1.一种在光刻系统内使用的束分裂设备，包括：
多个静态反射镜，每个所述多个静态反射镜被布置成接收来自辐射源的第一辐射束的不同部分并且沿着多个方向中的一个方向反射辐射的相应部分以形成用于供给到多个工具的多个分支辐射束。
2.根据权利要求1所述的束分裂设备，其中所述多个方向中的每一个方向提供相应的分支光学路径，每一分支光学路径与所述多个工具中的相应一个相关联。
3.根据权利要求2所述的束分裂设备，其中至少一个分支光学路径与多个所述静态反射镜相关联以使得至少一个分支辐射束包括多个所述反射部分。
4.根据权利要求2或3所述的束分裂设备，其中所述分支光学路径中的每一个与相应的多个所述静态反射镜相关联以使得每一分支辐射束包括多个所述反射部分。
5.根据权利要求1到4中的任一个所述的束分裂设备，其中每一静态反射镜被布置成部分地跨越所述第一辐射束延伸。
6.根据权利要求1到5中的任一个所述的束分裂设备，其中所述多个静态反射镜中的至少一些被配置成反射所述第一辐射束的实心区域。
7.根据任一前述权利要求所述的束分裂设备，其中所述多个静态反射镜中的至少一些由反射性光栅提供，所述光栅的多个面中的每一个面提供所述多个静态反射镜中的相应一个静态反射镜。
8.根据权利要求7所述的束分裂设备，其中与所述多个方向中的同一个方向相关联的所述光栅的每一反射面实质上平行于单个硅晶体平面延伸。
9.根据权利要求7或8所述的束分裂设备，其中所述光栅是宏观尺度光栅。
10.根据从属于权利要求2的权利要求9所述的束分裂设备，其中所述反射面被布置成使得每一反射部分的扩展在与所述一个分支光学路径相关联的所述多个工具中的所述一个工具处导致与一个分支光学路径相关联的至少两个反射部分的部分重叠。
11.根据权利要求10所述的束分裂设备，其中所述反射面被布置成使得重叠的反射部分提供具有实质上与所述第一辐射束的强度轮廓相同的强度轮廓的分支辐射束。
12.根据从属于权利要求2的权利要求7到11中的任一个所述的束分裂设备，其中所述光栅包括与用以提供第一分支辐射束的第一分支光学路径相关联的第一多个面；
其中所述第一多个面中的每一个被布置成反射所述第一辐射束的相应部分以形成所述第一分支辐射束的相应子束；并且
其中所述第一多个面被布置成使得如果所述第一辐射束的位置在垂直于所述第一辐射束的传播方向的平面中改变，那么由所述第一多个面中的至少一个接收的功率增加并且由所述第一多个面中的至少一个接收的功率降低。
13.根据权利要求7或8所述的束分裂设备，其中所述光栅是微观尺度光栅。
14.根据权利要求13所述的束分裂设备，其中所述光栅的所述反射面被布置成使得从所述光栅反射的辐射的部分衍射以提供所述多个分支辐射束。
15.根据权利要求14所述的束分裂设备，其中所述光栅的所述反射面被布置成使得每一分支辐射束具有实质上类似于所述第一辐射束的强度轮廓的强度轮廓。
16.根据权利要求7到15中的任一个所述的束分裂设备，其中所述光栅的所述面在垂直于所述第一辐射束的传播方向的至少一个方向上具有平移对称性。
17.根据权利要求7到16中的任一个所述的束分裂设备，其中所述束分裂设备包括扩展和/或平顶形成光学装置，并且其中所述反射性光栅设置于所述扩展和/或平顶形成光学装置的上游。
18.根据权利要求7到17中的任一个所述的束分裂设备，其中所述反射性光栅被布置成从设置于所述辐射源与所述反射性光栅之间的平面反射镜接收所述辐射束。
19.根据权利要求7到18中的任一个所述的束分裂设备，其中所述光栅由蚀刻后的硅形成。
20.根据权利要求19所述的束分裂设备，其中所述光栅包括反射性涂层，所述反射性涂层包括针对所期望的波长的掠入射反射率而选择的材料或成分。
21.根据权利要求7到20中的任一个所述的束分裂设备，进一步包括又一反射性光栅，所述又一反射性光栅被布置成进一步分裂由所述光栅提供的所述分支辐射束中的至少一个。
22.根据任一前述权利要求所述的束分裂设备，其中所述静态反射镜中的至少一个设置有一个或多个孔，所述一个或多个孔被布置成允许未由所述至少一个静态反射镜反射的所述第一辐射束的一部分穿过所述孔朝向所述多个静态反射镜中的又一个静态反射镜。
23.根据任一前述权利要求所述的束分裂设备，其中所述静态反射镜中的至少一个包括环形反射性表面，所述环形反射性表面被布置成沿着相关联的分支光学路径反射辐射的一部分并且允许所述第一辐射束的一部分穿过由所述环界定的孔朝向所述多个静态反射镜中的又一个静态反射镜。
24.根据权利要求23所述的束分裂设备，其中所述环形反射性表面被布置成使得如果所述第一辐射束的位置在垂直于所述第一辐射束的传播方向的平面中改变，那么由所述基于环的反射性表面的至少一个部分接收的功率增加并且由所述基于环的反射性表面的至少又一部分接收的功率降低。
25.根据任一前述权利要求所述的束分裂设备，其中所述静态反射镜中的至少一个包括沿着边缘结合的第一反射性表面和第二反射性表面，其中所述边缘被布置成位于辐射束内。
26.根据任一前述权利要求所述的束分裂设备，其中所述静态反射镜中的至少一个设置有主动冷却。
27.根据任一前述权利要求所述的束分裂设备，进一步包括至少一个发散光学元件，所述至少一个发散光学元件被布置成增加辐射束的发散。
28.根据权利要求27所述的束分裂设备，包括多个发散光学元件，每个所述多个发散光学元件被布置成增加所述分支辐射束中的相应一个分支辐射束的发散。
29.根据任一前述权利要求所述的束分裂设备，其中所述辐射源包括一个或多个自由电子激光器。
30.一种系统，包括：
辐射源，所述辐射源能够操作以产生第一辐射束；
多个工具，所述多个工具被布置成接收相应的分支辐射束；和
根据任一前述权利要求所述的束分裂设备，所述束分裂设备被布置成将所述第一辐射束分裂成多个分支辐射束并且将相应的分支辐射束提供到所述多个工具中的每一个工具。
31.根据权利要求30所述的系统，进一步包括用于所述多个工具中的每一个工具的相应的发散光学元件。
32.根据权利要求31所述的系统，其中所述束分裂设备根据权利要求7到20中的任一个来布置，并且其中每一相应的发散光学元件在所述光栅的下游。
33.根据权利要求30、31或32所述的系统，其中所述发散光学元件包括凸面、凹面和/或马鞍形的掠入射反射镜。
34.根据权利要求30到33中的任一个所述的系统，进一步包括光学装置，所述光学装置被配置成修改分支辐射束的横截面形状。
35.根据权利要求34所述的系统，其中所述光学装置包括反射镜阵列，所述反射镜阵列被布置成将所述分支辐射束分裂成多个子束并且将所述子束组合在一起。
36.根据权利要求30到35中的任一个所述的系统，其中所述第一辐射束包括EUV辐射。
37.根据权利要求30到36中的任一个所述的系统，其中所述多个工具包括光刻设备和掩模检查设备，所述光刻设备和掩模检查设备中每个被布置成接收所述分支辐射束中的不同的一个。
38.根据权利要求30到37中的任一个所述的系统，其中所述辐射源包括一个或多个自由电子激光器。
39.一种方法，包括：
在辐射源中产生第一辐射束；和
将所述第一辐射束引导到根据权利要求1到29中的任一个所述的束分裂设备以产生多个分支辐射束。
40.根据权利要求39所述的方法，进一步包括：将每一分支辐射束引导到相应的工具。
41.一种包括能够操作以产生EUV辐射束的自由电子激光器和被布置成接收所述EUV辐射束的掩模检查设备的系统。
42.一种包括使用自由电子激光器产生EUV辐射束、将所述EUV辐射束引导到掩模检查设备和使用所述EUV辐射束来检查掩模的方法。
43.一种在光刻系统中使用的束分裂设备，所述束分裂设备能够操作以接收主辐射束并且输出至少一个分支辐射束，所述束分裂设备包括：
第一提取光学装置，所述第一提取光学装置被布置成沿着分支光学路径引导所述主辐射束的第一部分以提供第一分支辐射束；
其中所述第一提取光学装置包括第一多个部分，所述第一多个部分中的每一个被布置成反射所述主辐射束的相应部分以形成所述第一分支辐射束的相应的子束；并且其中所述第一多个部分被布置成使得如果所述主辐射束的位置在垂直于所述主辐射束的传播方向的平面中改变，那么由所述第一多个部分中的至少一个接收的功率增加并且由所述第一多个部分中的至少一个接收的功率降低。
44.根据权利要求43所述的束分裂设备，其中所述第一多个部分被布置成使得所述第一分支辐射束的功率对于所述主辐射束的位置在垂直于所述主辐射束的所述传播方向的平面中的改变实质上不变。
45.根据权利要求43或44所述的束分裂设备，其中所述第一提取光学装置被成形为使得不管所述主辐射束的位置在垂直于其传播方向的所述平面中的所述改变的方向如何，由所述第一多个部分中的至少一个接收的所述功率将增加并且由所述多个部分中的至少一个接收的所述功率将降低。
