专利汇可以提供一种异形尺寸的直拉单晶硅及其生长方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种异形尺寸的直拉单晶 硅 及其生长方法,该直拉 单晶硅 具有至少两个等直径尺寸部,该直拉单晶硅前端设有细颈部,后端设有具有锥度的尾部,等直径尺寸部之间设有直径过渡部。本发明根据单晶硅 电阻 率 分布及单晶尺寸进行搭配生产,采用引晶、放肩、转肩、等径一部过程、直径过渡、等径二部过程、收尾步骤工艺进行生长,得到一根异形尺寸晶棒,尺寸及长度可按照任务单预先估算,本发明将不同直径的单晶硅结合在同一根晶棒上进行生长,可有效提高任务单搭配及电阻率对档性,有效降低生产成本,生产调配灵活度大。,下面是一种异形尺寸的直拉单晶硅及其生长方法专利的具体信息内容。
1.一种异形尺寸的直拉单晶硅,其特征在于:该直拉单晶硅具有至少两个等直径尺寸部,该直拉单晶硅前端设有细颈部,后端设有具有锥度的尾部,等直径尺寸部之间设有直径过渡部。
2.根据权利要求1所述的一种异形尺寸的直拉单晶硅,其特征在于:该直拉单晶硅具有两个等直径尺寸部且分别为等径一部和等径二部,所述等径一部前端设有细颈部,细颈部与等径一部间设有具有锥度的肩部作为过渡,所述等径一部与等径二部间设有具有锥度的直径过渡部,所述等径二部后端设有具有锥度的尾部。
3.根据权利要求2所述的一种异形尺寸的直拉单晶硅,其特征在于:所述等径一部的直径和等径二部的直径相差0.9~1.1英寸,且所述等径一部的直径大于等径二部的直径。
4.根据权利要求3所述的一种异形尺寸的直拉单晶硅,其特征在于:每个等径尺寸部的长度不小于200mm,所述直径过渡部长度为100~200mm。
5.一种权利要求1至4任意一项所述的异形尺寸的直拉单晶硅生长方法,其特征在于包括如下步骤:
(1)根据生产需要计算所需单晶硅尺寸及电阻率的晶锭长度、多晶硅料、掺杂剂,并进行备料准备;
(2)将多晶硅,掺杂剂放入待用石英坩埚中,封闭热场,抽真空,开启保护气体;
(3)确认真空及其他检查项正常后,开启加热电源进行多晶硅熔化;
(4)待多晶硅完全熔化后进行熔体温度稳定;
(5)待熔体温度稳定后开始引晶、放肩;
(6)当单晶肩部生长到等径一部环节所需要直径后进行快速转肩;
(7)稳定单晶直径,进行等径一部环节晶体生长;
(8)待单晶等径一部环节生长到预计长度后进行直径过渡生长;
(9)待单晶直径过渡生长直径达到等径二部环节所需要直径后,稳定晶体生长,开始等径二部环节晶体生长;
(10)待等径二部环节长度达到预计长度,开始进行单晶收尾生长。
6.根据权利要求5所述的一种异形尺寸的直拉单晶硅生长方法,其特征在于:单晶生长过程选用高纯氩气作为保护气体,其流量为20~120slpm;整个晶体生长过程保持晶体转速不变,为10~25rpm。
7.根据权利要求6所述的一种异形尺寸的直拉单晶硅生长方法,其特征在于:步骤(5)引晶环节籽晶下降采用逐步下降法,每30min下降0.9m、放肩旋转提拉速度为25~70mm/h。
8.根据权利要求6所述的一种异形尺寸的直拉单晶硅生长方法,其特征在于:步骤(8)中采用提高单晶提拉速度10~30%;逐步降低石英坩埚旋转速度10~40%,增加熔体温度
0.1~1%的方法减少熔体过冷度,缓慢改变熔体对流,实现单晶直径逐步变小,完成直径过渡。
9.根据权利要求1所述的一种异形尺寸的直拉单晶硅生长方法,其特征在于:步骤(6)涉及的转肩提拉速度为150~180mm/h,步骤(10)中收尾速度为80~300mm/h。
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