1.一种硅晶片用冲洗剂组合物，其包含水溶性高分子及水系介质，其中，所述水溶性高分子为含有水溶性高分子的二氧化硅水分散液即水分散液S的Zeta电位Z与二氧化硅水分散液即水分散液S0的Zeta电位Z0之差即Z－Z0成为25mV以下的水溶性高分子，
该含有水溶性高分子的二氧化硅水分散液即水分散液S包含所述水溶性高分子、二氧化硅粒子、水及视需要包含的盐酸或氨，所述水溶性高分子的浓度为0.1质量％，所述二氧化硅粒子的浓度为0.1质量％，且25℃下的pH值为7.0，
该二氧化硅水分散液即水分散液S0包含二氧化硅粒子、水及视需要包含的盐酸或氨，所述二氧化硅粒子的浓度为0.1质量％，且25℃下的pH值为7.0，
所述水溶性高分子包含选自由聚甘油、聚甘油衍生物、聚缩水甘油、聚缩水甘油衍生物、聚乙烯醇衍生物及聚丙烯酰胺所组成的组中的至少1种。
2.如权利要求1所述的硅晶片用冲洗剂组合物，其中，所述差Z－Z0为7mV以下。
3.如权利要求1或2所述的硅晶片用冲洗剂组合物，其中，所述水溶性高分子为所述水分散液S中的二氧化硅粒子的二次粒径d与所述水分散液S0中的二氧化硅粒子的二次粒径d0之比d/d0成为1.35以下的水溶性高分子。
4.如权利要求1所述的硅晶片用冲洗剂组合物，其中，聚甘油衍生物为聚甘油的烷基醚。
5.如权利要求1或2所述的硅晶片用冲洗剂组合物，其还包含碱性化合物。
6.如权利要求1或2所述的硅晶片用冲洗剂组合物，其中，所述水溶性高分子包含聚甘油及聚甘油烷基醚这两者。
7.如权利要求1或2所述的硅晶片用冲洗剂组合物，其中，聚甘油衍生物的疏水基的碳数为6以上且22以下。
8.如权利要求1或2所述的硅晶片用冲洗剂组合物，其中，所述水溶性高分子的重均分子量为500以上且1,500,000以下。
9.如权利要求1或2所述的硅晶片用冲洗剂组合物，其中，所述水溶性高分子为5聚物以上且5,000聚物以下。
10.如权利要求1或2所述的硅晶片用冲洗剂组合物，其中，所述冲洗剂组合物中的所述水溶性高分子的含量为0.001质量％以上且1.0质量％以下。
11.如权利要求1所述的硅晶片用冲洗剂组合物，其中，所述水溶性高分子为选自由聚甘油、聚甘油衍生物、聚缩水甘油、聚缩水甘油衍生物、聚乙烯醇衍生物及聚丙烯酰胺所组成的组中的至少1种水溶性高分子a1与包含甜菜碱结构的水溶性高分子a2的混合物。
12.如权利要求11所述的硅晶片用冲洗剂组合物，其中，所述水溶性高分子为作为聚甘油衍生物的聚甘油烷基醚与包含甜菜碱结构的水溶性高分子a2的混合物。
13.如权利要求11或12所述的硅晶片用冲洗剂组合物，其中，所述水溶性高分子a1与所述水溶性高分子a2的质量比即水溶性高分子a1/水溶性高分子a2为0.5以上且500以下。
14.如权利要求11或12所述的硅晶片用冲洗剂组合物，其中，
所述水溶性高分子a2包含下述式(1)所表示的结构单元A，
其中，所述式(1)中，
1 3
R～R相同或不同，表示氢原子、甲基或乙基，
4 1 ‑ 2
R表示碳数1以上且4以下的亚烷基或‑Y‑OPO3‑Y‑，
1 2
Y、Y相同或不同，表示碳数1以上且4以下的亚烷基，
5 6
R、R相同或不同，表示碳数1以上且4以下的烃基，
1 7
X表示O或NR，
7
R表示氢原子或碳数1以上且4以下的烃基，
2 17 ‑ 18 ‑
X表示碳数1以上且4以下的烃基、‑R SO3或‑R COO，
17 18
R 、R 相同或不同，表示碳数1以上且4以下的亚烷基，
2 4 17 ‑ 18 ‑ 4 1