46.根据权利要求43、44或45所述的束分裂设备，其中所述第一多个部分中的每一个在垂直于所述主辐射束的所述传播方向的平面上的投影通常围绕所述主辐射束的中心均匀地分布。
47.根据权利要求43到46中的任一个所述的束分裂设备，其中所述第一多个部分中的每一个被布置成使得所述第一多个部分中的每一个在垂直于所述主辐射束的所述传播方向的平面上的投影实质上具有所述相同大小和形状。
48.根据权利要求43到47中的任一个所述的束分裂设备，其中所述第一多个部分中的每一个被布置成使得所述第一多个部分中的每一个在垂直于所述主辐射束的所述传播方向的平面上的投影是正方形、三角形、矩形或六边形横截面区域。
49.根据权利要求43到48中的任一个所述的束分裂设备，其中所述第一多个部分中的每一个被布置成使得所述第一多个部分中的一个部分在垂直于所述主辐射束的所述传播方向的平面上的投影与所述第一多个部分中的任何其它部分在垂直于所述主辐射束的所述传播方向的所述平面上的投影实质上不重叠。
50.根据权利要求43到49中的任一个所述的束分裂设备，其中所述第一多个部分中的每一个的方向使得所述相应子束实质上毗邻。
51.根据权利要求43到50中的任一个所述的束分裂设备，其中所述第一多个部分被布置成使得相应的子束实质上不重叠并且使得其之间的任何间隙最小。
52.根据权利要求43到50中的任一个所述的束分裂设备，其中所述第一多个部分被布置成使得所述相应的子束实质上完全地重叠。
53.根据权利要求43到52中的任一个所述的束分裂设备，其中所述第一分支光学路径包括被布置成调节沿着其传播的分支辐射束的波纹板。
54.根据权利要求43到53中的任一个所述的束分裂设备，其中所述第一分支光学路径包括用于调整沿着其传播的分支辐射束的所述强度的机构。
55.根据权利要求43到54中的任一个所述的束分裂设备，其中所述第一分支辐射束在实质上垂直于所述主辐射束的方向上传播。
56.根据权利要求43到55中的任一个所述的束分裂设备，进一步包括一个或多个额外的提取光学装置，每个所述额外的提取光学装置被布置成沿着相应的分支光学路径引导所述主辐射束的相应部分以提供相应的分支辐射束；
其中每一额外的提取光学装置包括相应的多个部分，每相应的多个部分中的每一个被布置成反射所述主辐射束的相应部分以形成所述相应的分支辐射束的相应的子束；并且其中每多个部分被布置成使得如果所述主辐射束的位置在垂直于所述主辐射束的所述传播方向的平面中改变，那么由所述额外的提取光学装置的所述部分中的至少一个接收的功率将增加并且由所述额外的提取光学装置的所述多个部分中的至少一个接收的功率将降低。
57.根据权利要求56所述的束分裂设备，其中所述第一提取光学装置的所述部分和所述额外的提取光学装置中的每一个额外的提取光学装置的所述部分被布置成使得所述第一提取光学装置和所述额外的提取光学装置的所有所述部分在垂直于所述主辐射束的所述传播方向的平面上的投影与所述主辐射束的横截面区域实质上重合。
58.一种光刻系统，包括：
辐射源，所述辐射源能够操作以产生主辐射束；
根据权利要求1到57中的任一个所述的束分裂设备；和
至少一个光刻设备，所述至少一个光刻设备被布置到来自所述束分裂设备的分支辐射束。
59.根据权利要求58所述的光刻系统，其中所述主辐射束具有围绕其中心旋转对称的强度分布。
60.根据权利要求59所述的光刻系统，其中所述主辐射束具有类高斯强度分布。
61.根据权利要求58到60中的任一个所述的光刻系统，其中所述辐射源包括一个或多个自由电子激光器。
62.根据权利要求61所述的光刻系统，其中所述辐射源包括光学装置，所述光学装置被布置成更改从所述一个或多个自由电子激光器接收的所述辐射束的所述横截面的大小和/或形状。
63.根据权利要求58到62中的任一个所述的光刻系统，其中所述至少一个光刻设备包括一个或多个掩模检查设备。
64.根据权利要求58到63中的任一个所述的光刻系统，其中所述主辐射束包括EUV辐射。
65.一种束分裂设备，包括：
束斑区域，所述束斑区域用于接收辐射束；
周期性阵列，所述周期性阵列由多个离散的反射性元件形成；和
机构，所述机构用于移动所述周期性阵列以使得所述多个反射性元件移动穿过所述束斑区域，
其中所述反射性元件被布置成使得所述辐射束的第一部分形成第一分支辐射束并且所述辐射束的第二部分形成第二分支辐射束。
66.根据权利要求65所述的束分裂设备，其中所述束分裂设备包括大体圆盘形状的主体，并且用于移动所述周期性阵列的所述机构能够操作以围绕旋转轴线旋转所述主体。
67.根据权利要求66所述的束分裂设备，其中所述多个离散反射性元件中的每一个包括大体径向地延伸的辐条的表面。
68.根据权利要求65到68中的任一个所述的束分裂设备，其中所述反射性元件被布置成使得所述辐射束的所述第一部分入射于所述反射性元件上并且被所述反射性元件反射以便形成所述第一分支辐射束，并且所述辐射束的所述第二部分通过所述反射性元件之间的一个或多个间隙以便形成所述第二分支辐射束。
69.根据权利要求68所述的束分裂设备，其中所述反射性元件之间的所述一个或多个间隙每个延伸到所述束分裂设备的主体的边缘。
70.根据权利要求68或权利要求69所述的束分裂设备，进一步包括在所述一个或多个间隙中的至少一个中的倾斜坡面。
71.根据权利要求66到70中的任一个所述的束分裂设备，其中所述束斑区域设置于所述主体的面向轴向的表面上。
72.根据权利要求71所述的束分裂设备，其中所述多个离散的反射性元件在增加半径的方向上向内成锥度。
73.根据权利要求71或权利要求72所述的束分裂设备，其中所述多个离散的反射性元件在远离所述反射性元件的面向轴向的上表面的轴向方向上向内成锥度。
74.根据权利要求71到73中的任一个所述的束分裂设备，其中所述多个反射性元件中的每一个在处于与径向方向成倾斜角的方向上延伸。
75.根据权利要求66到70中的任一个所述的束分裂设备，其中所述束斑区域设置于所述主体的面向径向的表面上。
76.根据权利要求75所述的束分裂设备，其中所述多个反射性元件中的每一个的面向径向的表面是弯曲的。
77.根据权利要求75所述的束分裂设备，其中所述多个反射性元件中的每一个的面向径向的表面是平坦的。
78.根据权利要求75到77中的任一个所述的束分裂设备，其中所述多个离散的反射性元件在增加半径的方向上向外成锥度。
79.根据权利要求65到78中的任一个所述的束分裂设备，进一步包括冷却器件和用于将热量从所述反射性元件传递到所述冷却器件的机构，其中所述多个反射性元件相对于所述冷却器件移动。
80.根据权利要求79所述的束分裂设备，其中所述冷却器件接近于所述束分裂设备的主体的表面而设置，通过间隙与其分离开。
81.根据权利要求80所述的束分裂设备，其中所述主体和所述冷却器件的相反表面设置有高发射率材料的涂层以促进所述主体的辐射和所述冷却器件对所述发射的辐射的吸收。
82.根据权利要求80所述的束分裂设备，其中在所述主体与所述冷却器件之间设置的所述间隙填充有通过毛细力保持于适当位置的液态金属层。
83.根据权利要求82所述的束分裂设备，其中所述金属包括易熔合金。
84.一种包括根据权利要求65到83中的任一个所述的束分裂设备的光刻系统。
85.一种包括根据权利要求65到83中的任一个所述的多个束分裂设备的复合束分裂设备。
86.根据权利要求85所述的复合束分裂设备，其中所述多个束分裂设备中的至少两个串行地布置以使得由所述束分裂设备中的第一个产生的所述分支辐射束中的一个由所述束分裂设备中的第二个接收。
87.根据权利要求86所述的复合束分裂设备，进一步包括调整机构，所述调整机构能够操作以控制所述多个束分裂设备中的所述至少两个的所述周期性阵列的移动的相对相位。
88.一种光刻系统，包括：
两个辐射源，每个所述辐射源能够操作以输出辐射束；
多个光刻设备；
两个束传输系统，每一束传输系统被布置成接收辐射束并且将这分布到所述多个光刻设备的不同组；和
至少一个根据权利要求65到83中的任一个所述的束分裂设备，所述至少一个束分裂设备能够在非活动位置与至少一个所部署位置之间移动，在所述非活动位置，其在由所述两个辐射源输出的两个所述辐射束中的所述路径之外，在所部署位置，其设置于来自所述辐射束中的一个的所述辐射束的所述路径中，
其中当所述至少一个束分裂设备设置于其非活动位置时，所述两个束传输系统中的每一个接收来自所述两个辐射源中的不同一个的辐射束，并且当所述至少一个束分裂设备设置于其所部署位置时，其被布置成将由所述辐射源中的一个输出的所述辐射束分裂成两个分支辐射束，并且所述两个束传输系统中的每一个接收所述分支辐射束中的不同一个。
89.一种光刻系统，包括：
第一和第二辐射源，所述第一和第二辐射源中每个能够操作以输出辐射束；
多个光刻设备；
两个束传输系统，每一束传输系统被布置成接收辐射束并且将这分布到所述多个光刻设备的不同组；和
