1.一种具有热磁式测温结构的MEMS微热板式气体传感器，其特征在于，包括衬底和设置在所述衬底上方的膜片结构；
所述膜片结构包括自下而上层叠设置的钝化层、加热电极、永磁薄膜层、第一传热绝缘层、热检测电极、第二传热绝缘层、气体检测电极和气敏薄膜；所述加热电极用作热源，其产生的热流一路经所述钝化层向所述传感区传递，另一路热流经所述第一传热绝缘层、热检测电极、第二传热绝缘层向所述气敏薄膜传递；所述气敏薄膜接收热流升温至工作温度区间与待测气体发生化学反应后改变自身电阻，经所述气体检测电极检测并转换为所述待测气体的浓度；所述永磁薄膜层在所述MEMS微热板式气体传感器工作状态时产生磁场，所述热检测电极基于能斯托效应将所述气敏薄膜的反应温度变化转换为输出电压变化，进而实现实时监测所述气敏薄膜的反应温度。
2.根据权利要求1所述的具有热磁式测温结构的MEMS微热板式气体传感器，其特征在于，所述钝化层设置在所述衬底上，所述钝化层的中部水平设置为十字结构，所述钝化层的外沿周圈设置为用于支撑所述十字结构的框架；
所述加热电极固设在所述钝化层上表面，其平面结构对应于所述十字结构的横向两臂和中央位置；所述加热电极对应于所述十字结构中央的部分平面结构的形状设置为蛇形结构，所述蛇形结构的波峰和波谷向所述十字结构的纵向两臂方向延伸。
3.根据权利要求2所述的具有热磁式测温结构的MEMS微热板式气体传感器，其特征在于，所述膜片结构还包括第一隔热绝缘层；
所述第一隔热绝缘层位于所述钝化层的上表面和所述加热电极的周围，其上表面平齐于所述加热电极的上表面，并且其位于所述加热电极周围的部分充分填充所述蛇形结构的空隙。
4.根据权利要求3所述的具有热磁式测温结构的MEMS微热板式气体传感器，其特征在于，所述永磁薄膜层设置在所述加热电极与第一隔热绝缘层的上表面，其平面结构对应于所述十字结构的四条延伸臂上方；所述永磁薄膜层由FePt、CoPt、CoNiMnP或Sr铁氧体构成，厚度为1～5um。
5.根据权利要求4所述的具有热磁式测温结构的MEMS微热板式气体传感器，其特征在于，所述第一传热绝缘层的上表面水平，其底部设置在所述加热电极、第一隔热绝缘层和永磁薄膜层的上表面；所述第一传热绝缘层的厚度为2.1～2.2um，其平面结构对应于所述十字结构；所述第一传热绝缘层用于在传递热量的同时，产生水平的热流。
6.根据权利要求5所述的具有热磁式测温结构的MEMS微热板式气体传感器，其特征在于，所述热检测电极设置所述第一传热绝缘层上表面；所述热检测电极其平面结构对应于所述十字结构；
所述热检测电极平面结构上四条延伸臂的末端分别预设有用于所述加热电极的电极引出空间；
所述永磁薄膜层用于产生垂直通过所述热检测电极的磁场，所述热检测电极上存在沿其中心向所述十字结构四臂传输的热流，进而基于所述能斯托效应，所述热检测电极上与热流方向垂直的两侧产生电动势；
所述第一传热绝缘层用于使所述加热电极和所述热检测电极之间形成电气隔离。
7.根据权利要求6所述的具有热磁式测温结构的MEMS微热板式气体传感器，其特征在于，所述第二传热绝缘层的上表面水平，其底部设置在所述第一传热绝缘层和热检测电极上表面；所述第二传热绝缘层的厚度为100～300nm，其平面结构对应于所述十字结构。
8.根据权利要求7所述的具有热磁式测温结构的MEMS微热板式气体传感器，其特征在于，所述气体检测电极固设在所述第二传热绝缘层上表面，其平面结构对应于所述十字结构的纵向两臂和中央位置；所述气体检测电极对应于所述十字结构中央的部分平面结构的形状设置为梳齿结构，所述梳齿结构沿所述十字结构的横向两臂方向相向交错，用于检测所述气敏薄膜不同区域的电学量；
所述气敏薄膜位于所述气体检测电极的上方，其平面结构对应于所述气体检测电极；
