一种片状掩膜版的制作方法

申请号 CN202210586324.2 申请日 2022-05-27 公开(公告)号 CN115161591B 公开(公告)日 2024-04-19
申请人 成都拓维高科光电科技有限公司; 发明人 刘鑫; 李博; 赵阳; 吴义超; 杨凡; 李哲;
摘要 本 申请 公开了一种片状掩膜版的制作方法,包括以下步骤:S1:取厚度为h0的基材,金属基材的A面为上表面,B面为下表面;S2:在基材上涂覆光阻膜,曝光,显影,蚀刻后形成 基板 ,基板包括有效区和将有效区包围在内的辅助区,有效区与辅助区之间设有 焊接 区,有效区为由横向骨架和纵向骨架形成的镂空的网格状;S3:对S2形成的基板减薄处理。本申请方法制成的掩膜版张网焊接时用较小的拉 力 可以使片状掩膜版整平,使得F‑mask本体不易发生 变形 ,从而提高了蒸 镀 质量 的 稳定性 。
权利要求

1.一种片状掩膜版的制作方法,包括以下步骤:
S1: 取厚度为h0的基材, 金属基材的A面为上表面,B面为下表面;
S2:在基材上涂覆光阻膜,曝光,显影,蚀刻后形成基板(1),基板(1)包括有效区(2)和将有效区(2)包围在内的辅助区(3),有效区(2)与辅助区(3)之间设有焊接区(6),有效区(2)为由横向骨架(4)和纵向骨架(5)形成的镂空的网格状;
S3: 对S2形成的基板(1)减薄处理;
S4:辅助区(3)的A面或/和B面蚀刻图案。
2.根据权利要求1所述的片状掩膜版的制作方法,其特征在于,所述S3中,基板(1)减薄处理为A面减薄处理或/和B面减薄处理。
3.根据权利要求2所述的片状掩膜版的制作方法,其特征在于,所述减薄处理幅度<
30%。
4.根据权利要求1‑3任一所述的片状掩膜版的制作方法,其特征在于,所述S3中,基板(1)减薄处理为辅助区(3)处理。
5.根据权利要求1‑3任一所述的片状掩膜版的制作方法,其特征在于,所述S4中,图案的长度由中间向四逐渐变短。
6.根据权利要求1‑3任一所述的片状掩膜版的制作方法,其特征在于,所述S4中,有效区(2)的横向骨架(4)及纵向骨架(5)减宽处理。
7.根据权利要求6所述的片状掩膜版的制作方法,其特征在于,所述减宽为由中心向两边宽度逐渐变窄。
8. 根据权利要求1‑3任一所述的片状掩膜版的制作方法,其特征在于,该片状掩膜版的制作方法制作的片状掩膜版包括基板(1),该基板(1)包括有效区(2)和将有效区(2)包围在内的辅助区(3),有效区(2)与辅助区(3)之间设有焊接区(6),有效区(2)为由横向骨架(4)和纵向骨架(5)形成的镂空的网格状,所述横向骨架(4),其厚度>0.7 h0,且< h0;纵向骨架(5),其厚度>0.7 h0,且< h0。
9.根据权利要求8所述的片状掩膜版的制作方法,其特征在于,所述横向骨架(4)宽度沿片状掩膜版横向中心线向外渐次减少,纵向骨架(5)宽度沿片状掩膜版纵向中心线向外渐次减少。
10.根据权利要求9所述的片状掩膜版的制作方法,其特征在于,所述辅助区(3)的上表面上刻蚀刻有若干第一凹槽(8),第一凹槽(8)包括横向的第一凹槽(8)和纵向的第一凹槽(8),横向的第一凹槽(8)的长度沿片状掩膜版横向中心线向外渐次减少,纵向的第一凹槽(8)的长度沿片状掩膜版纵向中心线向外渐次减少;所述辅助区(3)的下表面蚀刻有若干第二凹槽(9),第二凹槽(9)与第一凹槽(8)交错排列,第二凹槽(9)包括横向的第二凹槽(9)和纵向的第二凹槽(9),横向的第二凹槽(9)的长度沿片状掩膜版横向中心线向外渐次减少,纵向的第二凹槽(9)的长度沿片状掩膜版纵向中心线向外渐次减少。
11.一种F‑mask掩膜版的制作方法, F‑mask掩膜版由片状掩膜版和框(7)组成,包括以下步骤:将权利要求1‑10任一所述的片状掩膜版的制作方法制作的片状掩膜版张网到框(7)。