第一和第二束分裂设备，所述第一和第二束分裂设备是根据当直接地或间接地从属于权利要求75时的任一前述权利要求所述的束分裂设备，所述第一和第二束分裂设备被布置成使得：
由所述第一辐射源输出的所述辐射束由所述第一束分裂设备接收，由所述第一辐射源输出的所述辐射束的第一部分入射于所述第一束分裂设备的所述反射性元件上并且被所述第一束分裂设备的所述反射性元件反射以便形成第一分支辐射束，并且由所述第一辐射源输出的所述辐射束的第二部分通过在所述第一束分裂设备的所述反射性元件之间的间隙以便以形成第二分支辐射束；并且
由所述第二辐射源输出的所述辐射束由所述第二束分裂设备接收，由所述第二辐射源输出的所述辐射束的第一部分入射于所述第二束分裂设备的所述反射性元件上并且被所述第二束分裂设备的所述反射性元件反射以便形成第三分支辐射束，并且由所述第二辐射源输出的所述辐射束的第二部分通过在所述第二束分裂设备的所述反射性元件之间的间隙以便形成第四分支辐射束；
其中所述第一和第四分支辐射束通常毗邻且共线并且被朝向所述两个束传输系统中的第一个引导，并且其中所述第二和第三分支辐射束通常毗邻且共线并且被朝向所述两个束传输系统中的第二个引导。
90.根据权利要求88或权利要求89所述的光刻系统，其中由所述两个辐射源中的任一者或两者输出的所述辐射束包括EUV或x射线辐射。
91.一种用于自由电子激光器的波荡器，包括：
至少一个波荡器模块，所述至少一个波荡器模块能够操作以产生周期性磁场并且被布置成以便沿着周期性路径引导电子束以使得所述电子束内的电子与所述波荡器中的辐射互相作用以激励相干辐射的发射而提供辐射束；
转向单元，所述转向单元被布置成更改所述至少一个波荡器模块内所述电子束的轨道；和
控制单元，所述控制单元被布置成控制所述转向单元。
92.根据权利要求91所述的波荡器，其中所述转向单元相对于所述电子束的所述传播方向定位于在所述波荡器内与所述波荡器的入口相比更靠近于所述波荡器的出口的位置处。
93.根据权利要求91所述的波荡器，其中所述转向单元相对于所述电子束的传播方向定位于所述波荡器的最后一个模块与倒数第二个模块之间。
94.根据权利要求91、92或93所述的波荡器，进一步包括用于将指示所述电子束的轨道的信号提供到所述控制单元的传感器布置。
95.根据权利要求91到94中的任一个所述的波荡器，其中所述传感器布置包括多个波荡器模块和定位于所述多个波荡器模块中的第一个之后的第一传感器和定位于所述多个波荡器模块中的第二个之后的第二传感器。
96.根据权利要求95所述的波荡器，其中所述第一传感器定位于倒数第二个模块之后，并且所述第二传感器定位于最后一个模块之后。
97.根据权利要求94、95或96所述的波荡器，其中所述控制单元被布置成确定所述电子束的所述轨道与理想轨道的偏差。
98.根据权利要求97所述的波荡器，其中所述控制单元被布置成控制所述转向单元以减小所述电子束的所述轨道与所述理想轨道之间的差异，或实质上将所述电子束与平行于所述理想轨道的轨道对准。
99.根据任一前述权利要求所述的波荡器，其中所述控制单元被布置成接收预定位置处所述辐射束内的强度分布的指示。
100.根据权利要求99所述的波荡器，其中所述波荡器被布置成确定所述预定位置处所述辐射束内的所述强度分布与所述预定位置处所述辐射束内的理想强度分布之间的差异；
并且
控制所述转向单元以减小在所述预定位置处所述辐射束内的所述强度分布与在所述预定位置处所述辐射束内的理想强度分布之间的差异。
101.根据权利要求91到100中的任一个所述的波荡器，其中所述控制单元被布置成控制所述转向单元以使所述电子束的所述轨道以预定量周期性地变化。
102.根据权利要求101所述的波荡器，其中所述控制单元被布置成控制转向单元以相对于所述波荡器的纵向轴线以多个离散的角度顺序地引导所述电子束。
103.根据权利要求102所述的波荡器，其中所述多个离散的角度被选择以便提供多个在空间上分离的辐射束。
104.根据权利要求101所述的波荡器，其中所述控制单元被布置成控制所述转向单元以相对于所述波荡器的纵向轴线通过预定角范围掠扫所述电子束。
105.根据权利要求102或104所述的波荡器，其中所述控制单元被布置成控制所述转向单元以便提供多个在空间上重叠的辐射束。
106.根据权利要求104或105所述的波荡器，其中所述控制单元被布置成控制所述转向单元以通过所述预定角范围以实质上恒定角速度掠扫所述电子束。
107.根据权利要求101到106中的任一个所述的波荡器，其中所述控制单元被布置成控制所述转向单元以在垂直于所述波荡器的纵向轴线的方向上使所述轨道变化达1000μrad的角度。
108.根据权利要求91到107中的任一个所述的波荡器，包括多个转向单元，所述多个转向单元由所述控制单元控制来更改所述电子束的方向。
109.一种被布置成产生至少一个辐射束的自由电子激光器，包括根据权利要求91到
108中的任一个所述的波荡器。
110.一种光刻系统，包括：
根据权利要求109所述的自由电子激光器，所述自由电子激光器被布置成产生至少一个辐射束；和
至少一个光刻设备，所述至少一个光刻设备中的每一个被布置成接收所述至少一个辐射束中的至少一个。
111.根据权利要求110所述的光刻系统，进一步包括光学装置，所述光学装置被布置成更改从所述自由电子激光器接收的所述至少一个辐射束的所述横截面的大小和/或形状。
112.根据权利要求110或111所述的光刻系统，进一步包括强度分布传感器，所述强度分布传感器被布置成将指示所述至少一个辐射束内的强度分布的信号提供到所述波荡器的所述控制单元。
113.根据权利要求108到112中的任一个所述的光刻系统，其中所述至少一个光刻设备包括一个或多个掩模检查设备。
114.根据权利要求108到113中的任一个所述的光刻系统，其中所述至少一个辐射束包括EUV辐射。
115.一种用于改变波荡器内的电子束的方向的计算机实施的方法，所述波荡器能够操作以产生周期性磁场并且被布置以便沿着周期性路径引导所述电子束以使得所述电子束内的电子与所述波荡器中的辐射互相作用以激励相干辐射的发射而提供辐射束，所述方法包括：
接收指示所述电子束的轨道的信号和/或接收指示预定位置处所述辐射束内的强度分布的信号；
确定所述电子束的所述轨道与理想轨道的偏差和/或确定所述预定位置处所述辐射束内的所述强度分布与所述预定位置处所述辐射束内的理想强度分布之间的差异；和控制所述波荡器内的转向单元以使所述波荡器的模块内的所述电子束转向以便减小所确定的偏差和/或以便减小所确定的差异。
116.一种用于自由电子激光器的波荡器，包括：
第一波荡器区段和第二波荡器区段，所述第一波荡器区段被布置成提供第一辐射束并且第二波荡器区段被布置成提供第二辐射束，每一波荡器区段包括至少一个波荡器模块，所述至少一个波荡器模块被布置成沿着周期性路径引导电子束以使得所述电子束与所述第一和第二区段内的辐射互相作用以便激励相干辐射的发射并且分别提供所述第一和第二辐射束；和
第一转向单元，所述第一转向单元设置于所述第一波荡器区段与所述第二波荡器区段之间并且被布置成更改所述电子束的轨道以使得所述电子束至少部分地与所述第一辐射束分离以使得在所述电子束传播穿过所述第二波荡器区段时所述第一辐射束的至少第一部分从所述电子束解耦。
117.根据权利要求116所述的波荡器，包括多于两个的波荡器区段和多于一个的转向单元，每一转向单元设置于不同对的毗邻波荡器区段之间。
118.根据权利要求116或117所述的波荡器，其中所述第一转向单元相对于所述第一波荡器区段的中心轴线以一角度弯曲所述电子束。
119.根据权利要求118所述的波荡器，其中所述电子束由所述第一转向单元弯曲所经过的所述角超过所述第一辐射束的发散。
120.根据权利要求118或权利要求119所述的波荡器，其中所述电子束通过所述波荡器内的束线管，并且其中所述电子束由所述第一转向单元弯曲所经过的所述角足够小，以使得所述第一和第二辐射束均适配于电子束线内。
121.根据权利要求116到120中的任一个所述的波荡器，其中所述第二波荡器区段被布置成使得仅如果所述电子束具有在可接受的初始轨道的范围内的初始轨道那么所述第二波荡器区段内相干辐射的显著激励的发射将发生，并且所述第一转向单元被布置成使得在初始轨道在可接受的初始轨道的所述范围内的情况下所述电子束进入所述第二波荡器区段。
122.根据权利要求116到121中的任一个所述的波荡器，其中所述第一和/或第二波荡器区段包括螺旋波荡器模块。
123.根据权利要求116到122中的任一个所述的波荡器，其中所述第二波荡器区段的中心轴线与所述第一波荡器区段的中心轴线不对准。
124.根据权利要求123所述的波荡器区段，其中在所述第一波荡器区段的中心轴线和第二波荡器区段的中心轴线之间的角度实质上与所述电子束由所述第一转向单元弯曲所经过的角度匹配。
