1.一种PMUT结构，包括：
基底，基底设置有空腔；
PMUT，包括第一电极层、压电层和第二电极层，压电层的一侧和另一侧分别设置第一电极层和第二电极层；
至少一个空隙，所述空隙沿PMUT厚度方向贯穿至少所述压电层且与所述空腔在PMUT厚度方向至少部分重叠，所述空隙的靠近所述空腔的开口端与所述空腔相通；和阻挡层，
其中：
所述阻挡层覆盖所述空隙的远离所述空腔的开口端面。
2.根据权利要求1所述的PMUT结构，其中：
所述空隙的内侧壁与所述空腔的侧壁在垂直于PMUT厚度方向的最小距离大于或者等于1.0μm，再进一步的，1.5μm，更进一步的，2μm。
3.根据权利要求1所述的PMUT结构，其中：
所述第一电极层和所述阻挡层位于所述压电层的同一侧，且所述阻挡层包括与所述第一电极层同层设置的第一部分，以及高于所述第一电极层而覆盖所述空隙的远离所述空腔的开口端面的第二部分，所述第一部分覆盖所述空隙的一部分侧面；或者所述第一电极层和所述阻挡层位于所述压电层的同一侧，且对于所述空隙，所述阻挡层仅覆盖所述空隙的远离所述空腔的开口端面。
4.根据权利要求1所述的PMUT结构，还包括：
沉积结构，覆盖所述阻挡层的远离所述空隙的一侧。
5.根据权利要求4所述的PMUT结构，其中：
所述沉积结构包括支撑层和保护层，所述支撑层在PMUT结构的厚度方向上设置在所述阻挡层与所述保护层之间。
6.根据权利要求5所述的PMUT结构，其中：
所述阻挡层与所述支撑层的材料相同。
7.根据权利要求5所述的PMUT结构，其中：
所述阻挡层与所述支撑层的材料不同。
8.根据权利要求4所述的PMUT结构，其中：
所述沉积结构仅包括支撑层，所述支撑层覆盖所述阻挡层远离所述空隙的一侧。
9.根据权利要求4所述的PMUT结构，其中：
所述沉积结构包括保护层，保护层覆盖所述阻挡层远离所述空隙的一侧；
所述PMUT和所述基底之间设置有支撑层，所述空隙还贯穿所述支撑层。
10.根据权利要求1所述的PMUT结构，还包括：
与所述空腔连通从而与所述空隙连通的释放通道，所述释放通道的出口位于所述PMUT的外侧。
11.根据权利要求10所述的PMUT结构，其中：
所述释放通道内设置有沉积材料。
12.根据权利要求1所述的PMUT结构，其中：
所述至少一个空隙包括至少两个空隙，所述至少两个空隙中相邻两个空隙被所述PMUT的层结构隔开。
13.根据权利要求1所述的MPUT结构，其中：
所述阻挡层的与所述空隙相对或对应的位置包括凹陷。
14.根据权利要求13所述的PMUT结构，其中：
所述凹陷的最大凹陷值小于所述压电层的厚度的五分之一，进一步的，十分之一。
15.根据权利要求1所述的PMUT结构，其中：
所述空隙部的至少一部分填充有填充材料层，所述填充材料层的材料不同于所述第一空隙部周围的材料。
16.根据权利要求1‑15中任一项所述的PMUT结构，其中：
所述至少一个空腔包括至少两个空腔，所述至少两个空腔中的每个空腔对应一个所述PMUT，相邻两个空腔对应的两个PMUT的压电层彼此连接；或者
所述至少一个空腔包括至少两个空腔，所述至少两个空腔中的每个空腔对应一个所述PMUT，相邻两个空腔对应的两个PMUT的层结构彼此间隔开。
17.根据权利要求16所述的PMUT结构，其中：
相邻两个空腔对应的两个PMUT的层结构彼此间隔开，相邻两个空腔对应的两个PMUT之间设置有间隔沟槽，所述间隔沟槽还沿所述PMUT的厚度方向从PMUT结构的上侧延伸至所述基底中。
18.根据权利要求17所述的PMUT结构，其中：
所述间隔沟槽包括多个同心圆间隔沟槽或者一个圆环形间隔沟槽，所述同心圆间隔沟槽和圆环形间隔沟槽为完整环形或者间断的环形。
19.一种PMUT结构，包括：
基底，基底设置有空腔；
PMUT，包括第一电极层、压电层和第二电极层，压电层的一侧和另一侧分别设置第一电极层和第二电极层；
支撑层，设置在所述PMUT的上侧；和
至少一个减薄部，所述减薄部包括沿所述PMUT的周边布置在所述PMUT的上侧的部分，所述减薄部用于减少PMUT结构的PMUT之外的膜层对PMUT振动的约束，
其中：
所述减薄部包括贯穿所述支撑层或者移除部分所述支撑层而形成的气隙，或者所述减薄部包括减薄支撑层后形成的减薄层。
20.根据权利要求19所述的PMUT结构，还包括：
阻挡层，所述PMUT设置在阻挡层的下侧，所述支撑层设置在所述阻挡层的上侧。
21.根据权利要求19所述的PMUT结构，其中：
所述气隙包括多个同心圆沟槽或者一个圆环形沟槽，所述同心圆沟槽和圆环形沟槽为完整环形或者间断的环形。
22.根据权利要求19所述的PMUT结构，其中：