说明书全文

一种片状掩膜版的制作方法

技术领域

[0001] 本申请涉及蒸领域,特别涉及一种sheet(片状)掩膜版的制作方法及一种F‑mask掩膜版的制作方法。

背景技术

[0002] 有机电致发光器件(OLED)由于具有亮度高、色彩饱和、轻薄、可弯曲等优点在显示面板领域占比逐渐增大。
[0003] OLED或AMOLED制程工艺中,蒸镀为决定OLED或AMOLED性能关键的工艺之一,与蒸镀系统配合的掩膜版(Mask)是决定蒸镀系统性能的关键,FMM的主要作用是在OLED生产过程中沉积RGB有机物质并形成像素,准确和精细地沉淀有机物质,提高分辨率和良率。FMM的开孔直接决定OLED显示屏的像素高低,开孔越小,像素越高。
[0004] FMM在使用过程中,由于重和受热膨胀的原因,会有500μm的下垂量,下垂量越大,造成的混色的比例和险越大,分辨率越高,影响越严重。在实际生产过程中,为了减少下垂量,采用F‑mask(由Frame(框)和sheet(片状)掩膜版组成)来支撑FMM。由于F‑mask刚度大,下垂量比FMM小,约为200μm。F‑mask的使用在一定程度上减少了FMM的下垂量,降低了混色的比例和影响程度。但是现有的F‑mask使用后蒸镀质量稳定性较差。
[0005] 上述背景技术是为了便于理解本发明,并非是申请本发明之前已向普通公众公开的公知技术。