125.根据权利要求116到124中的任一个所述的波荡器，其中所述第一转向单元被布置成在实质上垂直于所述第一波荡器区段的中心轴线的方向上分离所述电子束与所述第一辐射束。
126.根据权利要求116到125中的任一个所述的波荡器，其中所述第一转向单元被布置成完全地分离所述电子束与所述第一辐射束。
127.根据权利要求116到126中的任一个所述的波荡器，其中所述或每一转向单元包含磁体，所述磁体被布置成降低由于在其移动穿过所述波荡器时在所述电子束内展开的所述能量散布所致的像差。
128.根据权利要求116到127中的任一个所述的波荡器，其中所述波荡器被布置成将所述第一辐射束的第二部分引导到所述第二波荡器区段以在所述第二波荡器区段中提供种子辐射。
129.根据权利要求116到128中的任一个所述的波荡器，其中波荡器被布置成提供所述第一或第二辐射束的一部分作为种子辐射源。
130.根据权利要求116到129中的任一个所述的波荡器，进一步包括处于所述第一与第二波荡器区段之间的相位调整单元，所述相位调整单元被布置成提供种子辐射与所述电子束之间的光学匹配。
131.根据权利要求116到130中的任一个所述的波荡器，其中所述第一和第二波荡器区段是带锥度的，所述第一和第二波荡器区段的锥度可独立控制。
132.根据权利要求116到131中的任一个所述的波荡器，进一步包括在所述第一转向单元之前的束扩展器和在所述第一转向单元之后的束压缩器。
133.根据权利要求116到132中的任一个所述的波荡器，进一步包括处于所述第一波荡器区段与第二波荡器区段之间的一个或多个电子束移位元件，所述一个或多个电子束移位元件能够操作以在实质上垂直于其传播方向的方向上将所述电子束移位。
134.一种包括根据权利要求116到133所述的波荡器的自由电子激光器。
135.一种光刻系统，包括：
根据权利要求134所述的自由电子激光器；和
至少一个光刻设备，所述至少一个光刻设备中的每一个被布置成接收由所述自由电子激光器产生的至少一个辐射束的至少一部分。
136.根据权利要求135所述的光刻系统，进一步包括光学装置，所述光学装置被布置成更改由所述自由电子激光器产生的所述至少一个辐射束的横截面的大小和/或形状。
137.根据权利要求135或权利要求136所述的光刻系统，其中所述至少一个光刻设备包括一个或多个掩模检查设备。
138.根据权利要求135到137中的任一个所述的光刻系统，其中所述至少一个辐射束包括EUV辐射。
139.一种产生辐射的方法，包括：
产生相对论性聚束的电子束；
引导所述电子束穿过包括至少一个波荡器模块的第一波荡器区段，该至少一个波荡器模块被布置成沿着周期性路径引导所述电子束以使得其与所述波荡器模块中的辐射互相作用从而激励相干辐射的发射并且产生第一辐射束；
在其离开所述第一波荡器区段时更改电子束的轨道以使得所述电子束至少部分地与所述第一辐射束分离；和
引导所述电子束穿过包括至少一个波荡器模块的第二波荡器区段，该至少一个波荡器模块被布置成沿着周期性路径引导所述电子束以使得其与所述波荡器模块中的辐射互相作用从而激励相干辐射的发射并且产生第二辐射束，
其中所述电子束与所述第一辐射束之间的至少部分分离使得在其传播穿过所述第二波荡器区段时所述第一辐射束的至少第一部分从所述电子束解耦。
140.一种光学元件，包括：
主体；
反射性表面，所述反射性表面设置于所述主体上以用于接收辐射束以便形成束斑区域和反射的辐射束；和
移动机构，所述移动机构能够操作以移动所述主体使得所述束斑区域遵循周期性路径在所述反射性表面上移动，并且所述反射的辐射束的方向实质上保持不变。
141.根据权利要求140所述的光学元件，其中所述主体是大体圆盘形状的并且所述移动机构能够操作以围绕旋转轴线旋转所述主体。
142.根据权利要求140或权利要求141所述的光学元件，进一步包括用于更改所述反射性表面的曲率的变形机构，其中所述变形机构被布置成更改所述反射性表面的所述曲率以便至少部分地校正由入射于所述反射性表面上的所述辐射束所致的所述反射性表面的曲率。
143.根据权利要求142所述的光学元件，其中所述反射性表面设置于所述主体的面向轴向的表面上。
144.根据权利要求143所述的光学元件，其中所述变形机构能够操作以更改所述反射性表面的径向曲率。
145.根据权利要求143或权利要求144所述的光学元件，其中所述变形机构能够操作以施加大体轴向力到所述主体的径向外部边缘。
146.根据权利要求145所述的光学元件，其中所述变形机构包括远离所述大体圆盘形状的主体延伸的一个或多个构件，所述构件由磁性材料和一个或多个电线圈形成，其中所述大体轴向力通过来自对所述一个或多个构件作用的所述一个或多个电线圈的磁力施加到所述主体的所述径向外部边缘。
147.根据权利要求143或权利要求144所述的光学元件，其中所述变形机构包括远离所述大体圆盘形状的主体轴向地延伸的一个或多个质量体，并且其中所述主体的旋转致使离心力在向外的径向方向上对所述多个质量体产生作用，所述离心力产生对所述主体的径向外部边缘作用的力矩，从而更改所述反射性表面的径向曲率。
148.根据权利要求143到147中的任一个所述的光学元件，其中所述主体的轴向厚度在径向方向上变化。
149.根据权利要求148所述的光学元件，其中所述主体的所述轴向厚度大体与由辐射束施加到所述束斑区域的所述热负荷匹配以使得由所述变形机构施加到接收相对高热负荷的所述反射性表面的径向位置的曲率量大体高于由所述变形机构施加到接收相对低热负荷的所述反射性表面的径向位置的曲率量。
150.根据权利要求142到149中的任一个所述的光学元件，其中所述变形机构包括一个或多个加热元件，所述一个或多个加热元件被布置成施加热负荷到在所述束斑区域附近的、与所述反射性表面相反的所述主体的表面。
151.根据权利要求150所述的光学元件，其中所述热负荷大体与由所述辐射束施加到所述束斑区域的所述热负荷互补。
152.根据权利要求150所述的光学元件，其中所述热负荷大体类似于由所述辐射束施加到所述束斑区域的所述热负荷。
153.根据权利要求140到152中的任一个所述的光学元件，进一步包括在所述光学元件的所述主体中用于冷却流体流的一个或多个通道，其中所述一个或多个通道至少部分地设置于所述反射性表面设置所在的所述主体的一部分中。
154.根据权利要求140到153中的任一个所述的光学元件，其中所述主体成形于所述反射性表面下方以便至少部分地减小由入射于所述反射性表面上的辐射束所致的所述反射性表面的温度的变化。
155.根据当直接地或间接地从属于权利要求141时的权利要求154所述的光学元件，其中所述反射性表面设置于所述主体的面向径向的表面上。
156.一种辐射系统，包括：
辐射源，所述辐射源能够操作以产生辐射束；和
根据任一前述权利要求所述的光学元件，所述光学元件被布置成使得所述辐射束入射于所述反射性表面的束斑区域上。
157.根据权利要求156所述的辐射系统，进一步包括辐射仓，所述辐射源和所述光学元件设置于所述辐射仓中。
158.根据权利要求156或权利要求157所述的辐射系统，其中所述辐射源包括自由电子激光器。
159.一种包括根据权利要求156到158中的任一个所述的辐射源的光刻系统。
160.一种设备，所述设备用于接收来自辐射源的辐射并且将所述辐射传输到所述设备的输出孔以供随后传输到至少一个光刻设备，所述设备包括：
输入孔，所述输入孔用于接收所述辐射；
所述输出孔；
通道，所述通道处于所述输入孔与所述输出孔之间，所述通道包括多个室，其中，所述室中的至少一些中的每一个包含用于连接到至少一个真空泵的相应的抽吸端口，并且，
所述设备进一步包括电子或其它电离粒子或电离辐射的源，用于对在所述输入孔与所述输出孔之间的所述通道中的气体原子或分子进行电离。
161.根据权利要求160所述的设备，进一步包括至少一个电场源和/或磁场源，所述至少一个电场源和/或磁场源用于更改所述电子或其它电离粒子的轨道以增加所述电子和/或其它电离粒子与所述气体原子或分子之间的碰撞的可能性。
162.根据权利要求161所述的设备，其中用于更改所述电子或其它电离粒子的轨道的所述至少一个电场源和/或磁场源被配置成增加所述电子或其它电离粒子的路径长度。
163.根据权利要求161或162所述的设备，其中用于更改所述电子或其它电离粒子的轨道的所述至少一个电场源和/或磁场源被配置成致使所述电子或其它电离粒子中的至少一些至少部分地遵循螺旋轨道。
164.根据权利要求161到163中的任一个所述的设备，其中所述至少一个电场源和/或磁场源被配置成将电子或其它电离粒子集中于所述室中的至少一个的一部分中，其中具有通至所述输入孔的弹道轨道的气体原子或分子能够存在于所述室中的至少一个的该部分中。
