1.一种用于极紫外线(EUV)光刻的空白掩模，其包括衬底、形成于所述衬底上的反射膜、形成于所述反射膜上的罩盖膜、形成于所述罩盖膜上的蚀刻终止膜，及形成于所述蚀刻终止膜上的相移膜，
所述相移膜含有钌(Ru)，且
所述蚀刻终止膜含有铬(Cr)及铌(Nb)。
2.根据权利要求1所述的空白掩模，其中，在所述蚀刻终止膜中，铌(Nb)的含量介于
20at％到50at％的范围内，且铬(Cr)的含量介于10at％到40at％的范围内。
3.根据权利要求3所述的空白掩模，其中所述蚀刻终止膜进一步含有氮(N)。
4.根据权利要求3所述的空白掩模，其中所述蚀刻终止膜中的氮(N)的含量介于10at％到70at％的范围内。
5.根据权利要求4所述的空白掩模，其中所述蚀刻终止膜具有15nm或更小的厚度。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的空白掩模，其进一步包括形成于所述相移膜上的硬掩模膜。
7.根据权利要求6所述的空白掩模，其中所述硬掩模膜含有钽(Ta)及氧(O)。
8.根据权利要求7所述的空白掩模，其中所述硬掩模膜中的钽(Ta)的含量高于或等于
50at％。
9.根据权利要求8所述的空白掩模，其中所述硬掩模膜进一步含有硼(B)。
10.根据权利要求9所述的空白掩模，其中所述硬掩模膜中的硼(B)的含量小于或等于
20at％。
11.根据权利要求10所述的空白掩模，其中所述硬掩模膜具有2nm到5nm的厚度。
12.根据权利要求10所述的空白掩模，其中所述硬掩模膜相对于具有193nm的波长的深紫外线(DUV)检测光具有40％或更低的反射率。
13.一种用于极紫外线(EUV)光刻的光掩模，其使用根据权利要求1所述的空白掩模制备。
14.一种使用根据权利要求7所述的空白掩模来制备用于极紫外线(EUV)光刻的光掩模的方法，所述方法包括：
a)在所述硬掩模膜上形成抗蚀膜图案；
b)通过基于氟的蚀刻气体对所述硬掩模膜进行蚀刻，同时使用所述抗蚀膜图案作为蚀刻掩模；
c)去除所述抗蚀膜图案；
d)通过含有氧气的基于氯气的蚀刻气体对所述相移膜进行蚀刻，同时使用所述硬掩模膜的图案作为蚀刻掩模；及
e)通过不含氧气的基于氯气的蚀刻气体对所述蚀刻终止膜进行蚀刻，同时使用所述硬掩模膜的所述图案及所述相移膜的图案作为蚀刻掩模。