| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 41 | 一种耐剪切、长寿命研磨液及其制备方法与用途 | CN202411825501.3 | 2024-12-12 | CN119736067A | 2025-04-01 | 李传强; 单晓倩; 褚雨露; 马振坤; 王庆 |
| 本发明提供一种耐剪切、长寿命研磨液及其制备方法与用途，耐剪切、长寿命研磨液包括重量配比如下的各组分：pH调节剂5‑15份；分散剂3‑10份；润湿剂1‑5份；触变剂1‑15份；去离子水35‑70份。本发明还公开了耐剪切、长寿命研磨液的制备方法及其在大尺寸单晶硅片研磨领域的用途。采用本发明耐剪切、长寿命研磨液对单晶硅进行研磨，具有以下优点：增强耐剪切性能的同时，还改善了传统研磨液移除率低和TTV高的问题；降低研磨后砂浆液中铁离子的含量，进一步提高研磨砂回收效率；能循环使用，寿命长；对单晶硅、氮化镓及碳化硅等硬脆材料同样适用。 | ||||||
| 42 | 一种类金刚石碳涂层的表面加工方法及其加工液 | CN202411939841.9 | 2024-12-26 | CN119734196A | 2025-04-01 | 戴媛静; 张紫铜; 邹洋; 刘宇宏 |
| 本发明创造提供了一种类金刚石碳涂层的表面加工方法及其加工液，对类金刚石碳涂层进行化学和机械耦合抛光，在机械抛光的同时加入溶胶类加工液；抛光的载荷为200～1500g/cm2，转速在10～60rpm；抛光的时间为20～240min。本发明具有分散性好，氧化性强，加工表面质量好，加工效率高等优点。该制备方法生产工艺简便，条件易控，该加工液能够提升DLC涂层表面加工效率，提高DLC涂层表面质量。 | ||||||
| 43 | 一种花生形超高纯硅溶胶的制备方法与应用 | CN202310000484.9 | 2023-01-03 | CN116143129B | 2025-04-01 | 王建宇; 卫旻嵩 |
| 本发明公开了一种花生形超高纯硅溶胶的制备方法与应用，包括以下步骤：1）制备得到活性硅酸溶液；2）将部分活性硅酸溶液加入到碱液中，滴加结束后老化反应，调节pH至9‑11，得到种子母液；3）向种子母液中加入定量有机铵盐，混合均匀后在高温下继续老化，制备得到初始硅溶胶；4）将初始硅溶胶升温至80‑120℃，在搅拌下将剩余的活性硅酸溶液加入到初始硅溶胶中，加入完毕后继续老化反应，得到硅溶胶；5）采用超纯水对反应生成的醇进行溶剂置换，并浓缩至二氧化硅质量含量为20‑50%；6）过滤除去浓缩液中固体，得到花生形超高纯硅溶胶。所述方法可以提供花生形超高纯硅溶胶，在CMP抛光液中可具有广泛应用。 | ||||||
| 44 | 用于金属合金的化学机械抛光组合物及其抛光方法 | CN202380059717.0 | 2023-12-06 | CN119731282A | 2025-03-28 | 彭路希; 田露; 贾仁合 |
| 一种用于金属合金的化学机械抛光组合物及抛光方法。该组合物包含氧化铝磨粒、氧化剂、分散剂、pH调节剂，其中，所述分散剂为纳米粘土，所述纳米粘土具有至多1000nm的z平均粒径。该组合物能用于金属合金基材平面的抛光，其具有接近中性的pH值，无腐蚀抛光设备中的金属部件的风险。 | ||||||
| 45 | 一种用于不锈钢衬底的化学机械抛光液及其制备方法 | CN202411912523.3 | 2024-12-24 | CN119709022A | 2025-03-28 | 张泽芳; 席梦飞 |
| 本发明公开了一种用于不锈钢衬底的化学机械抛光液及其制备方法，pH值介于7至14的抛光液。所述抛光液由以下组分组成：4wt％至30wt％的二氧化硅颗粒，0.01wt％至1wt％氧化剂，0.1wt％至0.5wt％络合剂，500ppm至1500ppm的乳化剂，100ppm至1500ppm的发泡抑制剂；含量为0.01％至0.1wt％的pH调节剂，其余组分为去离子水。其中颗粒尺寸在30nm至150nm之间。该不锈钢抛光液配置步骤如下：在室温条件下，清洗不锈钢表面，取一定量的去离子水，加入所需添加剂，充分溶解，加入一定量的硅溶胶，再次充分搅拌。防止直接向硅溶胶中加入添加剂导致凝胶现象。该碱性的抛光液长时间放置悬浮性良好，不会出现结晶，分层等现象。同时保证抛光速率，又能避免表面橘皮，白雾等缺陷的产生。满足不锈钢衬底的要求。 | ||||||