所述第二传热绝缘层用于使所述热检测电极和所述气体检测电极之间形成电气隔离。
9.根据权利要求8所述的具有热磁式测温结构的MEMS微热板式气体传感器，其特征在于，所述膜片结构还包括第二隔热绝缘层；
所述第二隔热绝缘层位于所述第一隔热绝缘层、所述第二传热绝缘层上，其上表面平齐于所述气敏薄膜的上表面，并且所述第二隔热绝缘层的平面结构对应于所述框架和所述十字结构；所述第二隔热绝缘层用于在所述加热电极、热检测电极、气体检测电极之间形成电气隔离，并用于所述同时形成所述第二传热绝缘层与外界的热量隔离。
10.根据权利要求9所述的具有热磁式测温结构的MEMS微热板式气体传感器，其特征在于，所述膜片结构还包括第一引线、第二引线和第三引线；
所述第一引线位于所述第一隔热绝缘层、第二隔热绝缘层内，与所述加热电极形成电气连接，其厚度为所述加热电极底面至所述膜片结构上表面的距离；
所述第二引线位于所述第二隔热绝缘层内，与所述热检测电极形成电气连接，其厚度为所述热检测电极底面至所述膜片结构上表面的距离；
所述第三引线位于所述第二隔热绝缘层内，与所述气体检测电极形成电气连接，其厚度为所述气体检测电极底面至所述膜片结构上表面的距离。
11.根据权利要求2所述的具有热磁式测温结构的MEMS微热板式气体传感器，其特征在于，所述钝化层包括第一钝化层和第二钝化层；
所述第一钝化层位于所述衬底上表面，其平面结构包括位于中部的所述十字结构和支撑所述十字结构的框架；所述第一钝化层的材料为氮化硅，厚度为100～500nm；
所述第二钝化层位于所述第一钝化层上表面，其平面结构对应于所述第一钝化层的平面结构；所述第二钝化层的材料为二氧化硅，厚度为100～500nm。
12.根据权利要求1‑11任一项所述的具有热磁式测温结构的MEMS微热板式气体传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
1)选用硅片作为衬底基材，衬底基材上表面水平，其中部划分为十字结构的传感区，所述传感区外围划分为支撑区，所述支撑区设置为用于支撑所述十字结构的框架；
2)通过光刻和低压力化学气相沉积法在支撑区和传感区上表面依次制备第一钝化层和第二钝化层；
3)通过光刻和磁控溅射在第二钝化层上表面制备第一金属层和第二金属层，作为第一粘附区和加热电极，即所述加热电极通过第一粘附区固设在所述第二钝化层上表面；
4)通过光刻和低压力化学气相沉积法在第二钝化层上表面和加热电极四周制备第一隔热绝缘层；
5)通过光刻和磁控溅射在加热电极与第一隔热绝缘层的上表面制备合金层，作为永磁薄膜层；
6)通过光刻和等离子体增强化学气相沉积法在加热电极、第一隔热绝缘层、永磁薄膜层上表面制备第一传热绝缘层；
7)通过光刻和磁控溅射在第一传热绝缘层上表面制备第三金属层，作为热检测电极；
8)通过光刻和等离子体增强化学气相沉积法在第一传热绝缘层和热检测电极上表面制备第二传热绝缘层；
9)通过光刻和磁控溅射在第二传热绝缘层上表面制备第四金属层和第五金属层，作为第二粘附区和气体检测电极，即所述气体检测电极通过第二粘附区固设在所述第二传热绝缘层上表面；
10)通过光刻和旋涂在气体检测电极上表面制备一层气敏薄膜；
11)通过光刻和多次低压力化学气相沉积法在第一隔热绝缘层、第二传热绝缘层上表面，以及所述气体检测电极周围制备第二隔热绝缘层；
12)通过光刻和干法刻蚀所述第一隔热绝缘层和第二隔热绝缘层，在所述膜片结构上制备第一引线区、第二引线区和第三引线区；将通过激光脉冲沉积制备的第一引线、第二引线和第三引线分别置于对应的引线区，实现电气连接；
13)通过光刻和干法刻蚀，刻蚀衬底基材背面，仅保留支撑区对应的框架构成衬底，形成膜片结构，完成传感器制备。