| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 141 | 一种用于石英玻璃表面超光滑加工的抛光液及其制备方法和应用 | CN202411072798.0 | 2024-08-06 | CN118852992A | 2024-10-29 | 辛强; 李威; 罗大微; 范斌; 陈强 |
| 本发明公开了一种用于石英玻璃表面超光滑加工的抛光液及其制备方法和应用，属于抛光液技术领域。所述抛光液包括以下组分：粒径为200nm‑300nm的氧化铈磨粒、去离子水、润滑油以及表面活性剂。本发明的抛光液能够改善氧化铈磨粒与石英玻璃表面的接触状态，避免划痕的产生，并有效降低表面粗糙度，获得高质量的超光滑表面。 | ||||||
| 142 | 一种光催化辅助化学机械抛光液及其制备方法和应用 | CN202411018919.3 | 2024-07-29 | CN118852991A | 2024-10-29 | 齐宇航; 赖景辉; 李子阳; 张储; 潘国峰; 杨学莉 |
| 本发明公开了一种光催化辅助化学机械抛光液及其制备方法和应用。该化学机械抛光液由磨料、氧化剂、表面活性剂、pH调节剂和去离子水组成。该制备方法包括以下步骤：S1、在搅拌的条件下，将磨料、氧化剂和表面活性剂加入到去离子水中，搅拌均匀后，制得混合液；S2、在搅拌的条件下，将pH调节剂加入到混合液中，搅拌均匀后，得到pH为8～11.5的化学机械抛光液。所述光催化辅助化学机械抛光液的应用，将该化学机械抛光液与光源配合，用于化学机械抛光的精抛过程。本发明研制的化学机械抛光液极大地提高了化学机械抛光效率，能够获得高效低损伤、光滑平坦化的抛光材料表面。本发明采用二氧化铈作为化学机械抛光的磨料。 | ||||||
| 143 | 一种基于植酸-植酸盐的高效绿色化学机械抛光液及其制备方法和抛光方法 | CN202410848324.4 | 2024-06-27 | CN118852986A | 2024-10-29 | 曹春; 张振宇; 陈昱含; 孟凡宁; 周红秀; 石春景; 冯俊元; 童丁毅 |
| 本发明公开了一种基于植酸‑植酸盐的高效绿色化学机械抛光液及其制备方法和抛光方法，抛光液包括以下重量百分比的组分：0.01wt％～0.2wt％的植酸、0.1wt％～1wt％的植酸盐、0.5wt％～3wt％的H2O2、10wt％～30wt％的磨料以及余量为去离子水。本发明通过在抛光液中添加具有多种功效的植酸‑植酸盐，不仅可以调节pH，还可以充当缓蚀剂、络合剂，可有效简化抛光液组分结构，减少点蚀缺陷，降低抛光液中的游离金属，提高抛光后金属的防腐能力。同时，植酸‑植酸盐不会与过氧化氢反应，可以有效提高抛光液的使用寿命和氧化能力。 | ||||||
| 144 | 一种单晶硅的抛光液及其制备方法和应用 | CN202410811667.3 | 2024-06-21 | CN118852983A | 2024-10-29 | 魏先志; 罗壮东; 包亚群 |
| 本发明属于抛光材料技术领域，特别涉及一种单晶硅的抛光液及其制备方法和应用。本发明单晶硅的抛光液包括磨料、助溶剂、氧化剂、润滑剂、分散剂、PH调节剂；磨料为改性碳化硼，改性碳化硼为采用硬脂酸对碳化硼进行改性得到。本发明通过各组分的共同作用，可提高抛光液的抛光效率及抛光后的表面质量。此外，采用改性碳化硼作为抛光液磨料可提高硅片的抛光效率，同时，使用硬脂肪酸对碳化硅进行改性，使得改性碳化硼具备优良的悬浮性及分散性，克服了碳化硼磨料易造成硅片划伤的缺陷，提高产品的表面质量。 | ||||||
| 145 | 一种纳米级α-氧化铝磨粒及制备方法 | CN202410875788.4 | 2024-07-02 | CN118851230A | 2024-10-29 | 雷红; 陈是东; 胡晓刚; 陈怡; 雷逸凡 |
| 本发明涉及表面抛光加工技术领域，尤其是纳米级氧化铝磨粒的制备方法和粒径表征。所总结的制备方法包括：S01：称取六水合氯化铝和水，得到溶液A；S02：称取碳酸铵、硫酸铵、聚乙烯吡咯烷酮和水，溶解得到溶液B；S03：将溶液A加入到溶液B中后，将混合溶液搅拌0.5h，形成白色沉淀物；S04：将白色沉淀物洗涤过滤后，放置到烘箱内进行干燥，待干燥过后，将沉淀物放置在马弗炉中煅烧2h，得到纳米氧化铝磨粒。 | ||||||
