1、技术领域

本发明是关于为形成三维(3D)物体作数据操作和造型控制的 技术，较具体说是关于热立体平版印刷(TSL，Thermal Stereolithography)系统、熔凝沉积成型(FDM，Fused Deposition Modeling)系统、或其他局部沉积成型(SDM，Selective Deposition Modeling)系统中采用的数据操作和构成控制的方法和设备。

2、背景技术

近年来已可采用各种不同措施来实现自动或半自动三维物体产 生、即快速仿型和加工(Rapid Prototyping & Manufacturing， RP&M)，其特点在于每一个均以描述由多个形成和粘附的薄层以层 叠状态形成的物体的3D计算机数据着手进行3D对象的建立。这些薄 层有时被称之为物体的断面、结构的层、物体层、物体的层或者简单 地称做层(如果上下文清楚表明适当形状的凝固结构是表明如此的 话)。每一薄层表示此三维物体一个断面。通常薄层被形成和粘结到 一叠先前形成和粘结的薄层。在某些RP&M工艺中，已提出的技术不同 于严格的一层一层的建立过程而是一初始的薄层的仅一部分形成并 在此初始层的其余部分之前至少一相继薄层至少部分地被形成。

按照一个这样的措施，三维物体的建成是应用未凝结的、可流动 材料的相继续的层加到工作表面，然后以所希望的模式将这些层局部 地经受协合激励，以使得这些层局部地凝固成粘结到早先形成的物体 薄层的物体薄层。在这一措施中材料被加在工作表面上的将不会成为 物体薄层部分的区间和将成为物体薄层的部分的区间双方。这种措施 的代表是立体平版印刷术(SL)，如U．S．专利No．4575330(Hull) 中所述。按照立体平版印刷的一个实施例，此协合激励是来自UV激 光器的射线，而材料是光聚合物。这一措施的另一例是局部激光烧结 (SLS)，如U．S．专利No．4，863，538(Deckard)中所述，其 中协合激励为来自CO2激光器的IR射线而材料为可烧结的粉末。第三 示例是三维印刷(3DP)和直接壳体形成铸塑(DSPC)，如U．S．专 利No．5，340，656和5，204，055(Sachs等)中所说明的， 其中协合激励是化学粘合剂，材料是由局部施加化学粘合剂粘合到一 起的颗粒组成的粉末。

按照第二个这样的措施，物体的形成是通过相继地切蚀物体的具 有所希望形状的断面并作出大小的尺材来形成物体薄层。通常在实践 中，纸板在它们被切割之前加以堆叠和粘结到先前切割的纸板，但也 可能在堆叠和粘结之前加以切割。这一措施的代表是分层物体加工 (LOM)，如U．S．专利No．4，752，352(Feygin)中所述，其 中材料为纸，将纸板切刻成所希望形状和大小的手段是CO2激光器。 U．S．专利No．5，015，312(Kinzie)也是针对LOM。

按照第三个这样的措施，物体薄层的形成是将未凝固的、可流动 的材料以所希望布局有选择地附着在工作表面上将成为物体薄层的 部分的区域。在有选择的附着期间或其后将此作局部附着的材料固化 以形成粘结到前面形成和叠置的物体薄层上的后续物体薄层。然后重 复这些步骤一层一层地逐次建成物体。这种物体形成技术在种属上称 之为局部沉积成型(SDM)。这种措施与第一措施之间的主要区别在 于材料仅被有选择地附着在那些将成为物体薄层部分的区域。这一措 施的代表是熔凝沉积成型(FDM)如U．S．专利No．5，121，329和 5，340，433(Crump)中所述，其中材料以可流动状态分散于温 度低于此材料的可流动温度的环境中，而后再使之冷却后硬化。U．S． 专利No．5，260，009(Penn)介绍了此工艺的第二例。第三个例 子是喷射颗粒加工(BPM，Ballistic Particle Manufacturing)， U．S．专利No．4，665，492、5，134，569、和5，216，616 (Masters)中说明的，其中颗粒被定向到特定地点来形成物体的断 面。第四例是U．S．专利No．5，141，680(Almquist等)中描述 的热立体平版印刷术(TSL)。

在应用SDM(以及其他RD&M构成技术)时，用于生成实用 的物体的各种不同方法和设备的适合程度取决于很多因素。由于这些 因素一般不能同时均都理想，所以选择适当的加工技术及与之相关的 方法和设备要牵涉到取决于特定需要和环境的折衷。一些应考虑的因 素包括：1)设备成本，2)运行成本，3)生产速度，4)物体的 精确度，5)物体表面光洁度，6)形成物体的材料性质，7)物体 的预期应用，8)为获得不同的材料性质作二次处理的可能性，9) 应用的简易性和操作员制约，10)所需的或所希望的运行环境，1 1)安全性，和12)后期处理时间和力量。

在这方面为更有效地构成三维物体早就出现有必要能同时尽可 能多地优化这些参数。作为第一个例子，当采用如上述的局部沉积成 型技术(SDM)(例如热平版印刷术)来构成物体时，需要增加物 体生产速度和减低装备时间及文件准备时间而同时能维持或降低设 备成本。这方面的一个关键问题是要求有生成和处理构成数据的高效 技术。另一个关键问题是关于生成适于支撑成型期间的物体的支撑数 据的需要。另外的问题还涉及到控制软件是否存在，它们实时处理大 量数据，能补偿喷注的熄火或故障，能调整数据使之能按所需顺序访 问，以及能有效地提供对几何形状敏感的构成式样和沉积技术。需要 数据生成技术的SDM中用的适当的构成式样和支撑结构在 U．S．专利申请NO．08／534813中有介绍。

因而，存在着长期感到但却未能满足的对能获得数据并控制SD M以克服先有技术中的缺点的方法和设备的需要。

本说明这一节所引用的所有专利均在此结合作详细描述中的参 数。

这里附列的附录A说明优选的SDM系统中所用的构成和支持式 样。这一附录是同时提交的U．S．专利申请No．08／__的复制件，对应 于3D系统大纲No．USA142。

以下申请在此结合用作如详细描述那样作为参考： 申请日期 申请号                   题目 状态 95．9．27  08／534813 为形成三维物体和支撑的局部沉积成型方法和设备 未决 95．9．27  08／534447 局部沉积成型系统中作数据操作和系统控制的方法 和设备 未决 95．9．27  08／535772 局部沉积成型材料和方法 未决 95．9．27  08／534477 局部沉积成型方法和系统 未决

按照热立体平版印刷术和某些热凝沉积成型技术，三维物体由被 热至可流动向后用撒布器分撒的材料逐层地建成。此材料可作为半连 续的材料流由撒布器分撒或者也可以作为单个的液滴加以分撒。在材 料被作为半连续流体分撒的情况中可以理解能容许较不严格的工作 表面标准。U．S．专利No．5，141，680中介绍了早先的热立体平版 印刷的实施方案，这里用作为参考。热立体平版印刷术因其能够采用 不起反应的、无毒的材料特别适用于办公室的环境中。而且，利用这 些材料形成物体的处理无需涉及应用射线(如UV射线，IR射线，可 见光和／或激光射线)将材料加热到易燃温度(如某些LOM技术中的 沿截面燃烧材料)、活性化学制品(如单聚物，光聚合物)或有毒化 学制品(如溶剂)、复杂的割蚀机械等等可能产生噪音或在误操作时 造成严重危害的因素。而能代之以仅将材料加热到可流动的温度再局 部地分撒材料和使之冷却来形成物体。

U．S．专利申请No．08／534，813主要目标在于能根据TSL原理被 应于一优选的局部沉积成型(SDM)系统的构成和支撑方式和结构。 也叙述了为用于其他SDM系统的以及为用于其他RP§M系统的作替 换的构成和支撑方式。

U．S．专利申请No．08／535，772针对后述优选的SDM／TSL系统所 应用的优选材料。还讨论了一些替代材料和方法。

U．S．专利申请No．08／534，447是本申请的母申请，针对用于将 3D物体的数据变换成根据TSL(热立体平版印刷术)原理的优选局 部沉积成型(SDM)系统中所应用的支撑和物体数据中采用的数据变 换技术。这一被加以引用的申请还针对用于控制后述的优选的 SDM／TSL系统的各种数据处理、数据控制、和系统控制技术。还介绍 了供SDM系统中应用以及供其他RP§M系统中应用的替换数据操作 技术和控制技术。

本申请的受让人，3D系统公司，也是RP§M领域特别是该领域 的立体平版印刷术部分中一系统其他U．S．专利申请和U．S．专利的所 有人。下列共有的申请和U．S．专利在这里作详细说明中被引用作为 参考。     申请号                      主题 状态或专利号 08／148，544 说明热立体平版印刷术的基本组成 5501824 08／484，582 指明立体平版印刷术的基本组成 未决(4，575，330 的DIV) 08／475715 说明SL中应用的各种记录技术，包括能由许多注流孔 作局部沉积的材料撒布器 未决(5，358，673 的DIV) 08／479，875 说明各种LOM型构成技术 未决(5，192，559 的DIV) 08／486，098 说明翘曲变形以及各种减少这种变形的技术 未决(5，104，592 的DIV) 08／475，730 说明为取得断面数据的3D数据分启技术，利用逻辑层 比较来定义向下、向上和连续区间。还介绍了有关一 初始CAD设计进行校正宽补偿和产生各种物体构型的 技术。 未决(5．192469的 DIV) 08／480670 说明一早先的SL分片技术，包括向量补偿和校正宽度 补偿 未决(5，184，307 的DIV) 08／428，950 说明SL中应用的各种构成技术，包含为形成半固态和 固态物体涉及的交替排序、向量交错和向量偏移的各 种构成样式 未决(WO95／29053 的母申请) 08／428，951 指明用于SL的多层同时校正技术，包含作Z方向的垂 直比较区间和由于过矫正的纠错。在另外的水平比较 中讨论了包含利用浸蚀程序确定水平分离区间的技术 未决(WO95／29053 的母申请) 08／405，812 说明利用振动能的SL重涂覆技术 未决 08／402，553 说明利用刮尺和液平面控制技术的SL重涂覆技术 未决(5，174，931 的DIV) 08／382，268 说明数种SL重涂覆技术，包含为形成下一层未凝结材 料利用喷墨来局部地撒布材料所涉及的技术。 未决(PCT申请 No．US96／01451的 母申请) 07／182，801 说明SL用的支撑结构 4，999，143 07／183，015 说明为降低SL物体中的应力在物体内配置空洞 5，015，424 07／365，444 说明集中的SL构成、净化和后期校正技术 5，143，663 07／824，819 说明大型SL设备的各种特点 5，182，715 07／605，979 说明为增强SL物体表面光洁度的技术，包括采用与较 厚结构层组合的薄膜充层和曲面形平面 5，209，878 07／929，463 说明粉末涂覆技术以增强表面光洁度 5，234，636 07／939，549 依靠平衡应力和收缩区降低SL中的翘曲变形的构成 技术 5，238，639

发明概述

本发明实现多种能单独或组合地解决有关由局部沉积成型来形 成3D物体中所用的数据产品、数据管理和系统控制相关的许多问题 的技术(方法和设备)。尽管主要是针对SDM技术。后面讨论的技术 也可以多种不同方式应用上述的其他的RP§M技术以便由先进的数 据管理和生成技术来增强系统的处理能力。而且这里说明的技术还能 被应用于采用一种或多种构成和／或支撑材料的SDM系统，其中局部 地撒布一或多种材料，其中其他的材料可被不作选择地撒布，其中对 全部的或部分的材料可以采用或可不采用提高的温度来协助它们作 局部的沉积。

本技术可被应用到SDM系统，在此，构成材料(例如涂料或墨水) 由对之增加溶剂(如水、酒精、丙酮、涂料稀释剂、或其他适宜于具 体材料的溶剂)而使得为进行撒布成为可流动的，这些材料在撒布后 可由去除溶剂(例如，将被撒布材料加热、将材料撒布进部分被抽空 (即真空)的构成室内、或者简单地以足够时间将溶剂蒸发)。替换 地和／或附加地，构成材料(如涂料)在性质上可以是能变的，在此， 材料上的切力的增加可被用来协助其撒布，或者此能变性可简单地被 用于协助材料在被撒布后保持其形状。替换地和／或附加地，材料在 性质上可以是反应性的(例如，光聚合物、热聚合物、一或二部分环 氧材料、诸如前述材料之一与蜡式或热塑性材料相组合的组合材料) 或者至少在与其他材料(如熟石膏和水)组合时可凝固的，其中，在 撒布后材料由恰当地应用规定的激励(例如，热，EM射线(可见光， IR，UV，X射线等)、反应化学制品、二部分环氧的第二部分、一 组合的第二或多个部分)作出反应，在此，构成材料和／或材料组合 成为凝固的。当然，热立体平版印刷材料和撒布技术可单独地或与上 述替代物利用组合。而且，可以采用各种不同撒布技术，例如由单个 或多个喷墨装置(包括热熔喷墨、泡沫喷射等，以及连续或半连续流 的单个或多个孔挤压喷嘴或喷头)来作撒布。

本发明的第一目的是提供为将三维物体数据变换成断面数据的 方法和设备。

本发明的第二目的是提供包含将三维物体数据变换成断面数据 的方法和设备的生成物体的方法和设备。

本发明的第三目的是提供由三维物体数据取得支撑数据的方法 和设备。

本发明的第四目的是提供包含为获得支撑数据的方法和设备的 并在物体形成期间利用此支撑数据的生成物体的方法和设备。

所期望的是上述目的可分别由本发明的不同方面来实现，而本发 明的附加目的将涉及上述独立目的的各种不同的组合以使得能由组 合技术取得协合的收益。

本发明的其他目由此说明书将会十分明晤。

附图的粗略说明

图1为一优选热立体平版印刷系统的图形：

图2a、2b以二不同角度表明图1的打印头的孔板；

图3为图1的平面化器的较详细图示；

图4说明孔板上相邻喷嘴与相邻光栅行间的相对间距；

图5说明定义系统的数据分辨率的象素栅格；

图6a～6d说明数种罩印方案；

图7说明本发明第一实施例；

图8a、8b说明一个STL文件与分片平面的相交；

图9说明布尔提取运算的效果；

图10说明本发明的第二实施例；

图11a说明三角形在Z方向的排序；

图11b、11c说明有效三角形的选择；

图12a～12c说明表示断面数据的替换形式；

图13a～13c说明变迁数据置入与不同扫描行相关的表；

图14、15更详细地说明布尔提取运算；

图16、17说明布尔加、减、和交叉运算；

图18～21说明为利用中间层生成支撑的二阶段处理；

图22说明为生成支撑的三阶段处理；

图23～26说明将起动／停止数据存入邻接字的方法；

图27a～27b、28a～28b、29a～29b和30a～30b说明对表 示起动／停止变迁的表数据分配存储器的方法；

图31说明以相同数量变迁表示相继扫描行的性质；

图32说明由起动／停止数据的象素化所引起的量化误差；

图33说明RLE数据到变换数据的变换；

图34a～34c说明用于构成支撑中的数据；

图35a说明关于本发明优选实施例中作成的部分斜坡的假设；

图36a～36c说明用于本发明实施中的环形缓存器；

图37说明一混合式支撑结构；

图38a～38b说明二采样Style型式；

图39a、39b和39c说明有时发生的部分／支撑交会；

图40a～40c表示如何应用样式文件的示例；

图41a～41f表示另外的样式型式；

图42a～42f表示偏置；

图43说明规定的编码行序列；

图44说明通过仅一个喷射计数器可能发生的分辨率问题；

图45a～45b说明通过应用二计数器增加扫描方向上的分辨率的 算法；

图46a表明沿假想水平和基于形成不同支撑结构的区间含有间 隙的物体的侧视图；

图46b表明间隙由各种型式支撑结构填充时的图46a的物体的侧 视图；和

图47说明RLE文件的概念格式。

如前面讨论的，本申请是针对为实现适用于局部沉积成型 (SDM)系统的支撑技术和构成技术的数据操作技术和系统控制技 术。特别是优选的SDM系统为一热立体平版印刷(TSL)系统。本发 明优选实施方案的详细说明将以适当地描述实施细节的优选TSL系 统的说明开始。对优选构成和支撑技术，优选材料的成份和特性、优 选系统和各种替代方案的更详细说明见前面结合引用的US专利申请 No．08／534，447、08／535，772和08／534，477。在多个前面结 合引用的申请和专利中还讨论了那些认为特别直接有关于或适用 SDM、TSL或FDM的替换系统。这样，后面的数据操作技术和系统控 制技术就会看作是能适用于各种的SDM、TSL和FDM系统而不是仅限 于与这里所述的示例相结合。

图1中说明SDM／TSL的优选设备。此设备具有一其上设置撒布头 9(例为多孔喷墨喷射头)和平面化器11的撒布平台18。此撒布平 台通过部件13可滑动地耦合到X构架12。X构架12可控制地在X 方向、也称之为主扫描方向前后移动撒布平台18。X构架的运动是 在一控制计算机或微处理机(未图示)的控制之下。而且，在平台18 的一侧和／或在平面化器11与撒布头9之间安装有作垂直鼓风用的风 扇(未图示)以有助于撒布材料和衬基冷却而能保持所希望的构成温 度。当然其他的风扇和／或其他冷却系统的安装方案也是可用的，包 括采用喷雾装置直接将可汽化的液体(如水、酒精、或溶剂)喷到物 体的表面上。冷却系统可以涉及用于散热的有源或无源技术，并可以 是与温度传感装置相结合的能由计算机控制的将撒布材料维持在所 希望的构成温度范围内。

