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一种光学驱动基座
申请号	CN202410437188.X	申请日	2024-04-12	公开(公告)号	CN118054226A	公开(公告)日	2024-05-17
申请人	苏州昀冢电子科技股份有限公司;			发明人	罗勇;
摘要	本发明公开了一种光学驱动基座，包括绝缘本体、至少一个连接端子和基板；绝缘本体开设有至少一个贯穿所述绝缘本体的连接开口；连接端子嵌设于所述绝缘本体，且所述连接端子设置有暴露于所述连接开口的连接部；基板包括至少一个第一导电片，所述第一导电片的至少一部分暴露于所述连接开口，并与所述连接端子的连接部层叠设置；其中，暴露于同一所述连接开口的至少一部分所述第一导电片和所述连接部通过所述连接开口中填充的导电填充剂电性连接。本发明的光学驱动基座用于避免导电片与连接端子连接时导电填充剂流动引起短路。
权利要求	1.一种光学驱动基座，其特征在于，包括：绝缘本体（1），开设有至少一个贯穿所述绝缘本体（1）的连接开口（11）；至少一个连接端子（2），嵌设于所述绝缘本体（1），且所述连接端子（2）设置有暴露于所述连接开口（11）的连接部（21）；基板（3），包括至少一个第一导电片（31），所述第一导电片（31）的至少一部分暴露于所述连接开口（11），并与所述连接端子（2）的连接部（21）层叠设置；其中，暴露于同一所述连接开口（11）的至少一部分所述第一导电片（31）和所述连接部（21）通过所述连接开口（11）中填充的导电填充剂（5）电性连接。 2.根据权利要求1所述的光学驱动基座，其特征在于，所述第一导电片（31）呈片状结构；所述连接部（21）与所述第一导电片（31）沿层叠方向相抵接，所述导电填充剂（5）覆盖所述连接部（21）和所述第一导电片（31）；或，所述连接部（21）与所述第一导电片（31）沿层叠方向相互间隔，所述导电填充剂（5）覆盖所述连接部（21）、所述第一导电片（31）以及所述连接部（21）与所述第一导电片（31）之间。 3.根据权利要求1所述的光学驱动基座，其特征在于，所述第一导电片（31）包括暴露于所述连接开口（11）的本体部（311）以及自所述本体部（311）凸伸入所述连接开口（11）内的台阶部（312）；所述连接部（21）与所述本体部（311）层叠设置，且所述连接部（21）与所述台阶部（312）沿垂直于层叠方向齐平并间隔设置；所述连接部（21）与所述本体部（311）沿层叠方向相抵接，所述导电填充剂（5）覆盖所述连接部（21）、所述第一导电片（31）和所述台阶部（312）与所述连接部（21）之间；或，所述连接部（21）与所述本体部（311）沿层叠方向相互间隔，所述导电填充剂（5）覆盖所述连接部（21）、所述第一导电片（31）、所述台阶部（312）与所述连接部（21）之间、以及所述本体部（311）与所述连接部（21）之间。 4.根据权利要求1所述的光学驱动基座，其特征在于，所述连接部（21）覆盖所述第一导电片（31）的部分开设有沿层叠方向贯穿所述连接部（21）的容置空间（211），所述容置空间（211）容纳所述导电填充剂（5）。 5.根据权利要求4所述的光学驱动基座，其特征在于，所述容置空间（211）为设置在所述连接部（21）端部的U型槽，所述U型槽具有与所述导电填充剂（5）接触的弧形接触面；或，所述容置空间（211）为贯穿所述连接部（21）的贯通孔，所述贯通孔的孔壁与所述导电填充剂（5）接触。 6.根据权利要求1所述的光学驱动基座，其特征在于，所述基板（3）设置有阻隔层（32），所述阻隔层（32）围设于所述第一导电片（31）的外周；所述阻隔层（32）包覆所述第一导电片（31）的外周以固定所述第一导电片（31），或者，所述阻隔层（32）与所述第一导电片（31）的外周边缘之间形成间隙而间隔设置。 7.根据权利要求6所述的光学驱动基座，其特征在于，所述阻隔层（32）的厚度小于所述第一导电片（31），以使所述第一导电片（31）凸出于所述阻隔层（32），且所述第一导电片（31）与所述连接部（21）沿层叠方向相抵接；或，所述阻隔层（32）的厚度大于所述第一导电片（31）与所述连接部（21）层叠部分的厚度，所述连接部（21）与所述第一导电片（31）沿层叠方向间隔设置。 8.根据权利要求6所述的光学驱动基座，其特征在于，所述阻隔层（32）为油墨层，所述导电填充剂（5）为锡膏，所述锡膏包括按比例混合形成的助焊剂（52）和锡合金（51），所述锡合金（51）覆盖在所述连接部（21）和所述第一导电片（31），所述阻隔层（32）至少部分暴露于所述连接开口（11）内，所述助焊剂（52）至少位于所述连接开口（11）中所述第一导电片（31）外围的所述阻隔层（32）上，所述阻隔层（32）用于阻挡所述锡合金（51）流动。 