1.一种存储器的读电路，其特征在于，包括：
读阵列，包括位于一列上的多个存储单元；
钳位控制MOS管，其栅端输入钳位电压，用于在所述读阵列上产生数据端电流；
参考电路，包括参考电阻和参考阵列，所述参考阵列用于匹配所述读阵列在读操作时由未开启的存储单元产生的漏电流；
参考控制MOS管，其栅端输入参考电压，用于在所述参考电路上产生参考端电流；
灵敏放大器，所述灵敏放大器的一端通过所述钳位控制MOS管连接于所述读阵列，所述灵敏放大器的另一端通过所述参考控制MOS管连接于所述参考电路，所述灵敏放大器用于通过比较所述数据端电流和所述参考端电流，输出读取结果。
2.根据权利要求1所述的存储器的读电路，其特征在于，每个所述存储单元包括磁性隧道结和与所述磁性隧道结连接的开关管。
3.根据权利要求1所述的存储器的读电路，其特征在于，所述参考阵列包括位于一列上的多个存储单元，所述参考阵列的存储单元结构与所述读阵列的存储单元结构相同，所述参考阵列包含的存储单元个数比所述读阵列包含的存储单元个数少一个，所述参考阵列的位线与所述参考控制MOS管连接，所述参考阵列的源线与地线连接。
4.根据权利要求3所述的存储器的读电路，其特征在于，
所述参考电阻包括参考单元和第一电阻，所述参考单元由一个存储单元来实现，所述参考单元的结构与所述读阵列的存储单元结构相同，所述参考单元内的磁性隧道结状态为平行态，所述参考单元内的开关管状态由一条参考字线控制，所述参考单元与所述参考阵列共用位线和源线；
所述第一电阻连接于所述参考阵列的源线与地线之间，与所述参考单元一起构成读操作的参考电阻。
5.根据权利要求4所述的存储器的读电路，其特征在于，所述第一电阻的阻值为R，且满足Rp6.根据权利要求4所述的存储器的读电路，其特征在于，所述参考阵列和所述参考单元由所述存储阵列的一列冗余列来实现，所述冗余列包含的存储单元的个数与所述读阵列相同，且存储单元的结构相同，所述冗余列的任意一个存储单元作为所述参考单元，所述冗余列除所述参考单元以外的其他存储单元构成所述参考阵列。
7.根据权利要求4所述的存储器的读电路，其特征在于，还包括：
第一支路开关，连接于所述钳位控制MOS管和所述读阵列的位线之间；
第二支路开关，连接于所述读阵列的源线和地线之间；
第三支路开关，连接于所述参考阵列的位线和所述参考控制MOS管之间。
8.根据权利要求3所述的存储器的读电路，其特征在于，所述参考电阻包括第二电阻，所述第二电阻连接于所述参考控制MOS管和地线之间，构成读操作的参考电阻。
9.根据权利要求8所述的存储器的读电路，其特征在于，所述第二电阻的阻值介于Rp和Rap之间，Rp表示磁性隧道结平行态的电阻，Rap表示磁性隧道结反平行态的电阻。
10.根据权利要求8所述的存储器的读电路，其特征在于，还包括：
第四支路开关，连接于所述钳位控制MOS管和所述读阵列的位线之间；
第五支路开关，连接于所述读阵列的源线和地线之间；
第六支路开关，连接于所述参考阵列的位线和所述参考控制MOS管之间；
第七支路开关，连接于所述第二电阻和所述参考控制MOS管之间。