撒布头(即打印头)9为被组构成用于喷射热熔墨水(如热塑料 或蜡状材料)的市售打印头，并被修改用于其中打印头经受往复运行 和加速度的三维成型系统。此打印头变型包括组构一机载蓄积机构以 使得加速度能对此蓄积机构中材料位移最小。在一优选实施例中，此 头为包含有蓄积修改的市售96喷嘴打印头Model No．HDS96i，由 Spectra Corp，Nashua，HEWampshire)提供。打印头9以可流动状 态由一Material Packaging Handling Subsystem(材料封装和控制 子系统，图中未示)提供材料。此材料封装和控制子系统在前面引用 的US专利申请No．08／534，477中有说明。在一优选实施例中，此 头上的全部96个喷嘴被计算机控制得在当各孔(即喷嘴)被恰当地 定位时通过孔板10选择地喷射液滴将液滴撒布到所希望地点。实践 中，最好对各喷嘴每秒发送约12000到16000个命令，根据喷嘴位置 和作材料沉积所希望位置选择命令各喷嘴喷射(撒布液滴)或不喷射 (不撒布液滴)。实践中喷射命令也最好同时发送到所有喷嘴。这样， 在一优选实施例中，头被计算机控制选择启动喷嘴以便能同时通过孔 板10中的一个或多个孔射出熔融材料的液滴。当然将会理解，在替 代实施方案中可以采用不同数量的喷嘴，可以有不同的喷嘴频率，和 在合适环境下也可以不同时启动喷射。

孔板10在撒布平台18上安装使得材料液滴能由撒布平台的下方 喷射。图2a和2b中说明孔板10。在一优选实施例中，如图2a中所 示，孔板(即孔的行)被安装成近似垂直于主扫插方向(如X方向) 并被组构成带有N=96个可作个别控制的孔(标以10(1)、10 (2)、………10(96)。每一撒布器(即喷嘴)均设置有一压电 元件，在当一电启动脉冲被加到此元件时即促使一压力波通过材料传 播。此压力波使得由孔发射一滴材料液。此96个撒布器由控制计算 机控制，后者控制被加到各个别撒布器的启动脉冲的速率和定时并由 此控制由孔发射的液滴的速率和定时。参看图2a，一优选实施例中 的孔间的间距“d”约为8／300英寸(约26．67mils或0．677mm)。 这样，在96个孔时孔板的有效长“D”即约为(N×8／300英寸) =(96×8／300英寸=2．56英寸(65．02mm)。一优选实施例利 用光栅的扫描来定位打印头和孔以将材料撒布在所希望的滴液地 点。各层的打印处理由一系列打印头与所希望的滴点间的相对运动来 完成。打印一般在打印头作主扫描方向的相对运动时发生。随后是当 无撒布发生时在副扫描方向上的典型的相对较小的增量的运动。随后 跟着在副扫描方向上的反转扫描再次进行撒布。重复这种主扫描和副 扫描的交替过程直至完成薄层的沉积。替代实施例可在进行主扫描同 时作很小的副扫描运动。因为沿主和副方向的净扫描速度上通常有很 大差异，所以这样的替代方案仍然是使得在接近垂直的主扫描行上沉 积(即主扫描和副扫描方向基本保持垂直)。另外的替代实施方案可 采用向量扫描技术或向量扫描与光栅扫描的组合。另外的替代实施例 可采用不垂直的主和副扫描方向同时利用使得液滴作适当位移的算 法。

在替代实施例中，打印头可被安装得对主扫描方向呈非垂直角 度。这种情况如图4b中所示，这里打印头被以角度“α”安装在主 扫描方向。在此替代方案情况中孔间的分开距离被由d减小到d’= (d×sinα)而新打印头的有效长降低到D’=(D×sinα)。 当间距d’等于副扫描方向(垂直于主扫描方向的方向)上的所希望 的打印分辨率时，此角度α被认为是“主导角(Saber angle)”。

如果间距d(如在采用一优选实施例时)或d’(如在某些优选 替代实施例时)不是所希望的副打印分辩率(即打印头不处在主导角 度)，就必须选择所希望分辨率以使得d或d’为所希望分辨率的整 数倍。同样，当以α≠90°打印时，在主扫描方向上以及副扫描方 向相邻喷嘴间均存在间距。此间距由d”=d×cosα确定。主扫描 方向的这一间距d”则在所希望的主打印分辨率被选择为d’的整数 倍(假定喷射地点被分配在一矩形栅格中)时还要求具有优化的打印 效率。这可以换句话来说成是，角度α被选择得能使d’和／或d” (最好是双方)在以适当的整数M和P相除时能产生所希望的主和副 扫描分辨率。采用优选的打印头定向(α=90°)的优点是能在主 扫描方向可具有任何所希望的分辨率而同时仍然维持最佳效率。

在另外的替代实施例中可利用多个打印头，它们端对端地布置 (在副扫描方向伸展)和／或背靠背地堆叠(主扫描方向叠置)。当 背靠背叠置时打印头可使孔在主扫描方向对准以使它们在同一行上 打印，或者使它们相互偏移以便沿不同的主扫描行撒布材料。特别是 可希望使背靠背打印头在副扫描方向相互偏移所希望的光行行间 距，以使必须进行的主扫描通过次数成为最少。在其他的替代实施例 中，确定沉积地点的数据可不由确定一矩形网格的象素定位，而由按 某一其他模式布置的象素定位(例如偏移或错列的)。更具体说，沉 积位置可完全或部分地作层到层的改变以便能根据欲加喷射的区域 的特点进行部分象素滴液位置的偏移一整个层或一层的部分。

当前优选的打印技术是在主扫描方向每英寸300、600、和1200 滴液和在副扫描方向每英寸300滴液的沉积。

参看图1和3，平面化器11是一带作成纹理的(例如隆起的) 表面的被加热的旋转滚柱18a。其功用是熔化、运送和去除前面撒布 层的材料以便使之平滑，将最后形成的层设置到所希望的厚度，和将 最后形成层的净上表面设置到所希望的水平(即为形成物体的下一薄 层的所希望的工作表面、即工作水平)。数码19指明刚由打印头沉 积的一层材料。旋转滚柱18a被安装到撒布平台使之能由平台的下方 在Z方向突出足够的量以能接触到孔板下面所希望水平处的材料 19。在一优选实施例中，这一个量被设定在0．5～1．0mm的范围内。 滚柱18a的旋转从在图中以数21指明的刚沉积的层扫清材料，余留 下它的尾流平滑的表面20。材料21粘结到此滚柱的隆起表面，直到 它接触到清扫器22才被去除。如所示，清扫器22被设置来由滚柱表 面有效地“刮除”材料21。这一材料，因为它仍然是可流动的，则 被US专利申请No．08／534477中所说的材料封装和处理子系统所取 得，由此或者被去除或者被作再循环。

参看图1，还设置有部分构成平台15。在此平台15上构成图中 以参数14指明的三维物体或部分。这一平台15作可滑动地耦合到Y 构架16a和16b，后者在计算机的控制下可控制平台15在Y方向(即 转位方向或副扫描方向)往复运动。此平台还耦合到在计算机控制下 可控制平台在Z方向作上下运动(在构成处理期间通常是逐步地向 下)的Z构架17。

为构成一部分的断面，Z构架被导引将部分构成平台15作相对 于打印头9的运动，以便将部分14的最后构成的(即被撒布的和可 能经过平整的)断面置于打印头的孔板10之下适当的量。然后打印 头与Y构架被促使在XY构成区域上面扫过一或多次(打印头在X方 向来回扫动，而Y构架在Y方向平移此部分地形成的物体)。物体的 最后形成的层与任一与其相关连的支撑确定为沉积下一薄层及与之 相关的任一支撑的工作表面。当XY方向平移时打印头的喷嘴以与前 面撒布的层作登记的姿态喷射按所希望的模式和序列来沉积材料以 构成物体的下一薄层。在撒布处理期间，被撒布的材料的一部分被平 面化器以上面讨论的状态去除。重复X、Y和Z运动、撒布、和平面 化处理，来由多个作选择撒布和粘结得的层建立物体。在一替换实施 例中，平面化步骤可独立于撒布步骤进行。在另外的实施例中，平面 化器不对所有的层使用而可能仅用于被选择的或间隔的层。

如前指出的，在一优选实施例中指示打印头遵循一光栅模式。图 4中表明其一例。如图示，光栅模式由一系列在X方向即主扫描方向 运行的光栅行R(1)、R(2)……R(N)组成并沿Y方向(即 转位方向或副扫描方向)排列。光栅行相互隔开距离d，在一优选实 施例中，为1／300英寸(约3．3mils，或约83．8μm)。由于打印 头的孔相隔距离d，如所讨论的约为26．67mils(0．6774μm)， 且由于光栅行所希望数量在转移方向可扩展大于孔板长度的距离，约 2．56英寸(65．02mm)，因此打印头必须经过多次通过来扫过工作 表面以便能扫描所有所希望的光栅行。

这由下面的二步骤处理来完成。第一步在打印头工作表面上通过 8次，每次在主扫描方向通过一次Y构架即转移量d。在第二步，Y 构架转移等于孔板长的距离(2．5600+dr(0．0267英寸)=2．5867 英寸(65．70mm)。然后重复此二步处理直到所有所希望的光栅行均 被扫描为止。换句话说，一优选的二步骤处理是以副扫描方向上等于 所希望光栅行分辨率的移动量相间主扫描方向通过的第一步直至由 二相邻喷嘴撒布的初始行间的所有光栅行被扫描为止。然后，第二步 是作很大的转位方向增量。此大的转位方向增量等于打印头第一和最 后孔间的间距加一个光栅行间距。第一和第二步骤被加以重复直到转 位方向增量和被扫描的行足以在为形成物体断面所需的所有光栅行 上沉积材料(包括为形成后续断面任何所需的支撑)。

例如，在第一次通过中，打印头被指示扫描光栅行R(1)(通 过图4中的孔10(1))、R(9)(通过孔10(2))、R(17) (通过孔10(3))等。然后指示Y构架在转位方向上移动构成平 台距离dr(一光栅行)。在下一通过中，打印头可被指示扫描R(2) (通过10(1))、R(10)(通过10(2))、R(17)(通 过10(3))等。这样以Y构架在每次通过后转移距离dr再进行6 次通过，直至完成总共8次扫描。

此时，如有更多的光栅行要加以扫描，则将指示Y构架移动构成 平台等于孔板的全长+dr，2．5867英寸(65．70mm)的量。然后重 复上述的此二步骤处理直至所有光栅行均被扫描完。在替代实施例 中，可作另外的Y增量，包括沿Y轴作负、正的运动增量。这可以用 于扫描最初被跳越的光栅行。这将在与被称之为“交错”的技术相关 连地作进一步说明。

喷墨孔的喷射由被保持在控制计算机或其他存储器装置中的矩 形位图控制。此位图由一存储器单元网格组成，其中每一存储器单元 对应用于工作表面一象素，其中网格的行在主扫描方向(X方向)沿 伸而网格的列在副扫描方向(Y方向)沿伸。行(在Y方向上的间距) 的宽(即其间的距离)可能与列(X方向上的间距)的宽(或长度即 其间的距离)不同，要求在X和Y方向存在不同的数据分辨率。在替 代实施例中，一层内或层之间可能有不均匀的象素大小，其中象素宽 和长之一或双方随象素位置变化。在另一些替代方案，也可能有其他 象素配置形式。例如相邻行上的象素可在主扫描方向上偏移主扫描方 向的象素间的间距的一部分，以使得它们的中心点不与相邻行中象素 的中心点对准。这一部分值可以是1／2以使得它们的中心点能与相邻 行的象素边缘对准。它可以是1／3或某种其他值以使二个或更多中间 行象素被布置在象素在主扫描方向被作重新排列的行之间。在再一些 替代方案中，象素排列可取决于被撒布中的物体或支撑结构的几何形 状。例如在形成预定要桥接支撑柱之间的间隙的支撑形式的一部分 时，可能希望位移象素排列。这些以及其他的象素排列方案的实现可 以借助修改象素组构或者定义更高分辨率的象素配置(在X和／或Y 上)和采用不对每一象素地点喷射而是对可按照所希望的随机的、预 定的或基于物体的模式改变的有选择的间隔的象素地点喷射的象素 喷射模式。

以按主方向象素(Main Directien Pixels，MDP)来定义主扫 描方向中的数据分辨率。MDP可由象素长或由每单位长的象素数来 描述。在一优选实施例中，MDP=300象素／英寸。同样可以副方向 象素(SDP)定义副扫描方向中的数据分辨率，而SDP以象素宽或以 单位长象素的数量来描述。在一优选实施例中，SDP=MDP=300象 素／英寸(26．67mils／象素，或677．4μm／象素)，SDP以等于或不等 于光栅行间的间距，MDP可以等于或不等于沿各扫描行的相继滴液 地点之间的间距。相继光栅行间的间隙可被定义为副滴液地点 (Secondary Drop location，SDL)，而沿各光栅行的相继的滴液 地点之间的间距可被定义为主滴液地点(Main Drop locations，MDL)。类似于SDP和MDP，SDL和MDL可以每单元长的 滴液或滴液间距定义。

如果SDP=SDL，在副扫描方向上数据和滴液地点之间即具有一 对一的对应关系，象素间距等于光栅行的间距。如果MDP=MDL则在 主扫描方向上数据与滴液地点之间具有一对一的对应关系。

如果SDL和／或MDL各自大于SDP和MDP，则需要喷射比数据存 在要多的滴液，从而各象素将需要被用于促成多于一个要被撒布的液 滴。这些额外液滴的撒布可采用二方法之一，或者在相继象素的中心 之间的点撒布液滴(即中间液滴“ID”)，或者直接在象素中心的 顶部撒布(即直接滴液“DD”)。在这二种情况下，这种技术被叫 做“罩印”，并导致较快的材料建立和缓解涉及最大扫描速度和加速 率的机械设计的制约，因为在较缓慢移动打印头和／或物体的同时仍 能取得同样的Z建立。图6a至6d表明ID罩印与非罩印，即DD罩印 之间的差异。图6a表明在打印头作方向64移动时被沉积中的单个滴 液60和围绕它的一相关凝固区62。另一方面，图6b表明被处理中 的同一区域，但采用ID罩印技术，此时在打印头作方向64移动时与 单个的数据点相关联地沉积二滴液60和66。被此二滴液填满的沉积 区被表示为区68。图6C表示对一4滴液ID罩印方案的类似情形， 其中滴液由数字60、70、66和72指明，沉积区由76表示，而扫 描方向仍以64表明。图6d表明对一行象素78、80、82、84、86 和88的类似情形，其中数90表明无罩印的沉积区的长度，数92表 明在采用一4滴液ID罩印技术时的沉积区长度。以上可总括地说， ID罩印对其被应用的区域增加由约1／2到刚刚不到1个的附加象素 长。当然，被利用的罩印滴液越多，象素区的垂直生长将越多。

如果SDL和／或MDL各自小于SDP和／或MDP，滴液将在小于数据 存在的地点喷射，至少在该打印头的一给定通过期间。这种数据情况 可被用来实现上面讨论的偏移象素和／或非均匀大小的象素技术。

图5表明一N行×M列的网格。如图示，网格中的行被标以R (1)、R(2)……R(N)，而网格中的列则标以C(1)、C (2)、……C(M)。还表明构成网格的象素。这些被标为P(1、 1)、P(1、2)……P(M、N)。

为构成一断面，首先以表示所希望的断面(以及任何所希望构成 的支撑)的数据装载位图。假定，如优选实施例中那样，采用单一的 构成和支撑材料，如果希望在一给定象素地点沉积材料，则对应于该 地点的存储器单元就被加以合适的标记(例如装载以二进制“1”) 而如果不想沉积材料则利用相反的标记(例如二进制“0”)。如果 用多种材料，对应于沉积场所的单元则被加以适当的标记来指明不仅 滴液地点场所还指明欲加沉积的材料型式。为便于作数据处理，可将 定义物体或支撑区的压缩数据(例如沿各扫描行的通-断地点)与要 被用于特定区域的填充模式表述作逻辑处理来推演得用于喷射撒布 喷嘴的最终位图表示。构成网格的光栅行以早先说明的方式被分派到 各个别孔。然后，一特定孔依据其在位图中的对应单元所加标记的情 况被指示对一象素进行喷射或者不喷射。

如上面讨论的，打印头能以许多不同分辨率沉积液滴。在本发明 的优选实施例中SDP=SDL=300象素和滴液／英寸。但MDP在此优 选实施例中可取三个值：1)MDL=300滴液／英寸和MDP=300象 素／英寸；2)MDL=600滴液／英寸和MDP=300象素／英寸，或3) MDL=1200滴液／英寸和MDP=300象素／英寸。当MDL对MDP的比 大于1时，每象素的额外滴液被作成在象素中心之间的中间地点(ID 罩印)发生。以当前的优选打印头和材料，每滴液体积约为100微微 升。生成约具有2mil(50．8μm)直径的滴液。以当前优选的打印头， 最大喷射频率为约20kHz。相比较地，在13ips的喷射速率1200dpi 其频率为16kHz，这在允许极限之内。

图7中说明为产生适用于局部沉积成型系统(例如热立体平版印 刷系统)中的局部构成的数据，包括生成代表支撑的数据的第一优选 实施例。如图示，此方法以利用布尔层分片(Boolean Layer Slice) 处理(以模块31表示)将STL文件30变换成SLI文件32开始。此 布尔层分片处理以及STL和SLI格式在上面引用的US专利及申请(如 US专利申请NO．08／475，730(以后作’730)中有说明。

然后将．SLI文件输入到以．SLI格式产生支撑数据的模块33。以 数34标名的表征支撑的．SLI数据在模块33中与标以数32的表征物 体的．SLI数据会聚。结果得表征物体和支撑边缘的．PFF文件36。

·PFF文件在模块37中按照样式文件38所确定的样式利用前 述’730申请中描述的断面策划技术加以“作示断面线”。断面线与 物体和支撑边缘的交点用来准备．RLE文件39。

与此实施例相关的问题是速度。如图8a、8b中所示，此过程涉 及使．STL文件46与分片平面(如图8a中由数47所标明的)相交来 产生对各断面的段表，如图46中以数48标明的。然后将段排序，去 除内部段，将适当的端点连接到一起以形成多边形49。