9.根据权利要求8所述的光学驱动基座，其特征在于，所述连接开口（11）沿垂直于层叠方向的横向截面积大于所述第一导电片（31）和所述连接部（21）的表面积；所述连接开口（11）包括相对的底部和顶部，所述第一导电片（31）及所述阻隔层（32）设置于所述连接开口（11）的底部，所述导电填充剂（5）通过所述连接开口（11）的顶部置入所述连接开口（11）内。 10.根据权利要求9所述的光学驱动基座，其特征在于，所述连接开口（11）顶部沿垂直于层叠方向的横向截面积大于所述连接开口（11）底部的横向截面积。 11.根据权利要求1所述的光学驱动基座，其特征在于，所述连接开口（11）内设置有粘胶层，所述粘胶层密封所述连接开口（11）内的所述第一导电片（31）、所述连接部（21）及所述导电填充剂（5）；或，所述绝缘本体（1）背离所述基板（3）的一侧设置有凹腔（12），所述凹腔（12）与所述连接开口（11）连通，所述凹腔（12）内设置有粘胶层，所述粘胶层覆盖并密封所述连接开口（11）。 12.根据权利要求1所述的光学驱动基座，其特征在于，所述第一导电片（31）、连接端子（2）、连接开口（11）分别设置有多个，且所述第一导电片（31）、连接端子（2）、连接开口（11）一一对应；其中，多个所述连接开口（11）间隔设置。 13.根据权利要求1所述的光学驱动基座，其特征在于，所述绝缘本体（1）开设有与所述连接开口（11）连通的容纳腔（13），所述基板（3）安装于所述容纳腔（13）内，所述基板（3）沿厚度方向包括相对的第一表面（33）和第二表面，所述第一表面（33）朝向所述连接开口（11），且所述第一表面（33）上设置有所述第一导电片（31）。 14.根据权利要求13所述的光学驱动基座，其特征在于，所述基板（3）的第二表面设置有电子元件（4）、电性连接所述电子元件（4）的焊盘以及第二导电片（35）；所述第二导电片（35）与所述第一导电片（31）通过贯穿所述基板（3）的导电柱或金属化通孔进行电性连接。 15.根据权利要求13所述的光学驱动基座，其特征在于，所述连接开口（11）间隔设置在形成所述容纳腔（13）的底壁（131）上，且所述连接开口（11）贯穿所述底壁（131），所述连接端子（2）至少部分嵌设于所述底壁（131）。 16.根据权利要求13所述的光学驱动基座，其特征在于，所述基板（3）封堵所述连接开口（11），所述连接端子（2）的连接部（21）自形成所述连接开口（11）的侧面伸入所述连接开口（11）内，所述连接端子（2）的表面低于形成所述容纳腔（13）的底壁（131）的表面或与所述底壁（131）的表面平齐。 17.根据权利要求16所述的光学驱动基座，其特征在于，所述连接部（21）的自由端悬空设置在所述连接开口（11）内；或者，所述绝缘本体（1）自所述连接开口（11）的侧面向所述连接开口（11）内凸出形成抵持部，所述抵持部与所述连接部（21）的侧壁抵接以夹持支撑所述连接部（21）；或者，所述连接端子（2）形成连接部（21）的一端自所述连接开口（11）的一个侧面延伸至另一相对侧面，以使得所述连接部（21）两端的位置均嵌设于所述绝缘本体（1）。
说明书全文	一种光学驱动基座技术领域 [0001] 本发明涉及摄像头模组技术领域，尤其涉及一种光学驱动基座。背景技术 [0002] 现有的手机、平板等设备中通常会集成有摄像头模组，以为用户提供摄像功能。摄像头模组中通常包括马达，马达用于实现摄像头模组的对焦或防抖功能。现有的马达通常包括光学驱动基座。光学驱动基座一般包括绝缘本体以及安装于绝缘本体的连接端子和基板。基板可以设置用于与连接端子连接的导电片、与电子元件连接的焊盘以及连通焊盘与导电片的连接线路等结构。 [0003] 现有的光学驱动基座中，连接端子与导电片通常采用导电填充剂进行连接，例如为点锡焊接。连接端子可以与导电片平齐对接，然后对连接端子和导电片的平齐表面进行点锡，以实现连接端子与导电片的连接。但连接端子与导电片平齐对接时，连接端子与导电片之间会形成间隙，锡可能自连接端子与导电片之间的间隙掉落，影响连接端子与导电片的连接质量。现有实现连接端子与导电片连接的又一种方式为将连接端子与导电片层叠设置，即在连接端子表面涂覆锡，之后将导电片层叠压设于连接端子涂锡的表面，这种方式虽然可以避免锡自连接端子与导电片之间的间隙掉落，但是导电片压设于连接端子时会导致锡被挤压而外溢，导致不同的导电片和连接端子之间出现短路现象。发明内容 [0004] 本发明的目的在于提供一种光学驱动基座，用于避免导电片与连接端子连接时导电填充剂流动引起短路。 [0005] 本发明的目的采用以下技术方案实现：一种光学驱动基座，包括：绝缘本体，开设有至少一个贯穿所述绝缘本体的连接开口；至少一个连接端子，嵌设于所述绝缘本体，且所述连接端子设置有暴露于所述连接开口的连接部；基板，包括至少一个第一导电片，所述第一导电片的至少一部分暴露于所述连接开口，并与所述连接端子的连接部层叠设置；其中，暴露于同一所述连接开口的至少一部分所述第一导电片和所述连接部通过所述连接开口中填充的导电填充剂电性连接。 [0006] 优选地，所述第一导电片呈片状结构；所述连接部与所述第一导电片沿层叠方向相抵接，所述导电填充剂覆盖所述连接部和所述第一导电片；或，所述连接部与所述第一导电片沿层叠方向相互间隔，所述导电填充剂覆盖所述连接部、所述第一导电片以及所述连接部与所述第一导电片之间。 [0007] 优选地，所述第一导电片包括暴露于所述连接开口的本体部，以及自所述本体部凸伸入所述连接开口内的台阶部；所述连接部与所述本体部层叠设置，且所述连接部与所述台阶部沿垂直于层叠方向齐平并间隔设置；所述连接部与所述本体部沿层叠方向相抵接，所述导电填充剂覆盖所述连接部、所述第一导电片和所述台阶部与所述连接部之间；或，所述连接部与所述本体部沿层叠方向相互间隔，所述导电填充剂覆盖所述连接部、所述第一导电片、所述台阶部与所述连接部之间、以及所述本体部与所述连接部之间。 [0008] 优选地，所述连接部覆盖所述第一导电片的部分开设有沿层叠方向贯穿所述连接部的容置空间，所述容置空间容纳所述导电填充剂。 [0009] 优选地，所述容置空间为设置在所述连接部端部的U型槽，所述U型槽具有与所述导电填充剂接触的弧形接触面；或，所述容置空间为贯穿所述连接部的贯通孔，所述贯通孔的孔壁与所述导电填充剂接触。 [0010] 优选地，所述基板设置有阻隔层，所述阻隔层围设于所述第一导电片的外周；所述阻隔层包覆所述第一导电片的外周以固定所述第一导电片，或者，所述阻隔层与所述第一导电片的外周边缘之间形成间隙而间隔设置。 [0011] 优选地，所述阻隔层的厚度小于所述第一导电片，以使所述第一导电片凸出于所述阻隔层，且所述第一导电片与所述连接部沿层叠方向抵接；或，所述阻隔层的厚度大于所述第一导电片与所述连接部层叠部分的厚度，所述连接部与所述第一导电片沿层叠方向间隔设置。 [0012] 优选地，所述阻隔层为油墨层，所述导电填充剂为锡膏，所述锡膏包括按比例混合形成的助焊剂和锡合金，所述锡合金覆盖在所述连接部和所述第一导电片，所述阻隔层至少部分暴露于所述连接开口内，所述助焊剂至少位于所述连接开口中所述第一导电片外周的所述阻隔层上，所述阻隔层用于阻挡所述锡合金流动。 [0013] 优选地，所述连接开口沿垂直于层叠方向的横向截面积大于所述第一导电片和所述连接部的表面积；所述连接开口包括相对的底部和顶部，所述第一导电片及所述阻隔层设置于所述连接开口的底部，所述导电填充剂通过所述连接开口的顶部置入所述连接开口内。 [0014] 优选地，所述连接开口顶部沿垂直于层叠方向的横向截面积大于所述连接开口底部的径向截面积。 [0015] 优选地，所述连接开口内设置有粘胶层，所述粘胶层密封所述连接开口内的所述第一导电片、所述连接部及所述导电填充剂；或，所述绝缘本体背离所述基板的一侧设置有凹腔，所述凹腔与所述连接开口连通，所述凹腔内设置有粘胶层，所述粘胶层覆盖并密封所述连接开口。 [0016] 优选地，所述第一导电片、连接端子、连接开口分别设置有多个，且所述第一导电片、连接端子、连接开口一一对应；其中，多个所述连接开口间隔设置。 [0017] 优选地，所述绝缘本体开设有与所述连接开口连通的容纳腔，所述基板安装于所述容纳腔内，所述基板沿厚度方向包括相对的第一表面和第二表面，所述第一表面朝向所述连接开口，且所述第一表面上设置有所述第一导电片。 [0018] 优选地，所述基板的第二表面设置有电子元件、电性连接所述电子元件的焊盘以及第二导电片；所述第二导电片与所述第一导电片通过贯穿所述基板的导电柱或金属化通孔进行电性连接。 [0019] 优选地，所述连接开口间隔设置在形成所述容纳腔的底壁上，且所述连接开口贯穿所述底壁，所述连接端子至少部分嵌设于所述底壁。 [0020] 优选地，所述基板封堵所述连接开口，所述连接端子的连接部自形成所述连接开口的侧壁伸入所述连接开口内，所述连接端子的表面低于形成所述容纳腔的底壁的表面或与所述底壁的表面平齐。 [0021] 优选地，所述连接部的自由端悬空设置在所述连接开口内；或者，所述绝缘本体自所述连接开口的侧面向所述连接开口内凸出形成抵持部，所述抵持部与所述连接部的侧壁抵接以夹持支撑所述连接部；或者，所述连接端子形成连接部的一端自所述连接开口的一个侧面延伸至另一相对侧面，以使得所述连接部两端的位置均嵌设于所述绝缘本体。 [0022] 与现有技术相比，本发明的有益效果至少包括：通过在绝缘本体上设置连接开口，并使得连接部和第一导电片分别设置为裸露于连接开口，可以使得导电填充剂填充在连接开口内即可实现连接部与第一导电片之间的电性连接，并且，通过连接开口容纳导电填充剂，以避免导电填充剂流动而导致不同的导电片和连接端子之间出现短路现象。