| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 181 | Microwave vector modulator and device for matching a microwave load | US714620 | 1991-06-13 | US5159295A | 1992-10-27 | Bernard J. Reits |
| A microwave vector modulator (4) of the reflective type is used to match a microwave load. The adjustable reflection of the vector modulator is obtained by semiconducting surfaces (18, 19, 20, 21), illuminated by light-emitting means (24, 25, 26, 27). | ||||||
| 182 | Dielectric slab signal isolators | US801534 | 1985-11-27 | US4689585A | 1987-08-25 | Hermann B. Sequeira |
| A transmission line comprising a multi-layer dielectric slab structure including: a dielectric substrate layer (30) having a thickness d.sub.s and permittivity .epsilon..sub.s ; a conductive ground plane (31) on the bottom surface of the dielectric substrate layer (30); a dielectric guiding layer (32) having a thickness h and permittivity .epsilon..sub.g, where .epsilon..sub.g >.epsilon..sub.s, attached to the top surface of dielectric substrate layer (30); at least one elongated and relatively narrow dielectric loading strip layer (33) having a width W, thickness d.sub.1, and permittivity .epsilon..sub.1, where .epsilon..sub.g >.epsilon..sub.1, attached to the top surface of the dielectric guiding layer (32); and a conductive coating (34) on the top surface of the dielectric loading strip layer (32). Such a structure permits single mode propagation over a relatively wide band. Radiation losses due to coupling of the desired mode to the substrate modes and the conductors are furthermore reduced and the polarization of the dominant mode is such as to render said structure relatively insensitive to small deviations from parallelism among the different interfaces. This invention is directed to multi-layer dielectric slab structures implemented in the form of a signal isolator. | ||||||
| 183 | Dielectric slab circulators | US801536 | 1985-11-27 | US4689584A | 1987-08-25 | Hermann B. Sequeira |
| A transmission line comprising a multi-layer dielectric slab structure including: a dielectric substrate layer (30) having a thickness d.sub.s and permittivity .epsilon..sub.s ; a conductive ground plane (31) on the bottom surface of the dielectric substrate layer (30); a dielectric guiding layer (32) having a thickness h and permittivity .epsilon..sub.g, where .epsilon..sub.g >.epsilon..sub.s, attached to the top surface of dielectric substrate layer (30); at least one elongated and relatively narrow dielectric loading strip layer (33) having a width W, thickness d.sub.1, and permittivity .epsilon..sub.1, where .epsilon..sub.g >.epsilon..sub.1, attached to the top surface of the dielectric guiding layer (32); and a conductive coating (34) on the top surface of the dielectric loading strip layer (32). Such a structure permits single mode propagation over a relatively wide band. Radiation losses due to coupling of the desired mode to the substrate modes and the conductors are furthermore reduced and the polarization of the dominant mode is such as to render said structure relatively insensitive to small deviations from parallelism among the different interfaces. This invention is directed to circulator devices implemented in such a multi-layer dielectric slab structure. | ||||||
| 184 | Method of fabricating electrodes with narrow gap therebetween | US114833 | 1980-01-24 | US4275144A | 1981-06-23 | Lawrence L. Buhl |
| High speed, integrated optical directional coupler modulators utilize spaces of the order of one micron between waveguides. While one micron delineation of the waveguides can be readily obtained using conformable mask exposure techniques, diffraction effects become significant using thick glass masks required to delineate the electrodes. To overcome this problem, a two-process electrode fabrication procedure is employed. In accordance with the procedure a first pair of electrodes are deposited by a lithographic process. However, this yields a gap between electrodes that is wider than the desired gap. To reduce this distance, the process is repeated with the gap forming region of the mask laterally displaced. The result yields an electrode pattern with the desired spacing and thickness. | ||||||
| 185 | High speed bulk semiconductor microwave switch | US25242372 | 1972-05-11 | US3852794A | 1974-12-03 | PEARSON G; FOGGIATO G |
| A bulk semiconductor switching device formed of compounds of material selected from columns III and V of the Periodic Table which switches from a high conduction state to a current saturation state responsive to applied electric fields in times determined by electron heating and scattering within the bulk of the device.