| 146 | 用于研磨硬质材料的CMP组合物 | CN202180016656.0 | 2021-01-30 | CN115175971B | 2024-10-29 | R·K·辛格; S·德; D·辛格; C·D·金德; A·D·维尔马 |
| 本公开涉及一种用于化学机械研磨(CMP)的浆体，其包括水性液体载剂、含有氧及阴离子的过渡金属化合物或包括过渡金属及氧或氢的多原子阳离子，及过氧化剂。所述含有氧及阴离子的过渡金属化合物的阴离子可包括氧硝酸根、氧氯化物、羟基氧化物、氧乙酸根、氧硫化物或氧硫酸根。所述过氧化剂可为过锰酸盐化合物。 | ||||||
| 147 | 一种假塑性流体抛光液及抛光方法 | CN202310012240.2 | 2023-01-05 | CN116082962B | 2024-10-25 | 庄重; 宋元锦; 程帜军; 王先平; 方前锋 |
| 本发明公开了一种假塑性流体抛光液及抛光方法，按体积占比，所述抛光液包括75％‑97％假塑性流体以及3％‑25％磨粒。本发明提出了一种原理简单、成本低廉的假塑性流体抛光液及抛光方法，即在抛光过程中，工件与抛光液之间做相对剪切运动时，利用假塑性流体特有的剪切变稀特性，随着运动速率增加抛光液的粘度降低、阻力减小，减弱了磨料对工件的打磨作用，从而有利于进行超高精密抛光。 | ||||||
| 148 | 硅片的碱抛光方法、PERC电池及其制备方法 | CN202210231922.8 | 2022-03-09 | CN114628252B | 2024-10-25 | 胡劲松; 彭彪; 谢代鹏; 鲁传磊; 谈鹏远; 吕武; 朱昌俊; 孙才杨; 韦再华 |
| 本发明涉及一种硅片的碱抛光方法、PERC电池及其制备方法。该硅片的碱抛光方法包括：前清洗、碱抛光、后清洗、酸洗、慢提拉及干燥步骤。其中第一批次的碱抛光处理中的碱抛液为初始碱抛液，第n批次的碱抛光处理的碱抛液通过在第n‑1批次的碱抛液添加补液制得。初始碱抛液包括体积比为(320～340)：(9.5～12.5)：(2.5～3.5)的水、碱液及碱抛添加剂；补液中水、碱液及碱抛添加剂的比例为(5.5～6.5)：(0.24～0.28)：(0.17～0.20)。通过调整碱抛液的配方，上述硅片的碱抛光方法中硅片的减重量较小，能够减少硅片碱抛光减重量，降低制备过程中的碎片率，且经碱抛光的硅片背抛面光亮平整。 | ||||||
| 149 | 研磨用组合物、研磨用组合物的制造方法、研磨方法及半导体基板的制造方法 | CN202110265786.X | 2021-03-11 | CN113388328B | 2024-10-25 | 石黑创之介; 大西正悟 |
| 本发明涉及研磨用组合物、研磨用组合物的制造方法、研磨方法及半导体基板的制造方法。本发明的研磨用组合物为包含磨粒、添加剂、pH调节剂和分散介质的研磨用组合物，前述磨粒的zeta电位为负，前述添加剂为具有叔氮原子的桥连二环式化合物，前述添加剂的含量相对于研磨用组合物总质量大于0质量％且小于0.5质量％，所述研磨用组合物的pH小于5。 | ||||||
| 150 | 用于硅氧化物、硅氮化物和多晶硅的选择性和非选择性CMP的基于氧化铈的浆料组合物 | CN202380025389.2 | 2023-02-03 | CN118829699A | 2024-10-22 | B·赖斯; 张柱然; 金声宇; 黄禾琳 |
| 本发明提供一种化学机械抛光组合物，其包含：(a)氧化铈磨粒；(b)阳离子性聚合物；(c)缓冲液；和(d)水，其中所述抛光组合物具有约6至约9的pH值。本发明还提供一种使用本发明的抛光组合物化学机械抛光衬底、尤其包含硅氧化物、硅氮化物和多晶硅的衬底的方法。 | ||||||
| 151 | 化学机械抛光液 | CN202411314487.0 | 2024-09-20 | CN118813141A | 2024-10-22 | 赵铁均; 张延风; 杜新蕊 |