附图说明 [0023] 图1是本发明实施例的光学驱动基座一角度的结构示意图；图2是本发明实施例的光学驱动基座另一角度的结构示意图；图3是图1中A部的放大图；图4是本发明另一实施例的光学驱动基座的局部结构示意图；图5是本发明再一实施例的光学驱动基座的局部结构示意图；图6是本发明实施例的绝缘本体的结构示意图；图7是本发明实施例的基板与连接端子连接时的结构示意图；图8是图7中B部的放大图；图9是本发明实施例的光学驱动基座的剖视图；图10是图9中C部在一实施例中的放大图；图11是图10中连接开口中填充导电填充剂的示意图；图12是图9中C部在又一实施例中的放大图；图13是图9中C部在再一实施例中的放大图；图14是图9中C部在其它实施例中的放大图。 [0024] 图中：1、绝缘本体；11、连接开口；12、凹腔；13、容纳腔；131、底壁；2、连接端子；21、连接部；211、容置空间；3、基板；31、第一导电片；311、本体部；312、台阶部；32、阻隔层；321、容置槽；33、第一表面；35、第二导电片；4、电子元件；5、导电填充剂；51、锡合金；52、助焊剂。具体实施方式 [0025] 现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本发明更全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略对它们的重复描述。 [0026] 本发明中所描述的表达位置与方向的词，均是以附图为例进行的说明，但根据需要也可以做出改变，所做改变均包含在本发明保护范围内。 [0027] 如图1和图2所示，本发明提供了一种光学驱动基座，该光学驱动基座可应用在摄像头模组的光学驱动机构中，并用于驱动镜头组件或光圈组件等光学元件，该光学驱动基座可以为对焦马达底座、防抖马达底座、光圈组件底座、潜望式马达底座、音圈马达底座等。光学驱动基座包括绝缘本体1、连接端子2以及基板3，其中绝缘本体1为对应光学驱动基座中的底座主体，其外形和尺寸可以根据实际的需求进行设置，其成型方式也可以根据实际需求采用一次注塑成型或多次注塑成型的方式来制造完成，由于绝缘本体1的外形结构和制造方式不是本发明的重点，因此，本发明的实施方式中将绝缘本体1展现为一水平设置的板状结构。绝缘本体1开设有至少一个贯穿该绝缘本体1的连接开口11。需要说明的是，本发明中为了方便描述将参照图1、图2的角度定义上、下方向，即以绝缘本体1的厚度方向或下述的基板3的厚度方向定义为上下方向，图1中能观察到连接开口11的一方相对于图2中观察到基板3的一方为上方，图2中能观察到基板3的一方相对于图1中能观察到连接开口11的一方则为下方。上方、下方等类似的描述只是为了描述具体实施例，不是旨在限制本发明。连接开口11由若干侧面围设形成两端开口而四周封闭的结构，连接开口11包括相对的底部和顶部，顶部位于底部的上方，因此将连接开口11的底部定义为位于连接开口11面向基板3的一侧，连接开口11的顶部定义为位于连接开口11背离基板3的一侧。当连接开口11设置为多个时，多个连接开口11间隔设置。其中，绝缘本体1采用绝缘材料制作，例如绝缘本体1为采用塑胶材料制备的塑胶本体。 [0028] 参照图1和图3，连接端子2设置有至少一个，连接端子2的一端用于与基板3连接，另一端用于与外部设备连接，以使得光学驱动基座可以外部设备电性连接。连接端子2可以通过嵌件模塑的方式嵌设于绝缘本体1，连接端子2用于与基板3连接的一端形成连接部21，连接部21暴露于连接开口11。在一些具体实施方式中，连接端子2可以嵌设于绝缘本体1内，且连接端子2用于与基板3连接的一端延伸至连接开口11内，连接端子2延伸至连接开口11内的部分裸露设置并形成连接部21。 [0029] 参照图2和图7，基板3可以为陶瓷基板或硬性印刷电路板，基板3水平设置于绝缘本体1。于其他实施方式中，基板3还可以根据需求竖直设置于绝缘本体1。基板3包括至少一个第一导电片31，还可以包括焊盘、连接线路、第二导电片35、阻隔层32。基板3可以包括沿其厚度方向相对的第一表面33和第二表面。第一导电片31可以设置在第一表面33上，第一导电片31用于与连接端子2电性连接，以实现基板3与连接端子2的连接。第一导电片31用于与连接端子2连接的表面暴露于连接开口11。当基板3和连接端子2均设置于绝缘本体1后，连接部21和对应的第一导电片31暴露在同一连接开口11内，且连接部21可以与第一导电片31层叠设置，层叠设置例如是在基板3的厚度方向上，连接部21与第一导电片31上下叠放，层叠方向与基板3的厚度方向一致。此时，可以自连接开口11向暴露于连接开口11的连接部 21和第一导电片31添加导电填充剂5，以使得导电填充剂5覆盖连接部21和第一导电片31。