专利汇可以提供卷带下芯片封装结构及其制造方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 揭露一种卷带下芯片封装结构,包括一可挠性 基板 、一芯片、多个连接构件、多个结线 凸 块 以及一点涂胶体。可挠性基板包括多个内接垫与外接垫。芯片粘着至可挠性基板的下表面,且于其有源面上提供多个焊垫,其中每一个焊垫对应这些内接垫中的一个内接垫。每一个连接构件用以电连接芯片的这些焊垫中的一个焊垫与可挠性基板上对应该个焊垫的内接垫。每一结线凸块附着至这些外接垫中的一个外接垫。点涂胶体涂布以密封这些连接构件。藉此,本发明具有防止点涂胶体污染外接垫的功效,以适用于高频 存储器 芯片的低成本封装。,下面是卷带下芯片封装结构及其制造方法专利的具体信息内容。
1、一种卷带下芯片封装结构,包括:
一可挠性基板,该可挠性基板具有一上表面以及一下表面,该可挠性基 板包括多个内接垫与多个外接垫;
一芯片,该芯片粘着至该可挠性基板的下表面,该芯片具有一有源面, 于该有源面上提供多个焊垫,每一个焊垫对应这些内接垫中的一个内接垫;
多个连接构件,每一个连接构件用以电连接该芯片的这些焊垫中的一个 焊垫与该可挠性基板上对应该个焊垫的内接垫;以及
多个结线凸块,每一结线凸块附着至这些外接垫中的一个外接垫。
2、如权利要求1所述的封装结构,其中该可挠性基板并且具有一开孔, 这些内接垫与这些外接垫皆形成于该可挠性基板的该上表面上,并且该芯片 的这些焊垫暴露于该开孔内。
3、如权利要求2所述的封装结构,其中这些连接构件中的每一个连接 构件分别为一焊线。
4、如权利要求3所述的封装结构,其中每一焊线具有一第一端以及一 第二端,并且以其本身的第一端连接至该芯片的这些焊垫中的一个焊垫以及 以其本身的第二端连接至该可挠性基板上对应该个焊垫的内接垫。
5、如权利要求2所述的封装结构,还包括一粘晶胶,该粘晶胶涂布于 该芯片的有源面与该可挠性基板的下表面之间。
6、如权利要求5所述的封装结构,其中该粘晶胶选自由一各向异性导 电胶、一各向异性导电胶膜、一非导电胶以及一非导电胶膜所组成的一群组 中的一材料。
7、如权利要求1所述的封装结构,其中这些外接垫形成于该可挠性基 板的该上表面上,这些内接垫形成于该可挠性基板的该下表面上。
8、如权利要求7所述的封装结构,其中这些连接构件中的每一连接构 件分别为一凸块。
9、如权利要求8所述的封装结构,其中该凸块为一结线凸块。
10、如权利要求7所述的封装结构,其中该可挠性基板还包括一引线层, 该引线层形成于该可挠性基板的该下表面上,并且用以电连接该芯片。
11、如权利要求1所述的封装结构,其中每一个外接垫对应这些内接垫 中的一个内接垫,该可挠性基板包括有多个连接线路,每一连接线路用以电 连接这些内接垫中的一个内接垫与对应该个内接垫的外接垫。
12、如权利要求1所述的封装结构,还包括一锡膏,该锡膏涂布于这些 结线凸块上。
13、如权利要求1所述的封装结构,还包括一点涂胶体,该点涂胶体涂 布以密封这些连接构件。
14、如权利要求13所述的封装结构,还包括一粘晶胶,该粘晶胶涂布于 该芯片的有源面与该可挠性基板的下表面之间。
15、如权利要求14所述的封装结构,其中该粘晶胶在涂布该点涂胶体之 前先行涂布。
16、如权利要求14所述的封装结构,其中该粘晶胶选自由一B阶固化胶 膜、一各向异性导电胶、一各向异性导电胶膜、一非导电胶以及一非导电胶 膜所组成的一群组中的一材料。
17、如权利要求13所述的封装结构,其中该点涂胶体选自由一各向异性 导电胶、一各向异性导电胶膜、一非导电胶以及一非导电胶膜所组成的一群 组中的一材料。
