| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 混合显示器 | CN202280057683.7 | 2022-09-15 | CN117897650A | 2024-04-16 | 格拉姆雷扎·查济 |
| 本发明使用具有光调制的发光设备来消除边框的影响并匹配像素。该发光设备还使得能够开发大型显示器。本发明公开了一种发光设备和调光设备阵列，该发光设备与调光设备阵列与载台、背板和焊盘一起封装。在封装外壳内还使用具有反射材料的填料。 | ||||||
| 2 | 一种带有应力放大结构的传感器芯片及制备方法 | CN202410284705.4 | 2024-03-13 | CN117889998A | 2024-04-16 | 李宁; 胡宗达; 张林; 张坤; 秦芸; 赵鑫; 彭鹏 |
| 本发明公开了一种带有应力放大结构的传感器芯片及制备方法，涉及压阻式压力传感器技术领域。包括由下至上依次堆叠的碳化硅底层、硅衬底和碳化硅顶层；碳化硅顶层的中心开设有圆形通孔，硅衬底的中心开设有圆形凹槽，圆形凹槽底部对应的硅衬底和碳化硅底层构成受力应变的敏感膜片；碳化硅顶层上设置有围绕圆形凹槽布置的欧姆接触电路。敏感膜片的上表面设置有应力放大结构，应力放大结构包括与敏感膜片固定连接的两根硅柱，两根硅柱的顶端固定连接有碳化硅梁，碳化硅梁的上表面设置有多组压敏电阻；多组压敏电阻通过金属引线与欧姆接触电路连接形成闭合电路。应力放大结构避免了应力集中的问题，提高灵敏度的同时避免牺牲传感器的线性度。 | ||||||
| 3 | 一种低温激活的大容量吸气薄膜及其生产工艺 | CN202311846305.X | 2023-12-29 | CN117888067A | 2024-04-16 | 夏纲; 薛函迎; 柴云川 |
| 本发明公开了一种大容量吸气薄膜，包括吸气层，所述吸气层中均匀混合有添加物质，所述添加物质是由钙酰亚胺、镍和稀土混合而成，所述吸气层包括有基底，所述吸气层的材质为钛钡合金薄膜，所述钛钡合金薄膜是通过钛原子、钡原子在基底表面沉积所产生的膜，所述吸气层的基底可为不锈钢、可伐、硅、锗和陶瓷，所述吸气层是通过磁控溅射工艺制备，本发明公开的大容量吸气薄膜及其生产工艺具有激活温度范围广、吸气容量大、提高成品质量的效果，通过减少物料表面附着粘附的灰尘，能够使物料在设备内进行低温激活的大容量吸气薄膜镀膜时镀膜的效果更好，进一步地提升镀膜的成功率与镀膜的效率，提高了镀膜的质量，减少灰尘等对镀膜效果产生的影响。 | ||||||
| 4 | 一种MEMS矢量传声器及其制备方法 | CN202110680456.7 | 2021-06-18 | CN113551761B | 2024-04-16 | 魏晓村; 刘云飞; 周瑜; 冯杰 |
| 5 | 一种圆片级薄膜封装方法及封装器件 | CN202010640709.3 | 2020-07-06 | CN111792621B | 2024-04-16 | 钟朋; 裴彬彬; 孙珂; 杨恒; 李昕欣 |
| 6 | 基于覆盖MoS2感光层的GaN悬臂梁发光二极管的声波传感器 | CN202310203589.4 | 2023-03-06 | CN117870847A | 2024-04-12 | 郑铠桓; 秦飞飞; 朱刚毅 |