| 46 | 一种用于锑化镓衬底抛光的化学机械精抛组合物 | CN202411872886.9 | 2024-12-18 | CN119709021A | 2025-03-28 | 张建; 许巧珍; 李梦娇; 杨余萍; 黄省太 |
| 本发明公开了一种用于锑化镓衬底抛光的化学机械精抛组合物，按重量百分比计，包括：5～20wt％的硅溶胶磨料、0.1～1wt％的氧化剂、0.01～0.1wt％的表面保护剂以及余量为去离子水。本发明提供的抛光液主要适用于红外探测器和传感器、光电子器件制造中锑化镓表面抛光，经其抛光后的锑化镓表面状态良好，无划痕、橘皮等表面缺陷，同时该款抛光液也可用于砷化镓和砷化铟的精抛。 | ||||||
| 47 | 一种基于芬顿反应的碱性氮化镓抛光液及其制备方法 | CN202411601811.7 | 2024-11-11 | CN119709020A | 2025-03-28 | 王守志; 官浩; 张雷; 李秋波; 孙德福; 王国栋; 徐现刚 |
| 本发明属于化学机械抛光技术领域，涉及一种基于芬顿反应的碱性氮化镓抛光液及其制备方法。本发明提供的碱性氮化镓抛光液其组成包括过氧化氢、二氧化硅磨料、碳酸氢钠、铁盐、分散剂、稳定剂、络合剂和去离子水。本发明通过铁系离子络合物催化过氧化氢可以将芬顿反应的适用范围拓宽到碱性条件，使用稳定剂可以促进三价铁离子向亚铁离子的转化，增强亚铁离子的催化作用，延长抛光液的有效时长。本发明提供的抛光液对环境友好，不腐蚀加工设备，成本低，性质稳定，无需外加辅助设备操作更方便，可长时间稳定存储。 | ||||||
| 48 | 一种抛光浆料组合物的制备方法 | CN202311275712.X | 2023-09-28 | CN119709018A | 2025-03-28 | 王溯; 马丽; 史筱超; 李泽宇 |
| 本发明涉及一种抛光浆料组合物的制备方法。该制备方法包括以下步骤：将所述抛光浆料组合物的原料混合，即可，所述原料包括如下质量分数的组分：水、0.1％‑10％氧化铈、0.1～5％抑制剂、0.01～5％添加剂、0.01～2％pH调节剂和50‑500ppm阴离子表面活性剂；所述各组分质量分数为该组分在抛光浆料组合物中的质量分数；各组分质量分数之和为100％；所述添加剂为如式I所示的化合物。本发明的制备方法制得的抛光浆料组合物能降低凹陷和侵蚀的发生。#imgabs0# | ||||||
| 49 | 一种高纯硅溶胶的制备方法和应用 | CN202510231651.X | 2025-02-28 | CN119706853A | 2025-03-28 | 陶琴; 姜鉴哲; 哈尼; 张琳; 刘勇杰 |
| 本发明提供了一种高纯硅溶胶的制备方法和应用，涉及无机化合物材料领域，制备方法包括：将硅酸钠、水和絮凝剂混合稀释到二氧化硅质量分数为4%~8%，离心后取上清液，通过阳离子交换树脂制得硅酸，再加入pH调节剂搅拌均匀至pH值为8~12，依次通过树脂交换柱中的阳离子交换树脂、阴离子交换树脂和阳离子交换树脂，将活性硅酸通入反应釜中，该反应釜还连接有膜过滤器，在反应釜中加入纯水，加热至60‑99℃后开启膜过滤器，同时持续加入活性硅酸，制得高纯度硅溶胶。本发明能够在较低温度下合成大粒径硅溶胶同时具备纯度高、成本低和工艺简单等优点，适用于大批量生产，能够应用于半导体器件的抛光作业中。 | ||||||
| 50 | 一种具有弹性的喷砂砂粒及其制备方法 | CN202411848690.6 | 2024-12-16 | CN119684970A | 2025-03-25 | 马睿航; 贾静怡; 张为栋; 钱慧; 苏要为; 严京齐; 朱永伟; 李军 |
| 一种含磨粒的弹性喷砂用复合砂粒及其制备方法，其特征在于所述的弹性喷砂用复合砂粒由弹性基体与磨粒组成；其制备包括如下步骤：（1）将高弹性液体树脂与低弹性树脂混合并搅匀；（2）在上述树脂中加入磨料并混合均匀；（3）在上述混合物之中加入偶联剂；（4）在上述混合物中依次加入固化剂、固化促进剂，每次加入后使用搅拌机搅拌，混合均匀；（5）将上述混合物置于模具之中并放入烘干箱中进行加热固化；（6）取出固化后的复合砂粒块状物，破碎筛分。本发明的弹性喷砂砂粒具有良好的弹性，实现了磨料与弹性基体的可靠结合。在去毛刺、除锈、除漆等方面具有更高的加工效率和更好的加工效果和抛光效果。 | ||||||