导电填充剂5覆盖于连接部21与第一导电片31，并位于连接开口11内，因此连接开口11不仅用于容纳导电填充剂5，且形成连接开口11的侧面可以阻挡导电填充剂5的流动，以避免因导电填充剂5流动导致不同的第一导电片31和连接端子2之间出现短路现象。其中，导电填充剂5为导电材料，当导电填充剂5覆盖于第一导电片31与连接部21后，可以对导电填充剂5进行固化，以提高第一导电片31与连接部21电性连接的稳定性，并可以实现第一导电片31与连接部21的固定。 [0030] 参照图3和图4，在一些具体实施方式中，第一导电片31呈片状结构。参照图10，连接部21与第一导电片31的层叠区域可以沿层叠方向相抵接，进而连接部21与第一导电片31直接接触以提高连接部21与第一导电片31的接触面积，降低阻抗。此时，导电填充剂5可以覆盖连接部21和第一导电片31，以使得连接部21和第一导电片31电性连接。或者，参照图12，连接部21与第一导电片31的层叠区域可以沿层叠方向相互间隔。此时，导电填充剂5可以覆盖连接部21、第一导电片31以及连接部21与第一导电片31之间，导电填充剂5可以同时黏接连接部21和第一导电片31，提高两者的连接强度。 [0031] 参照图8，在又一些具体实施方式中，第一导电片31呈立体式结构。第一导电片31包括暴露于连接开口11的本体部311以及自本体部311凸伸入连接开口11内形成的台阶部312。本体部311可以呈片状结构，台阶部312可以呈方形柱状结构，本体部311和台阶部312可以形成 “L”形结构，且本体部311和台阶部312可以为一体式结构。本体部311可以用于与连接部21层叠设置，本体部311与连接部21的层叠区域沿层叠方向可以相抵接或相间隔。台阶部312可以与连接部21齐平设置，且台阶部312和连接部21之间可以沿垂直于层叠方向间隔设置；在将连接部21与第一导电片31进行连接时，台阶部312可以用于对连接部21进行定位，例如当台阶部312与连接部21平齐，且台阶部312与连接部21相邻近时，即完成对台阶部 312与连接部21之间的定位。当本体部311与连接部21的层叠区域相抵接时，导电填充剂5覆盖连接部21、第一导电片31和台阶部312与连接部21之间，导电填充剂5可以同时黏接连接部21和第一导电片31，提高两者的连接强度。当本体部311与连接部21的层叠区域相间隔时，导电填充剂5覆盖连接部21、第一导电片31、台阶部312与连接部21之间、以及本体部311与连接部21之间。通过设置台阶部312，除对连接部21进行定位外，台阶部312可以增大第一导电片31的表面积，以增加第一导电片31与导电填充剂5的接触面积，提高第一导电片31与连接部21的连接效果，避免连接部21和第一导电片31之间连接松动或失效，提升连接可靠性。 [0032] 参照图4和图5，在一些具体实施方式中，为增加连接部21与导电填充剂5的接触面积，连接部21覆盖第一导电片31的部分可以开设有贯穿连接部21的容置空间211，该容置空间211内可以容纳导电填充剂5，且形成容置空间211的壁可以与导电填充剂5接触，进而增加连接部21与导电填充剂5的接触面积，进一步提高第一导电片31与连接部21的连接效果。 [0033] 连接端子2形成连接部21的一端可以延伸至连接开口11内，以使得连接部21的自由端位于第一导电片31沿层叠方向的上方，容置空间211可以为自连接部21的端面以连接端子2延伸方向凹陷形成的U型槽，U型槽可以用于容纳导电填充剂5，U型槽具有与导电填充剂5接触的弧形接触面以增大连接部21与导电填充剂5的接触面积。或者，容置空间211可以为贯通孔，贯通孔贯穿连接部21，且贯通孔位于第一导电片31沿层叠方向的上方，贯通孔可以用于容纳导电填充剂5，贯通孔的孔壁与导电填充剂5接触以增大连接部21与导电填充剂5的接触面积。 [0034] 需要指出的是，连接部21的自由端可以悬空设置在连接开口11内，或者，绝缘本体1可以设置延伸至连接开口11内并与连接部21抵接的抵持部，抵持部自形成连接开口11的侧面凸出形成，且抵持部可以与连接部21的侧壁抵接，以夹持支撑连接部21。或者，连接端子2还可穿过连接开口11的两个侧面，连接端子2形成连接部21的一端可以自形成连接开口 11的一个侧面延伸至形成连接开口11的另一相对侧面，以使得形成连接开口11的相对侧面对连接部21进行支撑，连接端子2相对于连接部21两端的位置均固定于绝缘本体1中，连接端子2不悬空设置，能够保证连接端子2的平面度较佳且不容易变形。 [0035] 在一些具体实施方式中，第一导电片31、连接端子2和连接开口11分别设置有多个，多个连接开口11间隔设置。第一导电片31、连接端子2和连接开口11的数量可以相同，第一导电片31、连接端子2、连接开口11一一对应连接。