| 本发明公开了一种基于覆盖MoS2感光层的GaN悬臂梁发光二极管的声波传感器。包括硅衬底，硅衬底上设置有第一引脚支撑和第二引脚支撑，二者都通过硅柱固定在硅衬底上。第一引脚支撑和第二引脚支撑之间通过第一悬臂梁支撑和第二悬臂梁支撑连接，构成一个中间有长条状空腔的双桥结构。第一引脚支撑侧及中间双桥结构部分由下至上依次设置有n‑GaN层，量子阱层，p‑GaN层，第一引脚电极，构成发光二极管。第二引脚支撑上设置有第二引脚电极。双桥结构长条状空腔顶部设置有MoS2薄膜。本发明利用MoS2薄膜随声波振动的物理特性和在发光二极管激发下的发光特性，通过光电探测器监测MoS2发出的光功率变化，并汇总到电源控制和监测模块上，实现声波传感功能。 | ||||||
| 7 | 一种基于钛硅欧姆接触的密封方法 | CN202311810610.3 | 2023-12-26 | CN117865061A | 2024-04-12 | 张力; 熊恒; 宋运康; 赵坤帅; 闫鑫; 王刚 |
| 本发明提供一种基于钛硅欧姆接触的密封方法，包括：S1、在中间硅层(1)上制备分离的钛黏附层(10)和其上的钝化保护层(11)，进行高温合金化处理；S2、在中间硅层(1)上制备硅引线层(8)；硅引线层(8)与钛黏附层(10)之间形成了欧姆接触；S3、将盖板层(13)的垂直通孔和中间硅层(1)上的钝化保护层(11)进行对准，进行共晶键合密封封装；S4、通过干法刻蚀去除钛黏附层(10)上方的钝化保护层(11)，在盖板层(13)的上表面沉积铝膜，通过光刻和湿法刻蚀在盖板层(13)上形成铝电极焊盘(18)；铝电极焊盘(18)与硅引线层(8)之间导通。将钛的高温合金化欧姆接触与铝电极焊盘沉积工艺分离，提高了工艺质量。 | ||||||
| 8 | 封装产品及电子设备 | CN202311732676.5 | 2023-12-15 | CN117865056A | 2024-04-12 | 张剑; 徐恩强; 吴其勇; 王喆; 闫文明; 刘诗婧; 尹保冠 |
| 本发明提供一种封装产品及电子设备，封装产品包括基板、MEMS芯片、ASIC芯片和封装层，封装层包裹MEMS芯片和ASIC芯片，MEMS芯片和ASIC芯片信号连接，MEMS芯片安装于基板，基板形成有面向MEMS芯片的通孔，ASIC芯片上连接有导电组件，导电组件暴露于封装层设置。通过在ASIC芯片上设置导电组件，导电组件暴露于封装层，导电组件用于与外部电子器件连接，MEMS芯片从感应到从通孔进入的轮胎压力信号，经过MEMS芯片转化成电信号后传递至ASIC芯片，经过ASIC芯片处理后的信号通过导电组件传递到外部电子器件上。通过在ASIC芯片上设置导电组件，代替了相关技术中在基板上设置引脚的技术方案，能够减小封装产品的面积。 | ||||||
| 9 | 晶片封装体及其制造方法 | CN202311269635.7 | 2023-09-28 | CN117855155A | 2024-04-09 | 郑家明; 张恕铭; 刘沧宇 |
| 本发明提供一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包括应用晶片、微机电系统晶片、导电元件、接合线及模压材。应用晶片具有导电垫。微机电系统晶片位于应用晶片上，且包括本体与盖体。本体在盖体与应用晶片之间。本体具有导电垫。导电元件位于微机电系统晶片的本体的导电垫上。接合线从导电元件延伸至应用晶片的导电垫。模压材位于应用晶片上且围绕微机电系统晶片。导电元件与接合线位于模压材中。此晶片封装体可实现整合不同功能的晶片，还能有效解决不同晶片之间的电连接、及微机电系统的接地与屏蔽问题。 | ||||||
| 10 | 一种用于惯性MEMS器件的敏感结构加工方法 | CN202311648758.1 | 2023-12-04 | CN117842930A | 2024-04-09 | 盛洁; 尚克军; 刘飞; 张菁华; 王登顺; 王妍妍 |
