一种三异丙基烷的提纯装置

申请号 CN201922083124.1 申请日 2019-11-27 公开(公告)号 CN211035765U 公开(公告)日 2020-07-17
申请人 浙江胡涂硅有限公司; 发明人 文飞; 徐忠明; 覃斯威;
摘要 本实用新型涉及一种三异丙基 硅 烷的提纯装置,包括储料罐、蒸馏器、若干管道、挥发机构、结晶机构、分离机构和 凝结 机构,储料罐与挥发机构连通,挥发机构的输出端与蒸馏器连通,蒸馏器的出气口与分离机构连通,蒸馏器的出液口与结晶机构连通,所述分离机构远离蒸馏器的一端与凝结机构连通,凝结机构的出液端输出产品,凝结机构的出气端与储料罐连通,本实用新型提供了一种提纯效果好、热利用率高且可以连续工作的三异丙基硅烷的提纯装置。
权利要求

1.一种三异丙基烷的提纯装置,包括储料罐、蒸馏器和若干管道,其特征在于:包括挥发机构、结晶机构、分离机构和凝结机构,所述挥发机构包括第一容器和第一收集器,所述第一容器外设有第三换热器,所述第一容器的进料口通过管道与储料罐的出料端连通,所述第一容器的出气口通过管道与第一收集器连通,所述第一容器的出液口通过管道与蒸馏器的进液端连通;所述结晶机构包括结晶器和第一换热器,所述结晶器的进液口通过管道与蒸馏器的出液口连通,所述结晶器的出气口通过管道与第一换热器的热媒入口连通,所述第一换热器的热媒出口通过管道与储料罐连通;所述分离机构包括气液分离器和第二收集器,所述气液分离器的进液端通过管道与蒸馏器的出气端连通,所述气液分离器的出液端通过管道与第二收集器连通;所述凝结机构包括冷却器、第三收集器和第二换热器,所述冷却器的进气口通过管道与气液分离器的出气口连通,所述冷却器的出液口通过管道与第三收集器连通,所述冷却器的出气口通过管道与第二换热器的热媒入口连通,所述第二换热器的热媒出口通过管道与储料罐连通。
2.根据权利要求1所述的一种三异丙基硅烷的提纯装置,其特征在于:所述管道上设有
3.根据权利要求2所述的一种三异丙基硅烷的提纯装置,其特征在于:所述第三换热器的热媒入口与第二换热器的冷媒出口连通。
4.根据权利要求2所述的一种三异丙基硅烷的提纯装置,其特征在于:所述蒸馏器设为两个且各蒸馏器并联,各蒸馏器的进液端设有单独的截止阀
5.根据权利要求3或4所述的一种三异丙基硅烷的提纯装置,其特征在于:所述第一换热器和第二换热器的冷媒入口通入的冷却液温度控制为80℃~90℃。
6.根据权利要求5所述的一种三异丙基硅烷的提纯装置,其特征在于:所述分离器内温度控制为107℃~108℃,所述冷却器的温度控制为105℃~106℃。

