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掺镧铌酸铅基电致伸缩陶瓷材料

阅读:695发布:2020-05-17

专利汇可以提供掺镧铌酸铅基电致伸缩陶瓷材料专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 涉及掺镧铌镁酸铅基 电致伸缩 陶瓷材料,属于电致伸缩陶瓷领域。其特征在于镧元素掺杂取代铅,组成通式为:YPb1-xLaxMg1/3Nb2/3O3-(1-Y)PbTiO3X为La的掺杂克分子量,0<X≤0.1,Y为铌镁酸铅镧的克分子量,0.80≤Y<1,本发明提供的二元系电致伸缩陶瓷应变明显增加,而制备工艺与一般 电子 陶瓷工艺相雷同。,下面是掺镧铌酸铅基电致伸缩陶瓷材料专利的具体信息内容。

1、一种以铌镁酸铅为基的电致伸缩的陶瓷材料,其特征在 于镧元素掺杂取代铅,组成为:
    YPb1-xLaxMg1/3Nb2/3O3--(1-Y)PbTiO3
其中X为La的掺杂克分子量0<X≤0.1
    Y为铌镁酸铅镧的克分子量,0.80≤Y<1
2、按权利要求1所述的电致伸缩陶瓷材料,其特征在于所述 的La的掺杂量为0.01克分子,铌镁酸铅镧为0.85克分子组成为:
0.85Pb0.99La0.01Mg1/3Nb2/3O3-0.15PbTiO3
3、按权利要求1所述的电致伸缩陶瓷材料,其特征在于所述 的La的掺杂量0.02克分子;铌镁酸铅镧为0.85克分子,组成为:
0.85Pb0.98La0.02Mg1/3Nb2/3O3-0.15PbTiO3
4、按权利要求1所述的电致伸缩陶瓷材料,其特征在于所述 的La掺杂克分子量分别为0.01,0.015,0.02,0.03,铌镁酸铅镧 的掺杂克分子量为0.82,组成分别为:
0.82Pb0.99La0.01Mg1/3Nb2/3O3-0.18PbTiO3
0.82Pb0.985La0.015Mg1/3Nb2/3O3-0.18PbTiO3
0.82Pb0.98La0.02Mg1/3Nb2/3O3-0.18PbTiO3
0.82Pb0.97La0.03Mg1/3Nb2/3O3-0.18PbTiO3

说明书全文

发明涉及的是铌镁酸铅基电致伸缩陶瓷材料,特别是铌 镁酸铅和酸铅组成的电致伸缩陶瓷材料,属于电致伸缩陶瓷 材料组成。

电致伸缩材料是一类具有扩散相变特征的电材料。所谓 电致伸缩效应是指电场引起的伸缩形变现象,是固体介质在外 电场作用下诱导极化而出现的一种物理现象。

电致伸缩应变S(ΔL/L)与电致伸缩系数M和电场强度E的平 方成正比,即S=ME2。早在本世纪70年代末人们已发现铌镁 酸铅Pb(Mg1/3Nb2/3)O3(简写为PMN)具有典型的铁电一顺电扩 散相变,因而具有明显的电致伸缩现象。但因纯PMN的居里温 度(Tc)较低(-20℃),欲在高温下使用尚需改性,因而出现了 以PMN为基的改性研究,其中0.9Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.1PbTiO3是较早发现具有的电致伸缩效应的陶瓷。在1KV/mm场强时,室 温下应变量可达(0.82-0.87)×10-3,但滞后大作为电控位移驱 动器实用性方面尚存在问题。

本发明的目的在于提供一种新的电致伸缩陶瓷材料,它具 有电致应变大,滞后小,响应快特点。

本发明的目的是通过镧(La)元素掺杂置换铌镁酸铅中的铅, 与钛酸铅组成新的电致伸缩陶瓷材料。La的掺杂不仅可避免对 介电性能不利的焦绿石相的出现,而且使材料显微结构均匀, 从而具有优良的电致伸缩性能。

具体地说,本发明提供的掺镧铌镁酸铅基电致伸缩陶瓷材 料通式为YPb1-xLax(Mg1/3Nb2/3)O3-(1-Y)PbTiO3

式中X为La的掺杂量,0≤X≤0.1

Y为铌镁酸铅镧的克分子量,0.8≤Y<1

铌镁酸铅基陶瓷随钛酸铅加入量的增加,居里温度升高而 La掺杂替代Pb会降低居里温度。适量La元素掺入可阻止晶粒异 常长大,使晶粒大小趋于均匀有利于稳定制备性能一致的电致 伸缩材料。但La掺杂量不应过多,否则导致焦绿石相出现而且 过份抑制晶粒生长,使材料的介电和电致伸缩性能下降。

掺La的PMN-PT材料与目前使用0.9PMN-0.1PT材料相比,电 致伸缩应变明显增加。

本发明提供的掺La的PMN-PT材料按一般电致伸缩陶瓷工艺 制备。

首先合成MgNb2O6,合成温度为1000℃,保温6小时;

(2)将合成的MgNb2O6粉末,与PbO,La2O3,TiO2粉末按 YPb1-xLaxMg1/3Nb2/3O3-(1-Y)PbTiO3比例加球磨混料16小时烘 干过筛并干压成于850℃合成2小时。

(3)合成后的料再次细磨,烘干过筛加入0.5wt%的PVA粘结 剂冷压成园片,在1150-1250℃烧成。

本发明提供的材料与现有未掺La的0.9PMN-0.1PT材料具有 如下优点:

(1)在相同电场(1KV/mm)下应变值明显增加且滞后小;

(2)La的掺杂可使材料的介温曲线,在居里温度附近较为平 坦,从而使材料的温度稳定性提高;

(3)La的掺杂抑制晶粒异常长大,有利于制备性能稳定的电 致伸缩陶瓷材料。

本发明实施例1~8的配方及其性能均列于表1,其制备方 法如上所述的一般工艺制备。

图1为0.82Pb1-xaxMg1/3Nb2/3O3-0.18PbTiO3陶瓷,经1200 ℃烧结的介温曲线,曲线1X=0;曲线2X=0.02;曲线3X=0. 03

横座标为温度(℃),纵座标为介电常数K。由图可看出, 随La的加入量增加,介温谱中的介电蜂随温度变化越平坦,因 此材料的温度稳定性提高。

图2为表1中组成7的电致应变曲线,滞后小,具有良好 的电致伸缩性能。   编号         组    成  中心居里点  介电常数峰值     损耗    应变(1KV/mm)      滞后      X      Y     Tc(℃)     Kmax  tgδ(%)      S×10-3  ΔSm/Sm(%)    1      0    0.85     74.2     24685     9.1       1.0       56    2     0.01    0.85     45.3     16300     12.4       0.94      6.6    3     0.02    0.85      23     1590Q     6.1       0.6      2.9    4      0    0.82     92.7     29000     4.9       1.2       60    5     0.01    0.82     62.5     28480     7.8       1.3       45    6     0.015    0.82     53.7     26400     9.3       1.2      10.2    7     0.02    0.82     44.5     25000     7.0       0.94      4.4    8     0.03    0.82     30.5     18500     4.7       0.55      1.4

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