非接触受电装置用磁片以及使用它的非接触受电装置、电子设备以及非接触充电装置 |
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| 申请号 | CN201380067942.5 | 申请日 | 2013-12-20 | 公开(公告)号 | CN104885331B | 公开(公告)日 | 2018-07-27 |
| 申请人 | 株式会社东芝; 东芝高新材料公司; | 发明人 | 藤泽幸子; 山田胜彦; 齐藤忠雄; | ||||
| 摘要 | 提供适合于非 接触 受电装置的磁片。在具备2种以上的 磁性 薄板的层叠体的非接触受电装置用磁片中，至少1层具有具备在同一平面上以相邻的方式设置了的2个以上的同一种类的磁性薄板的构件构造部，构件构造部中的磁性薄板彼此的间隙部的宽度为0mm以上且1mm以下。另外，构件构造部的形状优选为梳齿状、 旋涡 状、波状、倾斜梳齿状、同心圆状中的某一种。 | ||||||
| 权利要求 | 1.一种非接触受电装置用磁片，具备层叠体，所述层叠体具有经由粘着层层叠的2种以上的磁性薄板，所述非接触受电装置用磁片的特征在于， |
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| 说明书全文 | 非接触受电装置用磁片以及使用它的非接触受电装置、电子设备以及非接触充电装置 技术领域[0001] 本发明的实施方式涉及非接触受电装置用磁片以及使用它的非接触受电装置、电子设备以及非接触充电装置。 背景技术[0002] 近年来，便携型通信设备的发展令人瞩目，特别是移动电话机的小型轻薄化正急速推进。在移动电话机以外，视频相机(手持式相机等)、无绳电话机、膝上型个人计算机(笔记本型个人计算机)等电子设备的小型轻薄化也正在推进。它们通过在电子设备主体部搭载二次电池，能够无需连接到插座而进行使用，提高了便携性、便利性。当前，二次电池容量有界限，在几天～几周内必须对二次电池充电一次。 [0003] 在二次电池的充电方法中，有接触充电方式与非接触充电方式。接触充电方式是使受电装置的电极与供电装置的电极直接接触而进行充电的方式。接触充电方式由于其装置构造简单，所以一般情况下使用该方式。但是，伴随着近年来的电子设备的小型轻薄化，电子设备变轻，产生了受电装置的电极与供电装置的电极的接触压力不足，引起充电不良这样的问题。进而，二次电池不经热，所以为了防止电池的温度上升，需要设计用于不引起过放电、过充电的目的的电路。根据这一点，研究了非接触充电方式的应用。 [0004] 非接触充电方式是在受电装置与供电装置这两者中设置线圈，利用电磁感应来进行充电的方式。在非接触充电方式中，不需要考虑电极彼此间的接触压力，所以能够不受电极彼此的接触状态影响而稳定地供给充电压。作为非接触充电装置的线圈，已知了具备卷绕在铁氧体磁芯的周围的线圈的构造、在混合有铁氧体粉末、非晶粉末的树脂基板上安装线圈的构造等。然而，铁氧体如果加工得较薄则变脆，所以耐冲击性弱，具有由于设备的掉落等而容易在受电装置中产生不佳状况这样的问题。 [0005] 进而，为了与设备的薄型化对应地使受电部分薄型化，研究了采用通过在基板上螺旋状地印刷金属粉膏来形成了的平面线圈。然而，在采用平面线圈的构造中，通过平面线圈的磁通与设备内部的基板等发生交链，所以存在由于通过电磁感应产生的涡电流而在装置内发热这样的问题。因此，无法发送大的电力，充电时间变长。具体来说，在接触充电装置中，移动电话机的充电需要90分左右，与此相对地，在非接触充电装置中需要120分。 [0006] 在以往的应用非接触充电方式的受电装置中，应对由于电磁感应产生的涡电流的措施不充分。受电装置具备二次电池，所以要求尽可能抑制热的产生。受电装置安装于电子设备主体部，所以热的产生对电路部件等造成不良影响。由此在充电时无法发送大的电力，充电时间变长。进而，涡电流的产生导致噪声的产生，成为充电效率的降低的因素。针对这一点，提出了在受电装置的规定的位置处设置磁性薄板的方案。通过控制磁性薄板的导磁率与板厚、或者磁性薄板的饱和磁通密度与板厚，能够抑制由涡电流导致的发热、产生噪声以及受电效率的降低等。 [0007] 提出了在非接触充电装置的供电侧配置磁铁，并进行受电侧的设备的位置对准的非接触充电方式。例如，在作为国际标准的WPC(Wireless Power Consortium，无线电源联盟)中，在“System Description Wireless Power Transfer volume I：Low Power Part 1：interface Definition version 1.0July 2010”中记载了利用磁铁进行定位的非接触充电装置。 [0008] 在利用磁铁进行定位的情况下，在以往的磁性薄板中，发生了磁饱和，磁屏蔽效应大幅度降低。因此，在充电时导致二次电池的温度上升，担忧二次电池的循环寿命的降低。以往的磁屏蔽例如具有饱和磁通密度为0.55～2T(5.5～20kG)的磁性薄板，在1张或者3张以下的范围内层叠这样的磁性薄板。即使将磁性薄板的层叠体用作磁屏蔽，由于从在供电装置中配置了的磁铁产生的磁场，磁屏蔽也容易发生磁饱和，有可能无法发挥作为磁屏蔽的功能。 [0009] 在现状下的非接触充电方式的国际标准中，在受电侧的设备的位置对准中，存在使用磁铁的方式与不使用磁铁的方式。在以往的磁屏蔽中使用的磁性薄板的软磁特性优良，所以即使在1张或者3张以下的范围内层叠饱和磁通密度为0.55～2T的磁性薄板来使用，如果磁铁位于附近，则也容易发生磁饱和。根据这样的背景，期望无论有无供电装置侧的磁铁，都能够得到充分的磁屏蔽效应和高的充电效率的非接触受电装置用磁片。 [0010] 现有技术文献 [0012] 专利文献2：日本特开2000-023393号公报 [0013] 专利文献3：日本特开平9-190938号公报 [0014] 专利文献4：国际公开第2007/111019号 [0015] 专利文献5：国际公开第2007/122788号 发明内容[0016] 本发明所要解决的课题在于，在供电装置侧配置磁铁的非接触充电方式、或者在供电装置侧未配置磁铁的非接触充电方式中，提供通过抑制由于电磁感应而在受电侧产生的涡电流，能够抑制由涡电流引起的二次电池的发热、充电效率的降低的非接触受电装置用磁片以及使用它的非接触受电装置、电子设备以及非接触充电装置。 [0017] 本实施方式的非接触受电装置用磁片具备2种以上的磁性薄板的层叠体。层叠体的至少1层具有具备在同一平面上以相邻的方式设置了的2个以上的同一种类的磁性薄板的构件构造部。构件构造部中的磁性薄板彼此的间隙部的宽度为0mm以上且1mm以下。 [0018] 构件构造部的形状优选为梳齿状、旋涡状、波状、倾斜梳齿状、同心圆状中的某一种。在构件构造部中，在将相邻的磁性薄板彼此的间隙部的合计长度设为100时，相邻的磁性薄板彼此相接的部位的长度优选为10以上100以下。另外，在构件构造部中，相邻的磁性薄板彼此相接的部位的长度优选低于磁性薄板的厚度T(μm)。 [0019] 上述2种以上的磁性薄板优选包含磁致伸缩常数的绝对值超过5ppm的第1磁性薄板；以及磁致伸缩常数的绝对值为5ppm以下的第2磁性薄板。