1.一种半导体材料表面缺陷测量装置，其特征在于，包括：
一原子力显微镜导电探针，所述原子力显微镜导电探针包括悬臂梁及悬臂梁端部的针尖，用于和待测样品接触并将电流注入至待测样品裸露表面；
一原子力显微镜控制装置，与所述原子力显微镜导电探针机械相连；
一光学显微镜系统，用于收集待测样品的裸露表面所发出的电致发光；
一可三维移动的样品台，用于放置待测样品；和一光电探测器，用于探测电致发光的信号。
2.根据权利要求1所述的半导体材料表面缺陷测量装置，其特征在于，进一步包括一电压源，一端与所述原子力显微镜导电探针电学连接，另一端与待测样品电学连接；所述电压源可产生一交流电压信号或一直流电压信号。
3.根据权利要求1所述的半导体材料表面缺陷测量装置，其特征在于，进一步包括一压电激振陶瓷，置于原子力显微镜导电探针的悬臂梁表面，用于带动原子力显微镜导电探针产生周期振动，且振动方向为垂直于或平行于待测样品的裸露表面。
4.根据权利要求3所述的半导体材料表面缺陷测量装置，其特征在于，进一步包括一锁相放大器，所述锁相放大器的输入端与光电探测器的输出端相连。
5.根据权利要求1所述的半导体材料表面缺陷测量装置，其特征在于，进一步包括一单色仪，所述单色仪的输入端连接光学显微镜系统的输出端，用于将光学显微镜系统收集到的电致发光分离开。
6.根据权利要求1所述的半导体材料表面缺陷测量装置，其特征在于，所述光学显微镜系统包括物镜和透镜，所述光电探测器为光电倍增管。
7.根据权利要求1所述的半导体材料表面缺陷测量装置，其特征在于，所述电致发光是通过原子力显微镜导电探针在待测样品裸露表面注入电流后，原子力显微镜导电探针注入电流的载流子与待测样品裸露表面中多数载流子复合形成的。
8.一种采用如权利要求1所述的半导体材料表面缺陷测量装置的表面缺陷测量方法，其特征在于，包括步骤：
a）将待测样品放置在原子力显微镜导电探针和样品台之间；
b）借助针尖产生一周期性的电流注入至待测样品的裸露表面产生一周期性的电致发光；
c）通过光学显微镜系统将待测样品所发出的具有周期性的电致发光收集至单色仪处分光；
d）采用光电探测器探测从单色仪分光的光强，获得发光光谱。
9.根据权利要求8所述的表面缺陷测量方法，其特征在于，所述原子力显微镜导电探针的针尖在样品台表面垂直投影点的位置位于原子力显微镜导电探针的悬臂梁在样品台表面垂直投影面范围之外。
10.根据权利要求8所述的表面缺陷测量方法，其特征在于，所述步骤b进一步包括：
原子力显微镜导电探针的针尖与待测样品的裸露表面接触；使用原子力显微镜控制装置测量悬梁臂弯曲，保持针尖和待测样品间恒定的作用力；在原子力显微镜导电探针上加交流偏压从而在待测样品的裸露表面注入一周期性的电流，使得产生一周期性的电致发光。
11.根据权利要求8所述的表面缺陷测量方法，其特征在于，所述步骤b进一步包括：
原子力显微镜导电探针的针尖由压电激振陶瓷带动在垂直于待测样品裸露表面的方向振动；采用原子力显微镜控制装置控制原子力显微镜导电探针的针尖的振动振幅使针尖周期性地和待测样品的裸露表面接触；在原子力显微镜导电探针上加直流偏压从而在待测样品的裸露表面注入周期性电流，使得待测样品的裸露表面产生周期性的电致发光。
12.根据权利要求11所述的表面缺陷测量方法，其特征在于，进一步包括步骤e：通过锁相放大器测量频率与原子力显微镜导电探针振动频率一致的发光信号。
13.根据权利要求8所述的表面缺陷测量方法，其特征在于，所述步骤b进一步包括：
原子力显微镜导电探针的针尖由压电激振陶瓷带动在平行于待测样品裸露表面的方向振动；使用原子力显微镜控制装置测量悬梁臂弯曲，保持针尖和待测样品间恒定的作用力；
在原子力显微镜导电探针上加直流偏压从而在待测样品的裸露表面注入周期性电流，使得待测样品的裸露表面产生周期性的电致发光。
14.根据权利要求13所述的表面缺陷测量方法，其特征在于，所述原子力显微镜导电探针的针尖的振动振幅的范围为0.1nm~10nm；所述周期性电流为隧道电流，所述隧道电流的大小范围为1pA～1nA。
15.根据权利要求8所述的半导体材料表面缺陷测量装置，其特征在于，所述电致发光是通过原子力显微镜导电探针在待测样品裸露表面注入电流后，原子力显微镜导电探针注入电流的载流子与待测样品裸露表面中多数载流子复合形成的。
16.根据权利要求11或13所述的表面缺陷测量方法，其特征在于，所述直流电压的范围是0.1V～10V，所述原子力显微镜导电探针的针尖的振动频率的范围是30KHz~400KHz。