| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 显示面板、显示设备和显示面板的控制方法 | CN202280002767.0 | 2022-08-23 | CN117918028A | 2024-04-23 | 文娜; 邹佳滨; 尹晓峰; 闫岩; 栗峰; 郑翠翠; 桑琦 |
| 本公开的实施例提供了一种显示面板、显示设备和显示面板的控制方法。显示面板包括：衬底基板；多个子像素；多条栅极线，沿第一方向延伸且沿与第一方向交叉的第二方向排列，每条栅极线与至少一行子像素连接；多个移位寄存器；多个辅助电路，位于衬底基板的周边区，其中栅极线的第一端连接移位寄存器，栅极线的第二端连接辅助电路，其中辅助电路的控制端连接为接收辅助信号，辅助电路的输入端连接为接收参考信号，辅助电路的输出端连接至栅极线的第二端，辅助电路被配置为在所述辅助电路的控制端处辅助信号的控制下将所述辅助电路的输入端处的参考信号提供至所述辅助电路的输出端。 | ||||||
| 2 | 磁传感器、磁头和磁记录装置 | CN202311036316.1 | 2023-08-17 | CN117917733A | 2024-04-23 | 永泽鹤美; 白鸟聪志; 喜喜津哲; 东祥弘 |
| 本发明提供一种能够提高灵敏度的磁传感器、磁头和磁记录装置。在实施方式的磁传感器中，第1磁性层设置于第1屏蔽件与第2屏蔽件之间。第1磁性层位于第3屏蔽件与第4屏蔽件之间。第1磁性层包含第1面和第2面。第1面位于第1屏蔽件与第2面之间。第1导电层设置于第3屏蔽件与第1磁性层之间，为非磁性。第2导电层设置于第1磁性层与第4屏蔽件之间，为非磁性。第1中间层设置于第1屏蔽件与第1磁性层之间，为非磁性且导电性。第1中间层包含与第1面相对的第1中间层面。第1中间层面的面积小于第1面的面积。第2中间层设置于第1磁性层与第2屏蔽件之间，为非磁性且导电性。 | ||||||
| 3 | 存储器芯片辐照检测方法 | CN202410190582.8 | 2024-02-21 | CN117743065B | 2024-04-23 | 杨威 |
| 4 | 存储设备及其控制方法 | CN202180001798.X | 2021-05-21 | CN113454720B | 2024-04-23 | 马明超; 孙晓军; 张曙泽; 杜吉刚; 李建平 |
| 5 | 存储器装置的温度管理 | CN202011268691.5 | 2020-11-13 | CN112817519B | 2024-04-23 | 罗婷; A·V·沃什; 罗贤钢; J·黄 |
| 6 | 存储装置 | CN202010135551.4 | 2020-03-02 | CN112530492B | 2024-04-23 | 初田幸辅 |
| 7 | 存储器设备及操作存储器设备方法 | CN202010486460.5 | 2020-06-01 | CN112397126B | 2024-04-23 | 梁仁坤 |
| 8 | 包括层叠存储单元的阻变存储器件 | CN201910987661.0 | 2019-10-17 | CN111816237B | 2024-04-23 | 金东槿 |
| 9 | 存储装置及其操作方法 | CN201910827368.8 | 2019-09-03 | CN111128280B | 2024-04-23 | 李奎林; 李在珉 |
| 10 | 混合存储器内计算架构 | CN202280059164.4 | 2022-08-08 | CN117916802A | 2024-04-19 | F·I·阿塔拉; H·H·阮; C·B·韦里利; N·瓦伊德亚纳坦 |
| 提供了一种实现用于神经网络中的层的滤波器的存储器内计算阵列。该滤波器通过来自多个电容器的电荷累加，将多个激活位乘以多个通道中的每个通道的多个滤波器权重位。所累加的电荷被数字化以提供该滤波器的输出。 | ||||||
| 11 | 一种Flash的擦除检测方法、装置、车辆以及存储介质 | CN202410153874.4 | 2024-02-02 | CN117912537A | 2024-04-19 | 杨永超; 王佳慧; 蔡朱平 |