另外，优选的是，第1磁性薄板的厚度为50μm以上且300μm以下，第2磁性薄板的厚度为10μm以上且30μm以下。另外，优选的是，第1磁性薄板由不锈钢构成，第2磁性薄板由Co基非晶合金、或者具有5nm以上且30nm以下的范围的平均晶粒径的Fe基微晶合金构成。 [0021] 图1是示出磁片的构造例的剖面图。 [0022] 图2是示出磁片的构造例的剖面图。 [0023] 图3是示出磁片的构造例的剖面图。 [0024] 图4是示出磁片中的构件构造部的一个例子的图(梳齿状)。 [0025] 图5是示出磁片中的构件构造部的一个例子的图(同心圆状)。 [0026] 图6是示出磁片中的构件构造部的一个例子的图(波状)。 [0027] 图7是示出磁片中的构件构造部的一个例子的图(倾斜梳齿状)。 [0028] 图8是示出梳齿状构件构造部的组装例的图。 [0029] 图9是示出相邻的磁性薄板彼此相接触的构造的一个例子的图。 [0030] 图10是示出构件构造部的间隙部的一个例子的图。 [0031] 图11是示出电子设备的概略结构的图。 [0032] 图12是示出电子设备的概略结构的图。 [0033] 图13是示出非接触充电装置的概略结构的图。 [0034] 符号说明 [0035] 1…磁片，2…磁性薄板，3…粘着层部，4…磁性薄板，5…树脂膜、6…间隙部，7…构件构造部，7-1…第1磁性薄板片，7-2…第2磁性薄板片，10…电子设备，11…受电装置，12…电子设备主体部，13…电路基板，14…电子装置，15…框体，16…螺旋状线圈，17…整流器，18…二次电池，20…非接触充电装置，30…供电装置，31…供电线圈，32…供电线圈用磁芯， 33…磁铁。 具体实施方式[0036] 下面，说明实施方式的非接触受电装置用磁片以及使用它的非接触受电装置、电子设备以及非接触充电装置。 [0037] 本实施方式的非接触受电装置用磁片具备多个的磁性薄板的层叠体。构成磁片的层叠体具备2种以上的磁性薄板。即，层叠体至少具备至少第1磁性薄板以及种类与其不同的第2磁性薄板。种类不同的磁性薄板意味着磁致伸缩常数等磁特性、厚度、构成材料等不同的磁性薄板。作为2种以上的磁性薄板，也可以使用种类与第1以及第2磁性薄板不同的第3磁性薄板、更多的磁性薄板。磁性薄板的种类只要是2种以上，则没有特别的限定，但如果考虑伴随着构成材料(原材料)的供应等的制造性，则优选为4种以下、进而优选为3种以下。 [0038] 图1至图3是示出非接触受电装置用磁片的构造例的剖面图。在这些图中，非接触受电装置用磁片1具备作为第1磁性薄板的磁性薄板2、粘着层部3以及种类与磁性薄板2不同的作为第2磁性薄板的磁性薄板4，图3所示的非接触受电装置用磁片还具备树脂膜5。 [0039] 磁性薄板2优选是即使在供电装置侧存在磁铁也不易发生磁饱和的磁性薄板。磁性薄板4优选是按受电装置的使用频率而得到高导磁率的磁性薄板。通过将层叠不易发生磁饱和的磁性薄板2与具有高导磁率的磁性薄板4而得到的磁片1配置于电子设备等，无论有无非接触充电装置的供电装置侧的定位用的磁铁，都能够抑制发热、噪声的产生、受电效率的降低等。 [0040] 在磁性薄板2与磁性薄板4之间，设置了粘着层部3。粘着层部3优选至少设置在磁性薄板2与磁性薄板4之间。粘着层部3的材料只要能够固定磁性薄板2以及磁性薄板4，则没有特别的限定。例如，作为粘着层部3，能够使用具有粘着性的树脂膜、粘接剂等。作为树脂膜的具体例，可以列举聚对苯二甲酸乙二酯(PET)膜、聚酯纤维膜、聚酰亚胺(PI)膜、聚苯硫醚(PPS)膜、聚丙烯(PP)膜、聚四氟乙烯(PTFE)膜等。作为粘接剂的具体例，可以列举环氧树脂系粘接剂、硅树脂系粘接剂、丙烯酸系粘着剂等。 [0041] 如后面所述，当在磁性薄板2、4上设置构件构造部的情况下，有可能产生间隙部的位置偏移，所以优选在各磁性薄板间设置粘着层部3。粘着层部3的厚度优选为100μm以下，进而，更优选为50μm以下。通过使粘着层部3变薄，能够使磁片1整体的厚度变薄。对粘着部层3的厚度的下限值没有特别限定，但为了使粘着力均匀，优选为5μm以上。例如，在如移动电话机那样要求薄型化的电子设备的情况下，磁片1的厚度(包括覆盖外观的树脂膜在内)优选为1mm以下，更优选为0.8mm以下，进一步优选为0.6mm以下。 [0042] 构成磁片1的层叠体如图2所示，也可以具备多张作为第1磁性薄板的磁性薄板2A、2B以及多张作为第2磁性薄板的磁性薄板4A、4B。进而，上述层叠体如图3所示，也可以具备多张作为第1磁性薄板的磁性薄板2A、2B以及1张作为第2磁性薄板的磁性薄板4。另外，也可以与图3相反，层叠体具备1张作为第1磁性薄板的磁性薄板2以及多张作为第2磁性薄板的磁性薄板4A、4B。磁性薄板2、4各自的张数优选设为1～4张的范围。图2以及图3所示的磁片1具有在磁性薄板2(2A、2B)、4(4A、4B)各自之间设置有粘着层部3的构造。 [0043] 图3所示的磁片1具备2张作为第1磁性薄板的磁性薄板2A、2B和1张作为第2磁性薄板的磁性薄板4的层叠体以及以覆盖该层叠体的方式设置了的树脂膜5。在磁性薄板2、4受到锈等腐蚀的影响的情况下，用树脂膜5覆盖整个层叠体是有效的。在需要使磁性薄板2、4电绝缘的情况下，覆盖整个层叠体的树脂膜5也有效。在如图3所示的磁片1那样用树脂膜5覆盖整个层叠体的情况下，也可以在相同种类的磁性薄板、例如磁性薄板2A与磁性薄板2B之间不设置粘着层部3。作为树脂膜5的具体例，可以列举PET膜、PI膜、PPS膜、PP膜、PTFE膜等。 [0044] 另外，层叠体的至少1层具有具备在同一平面上以相邻的方式设置了的2个以上的同一种类的磁性薄板的构件构造部。构件构造部中的相邻的磁性薄板彼此间的间隙部的宽度优选为例如0mm以上且1mm以下。例如，通过在磁性薄板形成缺口部而设置构件构造部，能够提高磁片的L值、Q值。 [0045] 作为形成缺口部的方法，磁性薄板由于是薄的原材料，所以可以列举例如排列细长的长条状地加工得到的磁性薄板的方法、附加由鼓风处理产生的贯通痕的方法等。然而，在排列细长的长条状地加工得到的磁性薄板的方法中，排列的作业耗时，可操作性差。另外，逐张地排列磁性薄板，所以难以均匀地配置相邻的磁性薄板彼此的间隙部。另外，设置由鼓风处理产生的贯通痕的方法是用硬质球(陶瓷球等)撞击磁性薄板的方法，所以在树脂膜上配置磁性薄板之后，存在如果不进行鼓风处理则磁性薄板被粉碎性地破坏的问题。 [0046] 在本实施方式的磁片中，层叠体的至少1层具有具备在同一平面上以相邻的方式设置了的2个以上的同一种类的磁性薄板的构件构造部。在这里的构件构造表示例如在相邻的磁性薄板彼此之间，在一个磁性薄板的缺口部中嵌入另一个磁性薄板的构造。该嵌入的构造也可以利用3个以上的磁性薄板来进行。 [0047] 构件构造部的形状优选梳齿状、旋涡状、波状、倾斜梳齿状、同心圆状中的某一种。在图4～7中示出构件构造部的一个例子。图4是示出梳齿状构件构造部的图，图5是示出同心圆状构件构造部的图，图6是示出波型构件构造部的图，图7是示出倾斜梳齿状构件构造部的图。另外，在图中，磁片1具备间隙部6以及构件构造部7。 [0048] 另外，图8中示出梳齿状构件构造部的具体例。