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四氯化氢化生产三氯氢硅的方法

阅读:144发布:2023-01-23

专利汇可以提供四氯化氢化生产三氯氢硅的方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且一种四氯化 硅 氢化生产三氯氢硅的方法,将粉末镍触媒与硅粉按一定比例均匀混合后,在H2气氛及由20℃至终温420℃连续变化的 温度 条件下活化处理;按一定配比的H2、SiCl4混合气体通过活化处理后的触媒与硅粉料层即实现SiCl4氢化反应。粉末状镍触媒与硅粉的 质量 比为1-10%,H2与SiCl4的摩尔比为1-10,反应温度400-500℃,反应压 力 1.2-1.5Mpa,氢化反应连续进行,混合料随反应消耗连续补充。本方法涉及的设备、系统、操作控制可满足大规模生产要求,SiCl4一次转化率高、能耗低。,下面是四氯化氢化生产三氯氢硅的方法专利的具体信息内容。

1、一种四氯化氢化生产三氯氢硅的方法,其主要流程如下:
a)将镍触媒与硅粉以质量比1-10%的比例均匀混合后置于活化器 中,活化条件为H2流速≥0.05-0.3m/s,经不同时间阶段由25℃至终温420 ℃的升温条件下完成活化过程;
b)四氯化硅(SiCl4)液相温度在贮罐中保持60-119℃,气相总压 为1.5MPa,出口的H2与SiCl4混合气的摩尔比为1-10;
c)氢化反应器内,H2与SiCl4的混合气通过触媒与硅粉混合料层, 保持温度400-500℃、压1.2-1.5Mpa;
d)氢化反应器的出口混合气体经收尘器进行除尘、过滤后,在冷凝 器中氯硅烷呈液态被分离出来,不凝的H2气返回贮罐中循环利用;
e)液态氯硅烷经分馏塔分馏后,重组份SiCl4返回贮罐重复利用。
2、如权利要求1所述的四氯化硅氢化生产三氯氢硅的方法,其特征 在于,所述镍触媒为粉末状加氢镍触媒。
3、如权利要求1所述的四氯化硅氢化生产三氯氢硅的方法,其特征 在于,步骤(c)所述氢化反应器内的氢化反应为连续进行,混合料随反 应消耗连续补充。
4、如权利要求1所述的四氯化硅氢化生产三氯氢硅的方法,其特征 在于,步骤(c)所述H2与SiCl4混合气与粉状料层的接触反应时间为10-100 秒。
5、如权利要求1所述的四氯化硅氢化生产三氯氢硅的方法,其特征 在于,步骤(d)中所述冷凝器为二级或三级冷凝器。
6、如权利要求1所述的四氯化硅氢化生产三氯氢硅的方法,其特征 在于,所述氢化反应器为内胆电感发热体的粉料沸腾床结构。

说明书全文

技术领域

发明属于四氯化氢化生产三氯氢硅技术。

背景技术

目前,国内外用西子工艺的多晶硅厂均采用硅粉与氯化氢合成制 取SiHCl3。在合成产物中,SiHCl3约占80%,SiCl4约占20%。合成气冷 凝物通过粗馏、精馏后,SiCl4以杂质被分离出去,SiHCl3则用于生产多 晶硅。
在SiHCl3于约1100℃的气氛条件下还原、分解生成高纯多晶硅产品 过程中,每吨产品副产SiCl4近6吨。所以一般采用西门子工艺的多晶硅 厂每吨多晶硅产品其副产SiCl4近10吨,必须进行回收处理,否则根本 无法实施多晶硅产品的规模生产。
国外多晶硅厂用氢化法处理SiCl4的工艺,一般是在以氯化氢、氯化 亚为触媒,或以硅藻土活性炭、Al2O3为载体的粒状镍盐、铜盐触媒 存在的条件下,控制一定的温度、压,使H2与SiCl4混合气体与硅粉 在反应器内以沸腾状态接触进行氢化,部分SiCl4转化成SiHCl3,其产物 中的SiCl4经分离后使其反复循环转化进行回收。其反应式为: 3SiCl4+Si+2H2 4SiHCl3
为了强化反应过程,有的采用一种多层隔板的反应器,每层都分别 放入硅粉和粒状触媒,使H2、SiCl4、HCl的混合气体通过这种多层反应 器以提高SiCl4的转化率。
上述工艺的缺点是:
1、采用HCl或CuCl、镍盐、铜盐等触媒与硅粉配比一般为5%, 一次转化率较低,一般为15-18%,所以原材料消耗较高、生产效率低。
2、HCl、CuCl以及粒状镍盐、铜盐触媒活性小、要求反应转化条件 高,压力为2.1-3.5MPa,温度500℃,所以过程的能耗高,反应器的材 质、结构要求高且复杂。
因此,国外多晶硅厂的副产SiCl4是依靠协作工厂进行处理,或专门 开发新的回收利用技术、开辟新的产品出路。