| 本申请涉及数据储存领域，提供一种Flash的擦除检测方法、装置、车辆以及存储介质，该Flash包括至少一个储存单元，该擦除检测方法包括：获取所述储存单元的头部信息储存空间内的头部信息；其中，所述储存单元中的数据单元储存空间的地址高于所述头部信息储存空间的地址；根据所述头部信息确定所述储存单元的擦除状态。本申请通过获取所述储存单元的头部信息储存空间内的头部信息，可以对Flash的擦除过程进行监控。 | ||||||
| 12 | 一种磁盘状态预测方法、装置、电子设备及存储介质 | CN202410317415.5 | 2024-03-20 | CN117912534A | 2024-04-19 | 马鸿超; 段谊海; 荆亚 |
| 本发明涉及计算机技术领域，公开了一种磁盘状态预测方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：获取待测磁盘的时序数据；对时序数据进行目标特征提取，以得到待测磁盘的寿命特征数据和故障特征数据；基于寿命特征数据，构建待测磁盘的目标寿命预测模型；基于故障特征数据，构建待测磁盘的目标故障预测模型；基于目标寿命预测模型和目标故障预测模型，对待测磁盘进行状态预测，以得到待测磁盘的状态预测结果。上述方案提供的方法，通过联合两个模型对待测磁盘的寿命和故障进行实时预测，以得到待测磁盘的状态预测结果，从而可以在磁盘故障发生之前采取磁盘故障预警措施，在提高磁盘检测效率的同时，降低磁盘的数据丢失和停机时间增加等风险。 | ||||||
| 13 | 一种NAND电压读取方法、装置、设备及介质 | CN202410097358.4 | 2024-01-24 | CN117912528A | 2024-04-19 | 刘欢; 张睦; 陈建雄 |
| 本发明实施例公开了一种NAND电压读取方法、装置、设备及介质。所述方法包括：根据不同电压进行预设次数的读重试，获取偏移读数据；将偏移读数据进行配对处理确定待拟合数据；将待拟合数据进行坐标计算获取拟合数据点，并根据拟合数据点进行函数拟合确定目标拟合点；根据预设条件判断目标拟合点是否有效，并从有效的目标拟合点中确定第一电压值；重复执行上述的步骤进行二次拟合以得到第二电压值，直到第二电压值处在预设电压范围内时读取第二电压值作为NAND电压，其中，在执行根据不同电压进行预设次数的读重试的步骤时为，根据第一电压或第二电压进行读重试。通过实施本发明实施例的方法可解决对所述NAND的电压读取不准确的问题。 | ||||||
| 14 | 一种低电压范围低纹波的嵌入式Flash位线驱动电路 | CN202311773353.0 | 2023-12-21 | CN117912526A | 2024-04-19 | 李思宏; 韩雁; 吴汉明 |
| 本发明公开了一种低电压范围低纹波的嵌入式Flash位线驱动电路。电路中包括压控振荡电路、误差放大电路、电荷泵级数切换控制电路、低电压电平移位电路和由三级四时钟交叉耦合电荷泵和两级受控四时钟交叉耦合电荷泵组成的电荷泵升压电路。本发明在保证较高电源效率和高电源抑制比的同时，采用多个时钟信号控制电荷泵和电荷泵级数切换的方法，多个有固定相位差的时钟分别控制多个升压电荷泵向负载端输出电流，降低在电容和电阻负载情况下的输出纹波；电荷泵级数切换控制电路是用来控制电荷泵工作的级数，在轻重电流负载和不同电源电压下动态选择电荷泵的级数，控制电荷泵的电流负载能力，进一步减小不同电源电压和负载情况下的输出电压纹波。 | ||||||
| 15 | 存储器件、其操作方法以及存储器系统 | CN202311185008.5 | 2023-09-14 | CN117912514A | 2024-04-19 | 李教佶 |
| 提供了一种存储器件、其操作方法以及存储器系统。所述存储器件包括其中具有构成行的多条字线和多条列选择线的存储单元阵列。提供了刷新管理器，刷新管理器被配置为对所述存储单元阵列执行刷新操作。所述刷新管理器还被配置为：(i)初始化存储单元阵列的行的计数；(ii)向存储单元阵列发送刷新命令；(iii)当对存储单元阵列的刷新操作是正常刷新操作时，将第一数据写入所述行；以及(iv)当对存储单元阵列的刷新操作不是正常刷新操作时，将第二数据写入与发生行锤击的字线相邻的字线相关联的行。 | ||||||
| 16 | 存储器的自刷新频率测试方法、装置、设备及介质 | CN202211249718.5 | 2022-10-12 | CN117912513A | 2024-04-19 | 魏鹏飞; 张卫 |