图8所示的构件构造部具备第1磁性薄板片7-1以及第2磁性薄板片7-2。通过组合第1磁性薄板片7-1与第2磁性薄板片7-2而成为一个构件构造部。例如，第1磁性薄板片7-1与第2磁性薄板片7-2中的梳齿部之间的间隙部成为缺口部。通过嵌入彼此的梳齿部，能够减小构件构造部的间隙。例如，在梳齿上的构件构造部的情况下，梳齿部间的间隙成为缺口部。 [0049] 通过做成嵌入相邻的磁性薄板彼此的构造，能够将构件构造部中的相邻的磁性薄板彼此的间隙部的宽度设为0mm以上且1mm以下。进而，通过将构件构造部做成上述构造，能够消除相邻的磁性薄板彼此叠合的情况。另外，由于能够消除在同一平面上相邻的磁性薄板彼此叠合的部分，所以能够维持磁片的平坦性。 [0050] 由于本实施方式的磁片的构造是层叠2种以上的磁性薄板而得到的构造，所以如果存在在同一平面上相邻的磁性薄板彼此叠合的部分，则磁片的平坦性降低。本实施方式的磁片在维持平坦性的基础上，能够使在同一平面上相邻的磁性薄板彼此的间隙部的宽度减小为0～1mm，所以能够提高L值以及Q值。 [0051] 在同一平面上相邻的磁性薄板彼此的间隙部的宽度优选为0mm以上且0.1mm以下。通过将间隙部的宽度设为0～0.1mm，能够减小从间隙部泄漏的涡电流。另外，如果考虑制造性，则在同一平面上相邻的磁性薄板彼此的间隙部的宽度优选为0.03mm以上0.07mm以下的范围。如果间隙部的宽度为0mm的部分增加，则相邻的磁性薄板彼此容易重叠。通过将间隙部的宽度设为0.03mm以上，容易形成具有嵌入构造的构件构造。因此，如果考虑制造性，则间隙部的宽度优选为0.03～0.07mm。因此，构件构造表示在同一平面上相邻的磁性薄板彼此的间隙部的宽度为1mm以下，进而为0.1mm以下，并且具有嵌入的构造的部分。 [0052] 此外，构件构造部在同一平面上，也可以存在1个或者2个以上。另外，在第1磁性薄板、第2磁性薄板中，某一层具备构件构造即可。另外，在第1磁性薄板、第2磁性薄板中，优选2层以上、进而优选所有层具备构件构造。 [0053] 另外，在构件构造部中，在将相邻的磁性薄板彼此的间隙部的合计长度设为100时，相邻的磁性薄板彼此相接的部位(间隙0mm)的合计长度优选为10以上100以下。通过在相邻的磁性薄板彼此间设置间隙，能够提高L值、Q值。另一方面，如果间隙大，则有可能涡电流的泄漏变大，受电装置或者电子设备等发热量增加。因此，优选是相邻的磁性薄板彼此相接的状态。关于相邻的磁性薄板彼此相接的情况，如在图9中示出一个例子的那样，表示存在相邻的磁性薄板的侧面彼此相接的部位。此外，相邻的磁性薄板的侧面彼此相接的部位也可以面接触、点接触中的任一种。 [0054] 本实施方式的磁片具备构件构造，所以能够增加相邻的磁性薄板彼此相接的部位(间隙0mm)的合计长度。另外，相邻的磁性薄板彼此的间隙部的合计长度是指在构件构造中嵌入的部分的边的长度的合计。例如，在图4所示的梳齿状的情况下，将构成梳齿部分的边的合计设为100。另外，在如图5的同心圆状的那样组合内圆与外圆的情况下，内圆的外周为100。另外，在如图6那样的波型的情况下，将波状线部的合计长度设为100。通过具备构件构造，在将相邻的磁性薄板彼此的间隙部的合计长度设为100时，能够将相邻的磁性薄板彼此相接的部位(间隙0mm)的合计长度设为10以上且100以下。另外，优选为50以上且100以下。 [0055] 在构件构造部中，相邻的磁性薄板彼此相接的部位的厚度优选低于磁性薄板的厚度T(μm)。如图9所示，如果相对于磁性薄板的厚度T(μm)，相邻的磁性薄板彼此相接的部位的厚度低于T(μm)，则不用担心相邻的磁性薄板的侧面彼此偏移而损害平坦性。 [0056] 作为磁片1的层叠体的具体例，可以列举磁致伸缩常数的绝对值超过5ppm的磁性薄板2与磁致伸缩常数的绝对值为5ppm以下的磁性薄板4的层叠体。例如，通过应变计测量法等，能够测定磁致伸缩常数。磁致伸缩常数的绝对值为5ppm以下的范围表示-5ppm至+5ppm的范围(包含零)。磁致伸缩常数的绝对值超过5ppm的范围表示低于-5ppm或者超过+ 5ppm的范围。磁致伸缩表示在通过外部磁场而使磁性体磁化时的、在磁场方向上伸缩的磁性体的比例。在磁性体的磁致伸缩大的情况下，通过磁致伸缩与应力的相互作用而诱导磁各向异性，不易发生磁饱和。 [0057] 磁致伸缩常数的绝对值超过5ppm的磁性薄板2在配置在供电装置侧的情况下，也不易受到磁性的影响。即，磁致伸缩常数的绝对值超过5ppm的磁性薄板2通过在预先轧制时中产生了的应力与磁致伸缩的相互作用，不易因从在供电装置侧配置了的磁铁产生的磁场而发生磁饱和。因此，能够得到作为磁片1所需的L值(电感值)。磁致伸缩常数的绝对值为5ppm以下的磁性薄板4当在供电装置侧未配置磁铁的情况下，显示出高导磁率。因此，根据具备磁性薄板2与磁性薄板4的层叠体的磁片1，在供电装置侧配置磁铁的非接触充电方式、以及在供电装置侧未配置磁铁的非接触充电方式中的任一种方式中，都能够得到良好的磁屏蔽效应。 [0058] 在磁致伸缩常数的绝对值超过5ppm的情况下，能够有效地获得基于磁致伸缩与应力的相互作用的磁饱和的抑制效果。因此，在磁性薄板2中，优选为磁致伸缩常数的绝对值超过5ppm。但是，如果磁致伸缩常数的绝对值超过50ppm，则通过与应力的相互作用而得到的磁各向异性变得过大，有可能无法得到足够的L值。因此，磁性薄板2的磁致伸缩常数的绝对值优选为超过5ppm且在50ppm以下的范围。为了得到高导磁率，磁性薄板4的磁致伸缩常数的绝对值优选为5ppm以下，进而更优选为2ppm以下。磁性薄板4的磁致伸缩常数也可以为零。 [0059] 在磁片1的具体例中，磁性薄板2的厚度优选为50～300μm的范围。磁性薄板4的厚度优选为10～30μm的范围。进而，磁性薄板2优选具有80μΩ·cm以上的电阻值以及1T(10kG)以上且2.1T(21kG)以下的范围的饱和磁通密度。磁性薄板4也优选具有80μΩ·cm以上的电阻值。 [0060] 作为磁片1的其他具体例，可以列举具有50～300μm的范围的厚度(板厚)的磁性薄板2与具有10～30μm的范围的厚度(板厚)的磁性薄板4的层叠体。磁性薄板2的磁致伸缩常数的绝对值优选为超过5ppm。如果磁性薄板2的厚度低于50μm，则如后面所述，由于轧制产生的应力变得过大，通过与磁致伸缩的相互作用得到的磁各向异性变得过大。因此，有可能无法得到足够的L值。磁性薄板2的磁致伸缩常数的绝对值优选为50ppm以下。如果磁性薄板2的厚度超过300μm，则在100kHz以上的L值以及Q值降低。磁性薄板2的厚度优选为80～250μm的范围。磁性薄板2的厚度既可以通过后述的质量法来求出，也可以通过测微计来测定。在通过测微计来测定磁性薄板2的厚度的情况下，厚度表示任意的3处的测定值的平均值。 [0061] 本实施方式的磁片1无论有无供电装置侧的磁铁，都能够用作非接触受电装置用的磁屏蔽等。磁片1具有层叠当在供电装置侧配置了磁铁的情况下不易发生磁饱和的磁性薄板2、与在未配置磁铁的情况下按使用频率而显示出高导磁率的磁性薄板4而得到的构造。但是，尽管在供电装置侧未配置磁铁，有时仍无法直接得到磁性薄板4的电感值，作为磁片1只能得到降低了15～30％左右的电感值。