此处理很费时，因为为作段排序必须进行的比较的数量和对多边 形作布尔运算所需的时间。例如对N个段的表，排序步骤需要N2次比 较。而且对一包括N段的多边形作布尔运算的处理也需要N2次运算。 由于这二个原因，形成构成数据的处理可能及其长，通常数个小时。 但此种措施的一个优点是因为边缘段被排序成复式表，所以能以类似 于’730中申请提出的补偿例程的方式来对这些边缘进行滴宽补 偿。

为克服这些问题的第二个优选实施例如图10中所示。如图 示，．STL文件40首先通过模块41被压缩成．CTL文件42。将．STL 文件压缩成．CTL文件的处理在前述US专利申请No．08／428，951中 已介绍。其次，根据在模块44中作为输入提供的样式信息43，按类 似于’730中申请说明的方式将．CTL文件分片，不同的是仅将划断 面线即表层式数据输出到RLE(亦即经编码的游程)文件。

首先，如图11a中所述，构成．STL文件的三角形被在Z方向作 由上向下的分类。特别是，如标号50指出的，三角形被按对各三角 形的最大Z值的下降次序分类。如图示，三角形的顺序是A、B、C、 D。

所要求的由上向下的分类是与由下向上的如图11a中号51指明 的分类不同的，其中三角形按三角形的最大Z值的上升次序分类。如 所示所得的顺序为B、C、A、D。

对各分片级，通过利用当前级指示器和一转位指针来确定一有效 三角形表。转位指针经过一给定级的三角形表，而任何完全高于当前 级的三角形即不加考虑。如果三角形被当前级指示器捕获，就被加入 该表。继续此处理直到转位指针指到一完全低于当前级的三角形。在 这时，该级的有效三角形表完成。然后级指示器被改变到指示下一较 低的级继续处理。

图11b说明当前级指示器在级52a时的处理。转位指针53由左 向右前进，而此与当前级相交的二个三角形(被图中标示以号54a) 被加入到有效三角形表。然后继续此过程直至转位指针指到三角形 55a。由于该三角形完全在当前级之下，在转位指针53指向三角形 55a时处理停止。

图11c说明级指示器前进到级52b时的处理。转位指针被复位到 零，而后由左向右前进。此级以上的各三角形加以忽略，而被此级相 交的各三角形被加到有效三角形表。图中，这些三角形以标号54b指 明。当转位指针指到三角形55b时处理完成，因为它是碰到的完全位 于此级以下的第一个三角形。

对每一分片级的有效三角形与该级相关形成一组X-Y平面中的 段。由三角形界定实体并被定向于面向此实体区外(如在此结合作为 参考的US专利No．5，059，359、5，137，662、5，321， 662和5，345，391中说明的)结果得的段也具有定向。由这些段， 不必它们排序成边界环路，就可利用与’730申请中描述的相同的作 断线算法得到表征物体断面的．REL数据。

图12a说明一断面的多角形表述(段被排序以形成边界环)，而 图12b说明同一断面的．RLE(编码的游程)表示。为生成数据，多 角形表述被覆盖以多个光栅、即象素扫描行，然后在光栅即象素行相 交多角形表述的点上产生启动／停止对表、每一相交点与一通／断指示 器相关连。对一给定光栅行，相交点的通／断指示在通断之间交替以 指明此扫描行是进入还是退出一实体。图12b中，例如相继扫描行的 “on”部分被标以数56(1)、56(2)、56(3)……和56 (11)。

此．RLE格式与图12c中表示的象素格式不同，其中，实体内的 各点以分开的数据表示。与这种形式的数据表述有关的问题是大小。 例如，在300DpI(每英寸滴液)，10英寸的断面需要9×106位的 信息。

为物体断面生成．RLE数据的处理在图13a～13c中说明。图13a 中所示，对每一断面，例如图中被标以号57的断面，产生一标以数 58的表阵列，其中，阵列中的每个表对应于一在X方向伸展到一给 定Y级的扫描行。然后，再考虑断面中的各段，注明各段与扫描行之 间的相交，并将代表这些相交的数据加到阵列中各自的表。例如图 13b表明通过考虑一个段而对表的增加，图中以数59标明。

为每一“Y”地点加到表的特定数据项包含两部分信息：定量容 积(QV)值和相交的X-地点。段在Y方向增长的相交点具有QV为 2。段在Y方向减少的相交点具有QV为-2。如果段在一扫描行处 起始或结束，相交看作为“半命中”，即相关的QV取决于段在Y方 向为增加还是减少或者为1或者为-1。例如图13b，段1在Y方向 增长。因而与这一段与相继扫描行相交相关的QV值分别为1、2、 2、2和2(假定此扫描行未连到段1的端点)。而段1与相继扫描 行间相交的X地点分别为126、124、122、120和118。如图示， 被加到此阵列的数即接合这些值。

图13c说明由考虑段2所作的对阵列的增加。此段在Y方向增 长，且在二相继扫描行开始和结束。第一扫描行相交点的X地点为 144，而第二扫描行为126。结合这些值对此阵列的二相加由数60 (1)和60(2)标明。

通过对图14的考虑可理解半命中的目的。如图示每一扫描行均 与通过与段的相交点相关联的QV值，每次在扫描行穿过该段时被更 新的运行中的QV总和相关连。如果扫描行在实体内部，运行QV值为 2，而如它在实体之外，QV值为0。这样，当扫描行在实体之外并 穿过边界时，必然的蕴涵就是扫描行现在在实体之内。运行QV总和 就应当以2的值来更新以指明它现在是在实体内，相反，如果扫描行 在实体之内，并穿过边界，则必然的蕴涵是该扫描行现在在实体之外 或者已经进入与第一物体重叠的第二实体物体中。而后应将-2和2 的值加到运行总和以指明此变迁。

如果扫描行穿过一顶点，如在图14中的点A所指出的，在进入 实体时扫描行实际定义两段。因而每段仅对运行QV总和增加一个1 的值。这就是与这些顶点相关的QV值保持为1或-1的原因。

应指示，也有可能扫描行穿过一顶点而不改变运行中QV值的状 态。如图14的点B所表明的，形成顶点的段分别在相交点具有QV值 -1和1。结果与此扫描行相关的运行QV总和不变。关于定量容积 (QV)的另外的信息可见前面引用的’730US专利申请。

在对所有段的扫描行相交点已被加到表后，即将各扫描行的表按 上升的X顺序存储。然后应用布尔提取例程来提取各扫描行的正确的 经布尔运算后的段。

优选的提取例程是维持一运行QV数，其中，表中各相继数据点 的QV值被加到运行总和。在运行QV总和为0(即由0变迁到2)时 的任何具有2的QV的数据点，即“起点”，和在运行总和为2(即 由2表迁到0)时的任何具有-2的QV的数据点，即“停止”点， 均被保存。此处理在图15中说明，其中，以号码61～67标明其相 继的步骤。图中标以数68的当前项指针被用来指定原始表中的相继 项。图中标以数70的“kept”表还被用来保存满足上述条件的起始 和停止点。如图示，通过此处理，仅保存有第一起始点，即 (start20)，和最后的停止点，即(stop89)。结果得到表述一 物体的断面行的．RLE数据。将此技术应用到所有断面的所有行就得 到对物体的．RLE表述。

应当理解的是，为了形成物体断面的多角形表述无需将由三角形 与分片平面相交所形成的段分类成多重表(如’622专利中所说明 的)。如所讨论的，将段分类成多重表是一很费时的操作。而且还应 理解，所形成的．RLE数据是在甚至当．STL文件未被恰当地结合或分 离(即此．STL文件含有重叠的物体部件)时逐次结合的。

．RLE胜过多角形表述的好处是布尔运算简单和迅速得多。已经 讨论过布尔提取算法。其他几个还有布尔加、减和相交运算。

为最有效地进行这些运算，以绝对条件表示．RLE数较之以相对 条件表示有利。例如，在X位置100开始并继续停留30个象素的行 应以一对起动／停止点来表示，其中，在位置100开始和在位置130 停止。这样，参看图16，对于图中标以数71的行A的．RLE数据和 图中标以数72的．RLE数据将被表示如下：A=[(start20)、 (stop48)、(start60)、(stop89)]，B=[(start3)，(stop78)]。

计算此二行的布尔加是合并此二组数据，同时保持在X方向分类 的合并表。结果是(start20)，(start37)，(stop48)，(stop60)， (stop78)，(stop89)]。此后合并表经受前面讨论的布尔提取算法，其 中，例如，起动地点被指配为2的QV值和停止地点被指配为-2的 QV值，而仅那些导致QV由0变迁到2(start)或由2变迁到0 (stop)的点被保持。结果是图16中标以数73的表示布尔加A+B 的数据对[(start20)，(stop80)]。

计算此二行的布尔减与上面讨论的有关布尔加运算为同样步 骤，不同的是在二个表被并前被减除的表的QV值的符号被反相使得 起动变迁成为停止变迁，和相反。A～B的运算结果在图16中标以 数74。

计算二行的布尔相交为与加法运算同样的步骤，不同的是提取例 程以-2的初始QV值开始执行。A与B的相交在图16中标以数75。

二维布尔运算也易于进行。对二维区域，每一个均由多个最好以 绝对条件表达的．RLE行表述。布尔运算由对各区域中各相继对的对 应行进行相继的布尔行运算来进行。图17说明此过程。被标以数76 的一组行代表区A，而标以数77的一组行代表区B。此二区域的布 尔加A+B被标以数78，而此二区的布尔减A-B被标以79。

另一方面，采用与多角形数据相关的．RLE数据的缺点是所需存 储器的量。为以高分辨的．RLE形式存储每一层，对一典型部分可能 容易超过100MB的存储容量。这对主存是太大了，而即使需要存储这 样大的文件在磁盘上也是成问题的。此问题被由后向上前进的部分构 成的顺序和后述的由上向下进行的构成支撑结构的顺序之间分歧复 杂化。

如后面讨论的，为构成支撑需要一输出文件，其中，对各断面， 一个．RLE说明被用于该断面，以及在当前断面之上的每一断面的布 尔和。基本上，此技术是计算断面的．RLE说明和对该断面的“当前 总和”的．RLE表述之间的布尔减，亦即当前层之上的所有层的布尔 和。图18中表示这一基本技术的伪码，其中：get-part(级)指 提供规定级的断面的．RLE表述的功能；boolean-subtract (current-total=areaA，Part-for-Layer=areaB)指提供由区B作布 尔减区A的结果的功能；和boolean-add(areaA，areaB)指提供区A 与区B间的布尔加的功能。

现在说明为进行使得能构成支撑而无需部分的整体性和使得当 前的总和数据能同时被存储进存储器的存储器管理算法。此优选算法 分两阶段进行。

在第一阶段，由部分的顶部起始逐次考虑该部分的层，同时维持 部分的层的布尔和的运行总和。在碰到一层后，由计算由前两层的运 行总和的区域与当前层的区域之间的布尔加来计算层的当前总和(即 被更新的运行总和)。但是不存储对所有层的当前总和数据，而是仅 存储对中间的当前的总和数据，即每N层一层，这里N可以是100。 舍弃其余的当前总和数据。

图19中说明针对部分80和图中标以数81的相关支撑的这种第 一阶段。对各个别层的当前总和的自上向下的生成被标以数82，这 些中间的被标以数83。图20说明用于此第一阶段的伪码，其中： get-part功能是先前有关图18中说明过的，而boolean-addition 功能是前面讨论布尔运算中说明过的。

第二阶段是选择一中间层和以前面说明的方式对该中间层与下 一中间层之间的所有层进行当前总和的由上向下的计算。由对每一层 的部分和当前总和数据组成的数据则由下向上输出。在完成此时，即 可去除当前的中间层和在它与下一较低的中间层之间的数据，并对下 一更高的中间层重复此处理。

图21中说明第二阶段，其中与图19比较，相同元件采用相同标 号。表明此第二阶段的被标以数84～87的4个步骤。在步骤84， 对中间层14与15(例如部分或物体的底)之间的所有层的当前总和 (在图中被标以数88)进行确定和存储。接着在步骤85，利用后述 方法确定用于这些层的支撑再输出。而后去除14与15间的部分和总 和数据。在步骤86，确定并存储每一层的在13和14之间的部分和 总和数据(图中标以数89)。最后在步骤89，对这些层确定支撑并 输出用于构成。然后消去这些层的数据。对每一中间层重复此过程。

应理解，这一算法极大地降低支撑生成过程所需的存储器。如果 N是二相继中间层的层数，则一次被存储的层数将等于中间层数的2N (因为需要部分和总和)。如果T为层的总和数，被存储层数就等于 T／N+2N。当N=(T／2)的平方根时就得到最佳存储器应用。这 样对一5000层的总和，最佳中间层数N为50。任何时刻必须存储的 总层数即为200。

由前述算法扩展到二级的中间层能进一步降低存储器需求。如图 22中所示，算法以图中标号90、91、和92所指明的三个阶段进行。 在第一阶段(标明为90)，确定中间层的第一级。在第二阶段(以 91指明)，在二个第一中间级之间确定第二中间级。然后在第三阶 段(图中标明92)，确定并存储二相继的第二中级之间的所有层的 当前总和。在计算这些层的支撑后，废弃数据，对下一第二中间级重 复此处理。当与当前第一中间级相关的所有第二中间级均处理完时， 即处理下一第一中间级。

如果第一中间级数为N，第二中间级数为M，则为此三阶段处理 的存储器需求为(T／N)+(N／M)+2M。如果T=5000，N= 288，M=14，则一次必须存储的层数为66。由于此三阶段处理增 加计算时间，所以最好是二阶段处理除非涉及到非常薄的层或很大数 量的层，在这种情况下三阶段处理可能是理想的。

如所讨论的，对一给定层的．RLE数据由一组启动和停止变迁组 成，一个X地点关连到每一变迁。例如图23中说明的数据对应于如 下的起动和停止地点，光栅行分别以参数号102、104、106和108 指定的光栅行A=[(start20)，(stop48)，(start60)，(stop89)]；和 以参数号112和114指明的光栅行B=〔(start35)，(stop72)〕。为 存储这种数据的方法由起动／停止变迁的链接表组成。如图24中的伪 码所表明的。与一阵列相比，链表较优越，因为它在每行所需的变迁 数上易于实现灵活性和变通性。问题在于它导致要应用很大数量的动 态分配的小存储器块，这由于至少三个明显的原因会大大地使性能恶 化。首先，动态存储器分配很费时因为它要求系统调用。其次，各动 态存储器比具有与用于分类记录相关的存储器过载的隐患。第三，逻 辑上相接近的信息单元被布置在非邻接的存储器中，造成大量的快速 缓存失误。

为解决这些问题，最好采用另一种数据结构形式。在分辨率为 1200DPI时，一典型部分中的变迁可以15比特表征。这样，-32比 特的字(带2备用比特)可用来表示一启动／停止对。这种数据结构 在图25中以伪码表明。“Last”(最后)标记用来指明此起动／停 止是否是该组用于特定扫描行中的最后一个。如果是，此“Last” 比特被设置为逻辑“1”。如果不是，此比特被设置为逻辑“0”。 在此情况下，序列中的下一启动／停止对被存储进紧相邻的存储器单 元。这种方案使得能将大量的变迁点存储在相邻的存储器块中，每一 变迁可有二个字节。图26给出这一变迁方案的示例，其中相同元件 被标以与图23中所用同样代号。如图示，行A由二变迁对组成： [(start20)、(stop48)]和[(start60)、(stop89)]，元件102、 104、106和108，如图示被存储在相邻的32比特字中。第一字中 的“last”比特122被复位到逻辑“0”以指示后跟有用于此扫描 行的附加数据，同时第二字的“last”比特124被置位为逻辑“1” 以指明无附加数据后跟。行B仅由一单对起动／停止地点组成，指明 为[(start37)，(stop78)]分别标以数112和114，其中最后比特126 被设置为逻辑1以便指明行B无跟随的附加数据。标号132、134和 136指与各32比特字相关的其他应用比特。

此RLE数据初始并不是生成为上述的合并格式，而是如关于图 13a～13c中讨论的，起始被生成为非合并的格式，然后再被变换成 合并的格式。

总的说，一存储器块被分配用于存储变迁。多个指针用于与各光 栅相关的数据的起始(“当前光栅行”指针或“当前表”指针)和一 指明未被分配存储器的开始(“下一可用地点”或“下一空间地点指 针”。在此存储器块中的各4字节(32比特)字被定义为：最先的 15比特用于存储变迁的X地点，而第二个15比特用来存储变迁的 qV。第31比特被用于定义一指明此字是否已经被安排和应用的“被 用”标记。第32比特用于定义一指明该字中的事项是否是使该字与 之相关的给定扫描行的最后一变迁事项。起始地，各光栅行可为存储 数据被分配一或多个字。在对各边缘段的变迁进入存储器块时，它们 被加到与它们被推演得的光栅行相关的表。

在将各新的变迁点加到光栅行表中，可能遇到数种情况。首先， 如果在与一给定光栅行的存储器块中不存在有变迁数据，就将变迁数 据加到对该光栅行与“当前表指针”相关的字。第二，如果变迁数据 存在于对给定光栅行与当前表指针相关的字。则检验跟随对该扫描行 的最后记录的变迁指针(即对该当前表指针)的字(即“后随字”看 其是否已被利用。如未被利用，即在此输入新的变迁数据。第三，如 果此“后随字”已被占用，则检验此当前表指针之前的字(即“先前 的字”)看其是否被利用。如没有，则将当前表指针和所有被记录的 变迁数据(对该光栅行)移位一个字并将新的变迁点数据加到被位移 的表的末端。第四，如果“先前字”被占用将对此光栅行的所有变迁 数据(包括对该行的当前表指针)移动到标有“下一可能地点”指针 的字，被加新的变迁数据、标有能用于加入新数据的变迁的原始字地 点和“下一个可行地点”指针移动到跟随刚移动的字和被加的字之后 的地点。