其中，关于X ，于R 为碳数1以上且4以下的亚烷基时为‑R SO3或‑R COO ，于R为‑Y ‑‑ 2
OPO3‑Y‑时为碳数1以上且4以下的烃基。
15.如权利要求14所述的硅晶片用冲洗剂组合物，其中，所述水溶性高分子a2包含下述式(2)所表示的结构单元B，
其中，式(2)中，
8 10
R～R 相同或不同，表示氢原子、甲基或乙基，
3 19
X表示O或NR ，
19
R 表示氢原子或碳数1以上且4以下的烃基，
11
R 表示碳数1以上且22以下的亚烷基或‑(AO)m‑，其中，所述亚烷基的氢原子任选被羟基取代，AO为碳数2以上且4以下的亚烷氧基，m为平均加成摩尔数，为1以上且150以下，
4 + 12 13 14 15 16
X表示氢原子、碳数1以上且4以下的烃基、羟基、N R R R 或NR R ，其中，所述烃基的氢原子任选被羟基取代，
12 16
R ～R 相同或不同，表示氢原子或碳数1以上且4以下的烃基。
16.如权利要求1或2所述的硅晶片用冲洗剂组合物，其中，所述冲洗剂组合物于25℃下的pH值为2以上且11.0以下。
17.一种硅晶片的冲洗方法，其包括使用权利要求1至16中任一项所述的冲洗剂组合物冲洗经研磨的硅晶片的工序。
18.一种半导体基板的制造方法，其包括使用权利要求1至16中任一项所述的冲洗剂组合物冲洗经研磨的硅晶片的工序。
19.一种硅晶片的制造方法，于将权利要求1至16中任一项所述的冲洗剂组合物中包含的所述水溶性高分子称为水溶性高分子A时，所述制造方法包括：
研磨工序，使用包含二氧化硅粒子、水溶性高分子B、含氮碱性化合物及水系介质的研磨液组合物研磨被研磨硅晶片；
冲洗工序，使用权利要求1至16中任一项的冲洗剂组合物对经研磨的硅晶片进行冲洗处理；及
洗涤工序，对经冲洗的硅晶片进行洗涤。
20.如权利要求19所述的硅晶片的制造方法，其中，所述水溶性高分子B为含有水溶性高分子的二氧化硅水分散液即水分散液s的Zeta电位z与二氧化硅水分散液即水分散液s0的Zeta电位z0之差即z－z0成为15mV以上的水溶性高分子，
该含有水溶性高分子的二氧化硅水分散液即水分散液s包含所述水溶性高分子、二氧化硅粒子、水及视需要包含的盐酸或氨，所述水溶性高分子的浓度为0.01质量％，所述二氧化硅粒子的浓度为0.1质量％，且25℃下的pH值为10.0，
该二氧化硅水分散液即水分散液s0包含二氧化硅粒子、水及视需要包含的盐酸或氨，所述二氧化硅粒子的浓度为0.1质量％，且25℃下的pH值为10.0。
21.如权利要求20所述的硅晶片的制造方法，其中，所述水溶性高分子B为所述水分散液s中的二氧化硅粒子的二次粒径D与所述水分散液s0中的二氧化硅粒子的二次粒径D0之比即D/D0成为1.10以上的水溶性高分子。
22.如权利要求20所述的硅晶片的制造方法，其中，所述水溶性高分子B为选自由多糖类、烷基丙烯酰胺系聚合物、聚乙烯醇及聚乙烯醇衍生物所组成的组中的至少1种，其中，所述聚乙烯醇衍生物不包括阴离子改性聚乙烯醇。
23.如权利要求19至22中任一项所述的硅晶片的制造方法，其中，所述水溶性高分子B为羟乙基纤维素，
所述水溶性高分子A为聚甘油衍生物。
24.如权利要求19至22中任一项所述的硅晶片的制造方法，其中，于所述冲洗工序中，于所述冲洗处理之前进行使用水作为冲洗液的水冲洗处理。
25.如权利要求19至22中任一项所述的硅晶片的制造方法，其使用研磨工序中使用的研磨装置进行所述冲洗工序中的冲洗处理。
26.一种半导体基板的制造方法，其包括通过权利要求19至25中任一项所述的硅晶片的制造方法制造硅晶片的工序。