这被认为是不易发生磁饱和的磁性薄板2的电阻值产生影响。其原因不明确，但如下推测。 [0062] 在磁性薄板2的电阻值低的情况下，涡电流损耗变大而Q值降低。与此相伴地，被一体化了的由高导磁率材构成的磁性薄板4也受到磁性薄板2的影响，作为结果，认为磁片1的电感值降低。因此，磁性薄板2电阻值优选为80μΩ·cm以上。如果磁性薄板2的电阻值为80μΩ·cm以上，则能够抑制涡电流损耗的增大、与之伴随的Q值的降低。因此，能够有效地发挥磁性薄板4的电感。磁性薄板2的电阻值更优选为100μΩ·cm以上。另外，磁性薄板4的电阻值也优选为80μΩ·cm以上，更优选为100μΩ·cm以上。此外，电阻值的测定方法通过四端子法来进行。 [0063] 为了抑制磁性薄板2的磁饱和，磁性薄板2优选具有大的磁致伸缩常数，并且具有1T(10kG)以上的饱和磁通密度。通过将磁性薄板2的饱和磁通密度设为1T以上，当在供电装置侧配置了磁铁的情况下，能够更有效地抑制磁性薄板2的磁饱和。特别是，在使用如后述的Nd-Fe-B系磁铁、Sm-Co系磁铁等稀土类磁铁那样的磁力强的磁铁的情况下，磁性薄板2的饱和磁通密度优选为1T以上，进一步优选为1.2T以上。对磁性薄板2的饱和磁通密度没有特别限定，优选为2.1T(21kG)以下。在使用上述的稀土类磁铁的情况下，也只要饱和磁通密度为2.1T左右则足够。进而，如果饱和磁通密度超过2.1T，则Fe合金中的添加元素含量极为受限，耐氧化措施变得不充分，所以存在在使用中容易产生锈这样的其他因素。 [0064] 构成磁片1的层叠体优选具备1张磁性薄板2、或者在2～4张范围内层叠而得到的磁性薄板2。当在供电装置侧配置了磁铁的情况下，为了不易发生磁饱和，使磁性薄板2的层叠张数增多是有效的。但是，如果增加层叠张数，则磁片1整体变厚。如果磁片1整体变得过厚，则难以搭载在移动电话等要求薄型化的电子设备中。在具有50～300μm的厚度的磁性薄板2中，满足磁致伸缩常数的绝对值超过5ppm的条件、电阻值为80μΩ·cm以上的条件、饱和磁通密度为1T以上的条件中的至少2个以上的条件，从而能够使磁性薄板2的张数减少为1～4张，进而减少为1～3张。 [0065] 磁性薄板4的厚度如上所述优选为10～30μm。通过将磁性薄板4的厚度设为30μm以下，能够使磁性薄板4高导磁率化。但是，如果磁性薄板4的厚度低于10μm，则难以制造，进而，在形成缺口部时有可能破碎。磁性薄板4的厚度更优选为12～25μm的范围。磁性薄板4优选按受电装置的使用频率而显示出高导磁率。受电装置的使用频率是指在非接触充电的输电中使用的频率。磁性薄板4的导磁率按使用频率优选为1000以上。磁性薄板4的磁致伸缩常数的绝对值优选为5ppm以下。根据磁性薄板4的厚度与磁致伸缩常数，能够更有效地提高磁性薄板4的导磁率。 [0066] 磁性薄板4的厚度(板厚)X优选通过质量法来求出。具体来说，通过阿基米德法，来求出磁性薄板4的密度(实测值)D。接下来，通过游标卡尺等来测定磁性薄板4的长度L与宽度W。进而，测定磁性薄板4的质量M。磁性薄板4的密度D等于质量M/体积(长度L×宽度W×厚度X)。因此，第2磁性薄板的板厚X根据[质量M/(长度L×宽度W)]/密度D来求出。磁性薄板4有时如后述的非晶合金薄带那样，使用激冷法来制造。在这种情况下，根据冷却辊的表面状态，有时在合金薄带的表面形成起伏。因此，在作为磁性薄板4使用非晶合金、Fe基微晶合金的情况下，优选通过质量法来求出厚度。 [0067] 构成磁片1的层叠体优选具备1张磁性薄板4、或者在2～4张范围内层叠而得到的磁性薄板4。当在供电装置侧未配置磁铁的情况下，为了得到高导磁率，使磁性薄板4的层叠张数增多是有效的。但是，如果增加层叠张数，则磁片1整体变厚。如果磁片1整体变得过厚，则难以搭载在移动电话等要求薄型化的电子设备中。具有10～30μm的厚度的磁性薄板4满足磁致伸缩常数的绝对值为5ppm以下的条件以及具有由后述的通式1或者通式2所表示的组成的磁性薄板4的构成材料的条件中的1个或者2个条件，从而能够使磁性薄板4的张数减少为1～4张，进而减少为1～3张。 [0068] 作为磁性薄板2的构成材料，如果满足上述的特性，则没有特别的限定，优选应用基于Fe或者Ni的合金。此外，“基于”表示按质量比来观察时作为构成元素含有最多这样的意思。作为磁性薄板2的构成材料，可以列举Fe-Cr系、Fe-Ni系、Fe-Si系等Fe合金。作为Fe合金的具体例，可以列举不锈钢、硅钢、坡莫合金、棕土、柯伐镍基合金等。在这些当中，磁性薄板2优选由不锈钢构成，特别优选由铁氧体系不锈钢构成。Fe-Cr系、Fe-Ni系、Fe-Si系等Fe合金通过轧制加工，容易调整板厚。进而，在轧制加工等应力附加工序中，形成内部应变，通过与磁致伸缩的相互作用，容易产生磁各向异性。因此，能够使得磁性薄板2不易发生磁饱和。此外，不锈钢是基于Fe、并且含有10质量％以上的Cr的不易生锈且耐腐蚀性高的Fe合金的总称。另外，不锈钢根据组织构造，被区分为铁氧体系、马氏体系、奥氏体系。 [0069] 铁氧体系不锈钢是Fe-Cr系合金的1种，优选在10～28质量％的范围内包含Cr的。Cr的含量在10质量％以下则电阻低，如果超过28质量％，则加工性降低，难以得到薄板，并且饱和磁化降低。Cr的含量更优选为12～26质量％的范围，进而期望为15～25质量％的范围。铁氧体系不锈钢除Fe与Cr以外，也可以含有0.1质量％以下的C(碳)、0.1质量％以下的N(氮)、0.1质量％以下的O(氧)、0.1质量％以下的P(磷)、0.1质量％以下的S(硫)等。 [0070] 进而，铁氧体系不锈钢也可以含有5质量％以下的Ni、5质量％以下的Co、5质量％以下的Cu、3质量％以下的Si、0.1～8质量％的Al、0.3质量％以下的B、1质量％以下的Mn。进而，铁氧体系不锈钢也可以在1质量％以下的范围内包含从Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mo以及W中选择的至少1种，在0.1质量％以下的范围内包含从Be、Mg、Ca、Sr以及Ba中选择的至少1种，在1质量％以下的范围内包含从Zn、Ga、In、Ge、Sn、Pb、Sb、Bi、Se以及Te中选择的至少1种，进而在1质量％以下的范围内含有从包含Y的稀土类元素中选择的至少1种。各成分的下限值在没有特别说明的情况下，包含零(检测界限以下)。 [0071] 铁氧体系不锈钢中的各添加元素的限定理由如下所述。C的含量多，则热加工性降低，所以优选C的含量少，但大幅度降低在制造性方面是困难的。C的含量根据加工性、韧性的观点，优选为0.1质量％以下。大幅度降低N的含量在制造性方面是困难的。N的含量根据加工性、韧性的观点，优选为0.1质量％以下。P对于电阻值的增大有效，具有提高高频特性的效果。但是，如果包含大量的P，则热加工性降低，所以P的含量优选为0.1质量％以下。如果S的含量超过0.1质量％，则容易在晶界形成硫化物、氧化物，热加工性降低。进而，蚀刻性也降低。S的含量优选为1质量％以下。如果O的含量多，则氧化物系的介在物变多，加工性降低。O的含量优选为0.1质量％以下，进而更优选为0.01质量％以下。 [0072] Ni，Co以及Cu对耐腐蚀性的提高、基于晶粒的微型化的高频特性的提高以及加工性的提高有贡献。但是，如果这些元素的含量过多，则添加效果降低，所以各元素的含量优选为5质量％以下，进而更优选为4质量％以下。Si是对于软磁特性的控制有效的元素，进而，具有作为脱氧剂的效果、提高热加工性的效果。如果Si的含量过多，则加工性反而劣化，所以Si的含量优选为3质量％以下，进而，更优选为2.5质量％以下。Al是对于提高电阻有效的元素。Al的含量为0.1质量％以上，电阻有效地变高，但如果超过8质量％，则加工性降低。B具有抑制C、S、P、O、N等向晶界的偏析的效果、提高热加工性的效果。如果B的含量过多，则形成包含C、O、N的硼化物，加工性恶化。B的含量优选为0.3质量％以下，进而更优选为0.1质量％以下。Mn作为脱氧剂是有效的。如果Mn的含量过多，则热加工性降低，所以Mn的含量优选为1质量％以下，进而更优选为0.8质量％以下。 [0073] 从Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mo以及W中选择的至少1种元素对于高强度化、耐腐蚀性的提高有效，所以冲压等加工性提高，并且电阻值变高。如果这些元素的合计含量超过1质量％，则韧性降低。优选的元素是Ti、Nb、Ta。从Be、Mg、Ca、Sr以及Ba中选择的至少1种元素具有作为脱氧剂的效果、热加工性的提升效果。如果这些元素的合计含量超过0.1质量％，则加工性反而劣化。更优选的含量是0.03质量％以下。从Zn、Ga、In、Ge、Sn、Pb、Sb、Bi、Se以及Te中选择的至少1种元素是对于加工性的提高有效的元素，但如果合计含量超过1质量％，则不易加工。更优选的含量为0.3质量％以下。从包含Y的稀土类元素中选择的至少1种元素对于提高电阻有效，也具有热加工性的提升效果。如果这些元素的合计含量超过1质量％，则加工性反而劣化。更优选的含量是0.5质量％以下。 [0074] 在Fe-Ni系合金、Fe-Si系合金中，在仅有主要的构成元素的情况下，电阻低于80μΩ·cm，但与Fe-Cr系合金同样地，通过适量添加Al，添加Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mo、W、B、稀土类元素、碱土类元素等，进而对Mn等脱氧剂进行余量控制，从而电阻值为80μΩ·cm以上。但是，在Fe-Ni系中，Ni量为78～80质量％的附近组成，在Fe-Si系中，Si量为6.5质量％的附近组成，磁致伸缩常数变小，当在供电装置侧配置了磁铁的情况下的电感值降低。优选排除这样的组成。 [0075] 构成磁性薄板2的Fe-Cr系、Fe-Ni系、Fe-Si系等Fe合金薄板通过一般性的溶化、铸造、轧制等各工艺来制作。例如，在使按规定的组成比配制了的合金原材料在大气中或者惰性气氛中溶化之后，浇铸到规定的模具中。接下来，对合金材进行热加工或者冷加工，进行轧制到成为目标的板厚而得到磁性薄板。也能够使用双辊法来对熔融状态的合金进行直接激冷轧制而得到磁性薄板。为了实现高导磁率化，也可以在轧制后进行热处理。热处理的条件优选为600～1200℃、10秒～5小时。在作为磁性薄板4使用Co基非晶合金、Fe基微晶合金的情况下，不一定需要磁性薄板2的高导磁率化，所以也可以将在热处理温度低于600℃的情况下得到的材料、轧制后的板材直接应用于磁片1。因此，能够降低磁片1的制造成本。 [0076] 磁性薄板4优选由Co基非晶合金、或者具有5～30nm的平均晶粒径的Fe基微晶合金构成。由这些合金构成的薄板例如通过利用单辊法对合金熔态金属进行超激冷来制作。由此，能够容易地得到厚度为10～30μm的范围的磁性薄板4。 [0077] Co基非晶合金优选具有由以下的通式1所表示的组成。 [0078] 通式1：(Co1-x-yFexMnyNiz)100-a-b-cM1aSibBc [0079] (式中，M1是从Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo以及W中选择的至少1种元素，x是满足0≦x≦0.1的数(原子比)，y是满足0≦y≦0.1的数(原子比)，z是满足0≦z≦0.1的数(原子比)，a是满足0≦a≦10原子％的数，b是满足5≦b≦20原子％的数，c是满足5≦c≦30原子％的数。) [0080] 在通式1中，Co、Fe、Mn以及Ni的含量根据导磁率、磁致伸缩常数、磁通密度、铁芯损耗等所要求的磁特性来调整。M1元素是为了进行热稳定性、耐腐蚀性、晶体化温度的控制，根据需要而添加的元素。Si(硅)以及B(硼素)是对于磁性合金的非晶化(非晶质化)有效的元素。特别是，B对于磁性薄板4的非晶化有效。Si是对于非晶相的形成的促进、晶体化温度的上升有效的元素。如果是满足通式1的Co基非晶合金，则容易将磁致伸缩常数的绝对值调整为5ppm以下、进而2ppm以下(包含零)。此外，为了调整Co基非晶合金的磁特性，也可以在Co基非晶合金中，实施300～500℃且5分～2小时的热处理。 [0081] Fe基微晶合金优选具有由以下的通式2所表示的组成。 [0082] 通式2：(Fe1-dTd)100-e-f-g-hCueSifBgM2h [0083] (式中，T是从Co以及Ni中选择的至少1种元素，M2是从Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mo以及W中选择的至少1种元素，d是满足0≦d≦0.5的数(原子比)，e是满足0≦e≦3原子％的数，f是满足0≦f≦30原子％的数，g是满足2≦g≦25原子％的数，h是满足0.1≦h≦30原子％的数。) [0084] Fe以及T元素的组成比根据导磁率、磁致伸缩常数、磁通密度、铁芯损耗等所要求的磁特性来调整。Cu是防止在使晶体析出时的晶体的粗大化的成分。M2元素是对于晶粒径的均匀化、磁致伸缩的降低有效的元素。Si以及B是对暂时地进行非晶化有效的成分。Fe基微晶合金与非晶合金同样地，通过激冷法而制作厚度10～30μm的非晶薄板，通过在500～700℃的温度下进行5分～5小时的热处理来制作该非晶薄板。平均晶粒径为5～30nm的微晶通过热处理而析出。微晶按面积率析出20％以上即可。 [0085] 本实施方式的磁片1在将磁性薄板2、4加工成规定的尺寸之后，根据需要，通过夹着粘着层部3地进行层叠来制作。另外，为了提高L值或者Q值，对磁性薄板2或者磁性薄板4的至少1层赋予上述那样的构件构造部。另外，由于是构件构造部，所以在相邻的磁性薄板彼此之间能够形成正面和背面贯通了的间隙部。 [0086] 图4至图7是示出构件构造部的形成例的图。在这些图中，构件构造部能够形成于第1以及第2磁性薄板2、4中的任一个上，所以省略磁性薄板的符号。构件构造部的形状不限于图4至图7的形状，能够应用各种形状。 [0087] 作为构件构造部的形成方法，没有特别限定，可以列举通过例如冲压加工来将细长的磁性薄板按目标尺寸进行加工而形成的方法、通过切割刀片切断而形成的方法、通过蚀刻来形成切缝的方法以及通过激光加工进行形状加工而形成的方法等。构件构造部也可以组合这些方法而形成。