发明内容

[0006] 基于上述问题,本申请提供一种sheet(片状)掩膜版的制作方法,该方法制作的掩膜版张网焊接时用较小的拉力可以使sheet(片状)掩膜版整平,使得F‑mask本体不易发生变形,从而提高了蒸镀质量的稳定性。
[0007] 一种sheet(片状)掩膜版的制作方法,包括以下步骤:
[0008] S1: 取厚度为h0的基材, 金属基材的A面为上表面,B面为下表面;S2:在基材上涂覆光阻膜,曝光,显影,蚀刻后形成基板,基板包括有效区和将有效区包围在内的辅助区,有效区与辅助区之间设有焊接区,有效区为由横向骨架和纵向骨架形成的镂空的网格状;
[0009] S3: 对S2形成的基板减薄处理。
[0010] 可选地,所述S3中,基板减薄处理为A面减薄处理或/和B面减薄处理。
[0011] 可选地,所述减薄处理幅度<30%。
[0012] 可选地,所述S3中,基板减薄处理为辅助区处理。
[0013] 可选地,所述sheet(片状)掩膜版的制作方法还包括以下步骤:
[0014] S4:有效区的横向骨架及纵向骨架减宽处理。
[0015] 可选地,所述减宽为由中心向两边宽度逐渐变窄。
[0016] 可选地,所述sheet(片状)掩膜版的制作方法还包括以下步骤:
[0017] S4:辅助区的A面或/和B面蚀刻图案。
[0018] 可选地,所述图案的长度由中间向四逐渐变短。
[0019] 可选地,所述sheet(片状)掩膜版的制作方法还包括以下步骤:
[0020] S4: 有效区的横向骨架及纵向骨架减宽处理,辅助区的A面或/和B面蚀刻图案。
[0021] 可选地,所述减宽为由中心向两边宽度逐渐变窄;图案的长度由中间向四角逐渐变短。
[0022] 本发明还提供一种sheet(片状)掩膜版,包括由厚度为h0的基材形成的基板,该基板包括有效区和将有效区包围在内的辅助区,有效区与辅助区之间设有焊接区,有效区为由横向骨架和纵向骨架形成的镂空的网格状,所述横向骨架,其厚度>0.7 h0,且0.7 h0,且
[0023] 可选地,所述横向骨架的上表面与焊接区的上表面之间具有高度差,纵向骨架的上表面与焊接区的上表面之间具有高度差。
[0024] 可选地,所述横向骨架的下表面与焊接区的下表面之间具有高度差,纵向骨架的下表面与焊接区的下表面之间具有高度差。
[0025] 可选地,所述横向骨架的上表面与焊接区的上表面之间具有高度差,纵向骨架的上表面与焊接区的上表面之间具有高度差;横向骨架的下表面与焊接区的下表面之间具有
高度差,纵向骨架的下表面与焊接区的下表面之间具有高度差。
[0026] 可选地,所述横向骨架宽度沿sheet(片状)掩膜版横向中心线向外渐次减少,纵向骨架宽度沿sheet(片状)掩膜版纵向中心线向外渐次减少。
[0027] 可选地,所述横向骨架的上表面与焊接区的上表面之间具有高度差,纵向骨架的上表面与焊接区的上表面之间具有高度差。
[0028] 可选地,所述横向骨架的下表面与焊接区的下表面之间具有高度差,纵向骨架的下表面与焊接区的下表面之间具有高度差。
[0029] 可选地,所述横向骨架的上表面与焊接区的上表面之间具有高度差,纵向骨架的上表面与焊接区的上表面之间具有高度差;所述横向骨架的下表面与焊接区的下表面之间
具有高度差,纵向骨架的下表面与焊接区的下表面之间具有高度差。
[0030] 可选地,所述辅助区厚度
[0031] 可选地,所述辅助区厚度
[0032] 可选地,所述辅助区厚度
[0033] 可选地,所述辅助区的上表面上刻蚀刻有若干第一凹槽,第一凹槽包括横向的第一凹槽和纵向的第一凹槽,横向的第一凹槽的长度沿sheet(片状)掩膜版横向中心线向外渐次减少,纵向的第一凹槽的长度沿sheet(片状)掩膜版纵向中心线向外渐次减少。
[0034] 可选地,所述辅助区的下表面若干第二凹槽,第二凹槽与第一凹槽交错排列,第二凹槽包括横向的第二凹槽和纵向的第二凹槽,横向的第二凹槽的长度沿sheet(片状)掩膜版横向中心线向外渐次减少,纵向的第二凹槽的长度沿sheet(片状)掩膜版纵向中心线向外渐次减少。
[0035] 本申请还提供一种F‑mask掩膜版。
[0036] 一种F‑mask掩膜版,包括sheet(片状)掩膜版和Frame框,所述sheet(片状)掩膜版为上述的sheet(片状)掩膜版。
[0037] 发明原理及有益效果:
[0038] 本申请发明人经研究发现,F‑mask的sheet(片状)在张网焊接到Frame的过程中,需要施加很大的拉力使其平坦度达到设定值以下(通常是50μm),同时给Frame施加相反方向的推力,然后将sheet(片状)焊接到Frame上。这个一对持续力的作用结果,导致后期使用过程中,F‑mask本体发生变形,从而影响蒸镀工艺质量,导致蒸镀质量的稳定性较差。
[0039] 本申请通过对sheet(片状)掩膜版的有效区的骨架及辅助区域进行化学蚀刻减薄处理,张网焊接时用较小的拉力可以使sheet(片状)整平,使得F‑mask本体不易发生变形,从而提高了蒸镀质量的稳定性。
附图说明
[0040] 图1为金属原材结构示意图;
[0041] 图2为本发明背景技术sheet(片状)掩膜版示意图;
[0042] 图3为sheet(片状)掩膜版张网时sheet(片状)掩膜版的受力方向示意;
[0043] 图4为本发明实施例3sheet(片状)掩膜版结构示意图,其中4a 为A面或B面减薄那面向上的示意图, 4b为未减薄那面向上的示意图;
[0044] 图5为本发明实施例5 sheet(片状)掩膜版结构示意图;
[0045] 图6为本发明实施例7 sheet(片状)掩膜版结构示意图;
[0046] 图7为本发明实施例9 sheet(片状)掩膜版结构示意图;
[0047] 图8为本发明实施例11 sheet(片状)掩膜版结构示意图;
[0048] 图9为本发明实施例13 sheet(片状)掩膜版结构示意图,其中9a为A面俯视图示意图,9b为B面俯视图示意图;
[0049] 图10为本发明实施例15 sheet(片状)掩膜版结构示意图,其中10a为A面俯视图示意图,10 b为B面俯视图示意图。