| 本发明提供一种用于惯性MEMS器件的敏感结构加工方法，该加工方法包括：步骤一、在衬底正面加工N个第一槽，用于对应待增厚的敏感结构释放；步骤二、在衬底正面除第一槽的位置加工引线；步骤三、在敏感结构层背面刻蚀第二槽，第二槽用于除待增厚的敏感结构之外的敏感结构释放；敏感结构层背面未加工第二槽的位置作为锚点；待增厚的敏感结构所在的位置需预留出锚点；步骤四、将敏感结构层背面与衬底正面进行键合，其中，任意第一槽与对应待增厚的敏感结构所在的位置的锚点正对，不发生键合；步骤五、对敏感结构层正面进行结构刻蚀，加工器件的敏感结构。本发明可以在保证非增厚敏感结构加工精度的条件下增大待增厚敏感结构厚度。 | ||||||
| 11 | 基于纳米探针的微纳三维结构制备方法 | CN202410043336.X | 2024-01-11 | CN117842927A | 2024-04-09 | 张一慧; 薛兆国; 吕增耀; 白柯; 王月皎; 赵建中; 兰宇; 柏韧恒; 赖禹辰; 帅雨萌 |
| 提供了一种基于纳米探针的微纳三维结构制备方法，其包括以下步骤：S1：在衬底上设置牺牲层与热塑性聚合物层。S2：在所述热塑性聚合物层上沉积金属层，通过微加工工艺刻蚀所述金属层，以形成图案化的所述金属层，刻蚀所述热塑性聚合物层，并去除所述衬底上涂布的所述牺牲层，形成二维前驱体。S3：使用一个或多个纳米探针对所述二维前驱体施加载荷并移动所述纳米探针，带动所述二维前驱体的与所述纳米探针的针尖的接触的部分移动，使所述二维前驱体的结构发生变形，形成三维微纳结构。S4：加热所述三维微纳结构使其产生热塑性，实现所述三维微纳结构的固形。 | ||||||
| 12 | 微差压传感器、封装结构、测试方法及电子设备 | CN202410258763.X | 2024-03-07 | CN117842926A | 2024-04-09 | 张敏; 李刚; 梅嘉欣 |
| 本发明提供了一种微差压传感器、封装结构、测试方法及电子设备，其中，所述微差压传感器包括MEMS芯片，MEMS芯片包括以层叠方式设置的基底、振膜以及背极板，背极板包括相互隔离的第一电极区域和第二电极区域，第一电极区域构成第一电极，第二电极区域构成第二电极，振膜构成第三电极，第一电极与第三电极构成第一电容，第二电极与第三电极构成第二电容；通过第一电连接端向第一电极施加电压激励信号或者高电压信号等方式，驱使振膜产生形变，以改变振膜和背极板之间的间距，来模仿加气流检测；然后通过第三电连接端输出感测到的所述第二电容的变化量，以根据第一预设阈值确定MEMS芯片是否处于劣化状态。 | ||||||
| 13 | 一种无引线封装的高温压力传感器 | CN202311763661.5 | 2023-12-20 | CN117842924A | 2024-04-09 | 张玉琴; 王凌云; 冯铭瑜; 张宇; 白雪; 杨茜茜 |
| 本发明涉及传感器设计领域，提供一种无引线封装的高温压力传感器。包括：封装金属管壳、玻璃基座、金属插针、传感器芯片、硅基座；封装金属管壳为一端开口的筒状结构，壳体从内向外依次设置传感器芯片、封装金属管壳和玻璃基座；传感器芯片设有两处金属电极；硅基座为圆饼状，硅基座上设有两处与金属电极位置匹配的第一外引线过孔；玻璃基座为圆饼状，陶瓷基座上设有两处与金属电极位置匹配的第二外引线过孔；传感器芯片通过粘接浆料与硅基座粘接，硅基座通过粘接浆料与陶瓷基座粘接；两处金属电极分别连接两根外引线并从两处外引线过孔穿出输出压力数据。 | ||||||
| 14 | 基于显微毛细管注射的单颗粒微电极制备方法 | CN202310292184.2 | 2023-03-23 | CN116477566B | 2024-04-09 | 李哲; 左安昊; 方儒卿 |