说明书全文

一种三异丙基烷的提纯装置

技术领域

[0001] 本实用新型涉及化工生产设备领域,尤其是一种三异丙基硅烷的提纯装置。

背景技术

[0002] 三异丙基硅烷是一种合成位阻型有机硅保护剂的原料,主要用于保护各种类型的羟基,特别是在多官能羟基化合物中,可有选择地进行保护和脱保护,这对合成核苷、核苷酸和糖类化合物非常重要;也是合成能具有即使长期浸渍在中也很难出现毛细裂缝等涂膜缺陷并且能防止或能抑制粘液附着的、具有优良的耐水性并可长期有效地产生防污效果的涂膜的防污涂料组合物的原料。现有的三异丙基硅烷的提纯装置还存在许多问题,第一,现有的三异丙基硅烷的提纯装置提纯效果不好;第二,现有的三异丙基硅烷的提纯装置队产品的利用率低,浪费大;第三,现有的三异丙基硅烷的提纯装置无法连续工作,效率不高;第四,现有的三异丙基硅烷的提纯装置热利用率低,耗能高。实用新型内容
[0003] 针对现有技术存在的不足,本实用新型的目的在于提供一种提纯效果好、热利用率高且可以连续工作的三异丙基硅烷的提纯装置。
[0004] 本实用新型的技术方案是这样实现的:一种三异丙基硅烷的提纯装置,包括储料罐、蒸馏器和若干管道,其特征在于:包括挥发机构、结晶机构、分离机构和凝结机构,所述挥发机构包括第一容器和第一收集器,所述第一容器外设有第三换热器,所述第一容器的进料口通过管道与储料罐的出料端连通,所述第一容器的出气口通过管道与第一收集器连通,所述第一容器的出液口通过管道与蒸馏器的进液端连通;所述结晶机构包括结晶器和第一换热器,所述结晶器的进液口通过管道与蒸馏器的出液口连通,所述结晶器的出气口通过管道与第一换热器的热媒入口连通,所述第一换热器的热媒出口通过管道与储料罐连通;所述分离机构包括气液分离器和第二收集器,所述气液分离器的进液端通过管道与蒸馏器的出气端连通,所述气液分离器的出液端通过管道与第二收集器连通;所述凝结机构包括冷却器、第三收集器和第二换热器,所述冷却器的进气口通过管道与气液分离器的出气口连通,所述冷却器的出液口通过管道与第三收集器连通,所述冷却器的出气口通过管道与第二换热器的热媒入口连通,所述第二换热器的热媒出口通过管道与储料罐连通。
[0005] 通过采用上述技术方案,第一容器用于进行待提纯原料的挥发操作,第三化热器用于对第一容器进行加热,低温蒸发可以有效地防止三丙级硅烷挥发,同时除去部分低沸点的杂质;蒸馏器用于待提纯原料进行蒸馏,在蒸馏器内液体余量还有一半时停止蒸馏,剩余的液体通入结晶器,结晶器对原料进行结晶,除去原料中可以结晶的杂质,结晶器蒸发出的原料在第一换热器内重新液化并回到储液罐,此操作只出去了可结晶杂质,使得本装置对原料的利用率更高;蒸馏器的出气口将气态原料通入气液分离器,分离器将部分液态的杂质除去,并以第二收集器将杂质收集;气液分离器的出气口输出的气态原料输入第二换热器,三异丙基硅烷在第二换热器内凝结为液态,并收集于第三收集器内,第二换热器内未凝结的气态原料继续输入第三换热器,使气态原料液化并重新输入储料罐,将气态原料输入第二换热器使得收集器收集到的三异丙基硅烷更加纯净,第三收集器可以将剩余的气态原料内的三异丙基硅烷回收,使本装置的产品利用率更高。
[0006] 本实用新型进一步设置为:所述管道上设有
[0007] 通过采用上述技术方案,阀门使得本装置更好控制且可保证本装置更好的运行。
[0008] 本实用新型进一步设置为:所述第三换热器的热媒入口与第二换热器的冷媒出口连通。
[0009] 通过采用上述技术方案,可以将第二换热器传导出的热能进行二次利用,使得本装置对热能利用率更高。
[0010] 本实用新型进一步设置为:所述蒸馏器设为两个且各蒸馏器并联,各蒸馏器的进液端设有单独的截止阀
[0011] 通过采用上述技术方案,单独的截止阀可以分别控制两个蒸馏器的启闭,使得两个蒸馏器可以轮换,分别进行蒸馏工序,使得本装置可以通过切换蒸馏器,连续不停地进行提纯操作。
[0012] 本实用新型进一步设置为:所述第一换热器和第二换热器的冷媒入口通入的冷却液温度控制为80℃~90℃。
[0013] 通过采用上述技术方案,温度为80℃~90℃时,三异丙基硅烷的挥发率较低,而对原料中的一些低沸点组分可以起到分离作用。
[0014] 本实用新型进一步设置为:所述分离器内温度控制为107℃~108℃,所述冷却器的温度控制为105℃~106℃。
[0015] 通过采用上述技术方案,分离器内的温度与三异丙基硅烷的沸点相等,使得三异丙基硅烷不会液化,分离器中分离出的液体为沸点高于三异丙基硅烷的杂质,冷却器的温度为105℃~106℃,既保证了三异丙基硅烷可以充分液化,同时也避免了过多的杂质混入三异丙基硅烷。附图说明
[0016] 为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0017] 图1为本实用新型具体实施例1的结构示意图;
[0018] 图2为本实用新型具体实施例2的结构示意图。