165.根据权利要求164所述的设备，其中所述至少一个电场源和/或磁场源包括用于施加电势到所述室中的至少一个室的壁的电路。
166.根据权利要求160到165中的任一个所述的设备，进一步包括用于更改离子化的气体原子或分子的轨道的至少一个电场源和/或磁场源。
167.根据权利要求166所述的设备，其中用于更改离子化的气体原子或分子的轨道的所述电场源和/或磁场源被配置成破坏经受离子化的气体原子或分子的弹道轨道。
168.根据权利要求166或167所述的设备，其中用于更改离子化气体原子或分子的轨道的所述电场源和/或磁场源被配置成致使实质上所有所述离子化的气体原子或分子与所述设备的部件的表面碰撞。
169.根据权利要求168所述的设备，其中用于更改离子化气体原子或分子的轨道的所述电场源和/或磁场源被配置成致使实质上所有所述离子化的气体原子或分子与所述室中的至少一个室的表面或一对所述室之间的孔的表面碰撞。
170.根据从属于根据权利要求2到6中的任一个的权利要求166到169中的任一个所述的设备，其中用于更改离子化的气体原子或分子的轨道的所述至少一个电场源和/或磁场源和用于更改电子的轨道的所述至少一个电场源和/或磁场源包括至少一个公共的电场源或磁场源。
171.根据权利要求160到170中的任一个所述的设备，其中所述电子源包括用于产生电子的阴极布置和用于收集由所述阴极布置产生的电子的阳极，其中所述阴极布置和所述阳极被布置成使得由所述阴极布置产生并且由所述阳极收集的电子通过所述至少一个室的至少一部分。
172.根据权利要求171所述的设备，其中所述阴极布置包括阴极和位于所述阴极与所述阳极之间的又一阳极。
173.根据权利要求171或172所述的设备，其中所述阴极布置被配置成通过热离子发射产生电子。
174.根据权利要求160到173中的任一个所述的设备，其中所述电子源被配置成使得由所述电子源产生的电子在穿过所述至少一个室的其通道的至少部分期间具有在20eV到
300eV范围中的动能、可选地在60eV到100eV范围中的动能、进一步可选地实质上等于80eV的动能。
175.根据从属于权利要求171到173中的任一个的权利要求174所述的设备，其中所述阴极布置和阳极被配置成使得由所述阴极布置产生的所述电子中的至少一些在它们在所述阴极布置与所述阳极之间的实质上整个通道期间具有在20eV到300eV范围中的动能、可选地在60eV到100eV范围中的动能、进一步可选地实质上等于80eV的动能。
176.根据权利要求160到175中的任一个所述的设备，其中所述气体原子或分子包括氢分子、氩分子、氧分子或氮分子中的至少一种。
177.根据权利要求160到176中的任一个所述的设备，被配置成使得在操作中，在真空泵连接到所述抽吸端口并且经由所述抽吸端口抽吸的情况下，满足以下各项中的至少一个：
所述输入孔处的压强维持处于小于或等于10-7Pa、可选地小于或等于10-8Pa；
所述输出孔处的压强维持处于大于或等于10-1Pa、可选地为大约1Pa。
178.根据权利要求160到177中的任一个所述的设备，其中所述辐射具有在4nm到25nm的范围中的波长。
179.根据权利要求160到178中的任一个所述的设备，其中所述辐射源包括自由电子激光器辐射源。
180.一种接收来自辐射源的辐射束并且经由设备将所述辐射束传输到所述设备的输出孔以用于随后传输到至少一个光刻设备的方法，所述设备包括：
在所述设备的输入孔处接收所述辐射束；
抽吸在所述输入孔与所述输出孔之间的所述设备的至少一个室，其中所述至少一个室形成所述输入孔与所述输出孔之间的通道的一部分；和
施加电子或其它电离粒子或电离辐射以将在所述输入孔与所述输出孔之间的所述通道中的气体原子或分子离子化。
181.根据权利要求180所述的方法，进一步包括施加至少一个电场和/或磁场以更改在所述输入孔与所述输出孔之间的所述通道中的离子化的气体原子或分子的轨道。
182.一种光刻系统，包括辐射源、被布置成将图案从图案形成装置投影到衬底上的光刻设备和用于将来自所述辐射源的辐射传输到所述光刻设备的系统，其中用于传输所述辐射的所述系统包括根据权利要求160到179中的任一个所述的设备。
183.一种用于调整光刻过程中所使用的辐射强度的设备，包括第一衰减设备，所述第一衰减设备包括：
第一元件，所述第一元件用于接收第一辐射束并且被布置成朝向第二元件反射呈第二辐射束的形式的所述第一辐射束的一部分，所述第二元件被布置成远离所述第二元件反射呈第三辐射束的形式的所述第二辐射束的一部分；
调整装置，所述调整装置被布置成调整所述第一辐射束和所述第一元件之间的入射角与第二辐射束和所述第二元件之间的入射角中的至少一者以便使所述第三辐射束的强度变化。
184.根据权利要求183所述的设备，其中在所述第一元件处所述第一辐射束的所述入射角与所述第二元件处的所述第二辐射束的所述入射角相同。
185.根据权利要求183或184所述的设备，其中所述调整装置适于调整在近似1度与近似10度之间的所述第一和第二辐射束的所述入射角。
186.根据权利要求183到185中的任一个所述的设备，其中所述第一元件被布置成围绕第一点旋转和/或所述第二元件被布置成围绕第二点旋转；
其中所述调整装置被布置成选择性地旋转所述第一和第二元件中的至少一个以借助于所述第一和第二元件调整所述第一辐射束或第二辐射束的所述入射角。
187.根据权利要求186所述的设备，其中所述第一元件被布置成围绕所述第一点旋转和/或所述第二元件被布置成围绕所述第二点旋转过近似9度的角。
188.根据权利要求183到187中的任一个所述的设备，进一步包括：第三元件，所述第三元件用于接收所述第三辐射束并且用于反射呈第四辐射束的形式的所述第三辐射束的一部分；和
第四元件，所述第四元件用于接收所述第四辐射束并且用于远离所述第四元件反射呈第五辐射束的形式的所述第四辐射束的一部分。
189.根据权利要求188所述的设备，其中所述调整装置适于调整所述第三辐射束和所述第三元件之间的入射角与所述第四辐射束和所述第四元件之间的入射角中的至少一者。
190.根据权利要求189所述的设备，其中所述调整装置适于借助于所述相应第一、第二、第三和第四元件调整处于近似1度与近似5度之间的所述第一、第二、第三和第四辐射束的所述入射角。
191.根据权利要求188到190中的任一个所述的设备，其中所述第一元件被布置成围绕第一点旋转，所述第二元件被布置成围绕第二点旋转，所述第三元件被布置成围绕第三点旋转，并且所述第四元件被布置成围绕第四点旋转；并且
其中所述调整装置被布置成选择性地旋转所述第一、第二、第三和第四元件中的至少一个以借助于所述相应的第一、第二、第三或第四元件调整所述第一、第二、第三或第四辐射束的所述入射角。
192.根据权利要求181所述的设备，其中所述第一、第二、第三和第四元件中的每一个被布置成围绕相应的第一、第二、第三或第四点旋转过近似4度的角度。
193.根据权利要求192所述的设备，进一步包括被布置成控制所述调整装置的控制器。
194.根据权利要求193所述的设备，其中所述控制器被布置成接收来自传感器的辐射强度的指示并且响应于所述指示而控制所述调整装置。
195.根据权利要求183到194中的任一个所述的设备，进一步包括又一衰减设备。
196.根据权利要求195所述的设备，其中所述又一衰减设备包括固定衰减设备。
197.根据权利要求195或196所述的设备，其中所述又一衰减设备包括可调整衰减设备。
198.根据权利要求195到197中的任一个所述的设备，其中所述又一衰减设备包括含有EUV吸收介质的室，所述室布置于辐射束的所述路径中。
199.根据权利要求198所述的设备，其中所述又一衰减设备包括能够操作以监测所述室内的压强的压强传感器。
200.根据权利要求198或199所述的设备，其中所述又一衰减设备包括气体入口和气体出口。
201.根据权利要求200所述的设备，进一步包括第二控制器，其中所述第二控制器与所述压强监测器通信并且被布置成控制所述气体入口和气体出口以将所述室内的压强维持于预定范围内。
202.根据权利要求183到201中的任一个所述的设备，进一步包括相对于所述辐射束中的一个的传播方向以非法向角设置的反射性膜片；
其中所述反射性膜片被布置成传送所述辐射束中的所述一个辐射束的一部分并且反射所述辐射束中的所述一个辐射束的一部分。
203.根据权利要求183到202中的任一个所述的设备，进一步包括定位装置，所述定位装置被布置成在垂直于所述第一辐射束的传播方向的方向上平移所述第一和/或第二元件。
204.一种光刻系统，包括：
辐射源，所述辐射源能够操作以产生主辐射束；
根据权利要求183到203中的任一个所述的衰减设备，所述衰减设备被布置成接收所述主辐射束的至少一部分；和