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| 186 | High speed deflection modulator electron beam signal processor | US3784799D | 1972-05-08 | US3784799A | 1974-01-08 | CRANDALL W; CURTIS O |
| A high-speed electron beam signal processor suitable for timemultiplexing a plurality of digital signals is disclosed. A focused electron beam, which may be developed by an electron gun, is conically scanned. The conical beam is passed through an addressing plate structure which includes a plurality of plate electrode members, each for receiving a separate digital input signal. The beam is deflected in accordance with the signals addressed to the addressing plates as it travels past these plates in succession. The beam passes from the addressing plates through an electrostatic lens which focus it onto a target. The target which may comprise a target diode provides a multiplexed output signal in accordance with the digital inputs fed to the addressing plates.
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| 187 | Improvements relating to the output power derived from phase modulating | US3686588D | 1970-10-29 | US3686588A | 1972-08-22 | JACKSON BRIAN; BARRETT JOHN ERIC |
| A phase modulator according to the invention includes means for producing quadrature components of a carrier wave each phase reversal modulated by respective digital pulse signals, means for applying the components to respective adjacent terminals of a four terminal hybrid coupler, and means responsive to the digital pulse signals for selecting the appropriate one of the other terminals of the coupler to derive an output therefrom equivalent to the resultant of the quadrature components of the carrier wave.
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| 188 | 신호 프로세싱 회로, 변조된 아날로그 전송 신호를 제공하는 방법, 디지털 수신 데이터 신호를 제공하는 방법 및 컴퓨터 프로그램 | KR1020120019846 | 2012-02-27 | KR101345503B1 | 2013-12-27 | 프리드리히디르크; 홈안드레아스 |
| 디지털전송데이터신호에기초하여변조된아날로그전송신호를제공하기위한신호프로세싱회로가변조된아날로그전송신호를제공할때 검출된파라미터또는사전정의된파라미터에의존하여분해능을변경하도록구성된다. | ||||||
| 189 | 디지털 ＲＦ 컨버터 및 이를 포함하는 디지털 ＲＦ 변조기와 송신기 | KR1020100027986 | 2010-03-29 | KR101292667B1 | 2013-08-02 | 유현규; 최장홍; 부현호; 박필재; 박문양; 김성도; 심선보; 홍성철 |
| 본 발명은 송신기의 동적 영역 및 신호대 잡음비를 향상 시킬 수 있도록 하는 디지털 RF 컨버터 및 이를 포함하는 디지털 RF 변조기와 송신기에 관한 것으로, 상기 디지털 RF 컨버터는 제1 샘플링 속도로, 입력 신호 중 최하위 n비트에 상응하는 전류 크기를 발생하는 DSMB(Delta-sigma modulated bits) 서브 블록; 상기 제1 샘플링 속도 보다 낮은 제2 샘플링 속도로, 상기 입력 신호 중 중간의 k비트에 상응하는 전류 크기를 발생하는 LSB(Least-Significant Bit) 서브 블록; 및 상기 제2 샘플링 속도로, 상기 입력 신호 중 최상위 m비트에 상응하는 전류 크기를 발생하는 MSB(Most-Significant Bit) 서브 블록을 포함할 수 있다. | ||||||
| 190 | 선형 및 극성 듀얼 모드 전송기 회로 | KR1020117014789 | 2009-11-25 | KR1020110089881A | 2011-08-09 | 아니루드단,산카란; 나라통,치우차른; 스리드하라,라비; 네자티,바박 |