对上面描绘的过程可作各种变型。例如，可采用各种大小的字， 可改变比特配置，可改变对各光栅行的初始分配量，可避免对各光栅 行的初始分配而为完全地处理输入段需要分配作为附加光栅行的存 储器单元，可增加附加步骤来改善控制存储器的应用，等等。

上述处理在以下的说明和相关图中作出示例。图27a、27b是根 据图13中所得的相同数据(其中相同部件采用相同标号)说明此处 理。很大区域的存储器93被分配以保存．RLE变迁，而指针101被用 于指明下一可用的存储器字(32比特)。在此例中，字格式包括如下 的比特分配：最先的15比特142记录用于存放X位置变迁的值，第 二个15比特144记录变迁的qV值。第31比特146为指明字是否已 被分配和应用的“被应用”标记。第32比特148为指明变迁是否是 光栅行的最后记录的变迁的最后标记、即“结束”标记。

图27a说明在将任一变迁数据加到存储器93之前的情况。为程 序性的原因，如后面将会清楚的，图示的区域93中的第一字被注明 为已利用。“下一空间地点”指针101指向该区中的第二字。接着， 建立指针阵列58，其中所有指针均被初始化为使其“被应用”比特 设定到零。如上面讨论的，每一指针与一扫描行相关连并被用于对与 该扫描行相关的第一字(即对第一个变迁)分配存储器地点单元。这 一指针被称为“当前表”指针，因为它指向与正考虑中的当前扫描行 相关的变迁表中的第一字。为将一特定扫描行的变迁加到阵列，如果 阵列中的指针是在一带有“被应用”比特被设置到逻辑0的字上时， 指针的地点即被看作是空闲的而将变迁分配到该存储器字。图27b表 明第一变迁已被输入进用于5个扫描行的存储器的情况。

图28a、28b说明在“当前表”指针94的位置上具有非零的“被 应用”标记的扫描行的变迁加入处理。图28a表明2个已被输入作为 属于与当前表指针94相关的扫描行的字150和160。字150包含具 有与图27b的比特142、144、146和148相关的同样定义的比特地 点150，154，156和158。同样，字160包含比特地点162、164、 166和168。元件156和166给出“被应用”标记的值。元件158和 168指明字(即变迁)是否是当前表中到目前所记录的最后变迁。可 看出，元件158指明该字150不是最后字，而168指明160是当前表 中最后所用的字。首先，检验在当前变迁表结束之后的下一个字170 中的“被应用”标记(在图28a中被标以数96)以弄清此字是否可 利用。如果此“被应用”标记被设定到逻辑0，此字即可用于存储新 的变迁细节。如果被设置到逻辑1，则此字不可用。如果如图28a中 所示为可用，则可将新的变迁细节置入这一字。图28a中表明当前表 被加入新的变迁所修正。图28a中，新的变迁细节97被加到字170。 “结束”标记元件168的值由“1”变成为“0”，字170的结束标 记元件178被给预值“1”，因为170现在是当前表的结束字。

如果当前变迁表的结束之后的下一字不可用，则检查当前变迁表 的起始之前紧接前面字的可用性。这一检验由评估紧接前面字的“被 应用”标记的值进行。如果可用(由“0”值指明)，则整个表向后 移动一个字。而新的变迁被置于刚被清除的字的位置。此过程如图 29a、29b中所示，其中与图28a、28b相同的元件标以相同标号。 如图29a中所示，“当前表”指针与字150相关连，此表以字160 结束，当前表的结尾之后的下一字(图中标以数170)为不可用(因 为元件176中的值“1”)，而紧接表的起始之前的字(标以数180) 为可用(因为元件186中的“0”值)。这些估断的结论如图29b所 示，其中先前与字150和160相关的变迁值被位移来分别与字180和 150相关连。“当前表”指针也移位到字180，新的变迁信息被加到 现在用的字160。作为另一结果，“结束”标记维持与字160相关， 虽然它已不再与×值60的变迁相关(早先的元件162，新的元件 152)而是与×值12的变迁相关(早先的元件172，新的元件162)。 换句话说，整个当前表后移一个字，新的变迁97被存储在被清除的 地点。

如果当前变迁表之前或之后无空闲空间(即当前表指针的紧前面 的字和紧随该字的含有表标记的真正结尾)，整个当前表即被复制进 以由“下一可用地点”指定的字起始的空间，新的变迁被加到被复制 表的末尾。然后，存放表的原先存储器字的“被应用”标记被复位来 指明这些原先的存储器字现在可能由紧接前面的和紧随这些原先地 点的扫描行表所应用。图30a、30b说明这一过程，其中相对图28a、 28b，29a、29b同样的元件采用同样的标号。

图30a说明当前表的结束160之后的字170以及含有当前表指针 的字150前面的字180，由于“被应用”标记176和186被设定为“1” 两者均不能利用。图30a还说明发现“下一可用地点”指针的字200。 字200跟随已对所有扫描行输入的变迁点。结果对当前扫描行没有新 的变迁能被在连续的存储器单元中输入到已经包有与该扫描行相关 的变迁的这些地点150和160。如图30b中所示，整个当前表(原先 被分配到字150和160中的变迁)被复制进以被下一空间地点指针10 所指定的字200起始的区域中。老存储器中“被应用”标记(图30b 中以数100标明)被复位以指明此存储器现在可利用。当前表指针94 被更新来指向字200，新的变迁97被加到表的末尾字220。“下一 可用地点”指针(标以数101)被更新来指向紧随含有最后输入的变 迁97(即表的末尾)的字220的字230。当然，如果希望的话，可 以在字220最后输入的变迁97与由“下一可用地点”指针指向的字 之间保留一个或多个空白字。

鉴于．RLE数据的性质此方案特别有效。因为数据被用来说明实 心几何物体，在一特定的扫描到行的变迁数常常与一相邻行上的变迁 数相同。这一特点如图31中所示。自顶部开始表示一物体断面，其 中表示有间隔的光栅即扫描行。在每一扫描行的右边表示与该扫描行 相关的变迁数。这样，如果希望将一变迁加到一特定的扫描行，多半 一变迁将被加到一相邻扫描行。当一存储器区空闲时，如图30a、 30b所伴随的正文中所说明的那样，则多半相邻表将具有能被存储在 该区域中的变迁。如图28a、28b和29a、29b及相应正文中所说明 的。这样，很大的存储器阵列形成少于采用随机数据时将产生的间 隙。而且也将会使来自存储在高速缓冲存储器中的数据的失误较少。

在所有段均被处理时，将结果表作X方向分类。然后按前述方式 提取作正确布尔处理的行，并以前述的合并格式存放所提取的行。

这一实施方案直接对一．STL文件操作而无需将角变换成分片平 面，这样至少能避免某些量化误差。但通过产生．RLE数据由于分片 平面将仅以不同水平分布在垂直方向和因为水平变迁被限于象素边 缘，而会导入某些垂直和水平量化误差。图32中表明这些内容的示 例，表明对光栅行302、304、306、308、310、312和314的与 表示通／断变迁点322、324、326、328、330、332和334相关 的量化确定。各光栅行的中心线由与穿过多个象素的边缘段300相关 的各自的虚线表明。图中线右边区域被认为是物体之内，左边区域被 看作为在物体之外。对各光栅行仅一单个变迁象素可被选择来表示物 体的边，而不管该行上有多少象素被边缘相交。虽然为确定哪些象素 将形成物体的边缘有许多途径，所述的方法对一给定光栅行选择边缘 象素作为含有光栅行的线段和中心线的象素。在光栅行的中心严格地 交会二象素之间的边界的情况中，确定是看重于物体(即实心)还是 非物体(即空心)。如对光栅行302、306、310和314所表示的， 被确定着重空心。

存在有许多变迁选择替代方案。例如，可由选择变迁的发生使得 行通过的任何象素均被当作为物体的部分来选择着重于实心。相反， 可由选择变迁的发生使得仅那些完全在物体边界之内的象素被看作 为实体区的部分来选择着重于空心。作为一中间替代方案，可以取前 面二替代方案的变迁的平均。为确定变迁地点的另外的方案可以是对 边界区象素确定实心或空心的面积百分数等。利用先前引用的专利和 申请特别是那些涉及分片技术中所述的技术有助于实现某些这些技 术。作为最后一例，一替代方案可以是对象素作分割和基于对段是否 相交子象素的一个或多个的确定。但不管采用什么方法，总希望用于 部分和支撑双方的方法相一致。

数据补偿技术

利用将变迁的端点移进或移出同时保证来自相邻段的端点不交 叉就能容易地进行补偿。例如，为避免一支撑触及一部分，对此部分 的．RLE数据可被扩展，而后由当前的总和数据作布尔减来得到描述 支撑区的．RLE数据。另外，可将当前总和数据加以扩展，而计算支 撑数据作为扩展的当前总和数据和部分的数据之间的布尔差。即，可 对支撑数据计算作为当前总和数据与部分的数据之间的布尔差。然 后，将支撑数据扩展。而实际支撑数据被计算作为被扩展的支撑数据 与原始部分数据的布尔差。

为沿扫描方向的滴液尺寸作调整的补偿可容易地进行，只要DPI 为大于滴液直径的较高分辨率。Y方向上的补偿较困难。但也可以小 于300DPI的增量分步来完成。

能将．RLE数据变换成向量数据是有用的。如图33中所示，此技 术是除非两者之间存在中间点(此情况是不允许的)，连接二连续的 “ON(通)”点或连续的“OFF(断)”点来形成向量。例如在图 33中，允许连接点a和点a但不允许连接点a到点c。原因是点b 位于二点之间。

支撑数据的产生

现在说明生成用于支撑结构的数据的优选处理。此处理由上述的 数据操作技术所提供的数据开始。如上述，数据操作系统提供对各层 的物体(即部分)数据和“总和”数据。一给定层的部分数据是定义 该层的部分的XY分布的相邻的光栅行中的一系列的起动和停止点。 一给定层的“总和”数据是定义该层的部分和该层的任一所希望支撑 的XY布尔之间的布尔和的相邻光栅行中的一系列起动和停止点。

这些数据如图34a-34c中所示。图34a说明对一显示在Z-X 平面中的“花生”状部分的各层(即断面薄层)1到10各自的部分 数据P[1]至P[0]。图34a中对各断面P[1]至P[10]仅表示一单个RLE 行。起始变迁被标以“←”符号，而停止变适则标以“→”符号。 可看出，部分数据跟踪该部的边界(即范围)。

图34b说明对该部分的各层1至10的各自的“总和”数据T[1] 至T[10]。它也以起始和停止变迁定义。但与部分数据不同，它不一 定遵循该部分的边界。如以上讨论的，对一给定层的“总和”数据是 对在给定层以上的所有层的部分数据的布尔和。

图34c说明对一给定层的部分和总和数据两者的断面视图(在X -Y平面中)。此数据分别标以P[i]和T[i]，包括沿X-Y平面中 的不规则行排列的多个起动和停止变迁。在一优选实施例中，此不规 则行将被定向为平行于X轴。但如所示的其他不规则行定向也是可能 的。

在一优选实施例中，采用组合的物体和总和数据来一次一层地为 支撑确定启动和停止变迁。如果在所有需要支撑的区中采用单一型式 的支撑，便能应用所有确定区中每一层的单一的支撑样式可被定义作 为一层的总和数据和该层的部分数之间的差。另一方面，如US专利 申请No．08／534，813中讨论的，按照物体的任一面向上和／或面向 下表面的接近或远离程度对不同地点采用不同型式的支撑结构可能 是有利的。而且，按照在同一层上区间离开物体边界多远而采用不同 的支撑样式也可能是有利的。在可应用于本发明来协助定义支撑区的 前面引用的US专利申请No．08／428，951中介绍了用于进行水平比 较的技术。例如，采用二种不同的支撑样式，一个在低于面向下的表 面数层的区间时应用，另一个用于其他。另一方面，将二个实际支撑 样式可与第三个“无支撑”样式结合，其中，无支撑样式可应用到处 于部分的边界区的1或2个象素之内的区域，或者其中，物体以上的 部分表面作为大于某一临界的垂直线的法线。可以有许多另外的采用 多个支撑样式的实施例方案，它们按照这里结合用作参考的揭示内容 (特别是US．专利申请No．08／475，730，08／480，670，08／428， 951和08／428，950)能容易地实现。另外，这里揭示的也可应用于 可被称之为内部物件支撑，其中，在为形成物体的内部部分的处理中 可以采用单一的或多种支撑样式。这样的技术，例如在为作成蜡模浇 型模式的立体平版印刷中应用的，在先前引用的US专利申请 No．08／428，950中有介绍。

为进一步解释如何能对不同的支持区定义数据给出如下的示 例，它对应于US．专利申请NO．08／534，813中说明的混合支撑例。 按照此例，可看到三种类型支撑：(1)按棋盘模式分隔的细纤维状 柱；(2)较坚实的3×3象素柱式支撑；和(3)中间或过渡层。

假定层“n”要被建立，此技术就是确定层“n”的各部分如何 接近于物体的一个面向上和／或面向下的表面。在本实施例中，如果 层“n”的一部分在一个面向下的表面的“r”层(例如5-10层) 之内或在一个面向上的表面的“u”层(例如5-10层)之内，则 要为该部分建立棋盘式类的支撑；如果距面向下的表面在“S”(s=r +1)与“t”层之间(例如6-10层或11-15层)和距一面向 上的表面大于“u”层(例如5-10层)，则要建立中间的桥式类 支撑；而如果距一面向上的表面大于“u”层(例如5-10层)和 距一面向下的表面大于“t”层(例如10-15层)则要建立3×3 柱式支撑。

图46a-46b说明上述例，表明在物体的一面向上的表面与一面 向下的表面之间具有一间隙的物体的相同的侧视图。图46a表面沿假 想水平的侧视图和在其上形成不同支撑结构的区域。图46b表明按照 图46a的假想水平和区间的布局的间隙被以不同型式支撑结构填充 时的侧视图。

较具体说，图46a表明以包括区间404、410、408和406的间 距分开的面向下的物体表面402和面向上的物体表面400。区间404 位于面向上的表面400的“u”层之内，区间406位于面向下的表面 402的“r”层之内。区间408位于距面向下的表面402“r”与“t” 层之间，并同时位于距面向上的表面400大于“u”层。区间401同 时位于距面向上的表面400大于“u”层和距面下的表面402大于 “t”层。区间404和406要被形成以棋盘式支撑，区间408要被形 成过渡式支撑(例如完全固化的)和区间410要被形成3×3柱式支 撑。层414、412、424、和416被表示各自形成在区间404、406、 408和410之内。这些层将被在其整个面积上形成单一式的支撑结 构。另一方面层418、420和422被表明分别部分位于区404与410、 410与408和408与406之中。因此，这些层将根据层的各部分的XY 分布被形成以不同型式的支撑结构。

图46b表明分别在面向下的表面402和面向上的表面400之上和 之下的实心物体区432和430。区404和406被指明为以棋盘(一象 素通，一象素断)支撑填充。区410被指明3×3柱式支撑(3象素 通，3象素断)填充。区408被指明由支撑的实心区所填充。

这一实施例可由方程式形成表示。在表达这些方程中采用下列术 语：

Cn(D)：层n的面积元素，其上按由面向下的表面确定时应 建立“棋盘式”类别的支撑；

Cn(U)：层n的面积元素，其上按由面向上的表面确定时应 建立“棋盘式”类别的支撑；

Bn(D)：层n的面积元素，其中按由面向下的表面确定时应 建立“桥接”类别的支撑；

Sn：层n的面积元素，其上建立3×3象素柱类别支撑；

P1：部分在断面“1”的面积元素；

Pn：部分在断面“n”的面积元素；

Tn：总和数据在断面“n”的面积元素；

∑：面积元素的布尔求和；

+：面积元素的布尔和；

-：面积元素的布尔差；

∩：面积元素的布尔相交；

r：以棋盘式支撑形成的面向下结构细节以下的层数；

u：以棋盘式支撑形成的面向上结构细节以上的层数；

S：过渡式支撑终止处的面向下的表面以下的层数=r+1；

t：过渡式支撑开始处的面向下的表面以下的层数。

依据这些术语的涵义，下列方程式定义按照本实施例的为层 “n”确定支撑的优选方法： $\left(1\right)C_n\left(D\right)=\underset{1=m+1}{\overset{m=1}{\Sigma }}{P}_1-P_n$ $B_n\left(D\right)=\underset{1=n+1}{\overset{n+t}{\Sigma }}{P}_1-C_n\left(D\right)-P_n-C_n\left(U\right)$ $\left(4\right)S_n=T_n-P_n-C_n\left(D\right)-C_n\left(U\right)-B_n\left(D\right)$

方程式(1)表示，其上层按由面向下的表面确定的建立棋盘式 类别支撑的层“n”的面积，由取层“u”以上“r”层的部分数据 的布尔加，然后计算表示这一相加面积的数据与层“n”的部分数据 之间的布尔差来进行计算。

方程式(2)表明，其上层按由面向上的表面确定的建立棋盘式 类别支撑的层“n”的面积，由取层“n”之下“u”层的部分数据 的布尔加，计算表示这一相加面积的数据与层“n”的部分数据的布 尔差，而后再计算这一数据与对层“n”的总和数据间之差来进行计 算。这一最后的计算的目的是为在事实上在“n”之上无部分层时避 免建立支撑。

方程式(3)表明，其上层按由面向下的表面确定的建立桥接支 撑的层“n”上的面积，由1)取在层“n”之上由层“S”至“t” 的部分数据的布尔总和；和2)由步骤1)的求和得的数据差分表示 在层n上将对其建立棋盘式支撑的面积的数据(在面向下的表面之下 和面向上表面以上)和表示层“u”上将建立部分本身的面积的数 据。主要是，此等式确定桥接式与棋盘式支撑间的优先级。它要求， 在面向上的表面的“u”层之内和在面向下的表面的“S”至“t” 之内的面积中(例如一连续地弯曲的表面面积)，该优先级将给预棋 盘式支撑的建立。