| 本发明公开了一种化学机械抛光液。该化学机械抛光液包括以下组分：花状δ‑MnO2纳米颗粒1.0%~10.0wt%，磨粒1.0%~10.0wt%，氧化剂0.1~20.0%，以及使该化学机械抛光液的pH值达到1.0~14.0的量的pH调节剂；所述花状δ‑MnO2纳米颗粒通过以下方法制备得到：S1、以有机化合物作为还原剂，溶于去离子水中得到溶液A；S2、将高锰酸盐溶于去离子水中得到溶液B；S3、将溶液A与溶液B混合，反应，得到花状δ‑MnO2纳米颗粒；步骤S3中，反应时间为0.02~48h，反应温度为20℃~100℃，反应pH值为1.0~14.0。相对于传统抛光液，花状δ‑MnO2纳米颗粒作为化学机械抛光催化助剂能够显著提高碳化硅的抛光速率，同时抛光后的晶圆平整度高、无划痕。 | ||||||
| 152 | 一种用于碳化硅衬底CMP的氧化铝抛光液的制备方法 | CN202411001420.1 | 2024-07-25 | CN118813140A | 2024-10-22 | 陈斌; 刘胥冠; 王鑫; 陈冬莉; 罗向阳 |
| 本发明提供了一种用于碳化硅衬底CMP的氧化铝抛光液，包括磨料、分散剂、催化剂、抗氧化剂、防腐剂、消泡剂、防静电剂、环保添加剂、抑菌剂和水溶液。本发明采用了100nm‑500nm的蠕虫状氧化铝为磨料，搭配高锰酸钾水溶液体系，PH为6‑10，加入了多元羧酸共聚物类分散剂及无机盐分散剂，避免了氧化作用对分散剂的破坏；加入了纳米Fe2O3、V2O5、TiO2、CuO、NiO的一种或几种做为催化剂，提高了氧化能力，从而在确保无划伤的情况下的抛光速率，使抛光速率由1um/h提高到了2‑3um/h；采用了电泳水分的分离技术，分离了超尺寸氧化铝颗粒的方式确保抛光液中不含超1um的超尺寸颗粒，从而保证了产品无划伤。 | ||||||
| 153 | 稀土抛光粉前驱体、稀土抛光粉及制备方法 | CN202310427860.2 | 2023-04-20 | CN118813139A | 2024-10-22 | 郝志庆; 宋卿; 王新政; 曹鹏; 刘秀; 陈悦; 冯学会; 赵佳田; 张航 |
| 本发明公开了一种稀土抛光粉前驱体、稀土抛光粉及制备方法。本发明的稀土抛光粉前驱体具有核‑壳结构，核的主要成分为稀土金属氟化物，壳的主要成分为碱式稀土金属碳酸盐；其中，稀土金属氟化物中的稀土元素与碱式稀土金属碳酸盐中的稀土元素相同。采用本发明的稀土抛光粉前驱体所得稀土抛光粉的性能优异。 | ||||||
| 154 | 一种玻璃盖板的制备方法及钢化玻璃和显示装置 | CN202310421562.2 | 2023-04-19 | CN118812169A | 2024-10-22 | 陈俊钢 |
| 本发明提供一种玻璃盖板的制备方法及钢化玻璃和显示装置，所述方法包括如下步骤：(1)玻璃经开片、成型和第一清洗，得到清洗后玻璃；(2)所述清洗后玻璃依次经第一抛光、第二清洗、钢化处理、第三清洗、第二抛光和第四清洗，得到抛光后玻璃；(3)所述抛光后玻璃经表面涂层处理，得到钢化玻璃；其中，所述第一抛光的抛光液包括第一磨料、氟化氢铵、氢氟酸、盐酸、硝酸、丙三醇和脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠。本发明通过在钢化前的钢化后对玻璃进行抛光，处理玻璃边缘和表面微裂纹和细小划痕等瑕疵，使较大的划痕或崩砂边边缘钝化，有效降低玻璃受到冲击时从瑕疵处开始碎裂的风险，从而整体上加强玻璃抗冲击的能力。 | ||||||
| 155 | 研磨粒的制造方法、化学机械研磨用组合物及研磨方法 | CN202380024395.6 | 2023-03-10 | CN118804963A | 2024-10-18 | 柳孝典; 王鹏宇; 中西康二 |
| 本发明提供一种可通过增大相对于氧化硅膜而言的钨膜的研磨速度来有选择性地研磨钨膜，且贮存稳定性也优异的化学机械研磨用组合物及使用其的研磨方法、以及可用于这些中的研磨粒的制造方法。另外，本发明提供一种可高速研磨氧化硅膜，且贮存稳定性也优异的化学机械研磨用组合物及使用其的研磨方法、以及可用于这些中的研磨粒的制造方法。本发明的研磨粒的制造方法包括将羟基(‑OH)经由共价键而固定于表面的粒子、具有环氧基的烷氧基硅烷、及碱性化合物混合并进行加热的工序。 | ||||||