至少一个光刻设备，所述至少一个光刻设备被布置成从所述衰减设备接收衰减的辐射束。
205.根据权利要求204所述的光刻系统，进一步包括束分裂设备，所述束分裂设备被布置成接收主辐射束并且输出至少一个分支辐射束；
其中所述衰减设备被布置成接收所述至少一个分支辐射束。
206.根据权利要求205所述的光刻系统，其中所述束分裂设备被布置成输出多个分支辐射束；
所述光刻系统包括用于所述多个分支辐射束中的每一个的相应的衰减设备，每一衰减设备被布置成接收所述多个分支辐射束中的相应一个。
207.根据权利要求204到206中的任一个所述的光刻系统，其中所述辐射源包括一个或多个自由电子激光器。
208.根据权利要求204到207中的任一个所述的光刻系统，其中所述至少一个光刻设备包括一个或多个掩模检查设备。
209.根据权利要求204到208中的任一个所述的光刻系统，其中所述主辐射束包括EUV辐射。
210.一种用于光刻系统的辐射源，包括：
自由电子激光器，所述自由电子激光器能够操作以产生辐射束；
光学系统，所述光学系统设置有调整机构和一个或多个可移动光学元件，所述一个或多个可移动光学元件被布置成从所述自由电子激光器接收所述辐射束，增加其横截面面积并且提供输出束；和
传感器设备，所述传感器设备用于确定所述输出束的方向，
其中所述调整机构能够操作以响应于由所述传感器设备确定的所述方向而移动所述一个或多个可移动光学元件以补偿由所述自由电子激光器产生的所述辐射束的所述方向的改变。
211.根据权利要求210所述的辐射源，其中由所述自由电子激光器产生的所述辐射束包括EUV辐射。
212.根据权利要求210或权利要求211所述的辐射源，其中由所述自由电子激光器产生的所述辐射束具有1000μrad或更小的发散度。
213.根据权利要求210到212中的任一个所述的辐射源，其中由所述光学系统输出的所述束具有实质上为零的发散度。
214.根据权利要求210到213中的任一个所述的辐射源，其中所述一个或多个可移动光学元件包括第一光学元件和第二光学元件。
215.根据权利要求214所述的辐射源，其中所述第一光学元件包括凸面反射镜并且所述第二光学元件包括凹面反射镜。
216.根据权利要求214或权利要求215所述的辐射源，其中所述调整机构能够操作以旋转所述第一光学元件。
217.根据权利要求214到216中的任一个所述的辐射源，其中所述调整机构能够操作以旋转所述第二光学元件。
218.根据权利要求216或权利要求217所述的辐射源，其中所述调整机构能够操作以提供围绕两个不同轴线的旋转。
219.根据权利要求214到218所述的辐射源，其中所述调整机构能够操作以线性地移动所述第一光学元件。
220.根据权利要求214到219所述的辐射源，其中所述调整机构能够操作以线性地移动所述第二光学元件。
221.根据权利要求210到220中的任一个所述的辐射源，其中所述一个或多个可移动光学元件包括掠入射反射镜。
222.根据权利要求210到221中的任一个所述的辐射源，其中所述自由电子激光器与所述光学系统的第一光学元件之间的距离大于10米。
223.根据权利要求210到222中的任一个所述的辐射源，其中所述一个或多个可移动光学元件被成形以便更改由所述自由电子激光器产生的所述辐射束的形状和/或强度分布。
224.根据权利要求223所述的辐射源，其中所述一个或多个可移动光学元件是球形、散光或非球形形状的。
225.根据权利要求210到224中的任一个所述的辐射源，进一步包括能够操作以产生第二辐射束的第二自由电子激光器，其中一个或多个可移动光学元件被布置成选择性地从所述自由电子激光器中的一个接收辐射束，增加其横截面面积并且提供输出束，并且所述调整机构能够操作以响应于由所述传感器设备确定的方向而移动所述一个或多个可移动光学元件以补偿由该自由电子激光器产生的所述辐射束的方向上的改变。
226.根据权利要求225所述的辐射源，其中由所述两个不同的自由电子激光器产生的所述辐射束在不同方向上进入所述光学系统，并且由所述光学系统输出的所述辐射束的所述方向独立于其所源自的所述自由电子激光器。
227.一种设备，包括：
光学系统，所述光学系统设置有调整机构和一个或多个可移动光学元件，所述一个或多个可移动光学元件被布置成从自由电子激光器接收所述辐射束，增加其横截面面积并且提供输出束；和
传感器设备，所述传感器设备用于确定所述输出束的方向，
其中所述调整机构能够操作以响应于由所述传感器设备确定的所述方向而移动所述一个或多个可移动光学元件以补偿由所述自由电子激光器产生的所述辐射束的方向的改变。
228.一种光刻系统，包括：
根据权利要求210到226中的任一个所要求的辐射源；和
一个或多个光刻设备。
229.根据权利要求228所述的光刻系统，进一步包括掩模检查设备。
230.一种产生辐射束的方法，包括以下步骤：
借助于自由电子激光器产生初始辐射束；
允许所述辐射束在进入包括一个或多个可移动光学元件的光学系统之前传播过一距离；
使用所述一个或多个可移动光学元件增加所述束的所述横截面面积以产生输出束；
确定离开所述一个或多个可移动光学元件的所述输出束的方向；和
响应于所确定的方向而移动所述一个或多个可移动光学元件以补偿所述初始辐射束的方向的改变。
231.根据权利要求230所述的方法，其中移动所述一个或多个可移动光学元件的所述步骤涉及实质上同时地移动两个光学元件以便确保所述输出束的所述方向实质上稳定。
232.根据权利要求230或权利要求231所述的方法，其中移动所述一个或多个可移动光学元件的所述步骤涉及移动平移和/或旋转两个光学元件以便确保所述输出束的所述方向保持实质上稳定。
233.一种用于光刻系统的辐射源，包括：
两个自由电子激光器，每个所述自由电子激光器能够操作以产生辐射束并且可在接通状态与关断状态之间切换，在所述接通状态中，其产生辐射束，在所述关断状态中，其不产生辐射束；
光学系统，所述光学系统包括多个光学元件，所述光学系统被布置成从所述两个自由电子激光器中的每一个接收辐射束并且将输出辐射束输出，其中
所述光学系统被布置成使得当所述两个自由电子激光器均处于其相应的接通状态中时，所述输出辐射束包括复合辐射束，所述复合辐射束包括来自所述两个自由电子激光器中的每一个的辐射，并且当仅所述自由电子激光器中的一个处于其接通状态时，所述输出辐射束包括来自该自由电子激光器的辐射。
234.根据权利要求233所述的辐射源，其中所述多个光学元件被布置成更改从所述自由电子激光器接收的所述辐射束的所述横截面的大小和/或形状。
235.根据权利要求233所述的辐射源，其中所述多个光学元件包括用于所述两个自由电子激光器中的每一个的发散光学元件，每一发散光学元件被布置成增加从所述自由电子激光器中的相应一个接收的所述辐射束的所述横截面面积。
236.根据权利要求235所述的辐射源，其中所述多个光学元件进一步包括用于所述两个自由电子激光器中的每一个的会聚光学元件，每一会聚光学元件被布置成在该辐射束的所述横截面面积已经增加之后将从所述自由电子激光器中的相应一个接收的所述辐射束的发散度减小到实质上为零。
237.根据权利要求234到236中的任一个所述的辐射源，其中所述多个光学元件包括一个或多个散光或球形元件，所述一个或多个散光或球形元件被布置成更改从所述自由电子激光器接收的所述辐射束的所述横截面形状。
238.根据权利要求237所述的辐射源，其中所述光学元件被成形为使得从所述自由电子激光器接收的所述辐射束被更改以便在形状上更具矩形。
239.根据权利要求234到238中的任一个所述的辐射源，其中所述光学系统能够调整以使得被赋予到所述辐射束中的每一个的所述横截面的大小和/或形状能够变化。
240.根据当从属于权利要求3时的权利要求239所述的辐射源，其中所述发散光学元件中的至少一个的发散度能够变化以使被赋予到所述辐射束中的对应一个的所述横截面的大小和/或形状变化。
241.根据权利要求240所述的辐射源，其中所述发散光学元件中的至少一个包括两个反射性表面，每个反射性表面具有不同的曲率半径并且可围绕轴线旋转以便选择性地将所述两个反射性表面中的每一个放置于从所述自由电子激光器中的相应的一个接收的所述辐射束的路径中。
242.根据权利要求240或权利要求241所述的辐射源，其中对于所述两个自由电子激光器中的每一个，所述多个光学元件包括具有不同曲率半径的多个发散光学元件；
其中每多个发散光学元件内的每一光学元件以可移动的方式安装于所述光学系统内以使得每个光学元件能够选择性地移入从所述自由电子激光器中相应的一个接收的所述辐射束的路径和从所述路径移出。
243.根据权利要求239到242中的任一个所述的辐射源，进一步包括控制器，所述控制器依赖于所述两个自由电子激光器的所述状态而能够操作以调整被赋予到所述辐射束中的每一个的横截面的大小和/或形状。