| 51 | 一种滚筒研磨抛光液及其制备方法 | CN202411849834.X | 2024-12-16 | CN119684905A | 2025-03-25 | 马荣斌; 杨汉成 |
| 本发明提出了一种滚筒研磨抛光液及其制备方法，涉及研磨抛光技术领域。一种滚筒研磨抛光液，包括以下组分：润湿剂、光亮剂、表面活性剂、摩擦改进剂、电解质、流变助剂和去离子水；制备方法为，将润湿剂、光亮剂、表面活性剂、摩擦改进剂、电解质、去离子水加入反应容器搅拌；再转入调合设备，搅拌状态下，加入流变助剂，搅拌得到滚筒研磨抛光液。本发明通过润湿剂、表面活性剂和电解质复配，使金属表面氧化膜化学软化，易于氧化膜从表面研磨除去，提高研磨效率；通过光亮剂和摩擦改进剂复配，有效提升研磨后表面的光亮度；通过流变助剂与去离子水的复配，增加其工作液的粘度，可使研磨抛光液更容易吸附在被研磨的材料表面，进一步提升研磨效率。 | ||||||
| 52 | 一种含新型复合无机氧化剂的用于碳化硅衬底精抛抛光液 | CN202411861553.6 | 2024-12-17 | CN119684904A | 2025-03-25 | 杨阳; 凌观爽; 俞萍; 何波 |
| 本发明公开了一种含新型复合无机氧化剂的用于碳化硅衬底精抛抛光液，其按重量百分比计包括如下：1％‑40％的磨料、0.1％‑10％的氧化剂、0.1％‑5％的pH调节剂；磨料采用硅溶胶和复合无机氧化剂，复合无机氧化剂包括四价铈离子Ce4+、三价铁离子Fe3+、双氧水、阳离子表面活性剂。本发明抛光液以小粒径的二氧化硅作为磨粒，Ce4+/Fe3+/双氧水等组合成复合氧化剂进行抛光，采用的复合氧化剂能够增强对碳化硅表面的氧化作用，同时增加颗粒与碳化硅衬底表面的接触，更加有效达到提高表面去除速率、降低粗糙度的目的，且后续通过简单清洗即可除去，利于后道处理。 | ||||||
| 53 | 低氮晶硅太阳能电池片酸抛光方法及其抛光液 | CN202010976332.9 | 2020-09-16 | CN114267583B | 2025-03-25 | 张小虎; 刘尧平; 陈伟; 肖川; 王燕; 杜小龙 |
| 本发明公开了一种低氮晶硅太阳能电池片酸抛光方法及其抛光液，将扩散后的制绒片放置于酸抛光液中，在温度5℃～45℃下刻蚀30s～240s，对所述制绒片的绒面进行抛光处理，使绒面上形成有直径为2～8微米的凹坑和底边边长为2～8微米，高度为0.1～1.5微米的塔丘，提升绒面平整度。本发明提供的低氮晶硅太阳能电池片酸抛光方法相较于常规酸抛工艺，氮含量显著降低，废液处理成本低，对环保压力小，与太阳能电池产线刻蚀工艺兼容，无需新增抛光设备，降低成本，且工艺简单，抛光效果好，相比常规酸抛结构的粗糙度要低，平整度更高，提升钝化效果和反射率，有效提升电池开压和背面反射，增加短路电流，提升了电池效率。 | ||||||
| 54 | 存储器元件的制造方法 | CN202311276960.6 | 2023-09-28 | CN119677107A | 2025-03-21 | 张训玮; 陈光维; 骆统; 杨大弘; 陈光钊 |
| 本公开提供了一种存储器元件的制造方法，至少包括以下步骤：在基底上形成第一内连线与第一介电层。对所述第一介电层进行第一化学机械抛光工艺。在所述第一介电层上方形成堆叠结构，并在所述堆叠结构中形成阶梯结构。在所述基底上形成第二介电层，以覆盖所述堆叠结构与所述阶梯结构。对所述第二介电层进行第二化学机械抛光工艺。所述第二化学机械抛光工艺使用的第二抛光垫的第二沟槽的深度低于所述第一化学机械抛光工艺使用的第一抛光垫的第一沟槽的深度。所述的存储器元件可以是具有高容量与高性能3D NAND快闪存储器。 | ||||||
| 55 | 一种用于氮化硅陶瓷轴承球的抛光液及其制备方法 | CN202411883552.1 | 2024-12-19 | CN119662135A | 2025-03-21 | 吴月英 |