| 本公开提供了一种存储器的自刷新频率测试方法、装置、设备及介质，涉及半导体技术领域。该方法包括：获取待测存储器的读写测试结果，其中，读写测试结果包括多组测试数据，每组测试数据对应一个自刷新命令的保持时长，每组测试数据包括至少一个读写状态参数，每个读写状态参数对应一个退出自刷新命令的时延时长，每个读写状态参数为表征待测存储器在所对应的保持时长以及时延时长下读写成功或者读写失败；基于读写测试结果，确定多个基准保持时长，其中，各基准保持时长为存在表征读写失败的读写状态参数的一组测试数据所对应的保持时长；根据多个基准保持时长，确定待测存储器的自刷新频率。根据本公开实施例，能够提高自刷新频率的测试精度。 | ||||||
| 17 | 存储芯片、存储设备和电子设备 | CN202211239471.9 | 2022-10-11 | CN117912505A | 2024-04-19 | 吴全潭; 李响; 陈一峰 |
| 本申请涉及存储芯片、存储设备和电子设备。存储芯片包括多个存储单元，每个存储单元包括衬底和多个存储子单元，多个存储子单元层叠设置于衬底上，每个存储子单元包括交替层叠设置的存储层及绝缘层，及贯穿存储层与绝缘层的第一电极，存储层包括存储数据的存储部及第二电极，第一电极与存储子单元的所有存储层的存储部电连接，第一电极及第二电极用于连接外围电路，以通过外围电路控制存储部中的数据的存取。本申请的多个存储子单元可以为独立的能够单独制作的结构，减小了存储芯片的制作难度。 | ||||||
| 18 | 一种安全防泄密的移动硬盘 | CN202410085220.2 | 2024-01-21 | CN117910060A | 2024-04-19 | 常涛; 茹志娟; 沈剑; 梁亮 |
| 本发明涉及移动硬盘安全防护技术领域，公开了一种安全防泄密的移动硬盘，包括硬盘外壳，硬盘外壳的内部设置有硬盘主体，硬盘外壳外侧表面中间开设有槽体，槽体的内部设置有硬盘接口，硬盘接口的两侧设置有插孔，插孔与硬盘接口均电性连接有硬盘主体，硬盘外壳的外侧表面通过合页转动设置有防护盖板，防护盖板靠近硬盘外壳的一端两侧均固定安装有磁吸块，硬盘外壳的靠近防护盖板的一端两侧均固定安装有电磁座。本发明通过设置有防护组件、磁吸块、电磁座、控制组件的配合使用对移动硬盘进行双重防护，大大提高了硬盘主体的防护效果，同时其均设置在硬盘外壳的内部，大大节省了空间的占用，便于携带。 | ||||||
| 19 | 一种云硬盘生命周期功能测试方法、装置及介质 | CN202410081608.5 | 2024-01-19 | CN117909154A | 2024-04-19 | 王志广 |
| 本发明公开一种云硬盘生命周期功能测试方法、装置及介质，涉及云平台测试技术领域，用于实现云硬盘的功能测试，针对传统方案在测试灵活性和效率上的不足，提供一种云硬盘生命周期功能测试方法，通过将各操作类型对应的测试实例进行组件化，以在调用时可以根据实际需要自由组合待测试的操作类型，实现组合场景的测试编排。另外，还通过与云硬盘的状态及属性对应的限制矩阵，实现对云硬盘是否支持各操作类型的快速判断，一方面使得对云硬盘的功能验证不局限于“创建”阶段，可以将测试对象从新建云硬盘扩展到已有云硬盘；另一方面结合组合测试场景的自由编排，有利于提高云硬盘功能验证测试的整体效率，尤其有利于后续产品升级测试的质量保障。 | ||||||
| 20 | 一种用于叠瓦式磁记录硬盘的磁道组动态地址映射方法 | CN202311794910.7 | 2023-12-25 | CN117908781A | 2024-04-19 | 杨天明; 郭强; 黄平; 张敬; 杨志强 |
| 本发明公开了一种用于叠瓦式磁记录硬盘的磁道组动态地址映射方法，以磁道组为单位进行地址空间管理，整个叠瓦式磁盘空间被划分为若干个磁道组，每个磁道组包含若干个磁道，每个磁道包含若干个磁盘块。所述磁道组按照顺序依次分成三个连续区域，即瓦化日志区、隔离区和非瓦化区。该方法以磁道组为单位进行地址空间管理，具体包括写算法、读算法和垃圾回收算法。该磁道组动态地址映射方法能够有效解决当前叠瓦式磁盘的读写放大问题，显著提高叠瓦式磁盘的读写性能。 | ||||||
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