| 선형 또는 극성 모드를 지원하기 위한 전송기 회로를 구성하기 위한 방법 및 장치가 제시된다. 선형 모드에서 베이스밴드 신호는 동위상(I) 및 직교위상(Q) 신호들의 진폭들을 조정함으로써 특정되며, 극성 모드에서 정보 신호는 국부 발진기(LO) 신호의 위상 및 I 또는 Q 신호의 진폭을 조정함으로써 특정된다. 예시적인 실시예에서, 디바이스가 선형 또는 극성 모드에서 동작하고 있는지 여부에 기반하여 2개의 믹서들 중 하나로 제공되는 적절한 입력 신호들을 선택하는 스위치들의 세트를 가지는 2개의 믹서들이 선형 및 극성 모드 모두를 위해 제공된다. 예시적인 실시예에서, 각각의 믹서는 요구되는 전송 전력에 기반하여 효율적으로 믹서를 조정하는 스케일가능한 아키텍처를 사용하여 구현될 수 있다. | ||||||
| 191 | 디지털 ＲＦ 컨버터 및 이를 포함하는 디지털 ＲＦ 변조기와 송신기 | KR1020100027986 | 2010-03-29 | KR1020110070675A | 2011-06-24 | 유현규; 최장홍; 부현호; 박필재; 박문양; 김성도; 심선보; 홍성철 |
| PURPOSE: A digital RF converter, and a digital RF modulator and a transmitter including the same are provided to effectively increase the dynamic area and SNR of the transmitter without increasing the number of digital RF converting cells. CONSTITUTION: A DSMB(Delta-sigma modulated bits) sub block(331) creates the current of a size corresponding to the lowest n bit of input signals at a first sampling rate. An LSB(Least-Significant Bit) sub block(332) creates the current of a size corresponding to a middle k bit of the input signal at a second sampling rate lower than the first sampling rate. An MSB(Most-Significant Bit) sub block(333) creates the current of a size corresponding to the highest m bit of the input signal at the second sampling rate. | ||||||
| 192 | 직교 주파수 분할 멀티플렉싱 수신기에서 등화기를 초기화시키는 방법 및 장치 | KR1020020053404 | 2002-09-05 | KR1020030024578A | 2003-03-26 | 벨로체르코프스키,맥심비.; 리트윈,루이스로버트쥬니어 |
| PURPOSE: An adaptive algorithm for the equalizer of a multicarrier receiver is provided to reduce manufacturing cost and to process digital data by using a division operation. CONSTITUTION: A method for initializing an equalizer in an Orthogonal Frequency Division Multiplexing ("OFDM") receiver, the method characterized by the steps of: generating a channel estimate (220) based at least in part on an OFDM signal; generating an approximate inverse (230, 240, 250) of the channel estimate; and generating a desired equalizer tap setting (260) based on an adaptive algorithm; wherein an initial equalizer tap setting for the adaptive algorithm corresponds to the approximate inverse of the channel estimate and the desired equalizer tap setting corresponds to an ideal inverse of the channel estimate. | ||||||
| 193 | 변조기및송신기 | KR1019890010847 | 1989-07-29 | KR100057181B1 | 1992-12-09 | 마스다요오이찌 |
| 194 | 발진기 전환시 동위상 고정장치 및 방식 | KR1019870012571 | 1987-11-07 | KR1019910007814B1 | 1991-10-02 | 박일근 |