最后，方程(4)为层“n”上要建立3×3象素柱形支撑的面 积，由取对层“n”的部分数据和确定这一数据与1)对层“n”的 部分数据，2)表示层“n”上要建立棋盘式支撑的面积的数据，和 3)表示其上欲建立桥接式支撑的层“n”的面积的数据之间的布尔 差来确定。

由上面的讨论显见，可对要求形成不同类型支撑结构的各个不同 区域来定义方程式。图37表明一要求在逐渐接近面向下表面24时有 不同的构成模式的拱式支撑结构。如指出过的，此拱式支撑以表面23 开始，这可以是一构成(建立)平台的表面，物体的面向上的表面或 与先前形成的支撑相关的一表面。这里这一支撑结构为带有为其形成 所需的许多(例如10个多)不同的支撑样式的混合支撑。当然，也 可能在此拱的顶部与被支撑的面向下的表面之间增加多层的棋盘式 支撑。

一旦数据被确定，处理中的下一步是形成为输出到控制计算机的 格式的数据。如讨论过的控制计算机将装载这一数据以及物体数据在 位图中以驱动打印头以及X、Y和Z构架。

为此目的采用Style(样式)文件，每一个针对每一类别的物体 结构和支撑结构。对一给定物体或支撑型式的Style文件是在要建立 物体和支撑类别的整个面积中重复的核心模式。Style文件被用来 调制与给定区相关的构成模式。这种数据调制技术简化了数据操作和 存储器需求。例如本实施例中的与“棋盘式”类别支撑相关的Style 文件为图38a中所示的2×2象素模式。作为第二示例，与在此最理想 的实施方案中的3×3象素柱式支撑相关的Style文件是图38b中所 示的4×5象素模式。当然，许多其他Style模式也是可能的。这些 Style模式一个接一个地重复，通常以(X，Y)地点(0，0)开 始以便确定XY空间的重复模式。这一全面的模式与对物体和支撑区 对层的起始和停止变迁数据相关连。Style文件信息与物体信息的 组合可发生在数据传送到控制计算机之前也可发生在传送之后。一 般，物体和样式信息在两者均被传送到控制计算机之后被组合成一单 个的数据组。现在，与此部分相关的优选Style文件仅为一1×1实 体象素模式，指明此部分的内部总是实心的。

目前，模式的最理想的复制被固定在X-Y平面内。关于最佳3 ×3支撑模式，结果是某些3×3象素柱在部分边界减弱。这种效 果如图39a中所示。如图示，3×3象素柱的部分30和31因为它们 接近部分边界32而未被建立。结果此二支撑具有减小的表面面积。 如果这些柱未由部分边界撤回则问题不大因为此部分的信息将形成 每一局部地形成的柱的其它部分。但是，构成与这部分相接触的支撑 倾向于损坏物体表面光洁度，由此引起其他的问题。

在支撑由此部分缩回的情况下，解决此问题的办法是使复制的模 式能改变来使3×3支撑能遵循此部分边界。这种措施如图39b中所 表明的。支撑柱位置的逐渐改变可采用如US专利申请08／534，813 中说明的偏移象素模式来实现。

如上面提到的，有时会发生的另一问题是3×3支撑柱有时被构 成与此部分直接接触。图39c中说明这一问题。如图示，支撑33被 建立得直接与部分33接触(此剖视图表示的支撑34在部分的下方， 仅仅是为完整性目的说明)。对此问题的解决是将这些支撑后移一个 象素或更多来将支撑由此部分隔开。这仅仅只要对该支撑调整起始和 停止变迁数据即可完成。在本实施例中，鉴于要取折衷这种调整是供 选择的：由退回支撑一个象素，柱的表面面积将减小，可能引起累积 问题。

关于进行布尔计算的优选有必要作几点说明。如已讨论过的，在 这些计算中涉及的数据被格式化成为一系列的起始和停止变迁。已看 到，这种格式使它们能作一系列算术计算有利于布尔计算。例如，为 在两组变迁数据中进行布尔差运算，仅需对层的起动和停止变迁相互 作算术减算。结果大大改善计算速度。其原因是，根据多角形数据的 涉及N个数据点的布尔运算基本上为N2次运算，而利用起始和停止变 迁数据的算术运算则基本上正比于N。

另一点是，对层“n”计算的中间布尔加数据，亦即层“n”之 上和以下的“r”和“u”层、层“n”以上的“s”与“t”层之 间的部分数据的布尔加不能用于任何随后的处理中。原因是缺乏与布 尔加运算相关的存储器，如下式所表明的： $\underset{n}{\overset{n-L}{\Sigma }}1=L\left(\mathrm{arithmeric}\right)$ $\underset{n}{\overset{n-L}{\Sigma }}=1\left(\mathrm{Boolean}\right)$

如表明的，采用算术运算，和中的第n项对在对下一层进行计算 时可能被减除掉的最终的总和值有作用。另一方面，采用布尔运算， 则第n项不一定具有任何影响。这样，在对下层进行计算时这一项的 作用不必要被减除掉。

虽然以上的方程式(1)到(4)产生准确结果，但它们可能带 来过大的计算时间。这样，在某些情况中，可能希望采用能得出近似 结果但仅需较少计算的方程式。依靠假设在给定数量的层(例如10 层，约10-20mils)中一部分的表面的斜度不改变符号，或者在向 上的任何变化均表示断面位置中可忽略的变量，即可避免过量的计 算。换句话说，此假定是部分表面不作迅速的或急剧的变化。这一点 在图35a、35b中说明。图35a表明一与此假设一致的部分。可看出， 图中标明为8的部分表面的斜度经过给定层数例如10层不改变符 号，即方向。另一方面，图35b表明一与表面斜度的方向不改变符号 假设不一致的部分。但是，取决于表面的XY位置中的变化量，方向 上的改变可能导致断面位置中可忽略的变化。如可看出的，图中标以 S’的部分表面的斜度通过例如10层改变符号。对一给定层数，层 越薄此假设越可能维持。

如作如上假设，就可利用以下公式来降低所需的数字计算： (7)  Cn=(Pn-t-Pn-m-Pn)∩Tn (8)  Bn=Pn-t-Pm-s-Cn-Pn (9)  Sn=Tn-Pn-Cn-Bn

取代原来的方程(1)至(4)中那样的依据一区域内的每一断 面的面积的布尔求和，这些方程式利用仅仅取自此区间的上部和下部 断面的断面信息。如果此假设总保持为正确，这些公式就产生准确结 果，实际上在任何情况下它们均呈现出非常好的近似。

应当理解，为进行上述计算，需要能同时使用取自(t+u+1) 层的数据(例如t=10，u=5时，即需要16层的数据)。这是因 为对层“n”的支撑数据取决于对层“n+1”至“n+t”、层“n -1”至“n-a”以及当然对层“n”的部分和总和数据。

为保持这些数据为可立即存取的形式，采用环形缓存器是有利 的。如图36中所示，环形缓存器是其中存储有对t+u+1层(即16层) 的部分和总和数据的环形缓存器。图36a说明在对层n的计算将要进 行时以16层(t=10，u=5)为例的缓冲器的状态。图中标以 PTR的指针被用来指向正讨论中的当前层。如所指出的，对层“n+ 1”至“n+10”、“n”和“n-1”至“n-5”的数据被存储 在缓存器中。图中标以LAST的第二指针被用于指向缓存器中的最后 项，在这里是对层n-5的项。

在完成对层“n”的计算之后，需要更新缓存器为进行对层“n +1”的计算作准备。为完成这一点，首先将PTR更新为使其指向用 于层“n+1”的数据。然后，为LAST所指向的数据被用于下一层 的欲被加到缓存器的数据改写，在这里为层“n+11”。最后，LAST 被更新来指向观在成为缓存器中的最后项的数据，这里此用于层“n -4”。图36b中说明此三个计算的结果。图36c说明将要对层n+ 2进行计算时刻的缓存器的状态。然后重复此处理直至完成对所有层 的计算。

许多替换实施方案可能用于操作3D对象数据成为能有用于运转 SDM设备的数据。例如，在一替代实施例方案中，利用对多角形数据 的布尔运算来进行前述计算，而不采用变迁数据。另外，将该部分所 有层的数据同时存储进一存储器中而不是环形缓存器中。再一个是， 可以采用打印头的多次通过来均衡细纤维状支撑和部分的累计速 率。

还应理解，有可能由面向上的表面来计算桥接数据即过渡支撑数 据，即Bn(U)。这一数据可被用来在物体一面向上的表面起始的 细纤维状支撑与设定在其上的3×3柱式支撑之间的过渡支撑。而且 也应当理解，如果对两者的Style文件相同就不必与Cn(D)数据 分开地计算Cn(U)数据。当然如果此二Style文件趋向于不同， 则要保持两类别的数据。

还应理解，利用此主题发明替代已讨论的三个有可能在一给定层 上建立任何数量的支撑型式或类别。这可仅由增加附加的Style文件 和为确定要在其上建立新类别支撑的面积方程式即可完成。

构成样式和支撑样式

为最佳数据处理，最好不将正常的模式组成嵌入RLE数据，因为 这会使RLE文件过大而使数据处理在时间方面是不现实的。这里有利 的是维持物体和支撑断面信息与精确的曝光模式(即沉积模式)无关 直至发生层打印。如上述，在适当时刻，将断面数据(例如以RLE信 息的形式)与适当的构成样式模式作布尔相交以确定将被用来定义沉 积细节的准确模式。

例如，这可用来快速地产生棋盘式模式。图40a-40c说明其一 例，其中相同元件被加以相同标号。图40a说明要印的所希望的图象 28。如图示，此所希望图象由二部分组成。第一部分标以数29为一 实心体。第二部分标以数30希望被形成为断-通棋盘式模式。由于 讨论过的原因，为将图象30逐个象素地变换成蜂窝式模式可能会无 法容忍地慢且存储器紧张。对图象30作数据的进一步操作可能因将 其过早地置入蜂窝式模式成为过渡复杂而缓慢。将数传送到存储装置 (即硬盘或磁带驱动器)也可能因将其保持为这样的详细的格式而过 渡地拖累。因此，在图40b中所示，两种模式的数据为作进一步操作 被加以维持或被变换成实体形式(最小的变迁)然后它被传送到用于 控制喷射和X、Y、Z运动的数字信号处理器。然后，在图40c中所 示，成为实体形式的与部件30相关的数据31与蜂窝式／棋盘式模式 32作逻辑“与”(即布尔相交)以便将实体数据改变成为表示欲加 发射的经调制的断面模式的所希望的受调制形式。在成为这一最后的 受调制形式后，最好不再作进一步的数据存储而是被用来经或不经进 一步操作地控制喷嘴的喷射。在此例中，用于部件29和30的数据现 在被作“或”处理以生成包含整个所希望的数据的单一的位图。正就 是这一组合的数据然后被用来驱动打印头的喷射。

对模型机提供RLE文件的数据包含为作如下讨论那样应用的构 成／支撑模式样式信息。如上面讨论的，RLE数据与调制数据的关系 通过应用每一个均存储有特定的“样式”即构成模式的Style文件来 完成。图41a～41c表示构成模式的示例。图41a说明适用于构成一 种如US专利申请08／534，813中描述的类别的支撑的棋盘式构成模 式。图41b说明适用于构成也是如US专利申请08／534，813中所述 的第二类别支撑的模式。图41c说明指定构成实体的模式。

还可以有许多其他构成样式，包括多重曝光构成样式。如图41b 中所表明的，其中，在相继的通过中固化交替间隔的扫描行。在此例 中模式56在第一通过期间被曝光，模式57在第二通过期间曝光。图 41e中表明另一例，其中在逐次通过后交替间隔的柱被固化。在此例 中模式58在第一通过期间被曝光，模式59在第二通过期间被曝光。 图41f说明第三例，其中，在逐次通过后重叠的棋盘式模式被固化。 模式60在第一通过中被曝光，模式61在第二通过中被曝光。

为将不同的样式文件与不同的物体和支撑区间相关连，将．RLE 格式作成为包含对每一不同组的被传送到模型器的光栅行变迁信息 的构成模式分派。图47表明．RLE文件的概念式格式。

通过这一文件格式，用户可对一给定对变迁点实际指定任何构成 模式。

数据偏置

在提供含有为控制喷嘴的喷射的正确象素信息的位图外，数据还 必须能易于由位图提取和以正确的次序提供到喷射机构。这必须将数 据置于一可提取的形式涉及到数据操作处理的下一步骤。这下一步骤 被称之为偏置。例如，可对数据加以处理以使得必须信息可用于虽然 相邻喷嘴可能不位于相邻光栅行上或者甚至同时位于同一X座标之 下它们各自的y光栅行上时，仍能使喷嘴同时喷射。偏置本身是指一 数据重新排列处理，它的需要是例如当扫描头被置于与扫描方向呈一 角度(如图2b中所示)时，当采用多个扫描头而要同时或顺序喷射 时，或者仅仅是由于喷嘴不是相隔相邻光栅行。

图2b中，例如孔10(3)和10(4)，它们在图2a中是对准 的，在此成为在扫描方向上位移了一距离d”，而扫描头相对于扫描 方向具有一角度。但在对于图2a的组构所用的数据要求喷嘴10 (3)和10(4)同时喷射以命中同一X位置。而在图2b的组构， 采用这样的数据将造成畸变。因而在此例中必须对数据作偏置来校正 这种相对位移。

问题在于所涉及的数据量相当大，而偏置必须实时进行。例如， 一典型组构中的喷墨嘴通过一给定象素可能仅需500ns。这样，任何 对个别象素运行的偏置处理为能与数据消耗速率相一致每一象素就 不能花这么长时间(平均)。

一典型的以40MHz运行的数字信号处理器，例如一C31处理器， 具有50ns级的周期时间。因此，如果通过任一象素地点的时间在 500ns的级别时，就仅有10个周期可用于对一给定象素操作。另一 方面每一处理器指令需要最小一个周期。通常为应付总线冲突、流水 线冲突和存储器的等待状态而需要数个周期。这样各指令可能实际需 要2-4周期。这样，实际上仅约3个指令可被用于各象素。

问题是为进行一典型的操作，例如设置一个别象素为逻辑 “1”，需要约6个指令。这样就难以做到以逐个象素为基础来进行 操作。而是要求一次对多象素，例如32象素运行的操作。一些典型 的操作可包括清除图象、移动图象、输出图象、对二图象进行“与”、 或对二图象进行“异或”操作。这类型式的指令一般需要较少的指令 (2或3而不是6)，一次对32象素运行。总的说，它们的操作比 对个别象素的操作快约100倍。

如以上讨论的，控制计算机执行分片．STL或．CTL文件和为各不 同断面计算．RLE数据的功能。耦合到打印头的数据信号处理器 (DSP)必须取此．RLE数据，将其去压缩，按照喷嘴配置偏置数据， 而后将数据输出到喷嘴。如讨论过的，“偏置”是指对图象数据进行 操作以补偿喷嘴的配置以及可能其他因素的处理。由数据去压缩后可 能无法足够快地加以处理，所以最好能在数据仍处于压缩形式时对之 进行处理(例如当它仍然是．RLE格式时)。另一个关键的省时选择 是，使数据在存储器中的存放应为含有各自希望能同时输出的象素的 2字节或4字节字。

这样数据的偏置处理就仅仅是在扫描方向位移起始和停止变迁 适当的量而同时保持与欲同时输出的象素相关的数据在同一字中。而 一数据被去压缩，且在交会到X方向上的适当地点时将各个别的字发 送到打印头。

图42a、42b、42c、42d和42e说明这一技术，其中相同元件 被加以同样的标号。图42a说明原始断面的象素化图象。图42b说 明．RLE格式中的这一数据。如图示，图中被标以数25(1)、25 (2)、25(3)……25(10)的个别扫描行的数据已被压缩成 表示启动和停止变迁的数据。图42c说明为对相对扫描方向具有角度 的打印头加以调整而使此数据偏移的处理。此图中假定打印头有5个 喷嘴，而偏角使得个别喷嘴由相接续的喷嘴作相对位移一象素。这 样，扫描行25(2)的数据相对扫描行25(1)位移1个象素，等 等。此处理继续到碰到扫描行25(6)。由于它是第6扫描行而将 不在与第5行同一次通过上被扫描，所以该行不相对其他行作位移。 而是扫描行25(7)相对扫描行25(6)位移1象素。扫描行25 (8)相对扫描行25(7)位移1个象素。扫描行25(9)相对扫 描行25(8)位移1个象素。

在这种处理期间，偏置的数据被加以“打捆”以使要同时发生的 喷射相关的数据被集合成一单个字。这一数据然后逐个地一次一捆地 去压缩。图42d中说明此处理。每一列27(1)、27(2)、27 (3)……27(12)中象素的数据，各自代表要同时喷射的数据。 因而，每个这些列的数据被存放进可个别地访问的字，因此而能同时 访问。一分捆标志26被保持来一次一列地逐步通过数据。在碰到各 列时即依次去压缩(即各变迁被变换到一通／断比特，例如一次32比 特)。参看图42d，例如，分捆标志位于列27(8)。因而如图示 该列中的数据被去压缩。到27(9)至27(12)中的其余数据仍 然为压缩格式。但是如讨论过的，数据将在其碰到分捆标志时去压 缩。

接着数据一次一列地依次输出到打印头。图42e说明此过程。如 图示，分捆标志被复位然后被再次用于依次逐步通过列27(1)- 27(12)。如图示此标志当前被置于列27(5)。因而该列的数 据被输出列打印头。其余列27(6)-27(12)中的数据被依次 输出。