具体地，每个连接开口11内形成有连接端子2与第一导电片31的层叠区域，相互层叠的连接端子2和第一导电片31通过导电填充剂5电性连接。 [0036] 参照图7，基板3设置有阻隔层32，阻隔层32至少位于基板3的第一表面33，阻隔层32围设于第一导电片31的外周，阻隔层32可以用于阻止导电填充剂5的流动。具体地，阻隔层32可以为油墨层。当导电填充剂5覆盖至连接部21和第一导电片31时，连接部21与第一导电片31上形成的金属镀层聚集导电填充剂5，且阻隔层32阻挡导电填充剂5向四周流动扩散，以避免导电填充剂5流动导致不同的导电片和连接端子2之间出现短路现象，并且可以提高导电填充剂5与连接部21和第一导电片31的接触效果，提高连接部21和第一导电片31的连接效果。 [0037] 在一些具体实施方式中，阻隔层32与第一导电片31的外周边缘之间形成间隙而间隔设置，例如，阻隔层32开设有用于容纳第一导电片31的容置槽321，阻隔层32围设于第一导电片31的外周。参照图10和图12，容置槽321的尺寸可以大于第一导电片31，以使第一导电片31的至少一个侧边与形成容置槽321的壁间隔设置。导电填充剂5可以填充在第一导电片31的侧边与形成容置槽321的壁的间隔区域内，以使得导电填充剂5可以对第一导电片31的侧边接触，提高导电填充剂5与第一导电片31的接触面积，进而提高第一导电片31与连接端子2的接触效果。参照图13，在一些实施例中，第一导电片31的多个侧边均与形成容置槽321的壁间隔设置，导电填充剂5与第一导电片31的多个侧边接触。在有一些实施例中，第一导电片31的一个相对侧边与形成容置槽321的壁抵接，以使得形成容置槽321的壁夹持固定第一导电片31，第一导电片31的其他侧边可以与形成容置槽321的壁间隔设置，以增加第一导电片31与导电填充剂5的接触面积。在另一些实施例中，请参阅图13，阻隔层32包覆第一导电片31的外周以固定第一导电片31，第一导电片31的侧边可以均与形成容置槽321的壁抵接，以使得阻隔层32对第一导电片31产生较为稳定的固定夹持力。请参阅图14，阻隔层32不仅包覆第一导电片31的外周，且第一导电片31的部分上表面也被阻隔层32包覆，进一步增加对第一导电片31的固定夹持力，防止第一导电片31脱落，而且第一导电片31的上表面相对于阻隔层32处于凹陷位置，在向连接开口11中填充导电填充剂5时，导电填充剂5更容易向第一导电片31上流动，更有利于导电填充剂5聚集在第一导电片31上。 [0038] 参照图10，在一些具体实施方式中，阻隔层32和第一导电片31均与基板3的第一表面33接触，阻隔层32的厚度可以小于第一导电片31的厚度，以使第一导电片31可以凸出于阻隔层32。连接部21可以与凸出阻隔层32的第一导电片31相抵接，以增加连接部21与第一导电片31之间的直接接触面积，进而减少连接部21与第一导电片31之间的阻抗。 [0039] 参照图12，在又一些具体实施方式中，阻隔层32和第一导电片31均与基板3的第一表面33接触，阻隔层32的厚度大于第一导电片31与连接部21层叠部分的厚度，以使得第一导电片31面向连接部21的上表面低于阻隔层32面向连接部21的表面，第一导电片31面向连接部21的上表面相对于阻隔层32处于凹陷位置，同样在向连接开口11中填充导电填充剂5时，导电填充剂5更容易向第一导电片31上流动，更有利于导电填充剂5聚集在第一导电片31上。连接部21与阻隔层32面向连接部21的表面接触或间隔，因此，连接部21与第一导电片 31沿层叠方向间隔设置。导电填充剂5可以填充至连接部21与第一导电片31之间的间隙处，以增加导电填充剂5与连接部21和第一导电片31之间的连接面积，提高连接部21与第一导电片31之间的连接效果；并且，连接部21与第一导电片31之间的间隙至少部分位于阻隔层 32的容置槽321内，形成容置槽321的壁可以阻挡导电填充剂5流动，进而使得导电填充剂5可以更好地聚集在连接部21和第一导电片31之间。 [0040] 在一些具体实施方式中，导电填充剂5可以为锡膏或导电凝胶，优选为锡膏。连接端子2的连接部21和第一导电片31表面可以形成金属镀层。金属镀层用于聚集导电填充剂5。具体地，连接部21和第一导电片31的主体均可以为铜。金属镀层可以包括镍层和金层，镍层覆盖于连接部21和第一导电片31的主体部分，金层覆盖于镍层；或者，金属镀层可以为镍层和银层，镍层覆盖于连接部21和第一导电片31的主体部分，银层覆盖于镍层。其中，金层或银层对锡具有聚集作用，可以使得锡膏中的锡或锡合金51更好聚集在连接部21和第一导电片31上，提高连接部21与第一导电片31的电连接效果；而锡膏中的助焊剂52则聚集在连接部21与第一导电片31周围，例如聚集在基板3第一表面33上围设在第一导电片31周围的阻隔层32上。