1.一种降低金锡焊料烧结元器件空洞率的烧结工艺，其特征在于，包括以下步骤：
S1、取器件管壳、金锡焊料片和待用芯片，制备烧结结构；
S2、将烧结结构置于真空回流炉的腔体内，腔体内温度由室温升到T0，升温过程中并抽真空一，所述T0为50‑70℃；
S3、腔体内温度达到T0后，保持TO不变，进行腔体清洗，过程中间断充入保护性气体；
S4、将腔体内温度由T0升至T1，进行腔体预热，所述T1为200‑250℃；
S5、保持腔体内温度在T1，并抽真空二50‑100s；
S6、将腔体内温度从T1升到T2，并抽真空三，所述T2为300‑350℃；
S7、保持腔体内温度在T2，并抽真空四，金锡焊料片充分融化，并于待用芯片的背面金属、器件管壳的导电区表面金属完成共晶反应，反应时间为40‑100s。
2.根据权利要求1所述的一种降低金锡焊料烧结元器件空洞率的烧结工艺，其特征在于：所述步骤S1中，制备烧结结构步骤包括：
S101、选取器件管壳、金锡焊料片和待用芯片，所述器件管壳为金属陶瓷材料，所述器件管壳的中心设置导电区，所述待用芯片为背金芯片；
S102、取出金锡焊料片，将其按照比待用芯片的外轮廓大的大小进行裁剪，裁剪完毕后将金锡焊料片按压扁平，使得金锡焊料片平整且无卷翘；
S103、取出器件管壳，将裁剪好的金锡焊料片置于器件管壳的导电区，再将待用芯片叠放于金锡焊料片之上，使得金锡焊料片处于器件管壳的导电区正中心，待用芯片处于金锡焊料片的正中心，得到烧结结构。
3.根据权利要求1所述的一种降低金锡焊料烧结元器件空洞率的烧结工艺，其特征在于：所述真空一和真空二的真空度均为2‑10mbar，所述真空三和真空四的真空度均为5‑
10mbar。
4.根据权利要求1所述的一种降低金锡焊料烧结元器件空洞率的烧结工艺，其特征在于：所述步骤S3中，腔体清洗的方法包括：将腔体内温度由室温升至T0，保持腔体内部温度为T0，并在T0温度下进行充第一次保护气30‑40s后抽真空90‑110s，再充第二次保护气30‑
40s后抽真空60‑80s的操作，循环操作1‑2次。
5.根据权利要求1所述的一种降低金锡焊料烧结元器件空洞率的烧结工艺，其特征在于：所述步骤S3的腔体清洗中，充入的第一次保护气和第二次保护气均为氮气，第一次保护气充入时流速为15‑25L/min，第二次保护气充入时流速为5‑10L/min。
6.根据权利要求1所述的一种降低金锡焊料烧结元器件空洞率的烧结工艺，其特征在于：所述步骤S4中，腔体内温度由T0升至T1的升温速率为110‑160℃/min；所述步骤S6中，腔体内温度从T1升到T2的升温速率为30‑60℃/min。
7.根据权利要求1所述的一种降低金锡焊料烧结元器件空洞率的烧结工艺，其特征在于：所述步骤S7中共晶反应完全后，将腔体内温度从T2降到T3进行冷却，所述T3为室温‑70℃，温度从T2降低至T3的降温速率为30‑50℃/min。
8.根据权利要求1所述的一种降低金锡焊料烧结元器件空洞率的烧结工艺，其特征在于：所述金锡焊料片按重量百分比计的化学成分为：Au为80％，Sn为20％。
9.根据权利要求1所述的一种降低金锡焊料烧结元器件空洞率的烧结工艺，其特征在于：所述器件管壳为SMD、QFP、TO254、TO257、SOP、DIP中的一种。
10.根据权利要求2所述的一种降低金锡焊料烧结元器件空洞率的烧结工艺，其特征在于：所述步骤102和103中，器件管壳、金锡焊料片和待用芯片均存储在氮气柜中，在从氮气柜取出器件管壳、金锡焊料片和待用芯片的3h内完成所述烧结工艺。