漂落和喷嘴喷射时间

在以上生成的数据导致在所希望地点沉积材料液滴之前还有一 关键功能要进行。在数据被装载进喷墨头用于喷射时，系统必须确定 何时喷墨头已到达为滴材料液的合适地点。此合适的喷射时间，如前 面引用的US专利申请08／534，813中说明的，实际上有时发生在头 被置于合适的沉积地点上之前。这一提前喷射补偿被称为漂落较正时 间。然而，系统依然必须确定何时它处于应发出此提前喷射信号的适 当地点。下面给出这一确定处理的细节。

为能以所希望的扫描行分辨率构成，重要的是要能在沿扫描方向 上任何所希望位置使喷嘴喷射。这在采用一编码器来指示实际的X位 置时可能是有问题的。此时此编码器可能在所需位置没有触发信号。 事实上此编码器可能是低于打印所需分辨率的。因为较高分辨率编码 器较贵而希望有较低的设备成本，并因为限制为一单个分辨率或作为 栅间隙的倍数的分辨率是不利的。希望有其他措施用来确定正确的喷 射位置。如以下说明的准确喷射位置由根据一计算得的平均速度和一 自最后栅行通过后经过的一已知时间在栅行之间进行距离插入来确 定。然后喷射地点即利用此已知的所希望的喷射点和实际位置的插入 估算来确定。

X构架12(见图1)与之相关连地有一编码器用于确定X方向 上打印头的位置以使对打印头的喷射脉冲能在适当时间启动。在一优 选实施例中，为实现这一功能，利用一在图43中被标以号34的玻璃 板，在它上面刻有相互间距离10μ的行33。并利用一种光线和光二 极管检测器(图中未示)来确定何时这些行通过和在每次打印头通过 这些行之一时中断DSP。还采用一对检测器(未图示)来指示打印头 左移还是右移。为避免因振动等产生的信号干扰DSP，利用一数字迟 滞电路(来图示)来防护DSP不受因振动等引起的伪中断的影响。由 此电路DSP能确定打印头在10μ之内的位置，还能确定运动的方向。

为了能以细于10μ的分辨率打印，在DSP内设置一计数器在每 当DSP通过上述行之一时开始计数。当计数器到达某一定值时，DSP 就促使产生一喷射信号来触发打印头。

还设置一第二计数器来处理图44中说明的情况。被标以数35的 信号T0-T4表示由编码器打印头通过图43中所示行33时所产生的 信号，相反，标以数36的行指明所希望的喷射位置。对于信号T0 -T3这些信号全部各自跟随这些信号。所产生的问题由信号T4和T4 来说明。因为T4实际在其对应信号T4之前，必须设置一第二计数器 来按着信号T3的发生产生这一信号。

图45a～45b中说明为产生喷射信号的算法。如图示，在打印头 通过编码行之一时产生图12a中标以57的中断。然后在步骤38，读 取一编码器定时(未图示)并与打印头位置相关连。这一步骤通过数 个编码器行进行。将所得数据加以存储。

在步骤39，由所存储的数据将位置上的变化被通过规定的编码 器行的时间上的变化相除计算打印头的平均速度。在步骤40确定下 一喷射地点与最后编码器行之间的距离ΔD。在步骤41，此值被用 来计算考虑到左／右补偿和漂落补偿时间时的自最后编码器行直到下 一喷射地点的时间差Δt(1)。

然后在步骤42中，此值被装载进一第一喷射定时器，如讨论过 的，此定时器在该值过去后启动一喷射脉冲。在步骤43(图45b)， 以针对Δt(1)描述的方式对下一喷射位置计算时间差Δt(2)。 在步骤44，检验此值以查清下一喷射位置计算时间是否位于下一编 码器行之后。如果是，则该喷射脉冲可被在下一编码器行外启动。如 果不是，在步骤45，该值被装载进第二喷射定时器。在步骤46启动 由中断的返回。

替代实施方案可被用来将编码器位置与喷射命令的发出相连 接。一个这样的替代方案采用多编码器栅地点时间信号来驱动扫描头 的平均速度的更准确的表达。在此优选实施例中，最后的8编码器栅 地点时间信号被加以平均以产生一能与第12编码器栅背面的位置相 关的时间信号。前面8编码器栅地点时间信号被平均来产生一能与第 12编码器栅背面相关联的时间信号。此二平均时间信号被用来推导 为扫描打印头的平均速度值。由确定第4编码器栅背面与下一喷射地 点之间的距离、平均速度，自第4编码器栅背面被穿过后过去的时间 估算喷嘴将到达正确喷射地点的时间，利用此被估算的时间启动一定 时器，在此时间间隙过去后喷射喷嘴。

这里完成了基本喷射位置增强算法的讨论。应当理解，有各种不 同的增强和修改是可行的，包括根据打印头的加速补偿，或利用多于 一个的喷射计数器来相对通过二计数器可达到的增长进一步增加打 印分辨率。

虽然已经表现和说明了本发明的实施例和应用，但对熟悉本技术 领域的人员应显见，不背离这里的发明观念可做许多另外的变型。因 此本发明除所列的权利要求的精神实质外不应有其他限制。

形成三维物体和支撑的局部沉积成型的

方法和设备

本申请是US专利申请No．08／534，813(95．9．27)递交的部 分继续。

发明领域

本发明是关于形成三维(3D)物体和在形成期间支撑这些物体 的技术，较具体地说是关于快速成原型和加工(Rapid Prototyping and manufacturing，RP&M)中应用的技术，更具体说是关于用于热 立体平版印刷术(Thermal Stereolithograpty，TSL)系统、溶凝 沉积成型(Fuesd Deposition Modeliug，FDM)系统、或其局部沉 积成型(Selective Deposition Modeling，SDM)系统中所用的构 成和支撑方法和设备。

背景信息

近年来已可采用各种不同措施来实现自动或半自动三维物体产 生、即快速成原型和加工(RP&M)，其特点在于每一个均以描述多 个形成的和粘附的薄层以层叠状态形成的物体的3D计算机数据着手 进行3D对象的建立。这些薄层有时被称之为物体的断面、结构的层、 物体层、物体的层或者简单地称做层(如果上下文清楚表明适当形状 的凝固结构表明是这样的话)。每一薄层表示此三维物体一个断面。 通常薄层被形成和粘结到一叠先前形成和粘结的薄层。在一些RP&M 工艺中，已提出的技术不同于严格的一层一层地建立的过程而是一起 始薄层仅一部分形成，并在此起始薄层的其余部分之前至少一后续薄 层至少部分地被形成。

按照一个这样的措施，三维物体的建立是应用未凝结的、可流通 材料的相接续的层加到工作表面，然后以所希望的图案将这些层经受 的局部协合激励，使得这些层局部地凝固成粘接到先前形成的物体薄 层的物体薄层。在这一措施中，材料被加工在工作表面上将不会成为 物体薄层部分的区间和将成为物体薄层的部分的区间双方。这一措施 的代表是立体平版印刷术(SL)，如U．S．专利No．4，575，330 (Hull)中所述。按照立体平版印刷术的一个实施例，此协合激励 来自UV激光的射线，而材料是光聚合物。这一措施的另一例是局部 激光烧结(Selective Laser Sintering，SLS)，如U．S专利NO．4， 863，538(Deckard)中所述，其中协合激励为来自CO2激光器的 IR射线，材料是可烧结的粉末。这种第一个措施可叫做光基立体平 版印刷术。第三例是三维印刷(Three Dimensional Printing，3DP) 和直接壳体形成铸塑(Direct Shell Production Casting，DSPC)， 如U．S．专利No．5，340，656和5，204，055(Sachs等)中说 明的，其中协合激励是化学粘结剂(如一种胶)，而材料是由局部施 加化学粘合剂粘合到一起的颗粒构成的粉末。

按照第二个这样的措施，物体的建立是逐个地切蚀具有可希望形 状的物体断面，并作出大小的片材来形成物体薄层。通常在实践中， 纸板在它们被切割之前被堆叠和粘接到先前切割的纸板，但也可以在 堆叠和粘接之间加以切割。这一措施的代表是分层物体加工 (Laminated Object Manufacturing，LOM)，如U．S．专利No．4， 752，352(Feygin)中所述，其中材料为纸，将纸板切割成所希 望形状和大小的手段是CO2激光。U．S．专利No．5，015，312 (kinzi)也是讨论以LOM技术构成物体。

按照第三个这种措施，物体薄层的形成是将未凝固的可流动的材 料以可希望图案有选择地附着在工作表面上将成为物体薄层的部分 的区间。在有选择的附着期间或之后将此作局部附着的材料固化，以 形成粘接剂前面所形成和叠置的物体薄层上的后续物体薄层。然后重 复这些步骤以一层一层地连接地建成物体。这种物体形成技术在种属 上被称之为局部沉积成型(SDM)。这种措施与第一措施间的主要区 别是材料仅被有选择地附着在那些将成为物体薄层部分的区间。这措 施的代表是熔凝沉积成型(FDM)，如U．S．专利No．5，121，329 和5，340，433(Crump)中所述，其中，材料以可流动状态撒布 在处于温度低于材料的可流动温度的环境中，再使之冷却后硬化。 U．S专利No．5260，009(Penn)介绍了这种工艺的第二例。第三 例是射击颗粒加工(Ballistic Particle Manufacturing，BPM)， 如U．S．专利No．4，665，492，5，134，569和5，216，616 (Masters)中说明的，其中，颗粒被定向到特定地点来形成物体断 面。第四例是U．S专利No．5，141，680(Almguist等)中所说明 的热立体平版印刷术(TSL)。

在应用SDM(以及其他RP&M构成技术)时，用于生成实用的物 体的各种不同方法和设备的适合程度取决于很多因素。由于这些因素 一般不可能同时成为理想的，所以选择适当的加工技术及与之相关的 方法和设备要涉及到取决于特定需要和环境的折衷。一些应考虑的因 素包括有：1)设备成本，2)运行成本，3)生产速度，4)物体 的精确度，5)物体表面光洁度，6)形成物体的材料性质，7)物 体的预期的应用，8)为获得不同的材料性质作二次处理的可能性， 9)应用的简易性和操作人员制约，10)所需或所希望的运行环境， 11)安全性，和12)后处理时间和力量。

在这方面为更有效地构成三维物体，早就存在有必要能同时尽可 能地优化这些参数。作为第一个例子，在利用第三个措施SDM如上述 (例如热立体平版印刷术)时有必要增加物体的产生速度而同时保持 或降低设备成本。作为第二示例，早就存在着需要能应用于办公室环 境中的低成本RP&M系统。

在SDM以及其他RP&M措施中，通常要求准确地形成的定位工作 表面以便能精确地形成和布置外面断面区。最先的两个措施自然地提 供在其上面能定位随后的材料层并形成薄层的工作表面。但由于第三 个措施SDM不一定提供工作表面，而面临着准确地形成和定位随后的 薄层的特别尖锐的问题，在这些薄层含有例如包括在早先撒布的材料 方面中的面向外的表面的那样的区域的不完全被早先撒布的材料所 支撑的区域。在后续薄层被置于早先形成的薄层之上的这种典型的构 成处理中，对于物体的面向下的表面(薄层的面向下部分)这尤其成 为问题。这一点可由考虑第三措施理论上仅附着材料在那些将成为对 应物体薄层的部分的工作表面的区域中来理解。因此没有任何可能支 撑出现在后续断面上的任一面向下表面的工作表面。如有关基于光的 立体平版印刷术的但也可以应用于其他RP&M技术包括SDM的面向下 区域，以及面向上和连续的断面区域，在U．S．专利No．5345391 (Hull)和No．5321633(Snead等)中分别有详细介绍。在面向下 区域中不存在有早先的薄层，因而不可能形成所要求的支撑功能。同 样，未凝固的材料不可能实现支撑功能，因为按照定义，在此第三措 施中这样材料通常不被放置进将不会成为物体断面部分的区域内。因 这一情况引起的问题可被称之为“缺少工作表面”的问题。

图1中说明此“缺少工作表面”问题，它描述采用三维成型方法 和设备构成的以数码1和2指明的二个薄层。如图示，置于薄层2上 面的薄层1具有二个面向下的表面，以交叉阴影线表示并以数3和4 标明。采用上述的SDM措施，未凝固的材料不会被放置进以数5和6 标明的直接位于面向下的表面之下的体积中。这样，利用SDM措施就 不会有用支撑此二面向下的表面的工作表面。

为解决这一问题已提出过数种结构方案，但迄今没有任一个是完 全令人满意的。U．S专利No．4，247，508(Housholder)， No．4，961，154，5，031，120，5，263，130和5，386，500(Pomerantz 等)，No．5，136，515(Helinski)，No．5，141，680(Almquist等)， No．5，260，009(Penn)，No．5，287，435(Cohen等)，No．5，362，427 (Mitchell)，No．5，398，193(dunghills)，No．5，286，573和 5，301，415(prinz等)建议或说明一种这样的结构方案涉及到利用 一种与构成物体所用不同的并可假定能易于由其分离(例如说借助具 有较低熔点)的支撑材料来充满面向下的表面之下的体积空间。例如 在图1方面，在用来形成面向下的表面3和4的材料被撒布之前将标 以数5和6的体积填充以支撑材料。

利用二种材料(即构成材料和不同的支撑材料)的措施的问题在 于，因为效率低、热消耗的要求、以及与处理和提供支撑，亦即第二 种材料相关的开销而引起的成本高和麻烦。例如必须提供用于支撑材 料的独立的材料处理和配置。另外，还可能必须要有通过一单个系统 来协同此二种材料的处理和递送的手段。

U．S．专利No．4，999，143(Hull等)，No．5，216，616 (Masters)，和No．5，386，500(Pomerantz等)介绍的一措施是 由与构成物体所用材料同样材料总体建立分隔的支撑结构。这种措施 产生了众多的问题。首先一个问题就是不能作成任意高度的支撑结构 同时又保证其能容易地由物体分离。其次遇到的问题是无法实现物体 与支撑结构之间的易于分离性而在同时保持用于构成和支撑面向外 的表面的有效的工作表面。第三个问题是不能接近与物体聚集相同的 速率在垂直于断面平面的方向(如垂直方向)上聚集支撑结构(组 织)。第四个问题是无法保证容易地可分离性和最小地危害为在其上 面支撑作为后续层的部分的面向下的表面而必须将支撑(结结)置于 其上面的向上的表面。第五项则在于希望增加系统生产率。

作举例说明，实现易于分离的任务就要求表面上各支撑结构与物 体接触所经过的区域尽可能地保持很小。另一方面，在Z方向以接近 于物体聚集的速率支撑的目标则要求各支撑的断面区域尽可能大来 得到大的面积-周边比，由此来使得能有大的目标面积来弥补沉积过 程中的任何不确性和限制材料不作垂直积累而横向扩散的可能，从而 能使由于溢出、扩散、脱靶等所引起的供在Z方向上积累的材料的损 失降到最少。

而为达到对面向下表面的危害最小的目标则要求支撑间的隔开 保持尽可能大以便能使得支撑与物体之间的接触面积最小。另一方 面，为得到用于建立面向下的表面的有效工作表面的任务则要求隔开 距离尽可能小。显然，同时实现这些目标是有抵触的。

这一问题在图2中进行说明，其中与图1相同的部件被标以相同 数字。如图示，面向下的表面3通过柱状支撑7a、7b和7c支撑， 而面向下的表面4通过柱状支撑8a、8b、8c和8d支撑。柱状支撑 7a、7b、7c相互隔开很宽以便减小对面向下的表面3的危害。而 且它们各自还被构成为通过相对小的表面接触面向下表面来增大隔 离性。另一方面，由于它们很小的断面表面面积，它们有可能在垂直 方向上的聚集足够快来跟上物体的生产速率。而且由于它们隔离很 宽，它们可能无法提供为建立和支撑面向下的表面3的有效工作面。

相反，柱形支撑8a、8b、8c和8d相互较接近以便能提供用于 建立和支撑面向下的表面4的较有效的工作面。而且，每一个被构成 以较大的表面面积以使它们能以近似于物体的生产速率增产。不幸的 是，由于它们较接近的距离和较大的断面面积，这些支撑在它们被去 除时将会造成对向下的表面较大危害。

本说明书这一节中上述应用的所有专利均如被作详细说明的那 样被用作为参考。

这里所列的附录A提供本发明某些优选实施例中应用的优选热 立体平版印刷术的细节。

以下申请在此如详细说明那样结合作为参考。 申请日期     申请号                     题目 状态     95．9．27     08／534，813 为形成三维物体和支撑的局部沉积成型方法和 设备 未决     95．9．27     08／534，447 局部沉积成型系统中作数据操作和系统控制的 方法和设备 未决     95．9．27     08／535，772 局部沉积成型材料和方法 未决     95．9．27     08／534，477 局部沉积成型方法和系统 未决

本申请受让人，3D系统公司与下列相关申请(在此结合用作详 细说明中的参考)同时递交本申请： 大纲号 申请日 申请号                  题目 状态 U．S．A．143 与其同时 未指定 局部沉积成型系统中作数据操作和系统 控制的方法和设备 未决

按照热立体平版印刷术和某些凝沉积成型技术，三维物体由被热 至可流动而后用撒布器分撒的材料逐层地构成。此材料可作为半连续 的材料流由撒布器分撒或者也可以作为单个的液滴加以分撒。在材料 被作为半连续流体分撒的情况中可以理解能容许较不严格的工作表 面标准，U．S．专利No．5，141，680中介绍了早先的热平版印刷的 实施方案，这里用作为参考。热平版印刷术因其特别能采用不起反映 的、无毒的材料特别适用于办公室的环境中。而且，利用这些材料形 成物体的处理无需涉及应用射线(如UV射线，IR射线，可见光和／ 或激光射线)、将材料加热到易燃温度(如某些LOM技术中的沿截面 燃烧材料)、活性化学制品(如单聚物，光聚合物)或有毒化学制品 (如溶剂)、复制的割蚀机械等等可能产生噪音或在误操作时造成严 重危害的因素。而能代之以仅将材料加热到可流动的温度再局部地分 撒材料和使之冷却来形成物体。