244.根据权利要求243所述的辐射源，其中所述控制器能够操作以调整所述光学系统以使得：
当两个所述自由电子激光器均处于其相应接通状态时，所述光学系统将来自所述自由电子激光器中的每一个的辐射束更改到第一横截面，并且来自所述两个自由电子激光器的所述辐射束组合以形成具有第二横截面的复合辐射束，并且
当仅所述两个自由电子激光器中的一个处于其接通状态时，所述光学系统将来自该自由电子激光器的所述辐射束更改到第三横截面，
其中，所述第三横截面比所述第一横截面更类似于所述第二横截面。
245.根据权利要求244所述的辐射源，其中所述第三横截面实质上与所述第二横截面相同。
246.根据任一前述权利要求所述的辐射源，其中所述光学系统能够布置以便引导从所述自由电子激光器接收的所述辐射束以使得其毗邻并且实质上相互平行。
247.根据任一前述权利要求所述的辐射源，进一步包括：
传感器设备，所述传感器设备用于确定所述输出辐射束的方向；和
调整机构，所述调整机构能够响应于由所述传感器设备确定的所述方向而操作以移动所述光学系统的光学元件以补偿由所述两个自由电子激光器产生的所述辐射束的方向的改变。
248.根据权利要求247所述的辐射源，其中所述调整机构能够操作以围绕两个不同轴线旋转所述多个光学元件中的一个或多个。
249.根据权利要求247或权利要求248所述的辐射源，其中所述调整机构能够操作以在两个不同方向上线性地移动所述多个光学元件中的一个或多个。
250.根据权利要求233到249中的任一个所述的辐射源，其中由所述两个自由电子激光器产生的所述辐射束包括EUV辐射。
251.一种在根据权利要求233到250中的任一个所述的辐射源中使用的束传输系统，包括：
光学系统，所述光学系统包括多个光学元件，所述光学系统被布置成接收一个或两个辐射束并且将输出辐射束输出，其中
所述光学系统被布置成使得当接收到两个辐射束时，所述输出辐射束包括复合辐射束，所述复合辐射束包括来自所述两个束中的每一个的辐射，并且当接收到仅一个辐射束时，所述输出辐射束包括来自该辐射束的辐射。
252.一种光刻系统，包括：
根据权利要求233到252中的任一个所述的辐射源；
一个或多个光刻设备；和
束分裂设备，能够操作以将由所述辐射源输出的辐射束的一部分引导到所述一个或多个光刻设备中的每一个。
253.根据权利要求252所述的光刻系统，其中所述束分裂设备包括被布置成反射由所述辐射源输出的所述辐射束的不同部分的多个静态反射镜，每一静态反射镜沿着相关联的分支光学路径引导所述主辐射束的所述反射部分，借此形成分支辐射束。
254.根据权利要求253所述的光刻系统，其中每一静态反射镜被布置成部分地跨越所述主辐射束延伸并且被配置成反射所述主辐射束的实心区域。
255.根据权利要求253或权利要求254所述的光刻系统，其中所述静态反射镜实质上相同。
256.一种产生辐射束的方法，包括以下步骤：
提供两个自由电子激光器，每个自由电子激光器能够操作以产生辐射束并且能够在接通状态与关断状态之间切换，在所述接通状态中，其产生辐射束，在所述关断状态中，其不产生辐射束；
使用所述自由电子激光器中的一个或两个来产生辐射；
确定所述两个自由电子激光器中的每一个是否正在产生辐射；和
如果所述两个自由电子激光器均处于其相应的接通状态，那么形成包括来自所述两个自由电子激光器的辐射的复合辐射束并且将其输出；或
如果所述自由电子激光器中仅一个处于其接通状态，那么输出包括来自该自由电子激光器的辐射的辐射束。
257.一种光刻设备，包括：
光学系统，所述光学系统能够操作以接收辐射、在其横截面中将图案赋予所述辐射以形成图案化的辐射束并且将图案化的辐射投影到衬底上；和
多个聚焦元件，
其中所述多个聚焦元件中的每一个被布置成接收不同的辐射束，将其聚焦于多个中间焦点中的不同一个处并且将其引导到所述光学系统的第一光学元件，以使得在所述第一光学元件处来自所述不同辐射束中的每一个的所述辐射至少部分地重叠。
258.根据权利要求257所述的光刻设备，其中所述多个聚焦元件中的每一个被布置成使得所述第一光学元件的实质上整个场由所述不同辐射束中的每一个照射。
259.根据权利要求257或权利要求258所述的光刻设备，其中所述多个聚焦元件的所述多个中间焦点围绕所述第一光学元件的光学轴线分布。
260.根据权利要求257到259中的任一个所述的光刻设备，其中所述多个聚焦元件中的每一个包括沃尔特收集器。
261.根据权利要求257到260中的任一个所述的光刻设备，其中所述第一光学元件包括多琢面反射镜。
262.根据权利要求257到261中的任一个所述的光刻设备，其中所述多个聚焦元件中的每一个被布置成接收大体平行的束并且借助于实质上与所述第一光学元件的数值孔径匹配的数值孔径将其聚焦。
263.一种光刻系统，包括：
多个辐射源，所述多个辐射源中每个能够操作以产生主辐射束；
多个光刻设备；和
束传输系统，所述束传输系统被布置成接收由所述多个辐射源中的每一个产生的所述主辐射束并且将每一主辐射束的一部分引导到所述或每一光刻设备。
264.根据权利要求263所述的光刻系统，其中所述多个光刻设备中的每一个包括根据权利要求1到6中的任一个所述的光刻设备，并且其中被引导到所述多个光刻设备中的每一个的每一主辐射束的所述部分由其多个聚焦元件中的不同的一个接收。
265.根据权利要求263或权利要求264所述的光刻系统，其中所述多个辐射源中的每一个包括自由电子激光器。
266.根据权利要求258到265中的任一个所述的光刻系统，其中所述多个光刻设备中的每一个的数值孔径大于所述多个辐射源中的每一个的数值孔径。
267.根据权利要求263到266中的任一个所述的光刻系统，其中所述束传输系统包括束组合光学装置，所述束组合光学装置被布置成接收来自所述辐射源中的每一个的主辐射束并且输出复合辐射束。
268.根据权利要求267所述的光刻系统，其中所述束传输系统进一步包括束分裂光学装置，所述束分裂光学装置被布置成接收所述复合辐射束并且输出多个分支辐射束，以使得所述多个分支辐射束中的每一个由所述多个光刻设备中的不同的一个接收。
269.根据权利要求263到267中的任一个所述的光刻系统，其中所述束传输系统包括用于所述多个辐射源中的每一个的独立的束分裂光学装置，每一束分裂光学装置被布置成接收单个主辐射束并且输出多个分支辐射束，以使得所述多个分支辐射束中的每一个由所述多个光刻设备中的不同的一个接收。
270.根据权利要求263到269中的任一个所述的光刻系统，其中所述束传输系统包括被布置成增加所述主辐射束的直径的束扩展光学装置。
271.根据权利要求263到270中的任一个所述的光刻系统，其中所述束传输系统包括被布置成更改所述主辐射束的横截面形状和/或强度轮廓的束成形光学装置。
272.根据权利要求263到271中的任一个所述的光刻系统，其中所述主辐射束包括EUV辐射。
273.一种提供辐射到包括光学系统的光刻设备的方法，所述光学系统被配置成接收辐射、在其横截面中将图案赋予所述辐射以形成图案化的辐射束并且将图案化的辐射投影到衬底上，所述方法包括：
产生多个毗邻辐射束；
将所述多个毗邻辐射束中的每一个聚焦于不同的中间焦点处并且将其引导到所述光学系统的第一光学元件，以使得在所述第一光学元件处来自所述多个毗邻辐射束中的每一个的所述辐射至少部分地重叠。
274.根据权利要求273所述的方法，聚焦所述多个毗邻辐射束中的每一个以使得所述第一光学元件的实质上整个场由所述多个毗邻辐射束中的每一个照射。
275.根据权利要求273或权利要求274所述的方法，其中所述多个毗邻辐射束中的每一个由自由电子激光器产生。
276.根据权利要求273到275中的任一个所述的方法，其中所述多个毗邻辐射束中的每一个包括EUV辐射。
277.根据权利要求273到276中的任一个所述的方法，其中聚焦所述多个毗邻辐射束元件中的每一个的步骤使用沃尔特收集器。
278.一种在束传输系统中使用的反射镜，包括：
反射性表面，所述反射性表面被布置成接收辐射束，以在第一方向上反射所述辐射束并且剪切所述辐射束以使得所述反射的辐射束的强度轮廓朝向所述强度轮廓的被剪切的边缘逐渐地减小。
279.根据权利要求278所述的反射镜，其中所述反射镜设置有软剪切装置，所述软剪切装置被布置成吸收在从所述反射性表面的中心部分径向向外延伸的方向上增加的辐射量。
280.根据权利要求279所述的反射镜，其中所述软剪切装置包括具有在从所述反射性表面的所述中心部分径向向外延伸的方向上增加的、垂直于所述反射性表面的深度的辐射吸收材料。
281.根据权利要求279所述的反射镜，其中所述软剪切装置包括覆盖在从所述反射性表面的所述中心部分径向向外延伸的方向上的所述反射性表面的增加的部分的辐射吸收材料。