18、如权利要求13所述的封装结构,其中该芯片以一热压共晶工艺粘着 至该可挠性基板的下表面。
19、如权利要求13所述的封装结构,其中该芯片以一超音波工艺粘着至 该可挠性基板的下表面。
20、如权利要求13所述的封装结构,其中该点涂胶体涂布至覆盖这些结 线凸块。
21、一种制造一卷带下芯片封装结构的方法,包括下列步骤:
提供一可挠性基板,该可挠性基板具有一上表面以及一下表面,该可挠 性基板并且包括多个内接垫与多个外接垫;
粘着一芯片至该可挠性基板的下表面上,该芯片具有一有源面,于该有 源面上提供多个焊垫,每一个焊垫对应这些内接垫中的一个内接垫;
将这些焊垫中的每一个焊垫以多个连接构件中的一个连接构件电连接 至对应该个焊垫的内接垫;以及
将多个结线凸块中的每一个结线凸块附着至这些外接垫中的一个外接 垫上。
22、如权利要求21所述的方法,其中该可挠性基板还具有一开孔,这些 内接垫与这些外接垫皆形成于该可挠性基板的该上表面上,并且该芯片的这 些焊垫暴露于该开孔内。
23、如权利要求22所述的方法,其中这些连接构件中的每一个连接构件 分别为一焊线。
24、如权利要求23所述的方法,其中每一焊线具有一第一端以及一第二 端,并且以其本身的第一端连接至该芯片的这些焊垫中的一个焊垫以及以其 本身的第二端连接至该可挠性基板上对应该个焊垫的内接垫。
25、如权利要求22所述的方法,还包括下列步骤:
于该芯片的有源面与该可挠性基板的下表面之间,涂布一粘晶胶。
26、如权利要求25所述的方法,其中该粘晶胶选自由一各向异性导电 胶、一各向异性导电胶膜、一非导电胶以及一非导电胶膜所组成的一群组中 的一材料。
27、如权利要求21所述的方法,其中这些外接垫形成于该可挠性基板的 该上表面上,这些内接垫形成于该可挠性基板的该下表面上。
28、如权利要求27所述的方法,其中这些连接构件中的每一连接构件分 别为一凸块。
29、如权利要求28所述的方法,其中该凸块为一结线凸块。
30、如权利要求27所述的方法,其中该可挠性基板还包括一引线层,该 引线层形成于该可挠性基板的该下表面上,并且用以电连接该芯片。
31、如权利要求21所述的方法,其中每一个外接垫对应这些内接垫中的 一个内接垫,该可挠性基板包括有多个连接线路,每一连接线路用以电连接 这些内接垫中的一个内接垫与对应该个内接垫的外接垫。
32、如权利要求21所述的方法,还包括下列步骤:
涂布一锡膏至这些结线凸块上。
33、如权利要求21所述的方法,还包括下列步骤:
涂布一点涂胶体以密封这些连接构件。
34、如权利要求33所述的方法,还包括下列步骤:
于该芯片的有源面与该可挠性基板的下表面之间,涂布一粘晶胶。
35、如权利要求34所述的方法,其中该粘晶胶在涂布该点涂胶体之前先 行涂布。
36、如权利要求34所述的方法,其中该粘晶胶选自由一B阶固化胶膜、 一各向异性导电胶、一各向异性导电胶膜、一非导电胶以及一非导电胶膜所 组成的一群组中的一材料。
37、如权利要求33所述的方法,其中该点涂胶体选自由一各向异性导电 胶、一各向异性导电胶膜、一非导电胶以及一非导电胶膜所组成的一群组中 的一材料。
38、如权利要求33所述的方法,其中该芯片以一热压共晶工艺粘着至该 可挠性基板的下表面。
39、如权利要求33所述的方法,其中该芯片以一超音波工艺粘着至该可 挠性基板的下表面。
40、如权利要求33所述的方法,其中该点涂胶体涂布至覆盖这些结线凸 块。
本发明涉及一种卷带下芯片(Chip-under-tape,CUT)封装结构及其制造方 法,特别是涉及一种可有效降低高频存储器芯片的封装成本的卷带下芯片封 装结构及其制造方法。
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