具体实施方式

[0050] 下面将结合附图对本申请作进一步说明。
[0051] 在本发明的描述中,需要说明的是,术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖向”、“纵向”、“侧向”、“平”、“内”、“外”、“前”、“后”、“顶”、“底”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,或者是该发明产品使用时惯常摆放的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的
方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。此外,术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0052] 在本发明的描述中,还需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“设置”、“开有”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接 ,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
[0053] 实施例1:现有的F‑mask的sheet(片状)掩膜版的制作工艺
[0054] 现有的F‑mask的sheet(片状)的制作方法,包括以下步骤:
[0055] S1: 取如图1厚度为h0的金属基材(材料优选为Invar或SUS),h0为100~200μm(根据客户需求确定), 金属基材的A面为上表面,B面为下表面。
[0056] S2:在基材上涂覆光阻膜(干法或湿法),曝光,显影,蚀刻后形成图2所示的sheet(片状)结构,图2的sheet(片状)掩膜版结构,包括基板1,基板1包括有效区2和将有效区2包围在内的辅助区3,有效区2与辅助区3之间设有焊接区6,有效区2为由横向骨架4和纵向骨架5形成的镂空的网格状,横向骨架4厚度=纵向骨架5厚度=辅助区3厚度=焊接区6= h0。横
向骨架4宽度=纵向骨架5宽度=L0。图2中,横向骨架4、纵向骨架5、辅助区3、焊接区6的上表面与下表面均在同一水平面。
[0057] 实施例2:现有的F‑mask的的制作工艺
[0058] 现有的F‑mask的的制作方法,包括以下步骤:
[0059] 将实施例1制作而成的sheet(片状)掩膜版张网焊接到Frame框7上,张网焊接时,沿焊接区6焊接,焊接后,将辅助区3裁切掉,形成F‑mask掩膜版。
[0060] 张网的示意如图3,张网时,对sheet(片状)掩膜版施加拉力使其平坦度达到规格值(一般<50N),然后调整Pixel精度使其达到规格值,sheet(片状)掩膜版拉力F的方向由sheet(片状)掩膜版向Frame框7。
[0061] 实施例3:本申请的一种sheet(片状)掩膜版的制作工艺
[0062] 取实施例1制作的sheet(片状)掩膜版,进行后续工艺,包括以下步骤:
[0063] S3: 有效区2单面减薄(单面减薄可以为A面,也可以为B面,两者的工艺相同)。
[0064] 将实施例1制作的sheet(片状)掩膜版涂覆光阻膜(干法或湿法),曝光,显影,蚀刻后形成图4的sheet(片状)掩膜版结构(其中图4a为A面或B面减薄那面向上的示意图,图4b为未减薄那面向上的示意图),图4中,sheet(片状)掩膜版结构,包括基板1,基板1包括有效区2和将有效区2包围在内的辅助区3,有效区2与辅助区3之间设有焊接区6,有效区2为由横向骨架4和纵向骨架5形成的镂空的网格状,横向骨架4厚度=纵向骨架5厚度= h1,辅助区3厚度=焊接区6= h0,0.7 h0
[0065] 实施例4:实施例3的F‑mask的制作工艺
[0066] 将实施例3制作而成的sheet(片状)掩膜版张网焊接到Frame框7上,张网焊接时,沿焊接区6焊接,焊接后,将辅助区3裁切掉,形成F‑mask掩膜版。
[0067] 实施例5:本申请的另一种sheet(片状)掩膜版的制作工艺
[0068] 取实施例3制作的sheet(片状)掩膜版,进行后续工艺,包括以下步骤:
[0069] S4: 有效区2的横向骨架及纵向骨架减宽