发明内容

本发明的目的在于提供一种四氯化硅氢化生产三氯氢硅的方法,该 方法一次转化率高、能耗低、系统及设备简单,为综合利用提供更为先 进、合理的新途径。
为实现上述目的,本发明提供的一种四氯化硅氢化生产三氯氢硅的 方法,其主要工艺如下:
a)将镍触媒与硅粉以质量比1-10%的比例均匀混合后置于活化器 中,活化条件为H2流速≥0.05-0.3m/s,经不同时间阶段由25℃至终温420 ℃的升温条件下完成活化过程;
b)四氯化硅(SiCl4)液相温度在贮罐中保持60-119℃,气相总压 为1.5MPa,出口的H2与SiCl4混合气的摩尔比为1-10;
c)氢化反应器内,H2与SiCl4的混合气通过触媒与硅粉混合料层, 保持温度400-500℃、压力1.2-1.5Mpa,接触反应时间为10-100秒;
d)氢化反应器的出口混合气体经收尘器进行除尘、过滤后,在冷凝 器中氯硅烷呈液态被分离出来,不凝的H2气返回贮罐中循环利用;
e)液态氯硅烷经分馏塔分馏后,重组份SiCl4返回贮罐重复利用。
步骤(a)所述镍触媒为粉末状加氢镍触媒。
步骤(c)所述氢化反应器内的氢化反应为连续进行,混合料随反应 消耗连续补充。
步骤(d)所述冷凝器为二级或三级冷凝器。
所述氢化反应器为内胆电感发热体的粉料沸腾床结构。
本发明的优点是:
1、系统简单、易调控。物料全部回收利用,闭路循环,对环境无污染。
2、反应温度、压力低,系统、设备易处理,运行能耗低。
3、一次转化率高、装置小、效率高、单位消耗低。
4、氢化反应器结构简单,制造、使用、操作方便。
附图说明
图1为本发明的流程示意图。

具体实施方式

请参阅图1,本实施例采用粉末状加氢镍触媒与硅粉按比例均匀混 合后置于活化器1中进行活化,完全活化后的混合料即可用于氢化反应 以及过程的连续补充。SiCl4液相温度在贮罐2中保持温度和气相总压; 氢化反应器3内经活化处理后的触媒与硅粉混合料层通过H2与SiCl4混 合气;离开混合料层的混合气体中可获得SiHCl3。氢化反应器3的出口 混合气体经收尘器4进行除尘、过滤后,在冷凝器5中氯硅烷呈液态被 分离出来,不凝的H2气返回贮罐2中循环利用。液态氯硅烷经分馏塔6 进行分馏后,轻组份SiHCl3收入贮料罐7,重组份SiCl4返回贮罐2重复 利用。
实施例、本实施例的具体条件如下:
氢化反应器为内胆电感发热体的粉料沸腾床,其直径DN350mm、 总高3.5m、料层高1.2m。
活化器中进行活化的粉末状加氢镍触媒:硅粉为5%(质量比),活化 条件为H2流速=0.1m/s,经不同时间段由25℃至终温420℃进行活化。
SiCl4液相温度在贮罐2中保持80℃、气相总压为1.5MPa(表)。
H2与SiCl4的混合气通过触媒与硅粉混合料层,接触反应时间为10- 100秒。
冷凝器为二级冷凝器。
贮罐出口的H2与SiCl4混合气的摩尔比、氢化反应器中反应条件以 及SiCl4一次转化率见表1。
                         表1   实施    例             反应条件与一次转化率  H2∶SiCl4    温度    (℃)   压力Mpa     (表)    一次转化率         (%)     1      1∶1     500       1.5         15     2      5∶1     500       1.5         35     3     10∶1     500       1.5         30     4      2∶1     400       1.5       ~19     5      2∶1     450       1.5       ~25     6      2∶1     500       1.5         35     7      2∶1     500       1.35         25     8      2∶1     500       1.2         18
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