本实施方式的构件构造部在相邻的磁性薄板中，具有在一个磁性薄板的缺口嵌入另一个磁性薄板的构造。因此，优选在预先组成构件构造部之后在粘着层上配置。另外，也可以在同一平面上，配置多个构件构造部。另外，各个构件构造部的形状也可以是不同的形状。本实施方式的磁片1具备在同一平面上具备多个的磁性薄板的构件构造部，所以磁性薄板容易配置。因此，量产性优良。 [0088] 本实施方式的磁片1优选具有设置于磁性薄板2(4)的间隙部6的合计长度B相对于在同一平面上配置了的磁性薄板2(4)的外周区域的合计外周长A之比(B/A)为2～25的范围的构件构造部。将设置于磁性薄板2(4)的间隙部6的B/A控制在2～25的范围内，从而能够提高磁片1的L值以及Q值。 [0089] 图10是示出构件构造部中的间隙部的一个例子的图。在图10中，示出了形成了梳齿形状的构件构造部的例子。另外，在图10中，由磁性薄板片7-1与磁性薄板片7-2构成第1构件构造部，由磁性薄板片7-3与磁性薄板片7-4构成第2构件构造部，由磁性薄板片7-5与磁性薄板片7-6构成第3构件构造部，由磁性薄板片7-7与磁性薄板片7-8构成第4的构件构造部，4个构件构造部在同一平面上四边形形状地排列。 [0090] 在图10中，磁性薄板的外周区域的合计外周长A为磁性薄板的四边的合计长度，从而A＝A1+A2+A3+A4。另外，间隙部6的合计长度B还包含各个构件构造部内的间隙部6的长度以及相邻的构件构造部彼此的间隙部的宽度。在这里使用梳齿状的构件构造部来进行了说明，但即使是同心圆状、波状、倾斜梳齿形状等其他形状，也采用同样的计数方法。 [0091] 在B/A低于2的情况下，Q值的提升效果不充分，如果B/A超过25，则L值降低。即，在B/A低于2的情况下，抑制涡电流的产生的效果减小，如果B/A超过25，则受电效率降低。受电效率的降低成为使充电时间长时间化的原因。 [0092] 在非接触充电装置中，在受电装置(被充电的电子设备)中，为了提高受电效率，应用了共振电路。将L(电感器)与C(电容器)串联或者并联地连接而构成了的共振电路在特定的共振频率下，在电路中流过的电流成为最大或者最小。作为用于得到共振电路的尖锐化(频率选择性)的重要特性，有共振的Q值。 [0093] Q值由Q＝2πfL/R来表示。π是圆周率3.14，f是频率，L是L值(电感)，R是损耗。为了提高Q值，需要增大频率f，增大L，或者减小损耗R。例如，虽然通过电路设计能够增大频率f，如果频率f变大，则涡电流损耗变大，损耗R变大。 [0094] 因此，在本实施方式中，通过采用具有形成了规定量(B/A为2～25)的间隙部6的构件构造部的磁性薄板，来抑制涡电流损耗的增大。涡电流是指在对导体施加的磁场的大小变化了的情况下，通过电磁感应而在导体中激励的环状电流，与此相伴地产生的损耗是涡电流损耗。由于伴随着电磁感应，所以如果涡电流变大，则产生发热。例如，在搭载了二次电池的受电装置中，由于涡电流，二次电池的壳体发热，充放电循环寿命变短，或者放电容量的劣化加剧。如果不必要地过度发热，则也成为电子装置的故障的原因。通过在磁性薄板2(4)上形成上述间隙部6，能够抑制涡电流损耗的增大。通过使间隙部6的宽度S减小到0mm以上且1mm以下，能够防止磁通穿过磁性薄板2(4)的间隙而在二次电池的壳体表面等产生涡电流。 [0095] 构成磁片1的层叠体优选具备2张以上的包括具有B/A不同的间隙部6的构件构造部的磁性薄板2(4)。例如，优选使磁性薄板2的间隙部6的B/A与磁性薄板4的间隙部6的B/A(包含零)不同。为此，在磁性薄板2与磁性薄板4之间设置不同的构件构造部也有效果。作为本实施方式的磁片1，使用种类不同的磁性薄板2、4。磁性薄板2、4所要求的磁特性不同，所以B/A优选根据各个磁性薄板2、4来设定。进而，通过使B/A不同，能够抑制在磁片1的厚度方向上设置连续的孔，所以抑制涡电流的产生的效果提高。在需要高电感值的情况下，将磁性薄板4的B/A设为零。即，也可以不具有间隙部6(缺口部)。 [0096] 接下来，说明本实施方式的受电装置、电子设备以及非接触充电装置。图11以及图12是示出电子设备的结构的图。图11以及图12所示的电子设备10具备应用非接触充电方式的受电装置11与电子设备主体部12。电子设备主体部12具备电路基板13以及搭载于它的电子装置14。受电装置11、电子设备主体部12在框体15内配置，通过它们来构成电子设备10。 [0097] 受电装置11具备作为受电线圈的螺旋状线圈16、对在螺旋状线圈16中产生了的交流电压进行整流的整流器17以及通过由整流器17整流了的直流电压而被充电的二次电池18。电子设备主体部12具备被供给对受电装置11的二次电池18充电了的直流电压而进行动作的电子装置14。电子设备12主体也可以具备电子装置14、电路基板13以外的部件、装置等。作为螺旋状线圈16，使用在平面状态下卷绕铜线等金属导线而得到的平面线圈、螺旋状地印刷金属粉膏而形成了的平面线圈等。螺旋状线圈16的卷绕形状是圆形状、椭圆状、四边形状、多边形状等，没有特别限定。螺旋状线圈16的卷绕数也根据要求特性来适当设定。 [0098] 作为整流器17，可以列举晶体管、二极管等半导体元件。整流器17的个数是任意的，根据需要，使用1个或者2个以上的整流器17。整流器17也可以通过薄膜晶体管(Thin Film Transistor：TFT)等的成膜技术来形成。在图11以及图12中，整流器17在电路基板13的螺旋状线圈16侧设置。整流器17也可以在电路基板13的与螺旋状线圈16相反一侧的面设置。二次电池18能够进行充放电，作为二次电池18，能够使用平板型、按钮型等各种形状。在电子装置14中，包含电阻元件、电容元件、电感元件、控制元件、存储元件等构成电路的各种元件、部件。进而，也可以使用它们以外的部件、装置。电路基板13是在树脂基板、陶瓷基板等绝缘基板的表面、内部形成电路而得到的。电子装置14安装在电路基板13上。电子装置14也可以包括未安装在电路基板13上的部件。 [0099] 图11所示的电子设备10具备在螺旋状线圈(受电线圈)16与二次电池18之间设置了的磁片1。即，螺旋状线圈16与二次电池18夹着磁片1地配置。作为螺旋状线圈16的至少一部分具有平面部，该平面部沿着磁片1的表面地配置。在作为受电装置11来观察的情况下，在构成它的螺旋状线圈16与二次电池18之间配置磁片1。 [0100] 图12所示的电子设备10具备在二次电池18与电路基板13之间设置了的磁片1。进而，磁片1也可以在螺旋状线圈16与整流器17之间、螺旋状线圈16与电子装置14之间配置。磁片1配置于这些各部位中的1处以上的部位。磁片1也可以配置于2处或者2处以上的部位。 [0101] 电子设备10的结构不限于图11至图12。螺旋状线圈16、二次电池18与电路基板13的配置能够进行各种变更。例如，也可以从上侧依次配置二次电池18、电路基板13、螺旋状线圈16。磁片1例如在电路基板13与螺旋状线圈16之间配置。当在螺旋状线圈16与电路基板13之间配置磁片1的情况下，既可以仅层叠螺旋状线圈16、磁片1与电路基板13，也可以通过粘接剂、钎料来将它们之间固定。在上述的构造以外的情况下也一样，既可以仅层叠各结构要素，也可以通过粘接剂、钎料来将它们之间固定。 [0102] 如上所述，通过在螺旋状线圈16与二次电池18之间、螺旋状线圈16与整流器17之间、螺旋状线圈16与电子装置14之间、螺旋状线圈16与电路基板13之间的至少1个部位配置磁片1，能够利用磁片1来屏蔽在充电时通过螺旋状线圈16的磁通。因此，与电子设备10内部的电路基板13等发生交链的磁通减少，所以能够抑制由电磁感应导致的涡电流的产生。 [0103] 磁片1的厚度优选考虑设置性、磁通的遮断性等而设为1mm以下的范围。磁片1的厚度包括粘着层部3、覆盖外观的树脂膜5等的厚度。在重视磁片1的L值的情况下，优选在螺旋状线圈16侧配置具有高导磁率的磁性薄板4。在重视磁片1的Q值的情况下，优选在螺旋状线圈16侧配置不易发生磁饱和的磁性薄板2。 [0104] 通过抑制涡电流的影响，能够抑制安装于电路基板13的电子装置14、整流器17的发热、电路基板13的电路的发热、进而由涡电流引起的噪声的产生。电子设备10内部的发热的抑制对于二次电池18的性能、可靠性的提高有贡献。通过抑制由涡电流损耗导致的Q值的降低，能够增大对受电装置11供给的电力。磁片1还作为针对螺旋状线圈16的磁芯发挥功能，所以能够提高受电效率、充电效率。它们对于针对电子设备10的充电时间的缩短有贡献。进而，还能够抑制在二次电池18的壳体中产生的涡电流，所以充电时的二次电池18的温度上升较少，寿命特性不易降低。 [0105] 上述的本实施方式的磁片1例如被用作电感器用磁性体、磁屏蔽用磁性体(包含噪声应对片)。特别是，适合于在100kHz以上的频带中使用的磁片。即，基于具有缺口部的磁性薄板2的Q值的提升效果、涡电流损耗的降低效果在100kHz以上的频带域中能够更好地发挥。因此，磁片1适合作为在100kHz以上的频带中使用的电感器用磁性体、磁屏蔽用磁性体。 [0106] 在本实施方式的受电装置11以及使用它的电子设备10中，能够抑制由与螺旋状线圈16发生交链的磁通引起的涡电流，所以能够降低设备内部的发热，并且能够提高受电效率。由此，能够增大供电时的电力，能够实现充电时间的缩短。本实施方式的电子设备10适合于移动电话机、便携型音频设备、数码相机、游戏机等。这样的电子设备10设置在供电装置中而进行非接触充电。 [0107] 图13是示出本实施方式的非接触充电装置的结构的图。非接触充电装置20具备电子设备10与供电装置30。在非接触充电装置20中，电子设备10如上述的本实施方式所示。供电装置30具备供电线圈31、供电线圈用磁芯32、进行受电装置11的位置对准的磁铁33、以及未图示的对供电线圈31施加交流电压的电源等。在将电子设备10设置在供电装置30上时，供电线圈31与受电装置11非接触地配置。在图13中，箭头示出了磁通的流动。 [0108] 由非接触充电装置20实施的充电按以下的方式进行。从电源对供电装置30的供电线圈31施加交流电压，在供电线圈31产生磁通。在供电线圈31中产生了的磁通被传递到与供电线圈31非接触地配置了的螺旋状线圈16。在螺旋状线圈16中，接受磁通而通过电磁感应产生交流电压。该交流电压由整流器17进行整流。通过由整流器17整流了的直流电压，来对二次电池18充电。 [0109] 在非接触充电装置20中，以非接触方式进行电力的传送。图13所示的供电装置30具备用于进行受电装置11的定位的磁铁33。磁铁33在供电线圈31的中心配置有1个，但不限定于此。磁铁32只要是永磁铁，则没有特别的限定，优选是Nd-Fe-B系磁铁。 [0110] 作为永磁铁，已知了Sm-Co系磁铁、Sm-Fe-N系磁铁等各种磁铁，但Nd-Fe-B系磁铁由于较廉价，所以通用性高。Nd-Fe-B系磁铁既可以是烧结磁铁(Nd-Fe-B系磁铁粉末的烧结体)，也可以是结合磁铁(Nd-Fe-B系磁铁粉末与树脂的混合物)。另外，Nd-Fe-B系烧结磁铁、Nd-Fe-B系结合磁铁、Sm-Co系磁铁如果剩余磁通密度(Br)为0.70T以上，顽磁力(Hc)为400kA/m以上，则磁力强。另外，铁氧体磁铁的主流是Br在0.60T以下，Hc低于400kA/m。 [0111] 关于本实施方式的磁片1，由于即使在供电装置30中搭载了磁铁33也不发生磁饱和，所以作为磁屏蔽、电感器能够良好地发挥功能。因此，能够提高受电装置11的受电效率。本实施方式的磁片1在应用未搭载进行受电装置11的位置对准的磁铁33的供电装置30的情况下，也作为磁屏蔽、电感器良好地发挥功能。因此，在使用未搭载磁铁33的供电装置30的情况下，也能够提高受电装置11的受电效率。供电装置的结构除了未搭载磁铁33之外，与图 13所示的供电装置30相同。在这样的供电装置中，也可以通过可移动的线圈来进行受电装置11的位置对准。 [0112] 关于本实施方式的磁片1，在同一平面上配置了的磁性薄板具有构件构造部，所以能够减小构件构造部中的相邻的磁性薄板彼此的间隙部，从而能够增大电感值(L值)。因此，在使用具备定位用磁铁的供电装置的非接触充电装置中，也能够提高受电效率。另外，由于具备构件构造部，能够防止相邻的磁性薄板彼此重叠，所以能够维持磁片的平坦性。 [0113] 实施例 [0114] 接下来，叙述本发明的具体的实施例以及其评价结果。 [0115] (第1非接触充电装置) [0116] 作为第1非接触充电装置，准备了移动电话机用的充电系统。供电装置将来自AC电源的电力通过控制电路而变换成恒定的电磁波，将发送该电磁波的初级线圈(供电线圈)配置在载物台的附近。此外，在初级线圈的中心部，配置了直径15mm、厚度0.5mm的Nd-Fe-B系烧结磁铁(剩余磁通密度(Br)：1.42T，顽磁力(Hc)：438kA/m)。移动电话机作为受电装置，具备由螺旋状线圈构成的次级线圈(受电线圈)、安装有对在次级线圈中产生了的交流电力进行整流的整流器的电路基板以及二次电池。次级线圈是将铜线按外周30mm、内周23mm平面状地卷绕而成的。 [0117] (比较例A) [0118] 在第1非接触充电装置中，将不使用磁片地构成受电装置的例子设为比较例A。 [0119] (实施例1～16) [0120] 作为第1磁性薄板，经过溶化、铸造、轧制工序，制作了厚度为200μm的不锈钢薄板。不锈钢的组成包含0.01质量％的C、0.35质量％的Si、0.20质量％的Mn、0.024质量％的P、 0.003质量％的S、18.8质量％的Cr、3.4质量％的Al、0.18质量％的Ti、0.02质量％的O，剩余部分为Fe。该材料的电阻值为124μΩ·cm，饱和磁通密度为1.36T，磁致伸缩常数的绝对值为26ppm。不进行轧制后的热处理。 [0121] 作为第2磁性薄板，通过单辊激冷法来制作了厚度为18μm的Co基非晶合金薄板。Co基非晶合金薄板的组成是(Co0.90Fe0.05Nb0.02Cr0.03)75Si13B12(原子％)。该材料的磁致伸缩常数的绝对值为1ppm以下，饱和磁通密度为0.55T，电阻值为120μΩ·cm。电阻通过四端子法来测定。饱和磁通密度通过试样振动型磁力计来测定。磁致伸缩常数通过应变计测量法来测定。第1磁性薄板的厚度通过测微计来测定。第2磁性薄板的厚度通过质量法来求出。 [0122] 在实施例1～8中，作为第2磁性薄板使用Co基非晶合金薄板。