U．S．专利申请No．08／534，447是针对根据SDM／TSL原理的优选 局部沉积(SDM)系统中应用的将3D物体数据变换成为支撑和物体 数据的数据变换技术。这一参考申请还是针对后述的为控制优选 SDM／TSL系统的各种数据处理、数据控制、和系统控制技术。还说明 了用于SDM系统以及用于其他RP&M系统的某些替代数据操作技术和 控制技术。

以上引用的U．S专利申请No．08／535，772是针对这里所述的优 选SDM／TSL系统可采用的优选材料。

U．S专利申请No．08／534，477是针对优选SDM／TSL系统和某些 细节。还谈到一些替换结构。

本申请的受让人，3D系统公司，也是RP&M领域特别是该领域的 光基立体平版印刷术部分中的许多其他U．S．专利申请和U．S．专利的 所有者。这些专利揭示内容可与本申请内容相结合来完善SDM物体形 成技术。下列共同拥有的U．S．专利申请和U．S．专利在此如详细说明 的那样结合作为参考： 申请号                        主题 状态或专利号 08／484582 指明立体平版印刷术的基本组成     未决 08／475715 说明SL中应用的各种记录技术，包括能由许多注流孔作局 部沉积的材料撒布器     未决 08／479，875 说明各种LOM型构成技术     未决 08／486，098 说明翘曲变形及各种减少此变形的技术     未决 08／475，730 说明为取得断面数据的3D数据分片技术利用布尔层比较来 定义向下、向上和连续区间，还介绍了初始CAD设计进行 纠正宽补偿和产生各种物体构型的技术。     未决 08／480，670 说明一早先的SL分片技术，包括向量补偿和纠正宽度补偿     未决 08／428，950 说明SL中应用各种构成技术，包含为形成半固态和固态物 体涉及的交替排序，向量交错和向量偏移的各种构成样式     未决 08／428，951 指明用于SL的多层同时纠正技术，包含作垂直比较和由于 Z方向的过矫正的纠错、水平比较技术和水平浸蚀程序。     未决 08／405，812 说明利用振动能的SL重涂覆技术     未决 08／402，553 说明利用刮片和液水面控制技术的SL重涂复技术     未决 08／382，268 说明数种SL重涂覆技术，包含为形成下一层未凝材料利用 喷墨来局部地撒布材料可涉及的技术     未决 07／182，801 说明SL用的支援结构   4，999，143 08／148，544 描述热立体平板印刷术的基本元件   5，501，824 07／183，015 说明为降低SL物体中的应力在物体配置空洞   5，015，143 07／365，444 说明集中的SL构成、净化和后纠正技术   5，143，663 07／824，819 说明大型SL设备的各种特点   5，182，715 07／605，979 说明为增强SL物体表面光洁度的技术，包括采用与较厚结 构层组合的薄填充层和弯月形平滑   5，209，878 07／929，463 说明粉末涂覆技术以增强表面光洁度   5，234，636 07／939，549 说明依靠平衡应力和皱缩区降低SL中的翘曲变形的构成技 术   5，238，639

发明概述

本发明实现可单独地或相组合地用来确定多个与构成和支撑利 用局部沉积成型技术形成的物体的多种技术(方法和设备)。虽然主 要是针对SDM技术，但后面讨论的技术也可以不同方式(对阅读本说 明的本技术领域熟悉人士将显然)应用到上述其他的RP&M技术以提 高物体准确度、表面光洁度、建立时间和／或后续处理力量和时间。 而且，这里说明的技术还可被应用到采用一种或多种构成和／或支撑 材料的局部沉积成型系统，其中一或多种作局部撒布而一些其他的非 局部撒布，以及其中可以或不采用升高的温度来协助所有或部分的材 料的沉积。

此技术可被应用到SDM系统，其中构成材料(例如涂料或墨水) 为进行撒布而添加溶剂(如水、酒精、丙酮、涂料稀释液、或其它适 合于特定构成的溶剂)，其中材料在撒布期间或之后以去除溶剂加以 凝固(例如以加热撒布的材料、将材料撒布进部分被抽空(即真空) 的构成室内、或者简单地以足够时间使溶剂蒸发)。替换和／或附加 地，构成材料(如涂料)在性质上可以是触变的，在此，材料上的切 力的增加可被用来协助其撒布，或者此触变性可简单地用于协助材料 在被撒布后保持其形状。替换或附加地，材料在性质上可以是反应性 的(例如光聚合物，热聚合物，一或二部分环氧材料，诸如前述材料 之一与蜡或热塑性材料相组合的组合材料)或者至少在其他材料(如 热石膏和水)组合时可凝固的，其中，在撒布后材料由恰当地应用规 定的激励(例如，热、EM射线(可见光、IR、UV、X射线等)、 反应化学制品、二部环氧的第二部分、一组合的第二或多个部分)作 出反应，在此，构成材料和／或材料组合成为凝固的。当然，热立体 平版印刷材料和撒布技术可单独地或与上述替代物组合利用。而且， 可以采用各种不同撒布技术，例如由单个或多个喷墨装置包括热熔喷 墨、泡沫喷射等，以及连续或半连续流的单个或多个孔挤压喷嘴或喷 头来作撒布。

因而，本发明的第一个目的是提供更高精度的物体生成的方法和 设备。

本发明的第二个目的是提供借助控制物体形成期间的热环境减 少畸变地生成物体的方法和设备。

本发明的第三个目的是提供借助控制材料如何撒布来减少畸变 地生成物体的方法和设备。

本发明的第四个目的是提供增加物体生成速度的方法和设备。

本发明的第五个目的是提供能形成任意高度的物体支撑的支撑 结构方法和设备。

本发明的第六个目的是提供能取得良好工作表面的支撑结构方 法和设备。

本发明的第七目的是提供形成易于由物体的面向下的表面去除 的支撑结构的方法和设备。

本发明的第八目的是提供在由物体的面向下的表面去除时对其 产生最小危害的支撑结构方法和设备。

本发明的第九目的是提供由物体去除支撑的方法和设备。

本发明的第十目的是提供以接近于物体的重直建立速率的速度 重直地建立支撑的支撑结构方法和设备。

本发明的第十一目的是提供形成易于由物体面向上的表面去除 的支撑结构的方法和设备。

本发明的第十二目的是提供在由的面向上的表面去除时对其危 害最小的支撑结构方法和设备。

本发明的第十三目的是提供生成与垂直物体表面分离的支撑的 方法和设备。

本发明的第十四目的是提供为增强物体形成可与其他RP&M技术 相结合的支撑结构。

所期望的是上述目的可各自由本发明的不同方面来实现，本发明 的另外的目的在于上述独立的目的作多种组合以便能由组合技术得 到组合的收益。

本发明的其他目的由此说明书将会明了。

对附图的简要说明：

图1表明物体的面向下的表面；

图2表明支撑图1的面向下的表面的二种支撑结构；

图3为优选局部沉积成型／热立体平版印刷术系统的主功能部件 图；

图4a和4b表示相对扫描方向不同定向上图3的打印头的孔板；

图5为图3的平面详细图示；

图6说明孔板上的相邻喷嘴和相邻光删行间的相对空间；

图7说明定义系统数据分辨率的象素栅格；

图8说明光栅行定向的二垂直例；

图9表明副扫描方向中的沉积传播的二个示例；

图10a和10b表明主扫描方向的沉积传播的二个示例；

图11a和11b表明扫描行交错示例；

图12a和12b表明沿数扫描行的滴液地点交错的示例；

图13a和13b表明沿数扫描行的滴液地点交错的另一示例；

图14表明单个的象素棋盘状沉积模式；

图15表明形成一优选支撑结构的3×3柱支撑象素模式；

图16a到16d表明数种罩印方案；

图17a和17b表明在利用罩印技术时可能发生的误登记问题；

图18表明在图15的象素利用罩印方式曝光时所得到的沉积区；

图19表明柱支撑的交替象素模式；

图20表明混合支撑结构；

图21a和21b表明拱式支撑；

图22a～d说明构成物体期间沉积材料的交错实施例；

图23a～h说明采用水平和垂直象素偏移的构成实施例；

图24a～d说明降低被间隙分隔的区间发生桥接危险的沉积实施 例；

图25a～e说明将物体分片、独立构成然后粘接到一起的构成技 术；

图26表明优选二步光栅扫描和转位模式；

图27a～e表明工作表面与目标位置的不同组合；

图28a表示分叉支撑实施例的侧视图；

图28b表示分叉支撑另一实施例的侧视图；

图29a～e表示分叉支撑例的分叉层的顶视图；

图30a～m表示分叉支撑另一实施例的分叉层顶视图；

图31a～c表示分叉支撑另一实施例的分叉层的顶视图； 和

图32a～d表示分叉支撑另一实施例的分叉层的顶视图。 优选实施例的说明

如前面讨论的，此申请是针对适宜于局部沉积成型(SDM)系统中 所用的支撑技术和构成的技术。特别是，优选的SDM系统为热立体平 版印刷术(TSL)系统。此优选实施例的说明将以说明优选的TSL系统 说明开始。此优选系统、数字操作技术、系统控制技术、材料组成和 特性、各种替换的更详细说明可见与此同时申请的先前引用和相结合 的U．S专利申请NO．08／534，813、08／534，447、08／535，722、 和08／534，477，以及3D大纲NO U．S．A．143。而且在多个前面结 合引用的申请和专利中还讨论了替代系统，特别是那些引用作为直接 相关的，或者可应用于SDM、TSL的或熔凝沉积成型(FDM)。在这方 面，后述的支撑结构和构成式样应被解释为可应用于多种SDM、TSL 和FDM系统而不限于这里说明的系统例子。而且，如前指示的，这些 支撑结构和构成样式在其他RP§M技术中具有实用性。

图3说明为执行SDM／TSL的设备的优选实施例。此设备包括撒布 平台18、撒布头9(例如多孔喷墨头)，其中撒布头9被置于撒布平 台18上，平面化器11和部分构成平台15。撒布平台18为一能支撑 平面化器11和撒布头9的水平部件。撒布平台18通过耦合部件13 可滑动地耦合到X架12。此X架12最好由一控制计算机或微处理器 (未图示)控制，控制撒布平台18能在X方向前后移动，即主扫描方 向。    

而且在平台18两侧要装有风扇，用于垂直向下鼓风以邦助冷却 撒布材料14和部分构成平台15以便维持所希望的构成温度。其他适 于安装风扇的方案和／或其他冷却系统包括(但不限于)有为将可蒸发 的液体(如水、酒精、或熔剂)导向到物体表面的雾化装置，风扇安装 在平面化器11与撒布头9之间的强制冷却装置，和安装在撒布平台 之外的固定或移动风扇的强制冷却装置。冷却系统可包括有原或无源 散热技术，它们可以是结合温度传感装置由计算机控制的，以维持早 先撒布的材料在所希望的构成温度范围之内。其他的冷却措施包括 (但不限于)在材料中混合撒有起黑体幅射器作用的杂质，特别是IR 频率，以使得在构成过程中热易于由物体幅射。另外的措施还包括(但 不限于)每隔数层对材料增加导电物质，对材料加溶剂，构成带冷却 通道的部分或带有作冷却用的埋置基片(例如交织行)，构成在玻璃板 或聚酯片上。

为冷却材料或者至少将撒布材料维持在适宜的温度的其他实施 例可以是利用在局部形成的物体上表面引导以温度调节气体(如空气 这样的冷却气体)，如上面讨论的，但它们也可以附加以由表面去除 冷却空气的控制技术。这种技术可以是采用鼓吹和抽吸装置和交变鼓 风管(气体进入管)和抽吸管(气体排除)。这些管道使得气体过度加热 而降低有效的冷却速率之前去除冷却气体。被引入在表面上的气体可 被作入冷却状态、作入室温、或作入某些其他适宜温度。如作适宜地 的组构，这些交替的引入去除导管使得能加快扫描速度从而能容许如 支撑这样的脆弱结构的紊流或风的畸变。这些导管可被组构得提供与 打印头运动相反的方向的空气流以此来降低进入与部分形成的物体 接触的净风速。与个别管相关联的鼓风或抽吸取决于打印头的运动方 向而可以被反向、开通或关断。

打印头9为市场供应的打印头，被组构来喷射热熔墨水，例如热 塑性的或蜡状材料，被修改用于三维成型系统，其中打印头经受前后 运动和加速。打印头变型包括组构于机载留能器上的任何打印头以使 得加速度导致留能器中材料的最小位移。一优选实施例包括一96喷 嘴市售打印头(Model NO．HDS96i(spectra Corporation有售， Nashua，Hew Ham Shire))，包含有留能器变型。打印头由一先前 引用的U．S专利申请NO．08／534，477中所述的材料封装和处理子系 统(未图示)供给可流动状态的材料。在此实施例中，喷射头上的全部 96个喷嘴在计算机控制下当各喷孔(即喷嘴)以恰当地置于撒布液滴 在所希望的位置上时通过孔板10开始作局部喷射。实践中，每秒发 出接近12000至16000条命令到各喷嘴，根据喷嘴位置和为材料沉积 所希望的地点有选择地命令每一喷嘴喷射(撒布液滴)或不喷射(不撒 布液滴)。实践中，喷射命令还同时被发送到所有喷嘴。由于上面提 到的优选打印头含有几乎100个喷嘴，上述喷射速率导致需要每秒发 送接近1．2到1．6×106发射命令到打印头。这样，打印头被计算机 控制得使得有选择地喷射喷嘴使得它们通过孔板10中的一或多个孔 同时发射出溶融材料的液滴，当然，将可看到在另一优选实施例中， 可以采用具有不同数量喷嘴的打印头，可以有不同的喷射频率，和在 适当的环境下可能不同时地发射喷嘴。

为最有效地构成三维物体，首先希望所有喷嘴均正确喷射。为保 证所有喷嘴正确地喷射或至少要使正确地发射的喷嘴数量最大，可采 用各种技术。一个这样的实施例是每次形成薄层之后检验喷嘴。此技 术包含步骤：1)形成一薄层；2)通过所有喷嘴喷射以在一张纸上打 印测试模式行来检查喷嘴；3)光学检查(通过条码扫描等)喷嘴是否 误喷射；4)清除喷嘴油污；5)去除刚撒布层的整体(例如采用后述 的优选平面化器进行加工)；和6)利用包括未填满的喷嘴的所有喷嘴 重新构成薄层。

第二实施例具有下列优选步骤：1)形成一层；2)光学检查误喷 射喷嘴；3)重扫描本应由误喷射喷嘴形成的层上的行；4)在剩余的 构成处理中停止使用误喷射喷嘴；和5)在弥补误喷射喷嘴同时扫描 后续层(即以一工作喷嘴作额外通过以覆盖对应于误喷射喷嘴的 行)。可选择地，周期检查误喷射喷嘴是否又开始起功能作用。如果 是，此喷嘴即返回操作。另一选择包括，使误喷射喷嘴通过再激活例 行程序检查其是否能起功能作用。这可在构成处理期间或在系统服务 期间进行。作为另一替代方案，可由跟踪压力元件在发生喷射时的电 气特性来确定一喷嘴是否正确喷射。

第三实施例可以是采用柔性部件由打印头底部扫清过剩的材 料。这一实施例是在所有喷嘴喷射后以一被加热的橡胶(如VITON)刮 板清扫孔板。最好将此刮板置于在其与孔板作相对运动相互通过时能 与孔板相接触，由此产生擦刮操作来由孔板上去除过剩材料而有助于 复元任何不正常工作的喷嘴。另外最好将孔板和刮板配置得相互间有 一角度使得任何一次它们相接触期间仅有孔板的一部分与刮板相接 触，由此来使得刮板加到孔板上的力成为最小。

孔板10被安装在撒布平台18上使得材料液滴能由撒布平台18 的下侧发射。此孔板10如图4a和4b中所示。在一优选实施例中， 并如图4a中所示，孔板10(即孔的行)被安装成接近于垂直主扫描方 向(X-方向)并由N=96个可各自个别控制的孔构成(标以10(1)、 10(2)、10(3)……10(96))。每一孔设置以一压电元件，在当一电启 动脉冲被加到此元件时即使得一压力波传过材料。此压力波使由孔中 发射一滴材料。此96个孔由控制计算机控制，以控制加到各个别孔 的启动脉冲的速率和定时。参看图4a，此优选实施例中相邻孔间的 距离“d”约为8／300英寸(约26．67mils或0．677mm)。这样，采用 96孔，孔板的有效长“D”即约为(N×8／300英寸)=(96×8／300 英寸)=2．56英寸(65．62mm)。

为精确地构成一物体，打印头必须喷射得使液滴到达特定的“所 希望的滴落地点”即液滴被指定要抵达的地点。此所希望的滴落地点 按将物体描绘成一系列相互隔开的地区点的数据映象、即象素分布来 确定。为使液滴到达所希望的滴落地点，打印头必须按“所希望的喷 射地点”喷射液滴，亦即在一以打印头至所希望的相对位置，打印头 的速度、和被挤射后质粒的弹道特性的“所希望发射时间”。

在一优选实施例中，采用光栅扫描来将打印头9和孔定位在所希 望的地点。各层的打印处理由打印头9与所希望的滴落即喷射地点之 间一系列的相对运动完成。通常打印是在打印头9作主扫描方向的相 对运动中进行的。随后常常是在一第二(副)扫描方向上作一很小的增 量运动但不发生撒布，后面接着在主扫描方向作回程扫描同时再进行 撒布。此主扫描和副扫描的交替过程重复直至薄层被完全沉积。

替代的优选实施例可以在主扫描进行期间作小的副扫描运动。因 为通常在沿主和副方向的净扫描速度间存在很大差别，这种替代方案 将仍然得到沿着接近与主扫描方向并行和与副扫描方向垂直的扫描 的沉积。再有的替代优选实施例可以采用向量扫描技术或向量扫描和 光栅扫描技术相结合。