| 15 | 阀装置 | CN202080016790.6 | 2020-02-26 | CN113544085B | 2024-04-09 | 河本阳一郎; 押谷洋; 长野阳平; 小川博史; 内田和秀 |
| 16 | 一种MEMS开关及其制作方法 | CN201910455171.6 | 2019-05-29 | CN110171799B | 2024-04-09 | 陈巧 |
| 17 | 四梁圆膜与同轴圆柱结合的压力和位移集成式MEMS传感器 | CN201811318987.6 | 2018-11-07 | CN109231157B | 2024-04-09 | 方续东; 吴晨; 蒋庄德 |
| 18 | 一种阵列的MEMS压阻式触觉传感器封装设计方法 | CN202311844509.X | 2023-12-29 | CN117819471A | 2024-04-05 | 董林玺; 王珊; 刘超然; 杨伟煌 |
| 本申请公开了一种阵列的MEMS压阻式触觉传感器封装设计方法，包括以下步骤：在玻璃基板上制造出与阵列的MEMS压阻式触觉传感器上焊盘等大小、等间距的通孔，通孔填入导电金属材料；将触觉传感器倒装在玻璃基板，实现触觉传感器与玻璃基板下集成ASIC芯片电气通信。在硅衬底上制备出力传递微结构盖帽、固定框架；倒模出可产生变形的弹性结构；将力传递微结构盖帽和固定框架接合在一起，完成上层盖板制备；将上层盖板和MEMS压阻式触觉传感器对准键合。实现外部作用力与MEMS压阻式触觉传感器之间间接软接触，外部作用力通过力传递微结构盖帽，可以将力精准传递到阵列的MEMS压阻式触觉传感器的敏感元件上。 | ||||||
| 19 | 一种金属微纳结构及其制备方法和应用 | CN202311535256.8 | 2023-11-17 | CN117819470A | 2024-04-05 | 辛明勇; 徐长宝; 冯起辉; 高吉普; 王宇; 祝健杨; 杨婧; 何雨旻; 汪明媚; 古庭赟; 邓松; 欧阳广泽; 李博文; 张后谊; 谈竹奎; 吕黔苏; 余丙军 |
| 本发明公开了一种金属微纳结构及其制备方法和应用，属于金属微纳结构技术领域，包括，在经过预处理的半导体材料表面刻出划痕；再将半导体材料浸入金属盐溶液中进行电镀，即得到金属微纳结构。本发明结合扫描探针刻划与电镀工艺，实现单晶硅表面纳米划痕处选择性制备金属结构。扫描探针刻划是一种无模板、接触式机械去除方法，可用于制造高精度的微/纳米结构，同时通过控制刻划不同的微/纳米结构，可实现金属微纳结构的无模板定向高精度制备。以本发明制得的金属微纳结构作为金属基基传感元件(平面线圈磁敏传感单元、叉指电极等)的核心组成部分可以达到优于现有技术的效果。 | ||||||
| 20 | 一种传感器及其制造工艺 | CN202311775481.9 | 2023-12-22 | CN117817458A | 2024-04-05 | 祝宁博 |
| 本发明涉及传感器制造技术领域，更具体的说是一种传感器及其制造工艺，该工艺包括以下步骤：步骤一、对原料进行选择，并对选择的原料进行沉积薄膜处理；步骤二、对沉积薄膜处理完成的原料进行光刻处理；步骤三、对光刻处理处理完成的原料进行蚀刻处理；步骤四、对蚀刻处理完成的原料进行离子注入处理，完成晶片的制备；步骤五、将晶片安装到保护空腔内；步骤六、对晶片进行穿线处理；步骤七、对保护空腔的两端进行封堵处理，完成传感器的制造，所述该传感器的保护空腔上设置有圆孔，本方法可快速的加工出带孔的保护空腔，提升晶体穿线效率。 | ||||||
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