一种二茂镁合成收集装置 |
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| 申请号 | CN202321847254.8 | 申请日 | 2023-07-14 | 公开(公告)号 | CN220514189U | 公开(公告)日 | 2024-02-23 |
| 申请人 | 安徽亚格盛电子新材料股份有限公司; 全椒亚格泰电子新材料科技有限公司; | 发明人 | 姜永要; 王伟; 徐昕; | ||||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种二茂镁合成收集装置，包括环戊二烯进料管、合成反应柱、合成接收罐、 挡板 、冷热一体机、出气口和 升华 出料口。本实用新型通过设置冷热一体机，降低合成接收罐的 温度 ，保证二茂镁飘落到合成接收罐后聚集结 块 ，最终紧密堆积在合成接收罐中，从而增加合成接收罐每批的接收量，并通过在合成接收罐中设置挡板，所述挡板位于出气口和合成反应柱在合成接收罐上的连接处之间，阻挡二茂镁飘向出气口，从而防止合成接收罐的出气口堵塞。解决了 现有技术 中传统二茂镁合成收集装置产率低、出气口易堵塞等问题，适用于工业化生产，满足日益增长的市场需求。 | ||||||
| 权利要求 | 1.一种二茂镁合成收集装置，包括环戊二烯进料管（1）、合成反应柱（2）和合成接收罐（3），其特征在于，所述环戊二烯进料管（1）设置在合成反应柱（2）的上端，所述合成接收罐（3）设置在合成反应柱（2）的下端，所述合成接收罐（3）上端一侧设置有出气口（6），所述合成接收罐（3）上端另一侧设置有升华出料口（7），所述合成接收罐（3）外部设置有冷热一体机（5）。 |
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| 说明书全文 | 一种二茂镁合成收集装置技术领域[0001] 本实用新型涉及化工生产工艺领域，尤其涉及一种二茂镁合成收集装置。 背景技术[0002] 二茂镁又称双(环戊二烯基)镁，白色晶体，熔点176℃，在100℃时升华。二茂镁可以作为一种金属有机化合物，用于半导体材料的掺杂。通过将二茂镁引入半导体材料中，可以改变其电子结构，调节其导电性能。二茂镁还可以作为一种前体材料，用于金属有机化学气相沉积（MOCVD）或金属有机化学气相外延（MOCVD）等技术中的薄膜生长过程，通过控制二茂镁的供应量和反应条件，可以在半导体基片上生长出具有特定性质和结构的薄膜，用于制备半导体器件。 [0003] 二茂镁的合成方法主要有格氏试剂法和直接合成法，其中格式试剂法是用镁和卤乙烷反应，生成乙基卤化镁格氏试剂，再与环戊二烯反应生成二茂镁，此方法分离提纯操作复杂，而直接合成法是利用镁屑和环戊二烯在高温条件下反应生成二茂镁，此方法工艺简单且产品纯度较高，故大都采用直接合成法合成二茂镁。但直接合成法生成的二茂镁是以絮状形式飘落在接收装置里，不仅容易堵塞出气口，而且所占空间较大，实际二茂镁产品重量很低，导致每批的合成产量较低，远远满足不了市场需求。发明内容 [0004] 本实用新型的目的在于提供一种二茂镁合成收集装置，以解决上述背景技术中提出的传统二茂镁合成收集装置产率低、出气口易堵塞等问题。 [0005] 为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案： [0006] 一种二茂镁合成收集装置，包括环戊二烯进料管、合成反应柱和合成接收罐，其特征在于，所述环戊二烯进料管设置在合成反应柱的上端，所述合成接收罐设置在合成反应柱的下端，所述合成接收罐上端一侧设置有出气口，所述合成接收罐上端另一侧设置有升华出料口，所述合成接收罐外部设置有冷热一体机。 [0008] 可选的，所述冷热一体机在转移二茂镁时可调节合成接收罐温度至130 160℃，收~集的二茂镁通过升华的方式经由升华出料口进入升华釜。 [0009] 可选的，所述合成接收罐上端设置有出气口的一侧还安装有挡板，所述挡板位于出气口和合成反应柱在合成接收罐上的连接处之间，阻挡二茂镁飘向出气口，从而防止合成接收罐的出气口堵塞。 [0010] 可选的，所述挡板为V型。 [0011] 与现有技术相比，本实用新型的有益效果是： [0012] 1、本实用新型通过设置冷热一体机，在收集二茂镁产品时，降低合成接收罐的温度，保证二茂镁飘落到合成接收罐后聚集结块，最终紧密堆积在合成接收罐中，从而增加合成接收罐每批的接收量，提高产品收集效率。 [0013] 2、本实用新型通过设置冷热一体机，在转移二茂镁产品时，升高合成接收罐的温度，使收集的二茂镁产品升华，并通过合成接收罐上设置的升华出料口进入升华釜，提高了产品转移效率。 [0015] 图1为本实用新型的整体结构示意图。 [0016] 图中：1、环戊二烯进料管；2、合成反应柱；3、合成接收罐；4、挡板；5、冷热一体机；6、出气口；7、升华出料口。 具体实施方式[0017] 下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。 [0018] 实施例一 [0019] 请参阅图1，本实用新型提供的一种实施例：一种二茂镁合成收集装置，包括环戊二烯进料管1、合成反应柱2和合成接收罐3，其特征在于，所述环戊二烯进料管1设置在合成反应柱2的上端，所述合成接收罐3设置在合成反应柱2的下端，所述合成接收罐3上端一侧设置有出气口6，所述合成接收罐3上端另一侧设置有升华出料口7，所述合成接收罐外部设置有冷热一体机5。合成接收罐3通过合成反应柱2、环戊二烯进料管1形成一个合成路线。所述冷热一体机5在收集二茂镁时可调节合成接收罐3温度至‑10℃，合成反应柱2中合成的二茂镁落在合成接收罐3内时受冷结块贴在合成接收罐3内壁上。所述冷热一体机5在转移二茂镁时可调节合成接收罐3温度至130℃，收集的二茂镁通过升华的方式经由升华出料口7进入升华釜。所述合成接收罐3上端设置有出气口的一侧还安装有挡板4，所述挡板4位于出气口6和合成反应柱2在合成接收罐3上的连接处之间，阻挡二茂镁飘向出气口6，从而防止合成接收罐3的出气口6堵塞。所述挡板4为V型。 [0020] 实施例二 [0021] 请参阅图1，本实用新型提供的一种实施例：一种二茂镁合成收集装置，包括环戊二烯进料管1、合成反应柱2和合成接收罐3，其特征在于，所述环戊二烯进料管1设置在合成反应柱2的上端，所述合成接收罐3设置在合成反应柱2的下端，所述合成接收罐3上端一侧设置有出气口6，所述合成接收罐3上端另一侧设置有升华出料口7，所述合成接收罐外部设置有冷热一体机5。合成接收罐3通过合成反应柱2、环戊二烯进料管1形成一个合成路线。所述冷热一体机5在收集二茂镁时可调节合成接收罐3温度至10℃，合成反应柱2中合成的二茂镁落在合成接收罐3内时受冷结块贴在合成接收罐3内壁上。所述冷热一体机5在转移二茂镁时可调节合成接收罐3温度至160℃，收集的二茂镁通过升华的方式经由升华出料口7进入升华釜。 [0022] 实施例三 [0023] 请参阅图1，本实用新型提供的一种实施例：一种二茂镁合成收集装置，包括环戊二烯进料管1、合成反应柱2和合成接收罐3，其特征在于，所述环戊二烯进料管1设置在合成反应柱2的上端，所述合成接收罐3设置在合成反应柱2的下端，所述合成接收罐3上端一侧设置有出气口6，所述合成接收罐3上端另一侧设置有升华出料口7，所述合成接收罐外部设置有冷热一体机5。合成接收罐3通过合成反应柱2、环戊二烯进料管1形成一个合成路线。所述冷热一体机5在收集二茂镁时可调节合成接收罐3温度至0℃，合成反应柱2中合成的二茂镁落在合成接收罐3内时受冷结块贴在合成接收罐3内壁上。所述冷热一体机5在转移二茂镁时可调节合成接收罐3温度至145℃，收集的二茂镁通过升华的方式经由升华出料口7进入升华釜。所述合成接收罐3上端设置有出气口的一侧还安装有挡板4，所述挡板4位于出气口6和合成反应柱2在合成接收罐3上的连接处之间，阻挡二茂镁飘向出气口6，从而防止合成接收罐3的出气口6堵塞。 [0024] 尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。 |
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