[0070] 将实施例3制作的sheet(片状)掩膜版涂覆光阻膜(干法或湿法),曝光,显影,蚀刻后形成图5的sheet(片状)掩膜版结构俯视图示意图,图5中,横向骨架4宽度沿sheet(片状)掩膜版横向中心线向外渐次减少,sheet(片状)掩膜版横向中心线的横向骨架4宽度大于边缘位置的横向骨架4宽度,纵向骨架5宽度沿sheet(片状)掩膜版纵向中心线向外渐次减少,sheet(片状)掩膜版纵向中心线的纵向骨架5宽度大于边缘位置的纵向骨架5宽度。sheet(片状)掩膜版纵向中心线的纵向骨架5宽度≤L1。
[0071] 实施例6:实施例5的F‑mask的制作工艺
[0072] 将实施例5制作而成的sheet(片状)掩膜版张网焊接到Frame框7上,张网焊接时,沿焊接区6焊接,焊接后,将辅助区3裁切掉,形成F‑mask掩膜版。
[0073] 实施例7本申请的另一种sheet(片状)掩膜版的制作工艺
[0074] 取实施例1制作的sheet(片状)掩膜版,进行后续工艺,包括以下步骤:
[0075] S3: 有效区2双面减薄。
[0076] 将实施例1制作的sheet(片状)掩膜版涂覆光阻膜(干法或湿法),曝光,显影,蚀刻后形成图6的sheet(片状)掩膜版结构,图6中,sheet(片状)掩膜版结构,包括基板1,基板1包括有效区2和将有效区2包围在内的辅助区3,有效区2与辅助区3之间设有焊接区6,有效区2为由横向骨架4和纵向骨架5形成的镂空的网格状,横向骨架4厚度=纵向骨架5厚度= 
h1,辅助区3厚度=焊接区6= h0,0.7 h0
[0077] 本实施例形成的sheet(片状)掩膜版从A面与B面看结构无差别。
[0078] 实施例8:实施例7的F‑mask的制作工艺
[0079] 将实施例7制作而成的sheet(片状)掩膜版张网焊接到Frame框7上,张网焊接时,沿焊接区6焊接,焊接后,将辅助区3裁切掉,形成F‑mask掩膜版。
[0080] 实施例9本申请的另一种sheet(片状)掩膜版的制作工艺
[0081] 取实施例7制作的sheet(片状)掩膜版,进行后续工艺,包括以下步骤:
[0082] S4: 有效区2的横向骨架及纵向骨架减宽
[0083] 将实施例7制作的sheet(片状)掩膜版涂覆光阻膜(干法或湿法),曝光,显影,蚀刻后形成图7的sheet(片状)掩膜版结构俯视图示意图,图7中,横向骨架4宽度沿sheet(片状)掩膜版横向中心线向外渐次减少,sheet(片状)掩膜版横向中心线的横向骨架4宽度大于边缘位置的横向骨架4宽度,纵向骨架5宽度沿sheet(片状)掩膜版纵向中心线向外渐次减少,sheet(片状)掩膜版纵向中心线的纵向骨架5宽度大于边缘位置的纵向骨架5宽度。sheet(片状)掩膜版纵向中心线的纵向骨架5宽度≤L1。
[0084] 实施例10:实施例9的F‑mask的制作工艺
[0085] 将实施例9制作而成的sheet(片状)掩膜版张网焊接到Frame框7上,张网焊接时,沿焊接区6焊接,焊接后,将辅助区3裁切掉,形成F‑mask掩膜版。
[0086] 实施例11:本申请的另一种sheet(片状)掩膜版的制作工艺
[0087] 取实施例1制作的sheet(片状)掩膜版,进行后续工艺,包括以下步骤:
[0088] S3: 辅助区3单面减薄(单面减薄可以为A面,也可以为B面,两者的工艺相同)。
[0089] 将实施例1制作的sheet(片状)掩膜版涂覆光阻膜(干法或湿法),曝光,显影,蚀刻后形成图8的sheet(片状)掩膜版结构减薄面俯视图示意图,图8中,sheet(片状)掩膜版结构,包括基板1,基板1包括有效区2和将有效区2包围在内的辅助区3,有效区2与辅助区3之间设有焊接区6,有效区2为由横向骨架4和纵向骨架5形成的镂空的网格状,横向骨架4厚度=纵向骨架5厚度= h0,焊接区6= h0,横向骨架4宽度=纵向骨架5宽度= L1,L1= L0。辅助区3的一面上刻蚀刻有若干第一凹槽8,第一凹槽8由焊接区6向sheet(片状)掩膜版的边缘延伸,横向的第一凹槽8 的长度沿sheet(片状)掩膜版横向中心线向外渐次减少,纵向的凹槽8 的长度沿sheet(片状)掩膜版纵向中心线向外渐次减少。
[0090] 实施例12:实施例11的F‑mask的制作工艺
[0091] 将实施例11制作而成的sheet(片状)掩膜版张网焊接到Frame框7上,张网焊接时,沿焊接区6焊接,焊接后,将辅助区3裁切掉,形成F‑mask掩膜版。
[0092] 实施例13:本申请的另一种sheet(片状)掩膜版的制作工艺
[0093] 取实施例1制作的sheet(片状)掩膜版,进行后续工艺,包括以下步骤:
[0094] S3: 辅助区3双面减薄。
