1.一种真空镀膜的基体前处理工艺，其特征在于，该工艺包括以下步骤：
S1、将需要真空镀膜的基体放入清洁液中，并使用超声波去除基体表面的杂质，且使用去离子水冲洗基体表面，同时使用热风对基体进行干燥处理；
S2、将干燥后的基体放入活化液中，并使用电解方式使基体表面形成凹凸结构，增加基体表面的比表面积和活性；
S3、将活化后的基体放入涂层液中，并使用浸渍方式在基体表面形成均匀的涂层；
S4、对基体的参数进行采集，并对基体前处理进行监测；
所述将干燥后的基体放入活化液中，并使用电解方式使基体表面形成凹凸结构，增加基体表面的比表面积和活性包括以下步骤：
S21、确定电解的条件，包括电流密度、电解时间及温度，并将基体浸入活化液中，通过施加电流进行电解处理；
S22、在电解过程中，监测基体表面的形貌变化，并根据实时的监测数据，调整电解条件，确保凹凸结构得以形成，并在达到预设效果时停止电解；
S23、在完成电解后，将基体从活化液中取出，并进行中和处理，去除残留在基体表面的活化液，同时用清洁溶剂进行清洗，确保基体表面不含有害物质；
所述在电解过程中，监测基体表面的形貌变化，并根据实时的监测数据，调整电解条件，确保凹凸结构得以形成，并在达到预设效果时停止电解包括以下步骤：
S221、对基体表面的形貌变化进行特征提取和增强，得到特征图；
S222、对特征图进行空间信息的分析，得到空间注意力图，并对特征图和空间注意力图进行多尺度的特征融合，得到融合特征图；
S223、根据融合特征图，计算出与电解条件相关的显著特征值，根据显著特征值，动态调整电解条件；
S224、若电解效果达到预设的效果时，停止电解，完成凹凸结构的形成；
所述对基体表面的形貌变化进行特征提取和增强，得到特征图包括以下步骤：
S2211、将基体表面的形貌变化表示为若干个特征，且定义一个矩阵，用于学习不同特征之间的相关性，并对核参数进行随机初始化；
S2212、通过显著分数计算公式获取每个特征的显著分数，其中，显著分数计算公式为：
；
式中，x表示特征；
Hk表示核的第k行参数，Hl表示核的第l行参数；
bk表示核的第k行的偏置项，bl表示核的第l行的偏置项；
gk（x）表示第k个特征的显著分数；
exp表示指数函数，L表示核的总行数；
S2213、预设阈值，且根据显著分数值将所有特征进行排序，并保留大于阈值的特征；
S2214、根据显著分数调整每个特征的权重，并将显著分数大于阈值的特征进行加强，小于等于阈值的特征置零，根据增强后的特征，得到特征图；
所述对特征图进行空间信息的分析，得到空间注意力图，并对特征图和空间注意力图进行多尺度的特征融合，得到融合特征图包括以下步骤：
S2221、在特征图中提取低层次特征图、中层次特征图及高层次特征图；
S2222、基于空间注意力机制对特征图进行空间维度上的权重计算，生成低层次特征图、中层次特征图及高层次特征图对应的空间注意力图；
S2223、将低层次特征图、中层次特征图及高层次特征图与对应的空间注意力图进行相乘，得到信息加强后的信息特征图；
S2224、利用上采样和下采样操作将信息特征图的尺寸统一，并利用连接的方式将信息特征图进行融合，得到融合特征图；
根据融合特征图，计算出与电解条件相关的显著特征值，根据显著特征值，动态调整电解条件包括以下步骤：
S2231、收集若干基体表面形貌变化的数据，该基体表面形貌变化的数据包括融合特征图和对应的电解条件，融合特征图包括形状、颜色、纹理特征，电解条件的显著特征值是凹凸结构的密度；
S2232、选择与电解条件相关的特征；
S2233、使用回归方程Y=a+bX+σ来描述融合特征图和电解条件的线性关系，并利用最小二乘法对回归方程的参数进行求解，使散点到直线的纵向距离的平方和最小；式中，Y表示电解条件的显著特征值，X表示融合特征图中的特征，a表示截距，b表示斜率，σ表示误差项；
S2234、使用回归方程对新的融合特征图进行预测，得到电解条件的显著特征值；
S2235、根据电解条件的显著特征值，动态调整电解条件；
根据电解条件的显著特征值，动态调整电解条件包括以下步骤：
若显著特征值表明凹凸结构密度较低，则增加电解电流以促使更多的电解反应发生，若需要更多的凹凸结构，则延长电解时间，而若凹凸结构密度过高，则缩短电解时间；
电解温度对电解反应速率和产物形成具有影响，根据显著特征值，动态调整电解温度。
2.根据权利要求1所述的一种真空镀膜的基体前处理工艺，其特征在于，所述将需要真空镀膜的基体放入清洁液中，并使用超声波去除基体表面的杂质，且使用去离子水冲洗基体表面，同时使用热风对基体进行干燥处理包括以下步骤：
S11、将基体放入清洁液中，并使清洁液覆盖整个基体表面，且清洁液包含清洁剂及分解去污物质，其中，分解去污物质用于分解去除污垢及油脂；
S12、在清洁液中使用超声波设备，通过超声波振动来产生微小气泡，并去除基体表面的顽固污垢及杂质；
S13、将基体从清洁液中取出，并使用去离子水冲洗基体表面；
S14、将清洗过的基体置于热风设备中，使用热风对基体进行干燥处理。
3.根据权利要求1所述的一种真空镀膜的基体前处理工艺，其特征在于，所述将活化后的基体放入涂层液中，并使用浸渍方式在基体表面形成均匀的涂层包括以下步骤：
S31、确定浸渍的条件，包括浸渍时间、温度及涂层液浓度，并在浸渍之前，在基体表面形成引导层，提高涂层的附着力和稳定性；
S32、将基体浸入涂层液中，确保涂层液充分渗透到基体表面；
S33、在浸渍后，对基体进行干燥和固化，使涂层在表面稳定附着，同时对涂层进行表面性能测试。
4.根据权利要求3所述的一种真空镀膜的基体前处理工艺，其特征在于，所述对涂层进行表面性能测试包括以下步骤：
S331、使用附着力测试仪，按照相应的标准进行附着力测试；
S332、使用硬度计对涂层进行硬度测试
S333、通过盐雾测试或酸碱性测试，模拟涂层在不同环境条件下的耐腐蚀性能。
5.根据权利要求1所述的一种真空镀膜的基体前处理工艺，其特征在于，所述对基体的参数进行采集，并对基体前处理进行监测包括以下步骤：
S41、对基体的清洁度、活化度、涂层厚度进行采集，并实时将采集到的数据上传到真空镀膜基体前处理工艺管理平台；
S42、基于采集到的数据进行分析，将不同的数据保存至不同的数据库中，实现对真空镀膜基体前处理工艺的监控和优化；
S43、用户及工程师通过登录真空镀膜基体前处理工艺管理平台并基于每个基体唯一的标识，实现对该基体参数的查询访问；
S44、通过在每条传输数据的末尾增加CRC校验码，确保真空镀膜基体前处理工艺数据的可靠性。