1.一种准太赫兹波全吸收超表面吸收器，其特征在于，由若干结构单元排列组成，每个结构单元自上而下依次包括：二氧化硅正四棱台(1)，用于对太赫兹波吸收；第一石墨烯层(2)，用于对太赫兹波进行吸收的调控；第一介质层(3)，用于对太赫兹波的吸收；第二石墨烯层(4)，用于对太赫兹波进行吸收的调控；第二介质层(5)，用于对太赫兹波的吸收；第三石墨烯层(6)，用于对太赫兹波进行吸收的调控；第三介质层(7)，用于对太赫兹波的吸收；
金属基底(8)，用于对太赫兹波的全反射；外部偏置电压(9)，用于实现对石墨烯层化学势的调控。
2.根据权利要求1所述的一种准太赫兹波全吸收超表面吸收器，其特征在于，所述结构单元顶部为正四棱台结构，底部为横截面是正方形的长方体结构，横截面正方形的边与正四棱台下底边对齐且长度相等。
3.根据权利要求2所述的一种准太赫兹波全吸收超表面吸收器，其特征在于，所述第一至第三介质层均采用二氧化硅，折射率为1.5；所述金属基底采用银。
4.根据权利要求3所述的一种准太赫兹波全吸收超表面吸收器，其特征在于，所述结构单元顶部二氧化硅正四棱台的上底边长为10.9μm，二氧化硅正四棱台的下底边长为44.1μm，二氧化硅正四棱台的高为49.1μm，第一二氧化硅介质层的厚度为11.5μm，第二二氧化硅介质层的厚度为13.5μm，第三二氧化硅介质层的厚度为8.0μm，金属银的厚度为1.0μm。
5.根据权利要求4所述的一种准太赫兹波全吸收超表面吸收器，其特征在于，所述第一至第三石墨烯层的厚度很薄，约为0.33nm。
6.根据权利要求5所述的一种准太赫兹波全吸收超表面吸收器，其特征在于，所有石墨烯层均和外部偏置电压9相连，同时电控，通过控制外部偏置电压可以实现对吸收器低频波段吸收强度的调控，电压调节范围为0‑15V。
7.根据权利要求6所述的一种准太赫兹波全吸收超表面吸收器，其特征在于，所述外部偏置电压为15V时，太赫兹波入射时，由于顶部二氧化硅正四棱台和中间多层石墨烯和介质层的共同作用，吸收器能够实现0.5到10THz波段范围内的全波段吸收。
8.根据权利要求7所述的一种准太赫兹波全吸收超表面吸收器，其特征在于，外部偏置电压设置为0V时，此时对应于石墨烯0eV的电压，在低频处的吸收率急剧下降30％，调控幅度接近70％。
9.根据权利要求1‑8任一项所述的一种准太赫兹波全吸收超表面吸收器，其特征在于，所述若干结构单元之间为紧密排列。
10.如权利要求1‑9任一项所述的一种准太赫兹波全吸收超表面吸收器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)用电子束蒸发的方法沉积1.0μm厚的银形成所述金属基底；
(2)将二氧化硅旋转涂覆在银层表面上，并烘烤形成所述第三介质层，厚度为8.0μm；
(3)将石墨烯层转移到第三介质层上方形成所述第三石墨烯层；
(4)将二氧化硅旋转涂覆在第三石墨烯层表面上，并烘烤形成所述第二介质层，厚度为
13.5μm；
(5)将石墨烯层转移到第二介质层上方形成所述第二石墨烯层；
(6)将二氧化硅旋转涂覆在第二石墨烯层表面上，并烘烤形成所述第一介质层，厚度为
11.5μm；
(7)将石墨烯层转移到第一介质层上方形成所述第一石墨烯层；
(8)使用磁控溅射法在第一石墨烯层表面制造出正四棱台二氧化硅层。