[0095] 将实施例1制作的sheet(片状)掩膜版涂覆光阻膜(干法或湿法),曝光,显影,蚀刻后形成图9的sheet(片状)掩膜版结构俯视图示意图(其中a为A面俯视图示意图,b为B面俯视图示意图),图中,sheet(片状)掩膜版结构,包括基板1,基板1包括有效区2和将有效区2包围在内的辅助区3,有效区2与辅助区3之间设有焊接区6,有效区2为由横向骨架4和纵向骨架5形成的镂空的网格状,横向骨架4厚度=纵向骨架5厚度= h0,焊接区6= h0,横向骨架4宽度=纵向骨架5宽度= L1,L1= L0。辅助区3的一面上刻蚀刻有若干第一凹槽8,第一凹槽8由焊接区6向sheet(片状)掩膜版的边缘延伸,横向的第一凹槽8的长度沿sheet(片状)掩膜版横向中心线向外渐次减少,纵向的第一凹槽8的长度沿sheet(片状)掩膜版纵向中心线向外渐次减少。辅助区3的另一相对的面上刻蚀刻有若干第二凹槽9,第二凹槽9由焊接区6向
sheet(片状)掩膜版的边缘延伸,横向的第二凹槽9的长度沿sheet(片状)掩膜版横向中心线向外渐次减少,纵向的第二凹槽9的长度沿sheet(片状)掩膜版纵向中心线向外渐次减
少。第二凹槽9与第一凹槽8交错排列。
[0096] 实施例14:实施例13的F‑mask的制作工艺
[0097] 将实施例13制作而成的sheet(片状)掩膜版张网焊接到Frame框7上,张网焊接时,沿焊接区6焊接,焊接后,将辅助区3裁切掉,形成F‑mask掩膜版。
[0098] 实施例15:本申请的另一种sheet(片状)掩膜版的制作工艺
[0099] 取实施例1制作的sheet(片状)掩膜版,进行后续工艺,包括以下步骤:
[0100] S3: 有效区2、辅助区3双面减薄。
[0101] 将实施例1制作的sheet(片状)掩膜版涂覆光阻膜(干法或湿法),曝光,显影,蚀刻后形成sheet(片状)掩膜版结构,该sheet(片状)掩膜版结构,包括基板1,基板1包括有效区2和将有效区2包围在内的辅助区3,有效区2与辅助区3之间设有焊接区6,有效区2为由横向骨架4和纵向骨架5形成的镂空的网格状,横向骨架4厚度=纵向骨架5厚度=辅助区3厚度= 
h1,焊接区6= h0,0.7 h0
[0102] 本步骤形成的sheet(片状)掩膜版从A面与B面看结构无差别。
[0103] S4: 有效区2的横向骨架及纵向骨架减宽、以及辅助区3图案凹槽制作
[0104] 将S3制作的sheet(片状)掩膜版涂覆光阻膜(干法或湿法),曝光,显影,蚀刻后形成图10的sheet(片状)掩膜版结构俯视图示意图(其中a为A面俯视图示意图,b为B面俯视图示意图),图10中,横向骨架4宽度沿sheet(片状)掩膜版横向中心线向外渐次减少,sheet(片状)掩膜版横向中心线的横向骨架4宽度大于边缘位置的横向骨架4宽度,纵向骨架5宽度沿sheet(片状)掩膜版纵向中心线向外渐次减少,sheet(片状)掩膜版纵向中心线的纵向骨架5宽度大于边缘位置的纵向骨架5宽度。sheet(片状)掩膜版纵向中心线的纵向骨架5宽度≤L1。辅助区3的一面上刻蚀刻有若干第一凹槽8,第一凹槽8由焊接区6向sheet(片状)掩膜版的边缘延伸,横向的第一凹槽8的长度沿sheet(片状)掩膜版横向中心线向外渐次减少,纵向的第一凹槽8的长度沿sheet(片状)掩膜版纵向中心线向外渐次减少。辅助区3的另一相对的面上刻蚀刻有若干第二凹槽9,第二凹槽9由焊接区6向sheet(片状)掩膜版的边缘延伸,横向的第二凹槽9的长度沿sheet(片状)掩膜版横向中心线向外渐次减少,纵向的第二凹槽9的长度沿sheet(片状)掩膜版纵向中心线向外渐次减少。第二凹槽9与第一凹槽8交错排列。
[0105] 实施例16:
[0106] 将实施例15制作而成的sheet(片状)掩膜版张网焊接到Frame框7上,张网焊接时,沿焊接区6焊接,焊接后,将辅助区3裁切掉,形成F‑mask掩膜版。
[0107] 本发明的sheet(片状)掩膜版张网焊接时sheet(片状)掩膜版用较小的拉力可以使其整平,相应地,施加给Frame的反向作用力(counter force)就会小,因此后期使用过程中,F‑mask产生的形变就会小,蒸镀质量的稳定性会提高。
[0108] 以上所述仅为本申请的优选实施例而已,并不用于限制本申请,对于本领域的技术人员来说,本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本申请的保护范围之内。
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