1.一种用于射频能量收集系统的双输出整流稳压RF‑DC转换器电路，其特征在于，在对射频能量整流的基础上，在不增加额外的直流转换模块的前提下，同时增加稳压功能，输出两路独立的直流信号，包括第一级整流器、第二级整流器、辅助整流器、两级动态稳压电路、动态双边自偏置电路、比较器电路、输出电压采样电路；其中：第一级整流器、第二级整流器和辅助整流器串联；第一级整流器和第二级整流器为主整流器电路，两级整流电路分别给出一个直流输出，第三级为辅助整流器，其输出电压给系统中电路提供直流偏置；且射频输入端均接到信号源的差分信号输出端；动态双边自偏置电路分别接到主整流器的输入和输出侧整流管，用于增大正向电流和减小反向泄露电流；比较器电路通过检测输出电压和参考电压的相对大小，给出两级动态稳压电路的控制信号；动态稳压电路根据比较器输出信号的大小来禁用或使能整流器主整流管，达到稳压的目的。
2.根据权利要求1所述的双输出整流稳压RF‑DC转换器电路，其特征在于，单级的整流器电路分为输入侧和输出侧两部分；
在输入侧，分为主整流管和组成自偏置电路的辅助晶体管两部分，主整流管为MN1和MN2，栅极分别与耦合电容C1、C3相连，漏极和源极分别与耦合电容C2、C4以及大地相连；辅助晶体管MB1,MB2为二极管连接法，栅极与漏极短接并与其连接的主整流管MN1、MN2的栅极相连，源极与地相连；辅助晶体管与主整流管在不同的半周期导通，为主整流管MN1、MN2的导通提供偏置电压，使其能够在输入电压低于阈值电压时导通，使得整流器在较低输入功率下有较高的转换效率，提升其灵敏度；
在输出侧，同样分为主整流管和组成自偏置电路的辅助晶体管两部分，主整流管为MP1和MP2，主流管的栅极分别接到信号VBP和VBN，整流器的稳压功能是通过控制输出侧整流管的通断来实现；当整流器输出电压小于参考电压时，整流管接入整流桥，为负载电容充电，此时VBP通过动态稳压电路与VAN相连，VBN通过动态稳压电路与VAP相连，整流器正常工作；当整流器输出电压大于或者等于参考电压时候，整流器禁用，以维持输出电压大小，达到稳压功能；此时VBP和VBN均接到高电平VDD，此时PMOS主整流管MP1和MP2被禁用；对于辅助晶体管，为自级联的MB3、MB4和MB5、MB6，级联后栅极与漏极短接并与主整流管MP1、MP2的栅极相连，源极与负载电容相连；输出侧的主整流管与其相连的辅助晶体管在相同的半周期导通，为主整流管提供偏置电压，减小反向泄露电流的产生，进而增强整流器在较高输入功率时的转换效率，拓宽高效率的输入功率范围。
3.根据权利要求2所述的双输出整流稳压RF‑DC转换器电路，其特征在于，动态稳压电路由一对互补的NMOS和PMOS开关管MSN、MSP组成；对于每一级的整流电路而言，两组互补开关分别控制两个PMOS整流管的导通和关断；其中NMOS开关MSN的栅极接到比较器电路的输出，用来控制开关的通断，漏极接到整流器主整流管的栅极VBP或VBN，源极接到VAP或VAN端，当整流器输出电压小于参考电压的时候，MSN导通，将主整流管的栅极VBP或VBN接入到整流桥VAP或VAN；PMOS的开关MSP的栅极也接到比较器电路的输出，用来控制开关的通断；漏极与MSN的漏极短接后同时接到整流器主整流管的栅极VBP或VBN，源极接到第三级整流器的输出VDD端，当整流器输出电压大于或者等于参考电压时，此MSP导通，将主整流管的栅极接到高电位VDD，进而禁用PMOS主整流管，达到稳压的目的。
4.根据权利要求3所述的双输出整流稳压RF‑DC转换器电路，其特征在于，动态自偏置电路分为两种方式，分别针对输入侧NMOS整流管和输出侧PMOS整流管；对于输入侧NMOS整流管MN的自偏置电路，辅助晶体管MB是由一个二极管连接的PMOS管MNB组成，其栅极和漏极短接后与主整流管MN的栅极相连，其源极与主流管的漏极相连，其漏极与整流器的输入端相连；对于输出侧PMOS整流管MP的自偏置电路，由两个自级联的PMOS管MPB1和MPB2组成，MPB1和MPB2的栅极相连后与MPB1的漏极短接并与主整流管MP的栅极相连，MPB1的源极和MPB2的漏极相连，MPB2的源极与整流器输出端相连。