具体实施方式

[0019] 下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
[0020] 实施例1
[0021] 如图1所示,本实用新型公开了一种三异丙基硅烷的提纯装置,包括储料罐1、蒸馏器2和若干管道3,在本实用新型具体实施方式中,包括挥发机构4、结晶机构5、分离机构6和凝结机构7,所述挥发机构4包括第一容器41和第一收集器42,所述第一容器41外设有第三换热器43,所述第一容器41的进料口通过管道3与储料罐1的出料端连通,所述第一容器41的出气口通过管道3与第一收集器42连通,所述第一容器41的出液口通过管道3与蒸馏器2的进液端连通;所述结晶机构5包括结晶器51和第一换热器52,所述结晶器51的进液口通过管道3与蒸馏器2的出液口连通,所述结晶器51的出气口通过管道3与第一换热器52的热媒入口连通,所述第一换热器52的热媒出口通过管道3与储料罐1连通;所述分离机构6包括气液分离器61和第二收集器62,所述气液分离器61的进液端通过管道3与蒸馏器1的出气端连通,所述气液分离器61的出液端通过管道3与第二收集器62连通;所述凝结机构7包括冷却器71、第三收集器72和第二换热器73,所述冷却器71的进气口通过管道3与气液分离器61的出气口连通,所述冷却器71的出液口通过管道3与第三收集器72连通,所述冷却器71的出气口通过管道3与第二换热器73的热媒入口连通,所述第二换热器73的热媒出口通过管道3与储料罐1连通。
[0022] 通过采用上述技术方案,第一容器用于进行待提纯原料的挥发操作,第三化热器用于对第一容器进行加热,低温蒸发可以有效地防止三丙级硅烷挥发,同时除去部分低沸点的杂质;蒸馏器用于待提纯原料进行蒸馏,在蒸馏器内液体余量还有一半时停止蒸馏,剩余的液体通入结晶器,结晶器对原料进行结晶,除去原料中可以结晶的杂质,结晶器蒸发出的原料在第一换热器内重新液化并回到储液罐,此操作只出去了可结晶杂质,使得本装置对原料的利用率更高;蒸馏器的出气口将气态原料通入气液分离器,分离器将部分液态的杂质除去,并以第二收集器将杂质收集;气液分离器的出气口输出的气态原料输入第二换热器,三异丙基硅烷在第二换热器内凝结为液态,并收集于第三收集器内,第二换热器内未凝结的气态原料继续输入第三换热器,使气态原料液化并重新输入储料罐,将气态原料输入第二换热器使得收集器收集到的三异丙基硅烷更加纯净,第三收集器可以将剩余的气态原料内的三异丙基硅烷回收,使本装置的产品利用率更高。
[0023] 在本实用新型具体实施方式中,所述管道3上设有阀门31。
[0024] 通过采用上述技术方案,阀门使得本装置更好控制且可保证本装置更好的运行。
[0025] 在本实用新型具体实施方式中,所述第三换热器43的热媒入口与第二换热器73的冷媒出口连通。
[0026] 通过采用上述技术方案,可以将第二换热器传导出的热能进行二次利用,使得本装置对热能利用率更高。
[0027] 本实用新型进一步设置为:所述第一换热器52和第二换热器73的冷媒入口通入的冷却液温度控制为80℃~90℃。
[0028] 通过采用上述技术方案,温度为80℃~90℃时,三异丙基硅烷的挥发率较低,而对原料中的一些低沸点组分可以起到分离作用。
[0029] 本实用新型进一步设置为:所述分离器61内温度控制为107℃~108℃,所述冷却器71的温度控制为105℃~106℃。
[0030] 通过采用上述技术方案,分离器内的温度与三异丙基硅烷的沸点相等,使得三异丙基硅烷不会液化,分离器中分离出的液体为沸点高于三异丙基硅烷的杂质,冷却器的温度为105℃~106℃,既保证了三异丙基硅烷可以充分液化,同时也避免了过多的杂质混入三异丙基硅烷。
[0031] 实施例2
