一种缓解芯片封装应力的结构及其制作方法
专利汇可以提供一种缓解芯片封装应力的结构及其制作方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种缓解芯片封装应 力 的结构及其制作方法。本发明通过在芯片焊垫稀疏或无焊垫的一侧的绝缘层上设置开口并填充金属的方法，减小绝缘层与芯片的 接触 面积，从而降低绝缘层对芯片的作用，缓解封装的 应力 ，增强封装的可靠性。，下面是一种缓解芯片封装应力的结构及其制作方法专利的具体信息内容。
1.一种缓解芯片封装应力的结构的制作方法，该结构包括至少一芯片（104），一绝缘层（200），所述芯片包含正面与背面，所述正面含有钝化层（101）及钝化层内的焊垫（102），所述芯片正面有一层绝缘层（200），绝缘层四周有暴露焊垫的第一开口（202），和暴露钝化层的第二开口（201），所述第二开口（201）相对第一开口（202）设置，以使第一开口（202）与第二开口（201）分布趋于均匀，从所述第一开口（202）内引出有导电线路（4），所述第二开口（201）内填充有金属层（3）；
其特征在于，该制作方法包括如下步骤：
A）提供一晶圆（100），该晶圆含有若干芯片（104）单元，所述芯片（104）正面具有钝化层（101）及若干焊垫（102）；
B）在晶圆（100）正面形成具有暴露焊垫（102）的第一开口（202）和暴露钝化层（101）的第二开口（201）的绝缘层（200）；
C）在绝缘层（200）上形成导电线路（4）及金属层（3）；
D）在所述导电线路（4）及金属层（3）上形成保护层和导电结构（5）；
E）切割形成单颗芯片（104）封装体。
2.根据权利要求1所述的一种缓解芯片封装应力的结构的制作方法，其特征在于，所述第一开口（202）和第二开口（201）的形成方式为光刻、干法刻蚀、湿法刻蚀中的一种或多种结合。
3.根据权利要求1所述一种缓解芯片封装应力的结构的制作方法，其特征在于，所述钝化层（101）包含一层或多层二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、五氧化二钽、氧化铝、二氧化铪绝缘性质的介电材料，钝化层厚度为2μm 3μm；
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所述绝缘层（200）包含一层或多层苯并环丁烯、聚酰亚胺、聚苯并恶唑；
所述金属层（3）为铜、镍、金、铝、镍磷、钯和钛中的一种的单层金属结构或几种的多层金属。
4.一种缓解芯片封装应力的结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
A）提供一晶圆（100），该晶圆（100）含有若干芯片（104）单元，各芯片（104）单元正面含有功能区（103）及焊垫（102），焊垫（102）在芯片（104）正面四周分布不均；
B）在晶圆（100）背面形成钝化层（101）；
C）在晶圆（100）背面形成开孔和/或槽（7）；
D）在所述晶圆（100）背面、所述孔和/槽（7）内壁形成暴露焊垫(102)的绝缘层（200）；
E）在所述绝缘层（200）上形成暴露焊垫的第一开口（202）与暴露钝化层的第二开口（201）；
F）在所述绝缘层（200）上形成导电线路（4）及金属层（3）；
G）在所述导电线路（4）及金属层（3）上形成保护层（6）和导电结构（5）；
H）切割形成单颗芯片（104）封装体；
所述钝化层（101）的形成方式为PECVD；
所述开孔和/或槽（7）的形成方式为切割、刻蚀中的一种或两者结合；
所述第一开口（202）和第二开口（201）的形成方式为光刻、干法刻蚀、湿法刻蚀中的一种或多种结合。
5.一种缓解芯片封装应力的结构，其特征在于，包括至少一芯片（104），一绝缘层（200），所述芯片包含正面与背面，所述正面含有钝化层（101）及钝化层内的焊垫（102），所述芯片正面有一层绝缘层（200），绝缘层四周有暴露焊垫的第一开口（202），和暴露钝化层的第二开口（201），所述第二开口（201）相对第一开口（202）设置，以使第一开口（202）与第二开口（201）分布趋于均匀，从所述第一开口（202）内引出有导电线路（4），所述第二开口（201）内填充有金属层（3）。
一种缓解芯片封装应力的结构及其制作方法
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