132C之间。 [0036] 如图2所绘式，电容组132A包含电容单元134A1至134A3，电容组132B1包含电容单元134B1至134B3，且电容组132C包含电容单元134C1至134C3。需要注意的是，电容组132A至132C的形状或包含于电容组132A至132C中的电容单元的数量仅为例式说明之用，且本发明的实施方式不以此为限制。此外，在部分实施例中，电容阵列130可为三维阵列或二维阵列。 [0037] 子译码电路152A调整电容组132A的电容值，子译码电路152B调整电容组132B的电容值，且子译码电路152C调整电容组132C的电容值。 [0038] 在部分实施例中，子译码电路152A依据指令SCOMA调整电容组132A的电容值，子译码电路152B依据指令SCOMB调整电容组132B的电容值，且子译码电路152C依据指令SCOMC调整电容组132C的电容值。 [0039] 根据本发明的实施方式，可以理解的是，本发明的实施方式提供一种集成电路装置，通过使用电容阵列，可以在需要时调整与相应的集成电路连接的电容值。此外，通过将所有电容单元放在一起，可以节省相应集成电路旁边的面积，以使区域空间可以更有效地利用。 [0040] 另外，上述例示包含依序的示范步骤，但这些步骤不必依所显示的顺序被执行。以不同顺序执行这些步骤皆在本发明内容的考虑范围内。在本发明内容的实施例的精神与范围内，可视情况增加、取代、变更顺序及/或省略这些步骤。 [0041] 虽然本发明已以实施方式公开如上，然其并非用以限定本发明，任何所属领域的技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视权利要求所界定的为准。 |
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