282.根据权利要求279到281中的任一个所述的反射镜，其中所述辐射吸收材料包括具有针对于EUV辐射的、实质上类似于真空的折射率的折射率的材料。
283.根据权利要求280到282中的任一个所述的反射镜，其中所述辐射吸收材料包括涂层，所述涂层包括铝、金、镍或铼中的至少一种。
284.根据权利要求278所述的反射镜，其中所述反射镜设置有软剪切装置，所述软剪切装置被布置成在不同于所述第一方向的第二方向上反射所述辐射束的一部分。
285.根据权利要求284所述的反射镜，其中在第二方向上被反射的所述辐射束的所述部分在从所述反射性表面的中心部分径向向外延伸的方向上增加。
286.根据权利要求284或285所述的反射镜，其中所述软剪切装置包括在所述反射性表面中的多个反射井。
287.根据权利要求278到286中的任一个所述的反射镜，进一步包括隔离部分，所述隔离部分被布置成将包括所述软剪切装置的所述反射镜的的边缘部分与不包括所述软剪切装置的所述反射镜的内部部分隔离。
288.一种用于包括一个或多个根据权利要求278到287中的任一个所述的反射镜的光刻系统的束传输系统。
289.根据权利要求288所述的束传输系统，包括根据权利要求278到288中的任一个所述的第一反射镜和根据权利要求278到288中的任一个所述的第二反射镜，其中所述第一和第二反射镜配合地被布置成软剪切由所述束传输系统接收的辐射束。
290.根据权利要求289所述的束传输系统，其中软剪切装置沿着所述第一反射镜的反射性表面的第一边缘部分而非沿着所述第一反射镜的所述反射性表面的第二边缘部分设置，并且其中软剪切装置沿着所述第二反射镜的反射性表面的第二边缘部分而非沿着所述第二反射镜的所述反射性表面的第一边缘部分设置。
291.一种光刻系统，包括：
辐射源，所述辐射源能够操作以产生辐射束；
至少一个光刻设备；和
根据权利要求288到290中的任一个所述的束传输系统，所述束传输系统被布置成接收所述辐射束并且将所述辐射束引导到所述至少一个光刻设备。
292.一种光刻系统，包括：
辐射源，所述辐射源包括自由电子激光器，其中所述辐射源被配置成发射具有第一偏振状态的第一辐射束；和
束传输系统，所述束传输系统包括多个反射性元件，所述多个反射性元件被布置成接收来自所述辐射源的所述辐射束并且将所述辐射束中的至少一些引导到光刻工具以便为所述光刻工具提供具有第二偏振状态的第二辐射束，其中所述反射性元件被配置成更改由所述反射性元件引导的辐射的所述偏振以使得所述第二偏振状态的偏振对比度小于所述第一偏振状态的偏振对比度。
293.根据权利要求292所述的光刻系统，其中所述束传输系统被配置成将所述第一辐射束分裂成多个分支辐射束，并且其中所述第二辐射束是所述分支辐射束中的一个。
294.根据权利要求292所述的光刻系统，其中所述束传输系统被配置成改变所述分支辐射束的所述偏振以便输出具有实质上所述第二偏振状态的多个分支辐射束。
295.根据权利要求292到294中的任一个所述的光刻系统，其中所述第二偏振状态是实质上圆偏振状态。
296.根据权利要求292到295中的任一个所述的光刻系统，其中所述辐射源包括多个自由电子激光器和光学系统，所述光学系统被配置成组合从所述自由电子激光器中的每一个输出的辐射以形成所述第一辐射束。
297.根据权利要求292到296中的任一个所述的光刻系统，其中所述束传输系统的所述反射性元件被配置成使得入射于所述反射性元件中的每一个上的辐射包括具有实质上相同幅值的s偏振的分量和p偏振的分量。
298.根据权利要求297所述的光刻系统，其中所述束传输系统的所述反射性元件被配置成导致每一反射性元件处所述s偏振的分量与所述p偏振的分量之间的相位延迟。
299.根据权利要求292到298中的任一个所述的光刻系统，其中所述辐射源被配置成发射在偏振平面中实质上线性地偏振的第一辐射束。
300.根据权利要求299所述的光刻系统，其中所述束传输系统包括多个反射性元件，所述多个反射性元件被定向成使得所述反射性元件中的每一个处的入射平面与所述偏振平面形成近似45°的角度。
301.根据权利要求300所述的光刻系统，其中所述多个反射性元件包括：第一群组的反射性元件和第二群组的反射性元件，所述第一群组的反射性元件被定向成使得所述反射性元件中的每一个处的入射平面与所述偏振平面形成近似+45°的角度；所述第二群组的反射性元件被定向成使得所述反射性元件中的每一个处的入射平面与所述偏振平面形成近似-
45°的角度。
302.根据权利要求301所述的光刻系统，其中由所述第一群组的反射性元件处的反射所致的所述总相位延迟与由所述第二群组的反射性元件处的反射所致的所述总相位延迟之间的差是近似90°。
303.根据权利要求292到298中的任一个所述的光刻系统，其中所述辐射源被配置成发射实质上椭圆地偏振的第一辐射束。
304.根据权利要求303所述的光刻系统，其中所述辐射源的自由电子激光器包括波荡器，所述波荡器包括多个波荡器区段，其中所述波荡器区段中的至少一个是螺旋波荡器区段，并且其中所述波荡器区段中的至少一个是平面型波荡器区段。
305.根据权利要求292到304中的任一个所述的光刻系统，其中所述第二偏振状态的所述偏振对比度小于近似0.1。
306.根据权利要求292到305中的任一个所述的光刻系统，其中所述光刻工具包括光刻设备。
307.根据权利要求292到306中的任一个所述的光刻系统，其中所述第一辐射束是EUV辐射束。
308.一种配置包括自由电子激光器和束传输系统的光刻系统的方法，所述束传输系统包括多个反射性元件，所述方法包括：
确定输出偏振状态，其中所述输出偏振状态是由所述束传输系统输出的辐射束的所期望的偏振状态；
确定从所述自由电子激光器发射并且输入到所述束传输系统的辐射束的输入偏振状态；
确定当应用于所述输入偏振状态时导致所述输出偏振状态的偏振的改变；和配置所述束传输系统的反射性元件以使得所述束传输系统的所述反射性元件处的辐射的反射导致偏振所确定的改变。
309.根据权利要求308所述的方法，其中所述输出偏振状态是实质上圆偏振状态。
310.根据权利要求308或309所述的方法，其中所述输入偏振状态是实质上线性偏振状态。
311.根据权利要求308到310中的任一个所述的方法，其中确定偏振的所述改变包括确定当应用于所述输入偏振状态时导致所述输出偏振状态的相位延迟。
312.根据权利要求308到311中的任一个所述的方法，其中配置所述束传输系统的所述反射性元件包括定向所述反射性元件以使得入射于所述反射性元件中的每一个上的辐射包括具有实质上相同幅值的s偏振的分量和p偏振的分量。
313.根据权利要求308到312中的任一个所述的方法，其中配置所述束传输系统的所述反射性元件包括定向所述束传输系统的所述反射性元件以便致使每一反射性元件处所述s偏振的分量与所述p偏振的分量之间的相位延迟。
314.根据权利要求311到313中的任一个所述的方法，其中由所述反射性元件所致的所述总相位延迟是所确定的相位延迟。
315.一种配置包括自由电子激光器和束传输系统的光刻系统的方法，所述束传输系统包括多个反射性元件，所述方法包括：
确定输出偏振状态，其中所述输出偏振状态是由所述束传输系统输出的辐射束的所期望的偏振状态；
确定由所述束传输系统的所述反射性元件处的辐射的反射所致的偏振的改变；
确定输入偏振状态，当偏振的所确定的改变应用于所述输入偏振状态时，所述输入偏振状态导致所述输出偏振状态；和
配置所述自由电子激光器以使得所述自由电子激光器输出具有所述输入偏振状态的辐射束。
316.根据权利要求315所述的方法，其中所述输出偏振状态是实质上圆偏振状态。
317.根据权利要求315或316所述的方法，其中确定偏振的所述改变包括确定由所述束传输系统的所述反射性元件处的辐射的反射所致的相位延迟。
318.根据权利要求315到317中的任一个所述的方法，其中确定偏振的所述改变包括确定所述束传输系统的琼斯矩阵。
319.根据权利要求318所述的方法，其中确定所述输入偏振状态包括对所述琼斯矩阵求逆。
320.根据权利要求319所述的方法，其中确定所述输入偏振状态进一步包括用所述经过求逆的琼斯矩阵乘以表示所述输出偏振状态的琼斯矢量。
321.根据权利要求315到320中的任一个所述的方法，其中配置所述自由电子激光器包括提供包括多个波荡器区段的波荡器，其中所述波荡器区段中的至少一个是螺旋波荡器区段，并且其中所述波荡器区段中的至少一个是平面型波荡器区段。
322.根据权利要求321所述的方法，其中配置所述自由电子激光器进一步包括相对于所述至少一个平面型波荡器区段的所述长度配置所述至少一个螺旋波荡器区段的所述长度以使得所述自由电子激光器输出具有所述输入偏振状态的辐射束。