| 156 | 一种磁力研磨机用压铸铝抛光液及抛光方法 | CN202310381908.0 | 2023-04-11 | CN118791974A | 2024-10-18 | 李嘉烁; 王梅丰; 李和鑫; 徐海卿; 王夏妍; 胡昊 |
| 本发明提供一种磁力研磨机用压铸铝抛光液。所述磁力研磨机用压铸铝抛光液由磷酸钠、钼酸钠、铝酸钠、表面活性剂以及磷酸组成，所述磷酸钠的浓度为3.5~5.0 g/L，所述钼酸钠的浓度为0.5~1.0 g/L，所述铝酸钠的浓度1.5~2.0 g/L，所述表面活性剂的浓度为8.0~15.0 mL/L，经过添加所述磷酸调节pH至2.5~3.5。本发明提供的磁力研磨机用压铸铝抛光液可以对压铸铝零件实现清洗、增光增亮，令压铸铝表面光亮化，改善其外观，一定程度上增强其耐蚀性，由于这种抛光液成分较为环保，且原材料易购，能够显著降低生产成本。另外，还提供了一种磁力研磨机用压铸铝抛光方法。 | ||||||
| 157 | 用于单晶金刚石化学机械抛光加工的抛光液及其制备方法 | CN202210623307.1 | 2022-06-01 | CN115109520B | 2024-10-15 | 郭晓光; 袁菘; 金洙吉; 董志刚; 康仁科 |
| 本发明提供一种用于单晶金刚石化学机械抛光加工的抛光液及其制备方法，抛光液包括平均粒径为w0.25～w0.5μm的单晶金刚石微粉、质量分数为30％H2O2溶液和0.1mol/L～1mol/L的Fe2(SO4)3溶液；三者质量比为15:5000:1～100:5000:1，抛光液ORP值为530mv～550mv。制备方法包括向单晶金刚石微粉加入H2O2溶液、震荡、将配置好的Fe2(SO4)3溶液添入，调整其PH值至2～4，得到抛光液。本发明提供的抛光液具有较大的氧化能力和去除率，实现了金刚石的高质高效加工。 | ||||||
| 158 | 一种碳化硅晶圆用金刚石切割液及其制备方法 | CN202211594625.6 | 2022-12-13 | CN116064189B | 2024-10-11 | 刘丹丹; 付存; 赵亚雯; 任欢欢; 王森; 汪静 |
| 本发明公开了一种碳化硅晶圆用金刚石切割液及其制备方法，该金刚石切割液以重量百分比计包括以下原料：金刚石粉体 8‑20%、分散剂0.5‑2.5%、表面活性剂2‑6%、触变胶溶液10‑40%、基础油31.5‑79.5%；其中，所述触变胶溶液包括以下原料：植物油85‑97%、硬脂酸铝2‑10%、油品防老剂T501 1‑5%。该金刚石切割液高效易清洗，生产方式简单，容易量产；此外还发现对金刚石切割液进行屈服值的检测方法可以缩短配方研发过程中悬浮稳定性优劣的判断时间。 | ||||||
| 159 | 一种晶圆表面处理工艺 | CN202410644516.3 | 2024-05-23 | CN118704077A | 2024-09-27 | 陈晓青 |
| 本发明提供了一种晶圆表面处理工艺，第二阳极中的铜离子和痕量的铂离子有效的促进第一碳化硅阳极的氧化溶解过程，提高晶圆的去除率，并且通过两段电压调节，有效的促进碳化硅的抛光稳定性。 | ||||||
| 160 | 一种抛光液用氧化铈基磨料及其制备方法和应用 | CN202410716711.2 | 2024-06-04 | CN118703172A | 2024-09-27 | 孙爱华; 储成义; 曹彦伟; 郭建军; 程昱川; 余四文; 许高杰 |
| 本发明公开了一种抛光液用氧化铈基磨料及其制备方法和应用，属于抛光液技术领域，制备方法包括：(1)制备磁性粒子悬浮液，调节pH至7.5～9，搅拌升温至40～50℃，再加入硅源，反应后得到SiO2包覆的磁性粒子，其中磁性粒子为铁钴氧体、镍铁氧体、锰铁氧体、γ‑Fe2O3或CoNi合金；(2)制备SiO2包覆的磁性粒子悬浮液，调节pH至8～9，搅拌升温至70～90℃，再加入铈源和钛源反应，反应过程中维持体系pH为8～9，反应结束后得到抛光液用氧化铈基磨料。该氧化铈基磨料包括三层结构，内层为磁性粒子，中层为二氧化硅，外层为二氧化钛掺杂氧化铈，三层结构之间协同发挥作用，抛光效率高。 | ||||||
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