1.一种电容阵列结构，其特征在于，包括n个分裂电容，1倍于单元电容的第一分裂电n‑1
容、2倍于所述单元电容的第二分裂电容、以此类推，2 倍于所述单元电容的第n分裂电容，其中，n为大于等于1的整数；
所述第一分裂电容处于阵列的中间，所述第二分裂电容平分成2个所述单元电容分布n‑1
在所述第一分裂电容的两侧，所述第n分裂电容平分成2 个所述单元电容分布在所述第一分裂电容的两侧；
n‑1
每个所述分裂电容包括1个下极板和1个上极板；所述第n分裂电容包括2 个所述单元n‑1 n‑1
电容，所述2 个所述单元电容的上极板连在一起，所述2 个所述单元电容的下极板连在一起；
所述阵列的所有分裂电容都处于同一排，所有分裂电容的上极板连接在一起，所述第n分裂电容的下极板通过其对应的开关连接到基准电压或地。
2.根据权利要求1所述的电容阵列结构，其特征在于，
所述单元电容的上极板包括2个上插指和1个上基板；所有分裂电容的多个上插指通过所述上基板连接；
所述单元电容的下极板包括1个下插指和1个下基板，第一分裂电容的下插指通过第一n
下基板连接，第二分裂电容的2个下插指通过第二下基板连接，以此类推，第n分裂电容的2‑1
个下插指通过第n下基板连接。
3.根据权利要求2所述的电容阵列结构，其特征在于，在每个上插指的正下方，芯片里面通过注入形成扩散区。
4.根据权利要求2所述的电容阵列结构，其特征在于，在每个下插指的正下方，芯片表面设置多晶硅，多晶硅与下基板电连接。
‑k+1
5.一种电容阵列结构，其特征在于，包括n个分裂电容，2 倍于模块电容的第一分裂电‑k+2 ‑k+k
容、2 倍于模块电容的第二分裂电容、以此类推，2 倍于模块电容的第k分裂电容，2倍于n‑k
所述模块电容的第k+1分裂电容、以此类推，2 倍于所述模块电容的第n分裂电容，其中，n为大于等于1的整数，k为大于2小于n的整数；
所述第k分裂电容处于阵列的中间，所述第k+1分裂电容平分成2个所述模块电容分布n‑k
在所述第k分裂电容的两侧，所述第n分裂电容平分成2 个所述模块电容分布在所述第k分裂电容的两侧；
n‑k
每个所述分裂电容包括1个下极板和1个上极板，所述第n分裂电容包括2 个所述模块n‑k n‑k
电容，所述2 个所述模块电容的上极板连在一起，所述2 个所述模块电容的下极板连在一起；
所述阵列的所有分裂电容都处于同一排，所有分裂电容的上极板连接在一起，所述第n分裂电容的下极板通过其对应的开关连接到基准电压或地。
6.根据权利要求5所述的电容阵列结构，其特征在于，
每个分裂电容的上极板包括多个上插指和一个上基板，所述所有上插指通过所述上基板连接；
‑k+1
所述模块电容的下极板包括多个下插指和一个下基板，2 倍于模块电容的第一分裂‑k+2
电容的多个下插指通过第一下基板连接、2 倍于模块电容的第二分裂电容的多个下插指通过第二下基板连接，1倍于模块电容的第k分裂电容的多个下插指通过第k下基板连接，2倍于所述模块电容的所述第k+1分裂电容的多个下插指通过第k+1下基板连接，以此类推，n‑k
2 倍于所述模块电容的第n分裂电容的的多个下插指通过第n下基板连接。
7.根据权利要求6所述的电容阵列结构，其特征在于，当k为4，n为10时，第4分裂电容为模块电容，处于阵列的中间，第5分裂电容分成2个模块电容分布在所述第4分裂电容的两
6
侧，第10分裂电容平分成2个所述模块电容分布在所述第4分裂电容的两侧；
3 3
所述模块电容的下极板包括2个下插指和一个下基板；模块电容的上极板包括2+1个上插指和一个上基板。
6
8.根据权利要求7所述的电容阵列结构，其特征在于，所述第10分裂电容的2个模块电
5
容分布在第9分裂电容的2个模块电容的两侧。
9.根据权利要求7所述的电容阵列结构，其特征在于，第1分裂电容和第2分裂电容依次分布在所述第4分裂电容的左侧最外侧，第3分裂电容分布在所述第4分裂电容的右侧最外侧。
10.根据权利要求7所述的电容阵列结构，其特征在于，第3分裂电容，是由所述模块电容通过减小上插指或/和下插指的金属层数得到的；
所述模块电容包括L层金属，则所述第3分裂电容包括L/2层金属。
11.根据权利要求7所述的电容阵列结构，其特征在于，第1分裂电容是由所述模块电容通过减小上插指或下插指的长度得到的；
所述模块电容的上插指或下插指的长度是P，则所述第1分裂电容上插指或下插指的长‑3
度是P*2 。
12.根据权利要求5所述的电容阵列结构，其特征在于，在每个上插指的正下方，芯片里面通过注入形成扩散区。
13.根据权利要求5所述的电容阵列结构，其特征在于，在每个下插指的正下方，芯片表面设置多晶硅，多晶硅与下基板电连接。
14.一种数模/模数转换器，其特征在于，包括权利要求5至13任一项所述的电容阵列结构，还包括分别控制所述n个分裂电容的n个控制开关。