1.一种耐腐蚀性涂层，应用于对具有易腐蚀性和/或粗糙外表面的基底表面的涂覆，其特征在于，包括：
由所述基底表面开始，由内至外依次排列的至少一组的致密复合单元层；
其中，在一组的所述致密复合单元层中，包括由内至外依次排列的金属打底层、过渡层和玻璃态致密氧化硅层。
2.如权利要求1所述耐腐蚀性涂层，其特征在于，所述金属打底层包括单质金属或者为合金靶材中的一种或两种组合；
优选地，所述单质金属包括Cr、Ti、Al、Nb和Ta中的一种；
优选地，所述合金靶材包括TiAl、CrAl和TiCr中的一种。
3.如权利要求1所述耐腐蚀性涂层，其特征在于，所述过渡层为覆盖于所述金属打底层表面且与所述金属打底层相融合而形成的过渡层；
优选地，所述过渡层包括金属融合层和碳化物层；并且，所述过渡层为由所述金属融合层向所述碳化物层过渡的过渡层；
优选地，所述金属融合层为与所述金属打底层表面的金属融合后的金属氮化物和金属氮氧化物中的一种或两种组合。
4.如权利要求1所述耐腐蚀性涂层，其特征在于，所述玻璃态致密氧化硅层为含有SiOxCy的玻璃态致密氧化硅层；
优选地，所述玻璃态致密氧化硅层是由Si‑DLC涂层在通入氧气后形成的含有SiOxCy的玻璃态致密氧化硅层。
5.如权利要求1所述耐腐蚀性涂层，其特征在于，还包括功能复合层；
所述功能复合层为沉积于最外层的所述致密复合单元层的外表面且具有颜色装饰功能和/或耐磨损功能的功能复合层；所述功能复合层包括：由内至外依次排列的金属打底层和功能外层；或者，由内至外依次排列的金属打底层、过渡层和功能外层。
6.一种如权利要求1‑5任一项所述耐腐蚀性涂层的制备方法，应用于对具有易腐蚀性和/或粗糙外表面的基底表面的涂覆，其特征在于，包括：
在所述基底表面，沉积至少一层致密复合单元层；
优选地，所述致密复合单元层包括由内至外依次排列的金属打底层、过渡层和玻璃态致密氧化硅层；
所述在所述基底表面，沉积至少一层致密复合单元层，包括：
由所述基底表面开始，进行至少一次由内至外的所述致密复合单元层的沉积流程；
优选地，所述由所述基底表面开始，进行至少一次由内至外的所述致密复合单元层的沉积流程，包括：
沉积金属打底层；
在所述金属打底层表面形成与其融合的过渡层；
在所述过渡层表面，形成一层玻璃态致密氧化硅层；
优选地，所述沉积金属打底层之前，还包括：
在所述金属打底层的内层为基底表面时，在真空状态下通入惰性气体，对所述基底表面进行气体等离子体清洗；
优选地，所述气体等离子体清洗为等离子体源离子清洗、偏压辅助辉光离子清洗和AEDG弧光放电增强辅助离化离子清洗中的一种；
优选地，所述金属打底层的厚度为10‑300nm；
优选地，所述过渡层的厚度为100‑500nm；
优选地，所述玻璃态致密氧化硅层的厚度为30‑300nm；
优选地，所述惰性气体为氩气、氦气、氖气、氪气和氙气中的任意一种。
7.如权利要求6所述耐腐蚀性涂层的制备方法，其特征在于，
所述沉积金属打底层，包括：
在惰性气体环境下，通过磁控溅射阴极源或者弧光放电溅射源在表面沉积一层所述金属打底层。
8.如权利要求6所述耐腐蚀性涂层的制备方法，其特征在于，
所述过渡层包括金属融合层和碳化物层；
所述在金属打底层表面形成与其融合的过渡层，包括：
在惰性气体环境下，通入氮气或氧气，在所述金属打底层表面形成一层与所述金属打底层相融合而形成的所述金属融合层；所述金属融合层中包括金属氮化物或金属氧化物；
降低氮气或氧气含量，增加含碳气体源，在所述金属融合层表面形成所述碳化层，构成覆盖于所述金属打底层表面且由所述金属融合层向所述碳化物层过渡的所述过渡层。
9.如权利要求7所述耐腐蚀性涂层的制备方法，其特征在于，所述在所述过渡层表面，形成一层玻璃态致密氧化硅层，包括：
关闭所述磁控溅射阴极源，通入惰性气体及含硅碳有机气体源，通过PECVD方法制备一层含Si‑DLC涂层；
在所述Si‑DLC涂层基础上，通入O2，形成一层玻璃态致密SiOxCy层；
优选地，所述含硅碳有机气体源为硅氧烷气体或硅烷类气体；
优选地，所述PECVD方法为：选用AEGD弧光电子增强辅助离化离子源配合脉冲偏压方法、射频辅助离化RF‑PECVD方法和微波辅助离化PECVD方法中的一种。
10.如权利要求6所述耐腐蚀性涂层的制备方法，其特征在于，所述在基底表面，沉积至少一层致密复合单元层之后，还包括：
在最外层的所述致密复合单元层的表面上，通过PVD磁控溅射方法沉积一层具有颜色装饰功能和/或耐磨损功能的功能复合层；所述功能复合层包括：由内至外依次排列的金属打底层和功能外层；或者，由内至外依次排列的金属打底层、过渡层和功能外层。