1.一种发光器件，包括：
具有第一表面和第二表面的第一化合物半导体层，第一表面和第二表面彼此相对；
面向第一化合物半导体层的第二表面的活性层；
具有第三表面和第四表面的第二化合物半导体层，第二化合物半导体层在第四表面上包括一个或多个光收集结构，第三表面面向所述活性层，并且第四表面与第三表面相对并充当光出射面；和
设置在第一化合物半导体层或第二化合物半导体层中的电流窄化结构。
2.按照权利要求1所述的发光器件，其中
所述电流窄化结构包括电流注入区域和电流窄化区域，所述电流窄化区域设置在所述电流注入区域的周围。
3.按照权利要求1所述的发光器件，其中
所述电流窄化结构是从第一化合物半导体层向第二化合物半导体层或者从第二化合物半导体层向第一化合物半导体层形成的。
4.按照权利要求1所述的发光器件，其中
所述电流窄化结构具有凹槽，所述凹槽在第一化合物半导体层的第一表面中、在第二化合物半导体层的第四表面中、或者在两者中。
5.按照权利要求2所述的发光器件，其中
所述电流窄化结构中的电流窄化区域包括杂质区域，所述杂质区域设置在第一化合物半导体层或第二化合物半导体层中。
6.按照权利要求2所述的发光器件，其中
所述电流窄化结构中的电流窄化区域包括氧化物层，所述氧化物层设置在第一化合物半导体层或第二化合物半导体层中。
7.按照权利要求1所述的发光器件，在所述活性层中包括多个发光区域，其中所述一个或多个光收集结构设置在与所述多个发光区域中的每一个对应的第四表面中。
8.按照权利要求7所述的发光器件，其中
所述活性层在彼此相邻的所述多个发光区域中的每一个之间是电气或机械分离的。
9.按照权利要求1所述的发光器件，其中
所述一个或多个光收集结构包括凸透镜、纳米天线或菲涅耳透镜，所述凸透镜、纳米天线或菲涅耳透镜形成于第二化合物半导体层的第四表面中。
10.按照权利要求1所述的发光器件，还包括：
电气耦接到第一化合物半导体层的第一电极；和
电气耦接到第二化合物半导体层的第二电极，其中
第二电极层叠在所述一个或多个光收集结构上。
11.按照权利要求10所述的发光器件，其中
光反射膜层叠在所述一个或多个光收集结构周围的第四表面上。
12.按照权利要求1所述的发光器件，还包括：
电气耦接到第一化合物半导体层的第一电极；和
电气耦接到第二化合物半导体层的第二电极，其中
第二电极设置在所述一个或多个光收集结构的周围。
13.按照权利要求1所述的发光器件，其中
第一化合物半导体层具有作为所述电流窄化结构的台面形状。
14.按照权利要求1所述的发光器件，其中
第一化合物半导体层在第一表面上包括凹面镜结构。
15.按照权利要求1所述的发光器件，其中
第一化合物半导体层、所述活性层和第二化合物半导体层具有其中连续地设置镜面结构的侧面。
16.按照权利要求15所述的发光器件，其中
所述镜面结构包括光反射膜、菲涅耳镜或抛物面镜。
17.按照权利要求1所述的发光器件，其中
所述活性层包括多个层，所述多个层出射具有彼此不同的波段的光。
18.一种图像显示设备，包括多个发光器件，所述多个发光器件是针对排列成阵列的多个像素中的每个像素设置的，其中
所述多个发光器件中的每个发光器件包括：
具有第一表面和第二表面的第一化合物半导体层，第一表面和第二表面彼此相对，面向第一化合物半导体层的第二表面的活性层，
具有第三表面和第四表面的第二化合物半导体层，第二化合物半导体层在第四表面上包括一个或多个光收集结构，第三表面面向所述活性层，并且第四表面与第三表面相对并充当光出射面，和
设置在第一化合物半导体层或第二化合物半导体层中的电流窄化结构。
19.按照权利要求18所述的图像显示设备，其中所述多个像素具有20μm以下的间距。
20.按照权利要求18所述的图像显示设备，其中所述多个光收集结构的间距等于或小于所述多个像素的间距。