专利汇可以提供四氯化硅氢化生产三氯氢硅的方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且一种四氯化 硅 氢化生产三氯氢硅的方法,将粉末镍触媒与硅粉按一定比例均匀混合后,在H2气氛及由20℃至终温420℃连续变化的 温度 条件下活化处理;按一定配比的H2、SiCl4混合气体通过活化处理后的触媒与硅粉料层即实现SiCl4氢化反应。粉末状镍触媒与硅粉的 质量 比为1-10%,H2与SiCl4的摩尔比为1-10,反应温度400-500℃,反应压 力 1.2-1.5Mpa,氢化反应连续进行,混合料随反应消耗连续补充。本方法涉及的设备、系统、操作控制可满足大规模生产要求,SiCl4一次转化率高、能耗低。,下面是四氯化硅氢化生产三氯氢硅的方法专利的具体信息内容。
1、一种四氯化硅氢化生产三氯氢硅的方法,其主要流程如下:
a)将镍触媒与硅粉以质量比1-10%的比例均匀混合后置于活化器 中,活化条件为H2流速≥0.05-0.3m/s,经不同时间阶段由25℃至终温420 ℃的升温条件下完成活化过程;
b)四氯化硅(SiCl4)液相温度在贮罐中保持60-119℃,气相总压 为1.5MPa,出口的H2与SiCl4混合气的摩尔比为1-10;
c)氢化反应器内,H2与SiCl4的混合气通过触媒与硅粉混合料层, 保持温度400-500℃、压力1.2-1.5Mpa;
d)氢化反应器的出口混合气体经收尘器进行除尘、过滤后,在冷凝 器中氯硅烷呈液态被分离出来,不凝的H2气返回贮罐中循环利用;
e)液态氯硅烷经分馏塔分馏后,重组份SiCl4返回贮罐重复利用。
2、如权利要求1所述的四氯化硅氢化生产三氯氢硅的方法,其特征 在于,所述镍触媒为粉末状加氢镍触媒。
3、如权利要求1所述的四氯化硅氢化生产三氯氢硅的方法,其特征 在于,步骤(c)所述氢化反应器内的氢化反应为连续进行,混合料随反 应消耗连续补充。
4、如权利要求1所述的四氯化硅氢化生产三氯氢硅的方法,其特征 在于,步骤(c)所述H2与SiCl4混合气与粉状料层的接触反应时间为10-100 秒。
5、如权利要求1所述的四氯化硅氢化生产三氯氢硅的方法,其特征 在于,步骤(d)中所述冷凝器为二级或三级冷凝器。
6、如权利要求1所述的四氯化硅氢化生产三氯氢硅的方法,其特征 在于,所述氢化反应器为内胆电感发热体的粉料沸腾床结构。
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