当锡膏覆盖在第一导电片31和连接部21上后，可以送入回焊炉，使得第一导电片31与连接部21通过锡膏中的锡合金51实现焊接，且锡膏中未挥发的助焊剂52可以聚集在连接部21与第一导电片31周围，不会对连接部21与第一导电片31的连接产生影响。 [0041] 参照图1和图2，在一些具体实施方式中，基板3的第一表面33还可以设置有连接线路，连接线路与第一导电片31连接，且位于第一表面33的连接线路可以被位于第一表面33的阻隔层32覆盖。第二表面可以形成有电子元件4、焊盘、连接线路、第二导电片35、以及阻隔层32。位于第二表面的焊盘可以用于与电子元件4电性连接，焊盘与电子元件4同样可以采用导电填充剂5实现电性连接。第二导电片35可以与第一导电片31数量相同且一一对应，第二导电片35和第一导电片31可以通过贯穿基板3的导电柱、金属化通孔等实现电性连接。位于第二表面的连接线路可以与焊盘和第二导电片35连接，且位于第二表面的连接线路可以与位于第一表面33的连接线路通过贯穿基板3的导电柱、金属化通孔等实现电性连接。位于第二表面的阻隔层32可以覆盖位于第二表面的连接线路，且位于第二表面的阻隔层32可以开设有容纳第二导电片35和焊盘的避让孔。 [0042] 参照图2和图6，在一些具体实施方式中，为便于基板3的安装，绝缘本体1开设有与连接开口11连通的容纳腔13。基板3安装于容纳腔13内，且基板3的第一表面33面向连接开口11，以使得位于第一表面33上的第一导电片31可以裸露于连接开口11。绝缘本体1中用于形成容纳腔13的底壁131可以用于开设连接开口11，当连接开口11设置为多个时，多个连接开口11可以为在绝缘本体1的底壁131上开设的多个间隔的贯穿孔。其中，容纳腔13可以包括第一腔室和第二腔室，第一腔室的形状与尺寸与基板3相适配，基板3可以安装于第一腔室内，第二腔室位于第一腔室背离底壁131的一侧，第二腔室可以用于容纳与基板3连接的电子元件4。 [0043] 参照图3，连接端子2可以嵌设于形成容纳腔13的底壁131，且连接端子2自形成连接开口11的侧面延伸至连接开口11内，连接部21可以完全容纳在连接开口11内，即连接部21的表面低于底壁131的表面或与底壁131的表面平齐。连接端子2用于与外部设备连接的一端延伸至绝缘本体1外侧。通过将连接端子2嵌设于形成容纳腔13的底壁131，无需预留单独设置连接端子2的空间，可以减小光学驱动基座的体积。需要指出的是，连接端子2也可以不嵌设于形成容纳腔13的底壁131，连接端子2可以自形成容纳腔13的侧壁延伸至连接开口 11内，或连接端子2也可以采用其他设置方式，保证连接端子2可以延伸至连接开口11内形成连接部21，且连接端子2不对其他部件产生干涉即可。 [0044] 当基板3安装于绝缘本体1的容纳腔13内后，基板3可以对绝缘本体1的底壁131抵接，并能够封堵连接开口11的底部，以密封连接开口11的底部。导电填充剂5可以自连接开口11的顶部进行添加。 [0045] 为便于导电填充剂5的添加，连接开口11顶部沿垂直于层叠方向的横向截面积大于连接开口11底部的横向截面积，例如连接开口11顶部为外扩形状。横向截面积较大的连接开口11顶部可以增加供导电填充剂5的添加的区域，以便于导电填充剂5的添加，使导电填充剂5更易进入连接开口11内；横向截面积较小的连接开口11底部可以便于导电填充剂5的聚集，以使得导电填充剂5更好地聚集于第一导电片31和连接部21。 [0046] 在一些具体实施方式中，连接开口11的横向截面积可以大于第一导电片31和连接部21的表面积，第一导电片31及阻隔层32设置于连接开口11的底部，以使得第一导电片31和连接部21分别完全裸露于连接开口11，以便于对第一导电片31和连接部21覆盖导电填充剂5。 [0047] 请参阅图11，在向连接开口11中填充例如为锡膏的导电填充剂5时，锡膏包括按比例混合形成的助焊剂52和锡合金51，连接开口11底部对应的第一导电片31及连接开口11中的连接部21形成的金属区域对锡合金51有聚拢效果，助焊剂52会促使锡膏中的锡合金51无干预地向第一导电片31及连接部21上聚拢，使锡合金51覆盖在连接部21和第一导电片31，增加焊接可靠性；而且阻隔层32至少部分暴露于连接开口11内，阻隔层32用于阻挡锡合金51向第一导电片31及连接部21外的区域流动，锡膏中的助焊剂52在挥发一部分后，剩余的助焊剂52则聚集在连接开口11底部对应的阻隔层32上，因此助焊剂52至少位于连接开口11中第一导电片31外围的阻隔层32上。尤其在连接开口11中填充的锡膏较少时，阻隔层32阻挡锡合金51向第一导电片31及连接部21外的区域流动，能够实现锡膏中的锡合金51全部被聚拢覆盖在第一导电片31及连接部21上，增加焊接可靠性。