另外，在相邻的磁性薄板彼此相接的比例为0的实施例1以及实施例6中，将构件构造中的相邻的第1磁性薄板彼此的间隙部的宽度的最小值设为0.03mm以上。 [0123] 接下来，将不锈钢薄板(第1磁性薄板)以及Co基非晶合金薄板(第2磁性薄板)切断成纵42mm×横42mm的四边形状。将不锈钢薄板(第1磁性薄板)做成表1所示的B/A(＝磁性薄板的外周区域的合计外周长A/设置于磁性薄板的间隙部的合计长度B)那样的梳齿状的构件构造部。另外，关于Co基非晶合金薄板(第2磁性薄板)，准备了平板(不进行切缝加工)形状、8分割(按间隙0.2mm统一地配置)形状的材料(参照表1)。 [0124] 接下来，作为粘着层部，准备了涂覆丙烯酸系粘接剂(厚度10μm)而得到的PET膜(厚度12.5μm)。经由粘着层部(厚度10μm的丙烯酸系粘接剂层)来层叠不锈钢薄板与Co基非晶合金薄板，以将最外层设为PET膜的方式来进行层叠而做成实施例1～8的磁片(参照表1)。另外，作为比较例1，除了将间隙部的宽度统一成1.5mm之外，准备了与实施例1相同的磁片(参照表1)。 [0125] [表1] [0126] [0127] 接下来，作为第2磁性薄板，准备了通过质量法来求出的厚度为20μm的Fe基微晶合金薄板(组成：Fe73Cu1Nb3Si15B8(原子％)，平均晶粒径：10nm)。将该磁性薄板加工成纵42mm×横42mm的四边形状。另外，针对Fe基微晶合金薄板，实施了540℃×1小时的热处理。该磁性薄板的饱和磁通密度为1.34T，电阻值为120μΩ·cm，磁致伸缩常数的绝对值为1ppm以下。另外，关于Fe基微晶合金薄板(第2磁性薄板)，准备了平板(不进行切缝加工)的形状、8分割(按间隙0.2mm统一地配置)的形状的材料(参照表1)。 [0128] 在实施例9～16中，作为第2磁性薄板使用Fe基微晶合金薄板。另外，在相邻的磁性薄板彼此相接的比例为0的实施例9以及实施例14中，将构件构造中的相邻的第1磁性薄板彼此的间隙部的宽度的最小值设为0.03mm以上。 [0129] 接下来，将作为粘着层部涂覆丙烯酸系粘接剂(厚度10μm)而得到的PET膜(厚度12.5μm)以及上述的不锈钢薄板(第1磁性薄板)组合，制作了表2所示的实施例9～16所涉及的磁片。另外，作为比较例2，除了将间隙部的宽度统一成1.5mm之外，准备了与实施例9相同的磁片(参照表2)。 [0130] [表2] [0131] [0132] 关于实施例1～16以及比较例1～2的磁片，使用阻抗分析器(HP4192A)来测定了Q值与L值。使用了在供电装置侧配置了电子设备(受电装置)的定位用磁铁的的装置。另外，为了评价作为非接触充电装置的特性，测定了耦合效率(受电效率)与发热量。 [0133] 耦合效率评价了在从初级线圈(供电线圈)发送恒定的电力(在这里是1W)时，有多少的电力被传递到次级线圈(受电线圈)。在将比较例A(无磁片)的耦合效率(被传递到次级线圈的电能)设为100时，用B表示提高了20％以上且低于40％(120以上且低于140)，用A表示提高了140％以上且低于160％(140以上)，用S表示提高了160％以上(160以上)，用C表示是10％以上且低于20％(110以上且低于120)，用D表示是低于10％(低于110)。耦合效率高意味着受电效率高。 [0134] 作为发热量，进行2小时的基于输电速度0.4W/h、1.5W/h以及3.0W/h的输电，测定2小时后的温度上升。用A表示温度上升为10℃以下，用B表示温度上升超过10℃且在20℃以下，用C表示温度上升超过20℃且在30℃以下，用D表示温度上升超过30℃。在输电前统一为室温25℃。温度上升小意味着涡电流的产生被抑制。此外，当输电速度为0.4W/h时，受电速度为0.25W/h，当输电速度为1.5W/h时，受电速度为0.9W/h，当输电速度为3.0W/h时，受电速度为1.7W/h。 [0135] 在充电时间的削减率(％)的测定中，在实施例1～8中，示出了比比较例1的充电时间短的充电时间的比例。另外，在实施例9～16中，示出了比比较例2短的充电时间的比例。削减率(％)越大，则表示充电时间越短。此外，充电条件以输电速度1.5W/h来进行。在表3中示出这些结果。 [0136] [表3] [0137] [0138] 根据表3可知，能够确认实施例1～16的磁片即使存在磁铁，也显示出良好的特性。特别是，在构件构造部中，相邻的磁性薄板彼此相接的部位越多，则越显示出优良的特性。 另外，如实施例5～8以及实施例13～16那样，使间隙部的最大宽度变窄的话，即使受电速度上升，也能够降低发热量。如比较例1、比较例2那样，间隙大的磁片的特性降低。 [0139] (实施例1A～16A) [0140] 作为使用实施例1～16的磁片的非接触充电装置，构成移动电话机用的充电系统。供电装置将来自AC电源(0.5A或者1.0A)的电力，通过控制电路变换成恒定的电磁波，将发送该电磁波的初级线圈(供电线圈)配置在载物台的附近。作为磁铁，准备Nd-Fe-B系结合磁铁(Br：0.75T，Hc：756kA/m)、Sm-Co系磁铁(Br：1.02T，Hc：796kA/m)、铁氧体磁铁(Br：0.43T，Hc：398kA/m)，将某一个配置在初级线圈的中心部。移动电话机作为受电装置，具备由螺旋状线圈构成的次级线圈(受电线圈)、安装有对在次级线圈中产生了的交流电力进行整流的整流器的电路基板以及二次电池。次级线圈是将铜线按外周30mm、内周23mm平面状地卷绕而成的。 [0141] 针对AC电源的电流为0.5A的情况和为1.0A的情况，测定了非接触充电装置的耦合效率以及发热量。针对使用上述的Nd-Fe-B系结合磁铁、Sm-Co系磁铁、铁氧体磁铁的情况，分别实施非接触充电装置的特性评价。耦合效率评价了在将AC电源的电流设为0.5A或者1.0A，从初级线圈(供电线圈)发送恒定的电力(在这里1W)时，有多少的电力被传递到次级线圈(受电线圈)。在将比较例A的耦合效率(被传递到次级线圈的电能)设为100时，用B表示提高了20％以上且低于40％(120以上且低于140)，用A表示提高了140％以上且低于160％(140以上且低于160)，用S表示提高了160％以上(160以上)，用C表示是低于20％(低于 120)。关于发热量，将AC电源的电流设为0.5A或者1.0A并进行2小时的输电，测定2小时后的温度上升。用A表示温度上升为25℃以下，用B表示温度上升超过25℃且在40℃以下，用C表示温度上升超过40℃。在输电前统一为室温25℃。在表4以及表5中示出这些的结果。 [0142] [表4] [0143] [0144] [表5] [0145] [0146] 根据表4以及表5可知，能够确认，本实施例的磁片即使在改变了AC电源的电流值的情况下，也显示出优良的特性。进而，在改变了磁铁的情况下，也能够确认，本实施例的磁片显示出优良的特性。由此，即使在AC电源的变化、定位用磁铁的材质变化了的情况下，根据本实施例的磁片，也能够实现受电效率的提高、发热量的降低。因此，能够大幅度提高受电装置、非接触充电装置的可靠性、通用性。 |
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