1.一种半导体晶圆基底清洗方法，其特征在于，将蚀刻去光阻后的图案化晶圆浸泡在洗液中，取出再以去离子水洗涤，其中，按重量份数计，所述洗液具有如下的组分组成：
去离子水34‑46份，30wt%的过氧化氢溶液30‑40份，有机胺2‑5份，磷酸1‑2.5份，缓蚀剂
0.1‑1份，缓释剂4‑12份，有机极性溶剂8‑14份，表面活性剂0.1‑0.2份，助剂0‑0.5份。
2.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆基底清洗方法，其特征在于，所述有机胺为羟胺、四甲基氢氧化胺、四乙基氢氧化胺或有机醇胺。
3.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆基底清洗方法，其特征在于，所述缓蚀剂为三氮唑类缓蚀剂或脂肪酸，所述三氮唑类缓释剂包括1,2,4‑三氮唑、苯并三氮唑、1H‑1,2,3‑三氮唑、5‑甲基苯并三氮唑或5‑羟基苯并三氮唑，所述脂肪酸包括正辛酸、正癸酸、正十二烷基羧酸、油酸或亚油酸。
4.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆基底清洗方法，其特征在于，所述缓释剂为过氧化铜纳米点和/或烷基过氧化物，所述烷基过氧化物为叔丁基过氧化氢或叔丁基过氧化氢的金属有机配合衍生物。
5.根据权利要求4所述的一种半导体晶圆基底清洗方法，其特征在于，所述过氧化铜纳米点的制备方法包括以下步骤：
将氯化铜溶液和聚乙烯吡咯烷酮溶液混合，在强烈搅拌条件下缓慢加入氢氧化钠溶液，加入完毕后继续混合搅拌1‑2h，加入过氧化氢并继续搅拌反应1‑4h，反应完成后加入无水乙醇稀释，离心分离沉淀并以去离子水离心洗涤，冻干后制得所述过氧化铜纳米点；
其中，所述氯化铜溶液的浓度为0.3‑0.5g/100mL，所述聚乙烯吡咯烷酮溶液的浓度为
10‑40g/100mL，所述氢氧化钠溶液的浓度为0.05‑0.2g/100mL，所述过氧化氢溶液的浓度为
30wt%，所述氯化铜溶液与所述聚乙烯吡咯烷酮溶液、所述氢氧化钠溶液、所述过氧化氢溶液的体积比例为1：（0.7‑1.2）：（1.8‑2.4）：（0.05‑0.5）。
6.根据权利要求4所述的一种半导体晶圆基底清洗方法，其特征在于，所述叔丁基过氧化氢的金属有机配合衍生物的制备方法包括以下步骤：
将四联吡啶、六水合高氯酸铜(Ⅱ)分别溶解在乙腈溶剂中，混合后得到前驱体溶液，将所述前驱体溶液封闭后进行溶剂热反应，反应温度130‑140℃，反应时间20‑30h，反应完成后分离沉淀，洗涤，干燥，制得产物A，将所述产物A分散在乙腈溶剂中，分次加入叔丁基过氧化氢，常温搅拌反应过夜，加入乙醚稀释反应体系，分离沉淀，洗涤，干燥，制得所述叔丁基过氧化氢的金属有机配合衍生物；
其中，所述四联吡啶与所述六水合高氯酸铜(Ⅱ)、所述叔丁基过氧化氢的质量比例为
1：（1.2‑1.3）：（2.8‑3.0）。
7.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆基底清洗方法，其特征在于，所述有机极性溶剂为醇类化合物和/或有机酸，所述醇类化合物、所述有机酸的单体碳原子数不大于6。
8.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆基底清洗方法，其特征在于，所述表面活性剂为月桂醇醚磷酸酯、椰油酸二乙醇酰胺、椰油酰胺丙基甜菜碱、椰油酰胺丙基羟磺基甜菜碱、月桂酰胺丙基羟磺基甜菜碱、月桂酰胺丙基氧化胺、单硬脂酸甘油脂、失水山梨醇脂肪酸酯或十二烷基苯磺酸。
9.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆基底清洗方法，其特征在于，所述助剂为2,2‑偶氮双[2‑(2‑咪唑啉‑2‑基)丙烷]二盐酸盐。