因此，连接开口11的横向截面积大于第一导电片31和连接部21的表面积，第一导电片31及阻隔层32设置于连接开口11的底部，阻隔层32至少部分暴露于连接开口11内，在不管锡膏量多还是量少的情况下，均可以实现连接开口11处对应的第一导电片31及连接部21上被有效覆盖锡合金51，有利于二者进行焊接，减小了焊接时产生的虚焊、空焊等情况，提高生产良率。其中，锡膏可以采用现有市面中的锡膏，其助焊剂52和锡合金51的混合比例可以采用现有锡膏的常见比例，故在此不作赘述。 [0048] 通过将第一导电片31和连接部21暴露于连接开口11，可以便于在添加导电填充剂5时，自连接开口11对第一导电片31和连接部21之间的连接状况进行观察，进而可以使得导电填充剂5的添加位置可以更为准确。此外，当第一导电片31与连接部21通过导电填充剂5连接，还需要采用电测笔对第一导电片31和连接部21的连接状况进行检测，现有技术的导电片与连接端子2连接后，光学驱动基座没有供电测笔测量的空间，因此通常需要开设电测孔以供电测笔进行测量；本申请的光学驱动基座，电测笔可以通过连接开口11的顶部伸入，以对第一导电片31和连接部21的连接状况进行检测，无需额外开设电测孔，简化了测量步骤。 [0049] 当第一导电片31与连接部21通过导电填充剂5电性连接，且导电填充剂5进行固化后，可以在连接开口11内设置粘胶层，粘胶层可以覆盖第一导电片31、连接部21以及连接第一导电片31和连接部21的导电填充剂5，以通过粘胶层对连接后的第一导电片31和连接部21进行密封固定，避免水汽、灰尘等物质对第一导电片31和连接部21的电连接性能产生影响。 [0050] 当连接开口11设置为多个，且每个连接开口11内均有连接部21和第一导电片31连接，需要对多个连接开口11添加粘胶层以实现密封，而对多个连接开口11内分别添加粘胶层的方式较为繁琐。为简化对连接后的第一导电片31和连接部21的密封，绝缘本体1还可以设置有凹腔12，凹腔12与容纳腔13位于绝缘本体1底壁131的相对两侧，且绝缘本体1的底壁131也可以构成围设凹腔12的底壁，凹腔12可以与多个连接开口11连通，具体为与多个连接开口11的顶部连通。粘胶层可以设置在凹腔12内，并覆盖形成凹腔12的底壁131，以用于密封多个连接开口11的顶部。因此，采用整体式的粘胶层设于凹腔12内，以覆盖多个与凹腔12连通的连接开口11，既可对连接开口11的顶部进行密封，连接开口11的底部被基板3密封，连接开口11的侧面由绝缘本体1的底壁131形成，即连接开口11被封堵为密封腔室，进而实现对连接后的第一导电片31和连接部21的密封。其中，粘胶层可以为采用热固性胶水涂覆形成的层状结构。 [0051] 在一些具体实施方式中，粘胶层还可以设置在容纳腔13内，以用于密封基板3与电子元件4，避免水汽、灰尘等物质对基板3与电子元件4的电连接性能产生影响。其中，粘胶层具体可以为设置在容纳腔13的第二腔室内，并覆盖基板3和电子元件4。 [0052] 当需要组装光学驱动基座时，可以先将电子元件4与基板3的焊盘通过导电填充剂5连接，并对导电填充剂5进行固化，例如将通过导电填充剂5连接的电子元件4和基板3送入回焊炉进行固化。基板3与电子元件4连接后，可以将连接电子元件4的基板3安装至绝缘本体1的容纳腔13内，且基板3第一表面33的第一导电片31裸露于连接开口11。并且，也可以采用热固性胶水填充容纳腔13，以形成密封固定基板3和电子元件4的粘胶层，防止光学驱动基座翻转时基板3脱落。自连接开口11的顶部向第一导电片31和连接部21添加导电填充剂 5，之后对导电填充剂5进行固定，例如将通过导电填充剂5连接的第一导电片31和连接部21送入回焊炉。第一导电片31和连接部21连接后，可以在连接开口11内或凹腔12内添加热固性胶水，以形成密封第一导电片31和连接部21的粘胶层。 [0053] 在本发明的实施方式中，所述电子元件4可以为高密度集成电路，英文名为High Density Integrated Circuit(简称HDIC)，是新一代的集成电路，其内部集成了更多的电路结构和焊点，从而可以控制或驱动光学驱动基座上的多个或多种电子部件，其表面形成的焊点排布的密度较霍尔感测器和集成电路更高，一般不少于八个，例如可以为十个、十五个、二十七个等。本申请的绝缘本体1上还可以同时设置多个感测元件或者多个线圈，并通过电子元件4驱动或控制该感测元件及线圈，从而更加完善地驱动和控制光学元件。 [0054] 尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下，在发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型，所有的这些改变都应该属于本发明权利要求的保护范围之内。

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