专利汇可以提供一种X波段压控振荡器专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且一种X波段压控 振荡器 ,属于 电子 技术领域。本 发明 采用BZN介质 薄膜 压控电容对 电路 进行调谐,调谐带宽大于100MHz,采用半 波长 U型微带线耦合 谐振器 作为VCO的谐振回路,降低压控振荡器的 相位 噪声;调谐和 偏置电路 采用高低阻抗线实现扼流;采用低损耗 氧 化 铝 陶瓷基片和微带线集成工艺,具有体积小、重量轻的特点。,下面是一种X波段压控振荡器专利的具体信息内容。
1.一种X波段压控振荡器,制作于氧化铝陶瓷基片上,包括一个半波长U型微带线耦合谐振器、一个BZN介质薄膜压控电容(Cv)和一个砷化镓场效应晶体管;
半波长U型微带线耦合谐振器由一个半波长U型微带线谐振器和分别与半波长U型微带线谐振器两个侧边平行耦合的微带线构成;
半波长U型微带线耦合谐振器中,与半波长U型微带线谐振器一个侧边平行耦合的第一耦合微带线(20)的一端通过BZN介质薄膜压控电容(Cv)接地;与半波长U型微带线谐振器的另一个侧边平行耦合的第二耦合微带线(8)的一端通过第一微带连接线(9)后再通过匹配电阻(R1)接地,另一端依次通过第二微带连接线(7)、第一隔直电容(C2)和第三微带连接线(6)后接砷化镓场效应晶体管的源极(S);
砷化镓场效应晶体管的栅极(G)通过相位调节微带线(4)接地,砷化镓场效应晶体管的漏极(D)依次通过第一微带高阻线(3)、第四微带连接线(2)、第二隔直电容(C1)后与输出微带线(1)相连;
BZN介质薄膜压控电容(Cv)的压控信号通过第二微带高阻线(22)施加于与半波长U型微带线谐振器一个侧边平行耦合的第一耦合微带线(20)的中间点,第二微带高阻线(22)上具有由第一旁路电容(C5)和第一扇形微带开路枝节(23)构成的低通滤波器;
砷化镓场效应晶体管的漏极(D)偏置电压通过第三微带高阻线(11)施加于第四微带连接线(2)上,第三微带高阻线(11)上具有由第二旁路电容(C3)和第二扇形微带开路枝节(12)构成的低通滤波器;
砷化镓场效应晶体管的源极(S)偏置电压通过第四微带高阻线(14)施加于第三微带连接线(6)上,第四微带高阻线(14)上具有由第三旁路电容(C4)和第三扇形微带开路枝节(15)构成的低通滤波器。
2.根据权利要求1所述的X波段压控振荡器,其特征在于:
所述氧化铝陶瓷基片的介电常数为9.9、厚度为0.635mm、损耗角正切值为0.0002;
所述半波长U型微带线耦合谐振器中半波长U型微带线谐振器的一个侧边的宽度为
0.62mm、长度为1.98mm,另一个侧边的宽度为0.4mm、长度为1.98mm,底边宽度为0.62mm,两个侧边相距1.48mm,与一个侧边平行耦合、耦合间距为0.2mm的第二耦合微带线(8)的宽度为0.62mm、长度为1.98mm,与另一个侧边平行耦合、耦合间距为0.1mm的第一耦合微带线(20)的宽度为0.4mm、长度为1.98mm;
所述砷化镓场效应晶体管的型号为CF001,管芯尺寸为400um×250um;所述输出微带线(1)、第一微带连接线(9)、第二微带连接线(7)、第三微带连接线(6)、第四微带连接线(2)的宽度均为0.62mm;所述第一微带高阻线(3)的宽度为100um、长度为1.6mm;所述相位调节微带线(4)的宽度为100um、长度为1.3mm;所述第二微带高阻线(22)、第三微带高阻线(11)和第四微带高阻线(14)的宽度为0.1mm、长度为1/4波长;所述匹配电阻(R1)的阻值为50欧姆;所述第一旁路电容(C5)、所述第二旁路电容(C3)、所述第三旁路电容(C4)的电容值为20pf;所述第一隔直电容(C2)、所述第二隔直电容(C1)的电容值为20pf;所述BZN介质薄膜压控电容(Cv)的电容值变化范围为0.24~1.2pf;所述第一扇形微带开路枝节(23)、第二扇形微带开路枝节(12)、第三扇形微带开路枝节(15)的扇形角度应尽可能大,线半径为3.4mm。
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