[0032] 如图2所示,本实用新型公开了一种三异丙基硅烷的提纯装置,包括储料罐1、蒸馏器2和若干管道3,在本实用新型具体实施方式中,包括挥发机构4、结晶机构5、分离机构6和凝结机构7,所述挥发机构4包括第一容器41和第一收集器42,所述第一容器41外设有第三换热器43,所述第一容器41的进料口通过管道3与储料罐1的出料端连通,所述第一容器41的出气口通过管道3与第一收集器42连通,所述第一容器41的出液口通过管道3与蒸馏器2的进液端连通;所述结晶机构5包括结晶器51和第一换热器52,所述结晶器51的进液口通过管道3与蒸馏器2的出液口连通,所述结晶器51的出气口通过管道3与第一换热器52的热媒入口连通,所述第一换热器52的热媒出口通过管道3与储料罐1连通;所述分离机构6包括气液分离器61和第二收集器62,所述气液分离器61的进液端通过管道3与蒸馏器1的出气端连通,所述气液分离器61的出液端通过管道3与第二收集器62连通;所述凝结机构7包括冷却器71、第三收集器72和第二换热器73,所述冷却器71的进气口通过管道3与气液分离器61的出气口连通,所述冷却器71的出液口通过管道3与第三收集器72连通,所述冷却器71的出气口通过管道3与第二换热器73的热媒入口连通,所述第二换热器73的热媒出口通过管道3与储料罐1连通。
[0033] 通过采用上述技术方案,第一容器用于进行待提纯原料的挥发操作,第三化热器用于对第一容器进行加热,低温蒸发可以有效地防止三丙级硅烷挥发,同时除去部分低沸点的杂质;蒸馏器用于待提纯原料进行蒸馏,在蒸馏器内液体余量还有一半时停止蒸馏,剩余的液体通入结晶器,结晶器对原料进行结晶,除去原料中可以结晶的杂质,结晶器蒸发出的原料在第一换热器内重新液化并回到储液罐,此操作只出去了可结晶杂质,使得本装置对原料的利用率更高;蒸馏器的出气口将气态原料通入气液分离器,分离器将部分液态的杂质除去,并以第二收集器将杂质收集;气液分离器的出气口输出的气态原料输入第二换热器,三异丙基硅烷在第二换热器内凝结为液态,并收集于第三收集器内,第二换热器内未凝结的气态原料继续输入第三换热器,使气态原料液化并重新输入储料罐,将气态原料输入第二换热器使得收集器收集到的三异丙基硅烷更加纯净,第三收集器可以将剩余的气态原料内的三异丙基硅烷回收,使本装置的产品利用率更高。
[0034] 在本实用新型具体实施方式中,所述管道3上设有阀门31。
[0035] 通过采用上述技术方案,阀门使得本装置更好控制且可保证本装置更好的运行。
[0036] 本实用新型进一步设置为:所述蒸馏器2设为两个且各蒸馏器2并联,各蒸馏器2的进液端设有单独的截止阀21。
[0037] 通过采用上述技术方案,单独的截止阀可以分别控制两个蒸馏器的启闭,使得两个蒸馏器可以轮换,分别进行蒸馏工序,使得本装置可以通过切换蒸馏器,连续不停地进行提纯操作。
[0038] 本实用新型进一步设置为:所述第一换热器52和第二换热器73的冷媒入口通入的冷却液温度控制为80℃~90℃。
[0039] 通过采用上述技术方案,温度为80℃~90℃时,三异丙基硅烷的挥发率较低,而对原料中的一些低沸点组分可以起到分离作用。
[0040] 本实用新型进一步设置为:所述分离器61内温度控制为107℃~108℃,所述冷却器71的温度控制为105℃~106℃。
[0041] 通过采用上述技术方案,分离器内的温度与三异丙基硅烷的沸点相等,使得三异丙基硅烷不会液化,分离器中分离出的液体为沸点高于三异丙基硅烷的杂质,冷却器的温度为105℃~106℃,既保证了三异丙基硅烷可以充分液化,同时也避免了过多的杂质混入三异丙基硅烷。
[0042] 以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
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