| 本发明涉及研磨抛光技术领域，具体而言，涉及一种用于陶瓷轴承球的抛光液及其制备方法。本发明抛光液主要由以下质量份数的组分组成：微粉磨料0.3~4份、润滑剂1.0~10份、摩擦系数调节剂0.5~3份、流变调节剂0.2~5份、高分子分散剂0.2~5份、乳化剂0.2~5份、有机碱0.3~4份和基体油71~95份。本发明的抛光液具有高效率、易清洗的特点，抛光后陶瓷轴承球的表面质量好。 | ||||||
| 56 | 一种硅片抛光组合物及其制备工艺 | CN202411848148.0 | 2024-12-16 | CN119662134A | 2025-03-21 | 王庆伟; 徐贺; 李国庆; 王永东; 王瑞芹 |
| 本发明公开了一种硅片抛光组合物及其应用，所述硅片抛光组合物包括经过特殊处理的二氧化硅水溶胶，以及有机碱、pH调节剂、阴离子水溶性聚合物和水。本发明的硅片抛光组合物，通过对常规碱性硅溶胶进行特殊处理，可以大幅度降低抛光后硅片表面颗粒残留，与现有技术相比，具有显著优势。 | ||||||
| 57 | 一种膦酸配体修饰的氧化铈抛光液及其制备方法 | CN202411764644.8 | 2024-12-04 | CN119662132A | 2025-03-21 | 沈慧; 薛俊杰; 李思敏; 张凡 |
| 本发明提供了一种膦酸配体修饰的氧化铈抛光液及其制备方法，该抛光液主要由水：膦酸配体改性后的氧化铈以质量比=（94:5）‑（92:7）混合制得。该抛光液通过磷酸配体的改性，氧化铈磨料的化学和物理性质得以优化，可以提高在化学机械抛光过程中的反应性和去除速率，从而有效提升抛光效率；通过与氧化铈颗粒表面相互作用，形成稳定的表面改性层，减少了颗粒间的聚集倾向，使磨料在溶液中能够更均匀地分散，提高了悬浮液的均匀性；表面带有亲水性基团，增加了颗粒在溶液中的溶解性，减少了颗粒沉降速度，从而延长了悬浮液的稳定时间。 | ||||||
| 58 | 研磨用组合物 | CN202380057164.5 | 2023-07-28 | CN119654704A | 2025-03-18 | 古本有加里; 市坪大辉 |
| 提供能够在维持研磨速率的同时实现高品质的表面的包含水溶性高分子的研磨用组合物。上述研磨用组合物包含：作为磨粒的二氧化硅颗粒(A)、碱性化合物(B)、作为水溶性高分子(C)的改性聚乙烯醇系聚合物(C1)、和螯合剂(D)。此处，基于规定的蚀刻速率测定而求出的上述改性聚乙烯醇系聚合物(C1)的蚀刻速率为20nm/小时以下。 | ||||||
| 59 | 一种用于碳化硅衬底CMP的氧化硅抛光液的制备方法 | CN202411821270.9 | 2024-12-11 | CN119639351A | 2025-03-18 | 陈斌; 刘胥冠; 何万贵; 肖伟; 王鑫 |
| 本发明用于半导体加工技术领域，公开了一种用于碳化硅衬底CMP的氧化硅抛光液的制备方法，包括该制备方法包括如下步骤：S1：准备A液和B液，A液和B液分别存储于独立的容器中，在存储和运输过程中维持各自稳定的化学性质和成分。该用于碳化硅衬底CMP的氧化硅抛光液的制备方法，本发明通过对A液进行精细处理，在树脂提纯装置中，利用聚苯乙烯‑二乙烯苯共聚物树脂在合适的温度和压力条件下，让硅溶胶与树脂充分接触，保证处理后的A液中杂质大幅减少，这种多步骤的杂质去除工艺可有效避免杂质在碳化硅衬底表面形成划痕和凹坑，显著提高抛光后衬底表面质量，保障了后续半导体器件的电学性能和可靠性。 | ||||||
| 60 | 一种提高大尺寸钙钛矿晶体表面性能的抛光方法 | CN202211504984.8 | 2022-11-28 | CN115896955B | 2025-03-18 | 邵宇川; 王虎; 张雯清; 王致远 |
| 提供了一种提高钙钛矿单晶表面性能的抛光方法，包括使用新型的抛光液对晶体上下表面进行抛光的同时实现化学钝化。本发明利用化学抛光液在机械抛光钙钛矿单晶表面的同时，钝化表面，达到降低表面粗糙度，减少表面缺陷，提高晶体透过率和电学稳定性的效果。抛光后的晶体表面粗糙度和缺陷明显降低，透过率和电学稳定性有明显提高，因此，本发明提出的改进方法是一种可行的提高晶体表面性能的手段。 | ||||||
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