| The apparatus feeds the output of main oscillator back to auxilliary oscillator so that the auxilliary oscillator generates the frequency having same phase with the main oscillator when the operation is transfered from the main oscillator to the auxilliary oscillator. The apparatus includes a second phase adjuster (80) for adjusting the phase of output signal of the auxilliary oscillator, a switch (40) for selecting the auxillary oscillator according to the output signal of a fault detector (30), a first phase comparator (60) for comparing the phases of output signals of the switch (40) and the first phase adjuster (50), a second phase comparator (90) for comparing the phases of output signals of the switch (40) and a second phase adjuster (80), and a first and a second filter (70,100) for filtering and transmitting the output signal of the phase comparators (60,90) to the phase adjusters (50,80). | ||||||
| 195 | 발진기 전환시 동위상 고정장치 및 방식 | KR1019870012571 | 1987-11-07 | KR1019890009096A | 1989-07-15 | 박일근 |
| 내용 없음 | ||||||
| 196 | ＡＭ-ＰＭ 동기화 유닛 | KR1020120012759 | 2012-02-08 | KR101340808B1 | 2013-12-11 | 이트킨그리고리 |
| 본 발명의 일 실시예는 (예를 들어, 위상 변조가 없는 베이스밴드 신호를 제어형 발진기에 제공하고 발진기로부터 출력된 고주파 RF 신호에 위상 변조를 수행함으로써) 위상 변조(PM)와 진폭 변조(AM) 모두를 제어형 발진기의 다운스트림에서 수행하기 위한 방법 및 장치에 관한 것이며, 진폭 변조는 위상 변조와 동기화되어 있다. 구체적인 일 실시예에서, 방법 및 장치는 영의 위상(예를 들어, 영 교차점을 가로지르는 위상)을 갖는 심볼 경계(예를 들어, 상이한 심볼들 간의 천이)에서 진폭이 영인 극 변조 신호를 제공하는 방식으로 AM 신호 경로 및 PM 신호 경로의 변조를 동기화한다.
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| 197 | 근거리 무선 통신 장치들에서 정형된 제어 신호들 | KR1020120105010 | 2012-09-21 | KR1020130035892A | 2013-04-09 | 클락크,데이비드 |
| PURPOSE: Control signals set in near field wireless communication devices are provided to reduce power consumption by controlling FETs(Field Effect Transistor) by using set signals. CONSTITUTION: A controller(405) outputs a set of controller signals for controlling FETs(401-404). A waveform setting device(406) processes the controller signals in order to set signals(414-420) controlling the FETs. The FETs are smoothly controlled in response to the set signals. [Reference numerals] (403) Waveform shaper; (405) Controller; | ||||||
| 198 | 무선 주파수 변조기 | KR1020117012718 | 2009-11-05 | KR1020110081900A | 2011-07-14 | 로드리게즈,이스트반; 린드퀴스트,제이알.,로버트,에이. |
| 본 발명의 무선 주파수 변조기 시스템은 무선 주파수 증폭기 및 펄스 변조기를 포함한다. 무선 주파수 증폭기는 무선 주파수 신호를 공급받는 제어 전극과 기준 전위로부터 일정한 전위를 갖는 DC 전압이 인가되었을 때 무선 주파수 신호의 증폭을 수행하는 출력 전극을 갖는 증폭기 트랜지스터, 및 증폭기 트랜지스터에 연결되는 에너지 저장 소자를 구비한다. 펄스 변조기는 무선 주파수 증폭기에 의해 무선 주파수 신호를 증폭하고자 하는 경우 입력 펄스에 응답하여 DC 전압을 출력 전극에 인가하고, 출력 전극으로부터 무선 주파수 신호를 소거하고자 하는 경우 출력 전극에 인가되는 DC 전압의 공급을 중단하며, DC 전압이 출력 전극에 인가되는 경우 저장 소자에 전하가 저장되는 제 1 스위칭 회로, 및 DC 전압이 출력 전극으로부터 소거되는 경우 입력 펄스에 응답하여 저장된 전하를 방출하는 제 2 스위칭 회로를 구비한다.
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| 199 | 고주파변조기의 부우스터단 출력신호 스위칭회로 | KR2019930011608 | 1993-06-29 | KR200090002Y1 | 1995-08-31 | 이종진 |
| 200 | 고주파변조기의 부우스터단 출력신호 스위칭회로 | KR2019930011608 | 1993-06-29 | KR2019950002559Y1 | 1995-04-08 | 이종진 |
| 내용 없음. | ||||||
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