所述PMUT结构还包括与所述至少一个空腔对应的至少一个空隙部，所述空隙部设置在阻挡层的下侧、沿PMUT厚度方向至少贯穿所述压电层且与对应的空腔在PMUT厚度方向至少部分重叠，所述空隙部的靠近对应的所述空腔的开口与对应的所述空腔相通。
23.根据权利要求22所述的PMUT结构，其中：
所述空隙部的至少一部分填充有填充材料层，所述填充材料层的材料不同于所述空隙部周围的材料。
24.根据权利要求22所述的PMUT结构，其中：
所述空隙部的内侧壁与所述空腔的侧壁在垂直于PMUT厚度方向的最小距离大于或者等于1.0μm，再进一步的，1.5μm，更进一步的，2μm。
25.根据权利要求19所述的PMUT结构，其中：
所述减薄部还包括设置在PMUT结构的一个或多个膜层中的空隙层，设置在多个膜层中的空隙层在PMUT结构的厚度方向上相邻或者间隔开，进一步的，所述空隙层的至少一部分填充有填充材料层，所述填充材料层的材料不同于所述空隙层周围的材料。
26.根据权利要求1‑25中任一项所述的PMUT结构，其中：
所述空腔的形状包括圆形、椭圆形、长方形或者正方形。
27.一种PMUT结构的制造方法，包括：
提供基底，其中，所述基底包括空腔，所述空腔内填充空腔用牺牲材料；
在所述基底上形成第一电极层、压电层和第二电极层，压电层的一侧和另一侧分别设置第一电极层和第二电极层；
形成至少一个空隙部，所述空隙部沿PMUT结构的厚度方向贯穿至少所述压电层且与所述空腔在PMUT结构的厚度方向至少部分重叠，所述空隙部的靠近所述空腔的开口与所述空腔相通；
在所述空隙部中填充空隙部用牺牲材料；
设置阻挡层，所述阻挡层至少覆盖所述空隙部的远离所述空腔的开口处的空隙部用牺牲材料；
释放所述空隙部用牺牲材料以及所述空腔用牺牲材料。
28.根据权利要求27所述的方法，其中；
所述阻挡层的材料具有不被所述空隙部用牺牲材料的去除或释放过程所影响的性质。
29.根据权利要求28所述的方法，其中：
所述空隙部用牺牲材料包括二氧化硅或者磷掺二氧化硅，所述阻挡层的材料包括氮化硅。
30.根据权利要求27所述的方法，其中：
形成至少一个空隙部的步骤中，所述空隙部贯穿第一电极层、压电层和第二电极层；
所述第一电极层和所述阻挡层位于所述压电层的同一侧，所述方法还包括图形化所述第一电极层；
在图形化所述第一电极层后设置所述阻挡层，所述阻挡层包括与所述第一电极层同层设置的第一部分，以及高于所述第一电极层而覆盖所述空隙部的远离所述空腔的开口端面的第二部分，所述第一部分覆盖所述空隙部的一部分侧面。
31.根据权利要求27所述的方法，其中：
形成至少一个空隙部的步骤中，所述空隙部贯穿第一电极层、压电层和第二电极层；
对于所述空隙部，所述阻挡层仅覆盖所述空隙部的远离所述空腔的开口端面。
32.根据权利要求27所述的方法，还包括：
在所述阻挡层的远离所述空隙部的一侧形成沉积结构。
33.根据权利要求32所述的方法，其中，在所述阻挡层的远离所述空隙部的一侧形成沉积结构的步骤包括：
在所述阻挡层的远离所述空隙部的一侧沉积保护层。
34.根据权利要求33所述的方法，其中，在所述阻挡层的远离所述空隙部的一侧形成沉积结构的步骤包括：
在所述阻挡层的远离所述空隙部的一侧沉积支撑层，以及在所述支撑层上沉积保护层。
35.根据权利要求34所述的方法，其中：
所述阻挡层与所述支撑层的材料相同，且阻挡层的材料具有不被所述牺牲材料的去除过程所影响的性质；
在所述阻挡层的远离所述空隙部的一侧沉积支撑层的步骤先于去除所述牺牲材料的步骤，或者在所述阻挡层的远离所述空隙部的一侧沉积支撑层的步骤后于去除所述牺牲材料的步骤。
36.根据权利要求34所述的方法，其中：
所述阻挡层与所述支撑层的材料不同，所述阻挡层的材料具有不被所述牺牲材料的去除过程所影响的性质，所述支撑层的材料具有与所述牺牲材料相同或者类似的性质；
去除所述牺牲材料的步骤先于在所述阻挡层的远离所述空隙部的一侧沉积支撑层的步骤。
37.一种PMUT结构，包括：
基底，基底设置有空腔；
PMUT，包括第一电极层、压电层和第二电极层，压电层的一侧和另一侧分别设置第一电极层和第二电极层；
至少一个空隙部，所述空隙部沿PMUT厚度方向贯穿至少所述压电层且与所述空腔在PMUT厚度方向至少部分重叠，所述空隙部的靠近所述空腔的开口与所述空腔相通，其中：
所述空隙部的内侧壁与所述空腔的侧壁在垂直于PMUT厚度方向的最小距离大于或者等于1.0μm，再进一步的，1.5μm，更进一步的，2μm，且所述空隙部为完全空隙部。
38.一种电子设备，包括根据权利要求1‑26以及37中任一项所述的PMUT结构，或者根据权利要求27‑36中任一项所述的制造方法制造的PMUT结构。
39.根据权利要求38所述的电子设备，其中：
所述电子设备包括如下中的至少一种：超声成像仪、超声测距仪、超声指纹传感器、无损探伤仪、流量计、力觉反馈设备、烟雾报警器。