已发现，液滴在紧接着被由喷嘴孔撒布后与其宽度相比具有一伸 长的形状。此液滴长与宽之比可被定义为液滴的形态比。还看到这些 液滴的形态比在由喷嘴孔送出时变得较小(即它们在形状上较呈球面 状的)。

应理解，在某些实施例中孔板10与工作表面之间的距离最好足 够大以使得由此射出的液滴当它们撞到工作表面时形状已成为半圆 形的。另一方面还应理解，这种距离(确定在碰撞前打印过程期间液 滴行进的距离)为避免在行进时间增加时可能发生的准确性问题，应 当最小。实践中已发现，当至少90％由孔板发射的液滴已达到最好小 于约1．3，更好小于约1．2，最好是在约1．05与1．1之间的形态比(亦 即由液滴宽被其长除所得的比)时这二个条均可满意地的满足。

在替代优远实施例中，打印头9可被安装在对主扫描方向的非垂 直角度上。这一情形如图4b中所示，其中打印头9被安装在与主扫 描方向(如“X”方向)呈“α”角度。在这替换状态中，孔间的距离 由d降到d＇(=dsinα)，打印头9的有效长度降至D＇=(Dxsinα)。当间 距d＇等于副扫描方向(接近垂直于主扫描方向的方向)上的所希望的 打印分辨率时，此角度α即被看为“指导角”。

如果间距d或d＇非所希望的副打印分辨率(即打印头不在指导角 上)则为了优化打印一层的效率，必须选择所希望的分辨率来使得d 或d＇成为所希望分辨率的整数倍，同样，在以α=90°打印时，喷嘴间 的间距即存在于主扫描方向和幅射扫描方向上。这一间隙被定义为 d”=d×cosα。这因而也要求将所希望的主扫描方向打印分辨率被选 为d”的整数倍来优化打印效率(这是假定喷射地点被定位于一距形格 栅中)。表明这一情况的另一种方法是，角度α被选择得使α＇和／或d″ 在被适当的整数M和P除时产生所希望的主、副扫描分辨率。采用此 优选打印头定向(α=90°)的优点在于，它使得在主扫描方向上任何所 希望的打印分辨率时均仍可维持在最佳的效率。

在另外的优选实施例中，可采用端对端排列(在副扫描方向延伸) 和／或背靠背地堆叠(在主扫描方向堆叠)的多重打印头。在作背靠背 堆叠时，打印头可在主扫描方向对准排列喷孔以使它们打印通过同样 的行，或者将它们相互位移来沿着不同的主扫描行撒布材料。特别 是，可以使背靠背打印头在副扫描方向互相作所希望的光栅行间隔的 位移以使得必须进行的主扫描过程次数最小。在另外优选实施例中， 规定沉积位置的数据可以不由一矩形栅格中组构的象素定位而是代 之以某种其他模式(如位移的或交错的模式)中组构为象素定位。较具 体说，沉积位置可全部或部分地在层与层之间改变，以便能根据欲喷 射区间的细节对整个层或一层的整个部分进行局部象素滴液定位的 位移。

本优选印刷技术具有的沉积分辨率在主扫描方向为每英寸 300、600和1200滴液和在副扫描方向为每英寸300滴。

参看图3和5，平面化器11包含一带纹理形(如被滚花的)表面 的被加热的旋转(如2000rpm)滚柱18a。其功用是熔融、转移和去除 前面撒布的材料层(薄层)、以便使之光滑、设定最后形成的层所希望 的厚度，和将最后形成层的上表面设置到所要求水平。数码19指示 打印头刚刚沉积的材料层。旋转滚柱18a被安装在撒布平台中以使得 它能由平台的下方突出Z方向上足够大小以便接触在所希望水平上 的材料19。更重要的是此旋转滚柱18a被安装得能在被打印头或孔 板的下方清除的平面之下所希望的距离。在孔板自己突出在撒布平台 18之下的情况中，施转滚柱18a将突出在撒布平台18的更下面。在 这一优选实施例中，在Z方向孔板下面的突出位于0．5mm至1．0mm的 范围内。滚轮伸到撒布平台18之下的范围是孔板10与工作表面之间 的间距的决定因素。从而，在某些优选实施例中，最好平面化器11 伸到孔板10之下的范围不与先前说明的关于液滴形态比的条件相抵 触，其中在碰撞后90％的液滴已达到形态比最好小于约1．3，更好是 小于1．2而最理想的是在约1．05～1．1之间。

滚柱的旋转扫清图中以标号21指明的刚沉积的层的材料，剩留 下其尾迹光滑的表面20。材料21粘接到滚柱的刻花表面并被位移直 到它触清除器22。如图示，清除器22被配置来由滚柱表面有效地“刮 除”材料21。清除器最好由VITON构成，虽然其他材料，例如能由 滚柱表面清除材料的TEFLON_也适用。最好此刮除器材料对液化的构 成材料是非浸润性的和能足够耐久地接触旋转滚柱18a而不被太快 地磨损。被清除的材料通过被加热的临时管道在吸力作用下被清除到 残料箱(图中未表示)，在这里它或者被排除掉或者作循环使用。平面 化器残料箱恒定地保持在真空以便不断地由平面化器滚柱除去材 料。当此残料槽箱装满时系统自动反转真空数秒钟来向废弃材料吹除 经止回阀进入更大的残料槽。一旦净空后即恢复真空和继续由平面化 器吸进残料。实践中，已观察到被撒布材料的接近10～15％被平面 化器去除。虽然大部分优选实施例采用旋转、熔融和刮除组合来进行 平面化，但可以相信其它实施例可以利用三个中的任一个或它们中两 个的任意组合。

在本实施方案中，滚柱18a在打印头作每一方向前后移动时单方 面旋转(例如以约2000rpm)。在替代实施例中，滚柱18a可根据在主 扫描方向运动期间平台18向前或后清扫时作成在相对方向旋转。一 些实施例可以包括滚柱18a的旋转轴是相对于打印头的定向轴为离 轴的。在其他实施例中还可能采用多于一个的滚柱18a。例如，如果 采用二滚柱，可使每一个以不同方向旋转，还可能作垂直定位以使得 能在任一给定清扫期间选择一个参与平面化。

在采用单个打印头10和滚柱18a时，虽然每一次通过均发生沉 积但仅在打印头每第二次通过产生一次有效的平面化(即平面化总是 发生在同一方向)。在这些情况下，当清扫方向指向一与箭头由滚柱 指向打印头同样的方向时发生平面化。换句话说，当清扫方向为使得 在部件在主扫描方向经过该层时滚柱跟随打印头之后即发生平面 化。

其他优选实施例可利用单个滚柱，但利用位于滚柱两列的一或多 个打印头，以使得在二方向上清扫时产生有效的平面化。其他替换实 施例可能消除打印头和平面化滚柱运动间的关系。这种隔离可能使平 面化和撒布操作独立进行。这样的隔离可能涉及打印头清扫方向(如X 方向)与滚柱清扫方向(如Y方向)不同。这种隔离还可能使得在平面 化步骤之间能形成多层或沉积单个层的多行。

参看图3a，还表明部分构成平台15。图中以标号14指定的三 维物体或部分在平台15上构成。平台15可滑动地耦合到在计算机控 制下可控制平台在Y方向(转位方向或副扫描方向)往复运动的Y构架 16a和16b。平台15还耦合到在计算机控制下能控制平台在Z方向 作上下运动(通常在构成期间逐渐向下)的Z构架17

为构成一部分的一断面、薄层、或层，Z构架用作使部分构成平 台15对打印头9作相对运动以使部分14的最后构成断面位于打印头 9的孔板10之下适当处。而后打印头9与Y构架16a、16b相结合促 成对XY构成区域清扫一或多次(打印头在X方向前后清扫而Y构架 16a、16b在Y方向传送部分地形成的物体)。最后形成的断面、薄 层(即物体的层)、和与之相关的任何支撑的组合确定为沉积下一薄层 和与其相关的任何支撑的工作表面。在XY方向传送期间，打印头9 的喷嘴孔以登记方式相对早先撒布的层喷射来按所希望模式和顺序 沉积材料以构成物体的下一薄层。在撒布处理中被撒布材料由平面化 器11按上面讨论的方式去除。重复X、Y和Z运动、撒布、和平面 化以由多个局部撒布和粘结层来构成物体。而且，平台15在当撒布 平台18的方向处于在完成一扫描后反相过程中时可在Y或Z方向转 位。

在一优选实施例中，在形成一薄层期间沉积的材料具有等于或稍 大于所希望的层厚度的厚度。如上述，沉积的过剩材料被平面化器的 操作去除。在这些情况中，层间的实际构成厚度不由每层所沉积的材 料量确定而是由每层沉积之后平台所作的向下的垂直增量所确定。如 果要求优化构成速度和／或使浪费的材料量最小，则希望沉积过程中 剔除尽可能少的材料。材料的剔除越少，各薄层越厚而物体构成越 快。另一方面如果使层厚、亦即Z增量太大，则至少与某些滴液地点 相关的构成量将开始滞后于所希望的水平。这种滞后将导致实际的物 理工作表面处于与所希望工作表面的不同的位置，并可能导致形成不 平整的工作表面。位置上的差异可能导致因飞溅时间长于预期的而引 起液滴的XY错位，并进而可能导致物体外形的垂直错位，这发生在 实际工作表面的错位时层的开始或结束。因此在某些实旋例中希望优 化垂直方向上层的增量。

为确定理想的Z轴增量，可采用一累加诊断部分。这一技术最好 是构成逐步增大Z增量的一或多个测试部分的层，测量所形成的外形 的高，并确定怎样的Z增量取得正确数量的形成高度(即垂直累加) 和怎样的Z增量使得形成高度滞后于所希望的量。可以预料，层增量 (即Z增量)达到某一值(即最大可接收的值)将产生构成物体的水平 等各个层数与各层厚的乘积所预定的水平。在增量超过此最大可接收 的值之后，物体的构成水平将会达不到层数与各层厚之积所预计的 值。换句话说，诊断部分的上表面的平面化可能丧失(表明某些滴液 地点可能接收足够的材料而其他的则否)。检查此诊断部分，就可试 验确定最大可接受的Z增量值。然后即可选择此最佳Z增量值作为这 一最大可接收的值，或者可将之选择为稍低于这一最大值的某种厚 度。由于知道不同的构成和支撑样式在垂直方向以不同的速率累积， 可针对各个构成样式和支撑样式进行上述试验，由此而能选择对不同 样式的组合的最佳Z增量，使其不厚于任一对各种样式个别地确定的 最大值。

而撒布头在跟踪一给定的扫描行时，可仅在通过此扫描行的部分 上时保持基本恒定的速度。在扫描的其余部分，打印头9可以加速或 减速。按照如何控制嘴的喷射，这有可能或者不会引起在运动的加速 和减速阶段过度构成的问题。在速度变更可能引起累积速率上的问题 的情况下，可将该部分或支撑构成限定于打印头具有基本恒定速度的 扫描行的部分。换言之，如对应于3D大纲NO．USA143的同时递交的 US专利申请中讨论的，可采用一喷射控制方案使得能在扫描行的加 速或减速部分准确地沉积。

如前面指出的，在某些优选实施例中，打印头9被指引来跟踪一 光栅模式。图6中表明其一例。如图示，此光栅模式由一系统光栅行 (或扫描行)R(1)、R(2)……R(N)组成，在X方向，即主扫描方向运 行并沿Y方向(即转位方向或副扫描方向)布置(即隔开)。光栅行相互 隔开距离d，在一优选实施例中为1／300英寸(约3．3mils或 83．8μm)。由于打印头9的孔相隔距离d，它如上面讨论的最好约 26．67mils(0．6774μm)，并由于所希望的光栅行数可在转位方向延伸 一大于孔板10长度的距离，约2．56英寸(65．02mm)，打印头9必定 在工作表面上被通过数次过程清扫以便能跟随所有所希望的光栅 行。

这最好以下面的二步骤处理来完成。第一步，打印头在主扫描方 向在工作表面上通过8次，此时Y构架16a、16b在每次主扫描方向 上通过一次之后即在副扫描方向上转位d。第二步，Y构架16a、 16b转位等于孔板10的长度的距离(2．5600英寸+d(0．0267)英 寸)=2．5867英寸(65．70mm)。然后重复此二步骤处理直到所有所希望 的光栅引均被跟踪扫过为止。

例如说，在第一次通过时，打印头9可能被导向到跟踪光栅行 R(1)(经由图4中的孔10(1))、R(9)(经由孔10(2))、R(7)(经由 孔10(3))等等。Y构架16a、16b然后将被指引来在转位方向上移 动构成平台18距离dr(一光栅行)。下一次通过时，打印头9可被 导向到跟踪R(2)(经由10(1)、R(10)(经由10(2))、R(7)(经由 10(3))等。在每次通过之后Y构架16a、16b转位距离dr再进行6 次通过直至进行总共8次通过。

执行第一步之后(由8次通过构成)，如还有光栅行需要跟踪即进 行第二步。第二步包括使Y构架移动构成平台等于孔板的全长 10+dr，2．5867英寸(65．70mm)。如需要，包括第一步骤的另一组8 次通过在另一第二步骤之后执行。然后重复上述二步骤过程直至所有 光栅行被扫完。

图26表明此二步骤处理的示例，其中打印头由二个喷嘴构成， 此二喷嘴相互被分开8个光栅行间距。以第一喷嘴被置于位置201和 第二喷嘴被置于位置301中开始断面扫描。扫描处理的第一步骤开始 以分别由第一和第二喷嘴在被指定方向扫描光栅行211和311。作为 第一步骤的部分，光栅行211和311的初始扫描后跟以如元件221和 321指明的一光栅行宽的转位增量。继续作为第一步骤的部分，初始 光栅扫描和转位增量后跟以被隔开以6个多一光栅行宽转位增量(表 明为元件对222和322、223和323、224和324、225和325、226 和326、及227和327)的再7个光栅扫描(表明为行对212和312、 213和313、214和314、215和315、216和316、217和317、 及218和318)。紧接扫描光栅行对218和318之后进行第二步骤处 理，按照光栅行228和229的方向和长度打印头作Y方向转位。此转 位长度等于打印头宽(即在此例中为8光栅行宽)再加一个光栅行的 宽。在此大增量之后，重复第一步和第二步所需的次数来完成此特定 的正在形成中的断面的扫描。对本技术领域的熟练人员将很显见，此 二步骤扫描技术也可在替代实施例中以其他方式完成。例如，第二步 骤可以不以由元件228和328所指明的Y中的正转位增量组成，而是 由如元件330所指明的Y中的大的负增量组成(即3打印头宽减去1 光栅行宽)。

此优选实施例可概括包含以下特点：1)转位方向上相邻喷嘴间 的间隔为在接近垂直于转位方向的打印方向中延伸的相邻沉积行间 的所希望的间隔(dr)的整数(N)倍；2)第一步骤包括执行打印方向中 的多次通过(N)，其中每一次通过在转位方向上位移相邻沉积行间所 希望的间隙(dr)；3)第二步骤包括在转位方向使打印头9偏移一很 大的量以使得喷嘴能在另外的通过中沉积材料，其中相继的通过被一 光栅行转位增量分隔，此后在需要时将作另一大的转位增量。在大多 数优实施例中，第二步骤的转位量将等于第一喷嘴与最后喷嘴的间隔 加相邻沉积行之间所希望间隔之和(即N×J+dr，其中J为打印头9 上的喷嘴数)。

如上例指出的，其他的第二步骤转位量也是可能的。例如，负第 二步骤增量(与第一步骤中所用的转位增量的相反方向)等于打印头 宽加相继喷嘴间宽的二倍之积的和减一光栅行间隔的宽。在另外的实 施例中，可能利用改变的或在正、负值间往复交替的第二步骤转位 量。在这些实施例中第二步骤增量值具有共同特征，大于第一步骤中 所用的个别转位量。

在其他优选实施例中可采用另外的单个或多个步骤转位模式。转 位方向增量可一般作成包含具有Y轴上负的和正的移动双方的增 量。这可由扫描最初被跳越的光栅行来完成。这将在涉及到被称为“隔 行扫描”的技术中进一步讨论。

在某些优选实施例中，墨水喷头的喷射由保持在控制计算机或其 他存储装置中的矩形位图、即象素位置进行控制。位图包括存储器单 元栅格，其中每个存储器单元对应于工作表面的一个象素，且其中此 网格的行在主扫描方向(X方向)延伸而网格的列在副扫描方向(Y方 向)延伸。行(沿Y方向的间隔)的宽(行间距离)可能与列(沿X方向的 间隔)的宽(或长度或之间的距离)不同，要求在X和Y方向或层之间 可能存在不均匀大小的象素，其中象素宽或长之一或两者随象素位置 而改变。在再一些其他优选实施例中另外的象素排列模式也可能。例 如相邻行上的象素在主扫描方向位移象素间的间隔的部分值以使得 它们的中心点不与相邻行中的象素的中心点对准。此部分值可以是 1／2以使它们的中心点与相邻行的象素边界对准。它可是1／3、1／4 或一些其他的值以使得能在象素模式再次在后续层上重排列这前有 二个或更多的中间层。在再有的替代中，象素排列可取决于被撒布的 物体或支撑的几何形状。例如，当在形成一被认为桥接支撑柱之间的 间隙的支撑模式的部分或在当形成一物体的面向下部分时可能希望 位移象素排列。这些和其他替换象素排列方案可由修改象素组构、或 者定义较高分辨率象素配置(在X和／或Y中)并利用不在每一象素地 点喷射而是在可能按照所希望的随机的、预定的或物体偏置模式而变 化的被选择的隔开的象素地点喷射来实现。

主扫描方向的数据分辨率可按主方向象素(Main Direction Pixels，MDP)定义。MDP可由象素长度或由每单位长的象素数量来描 述。在一些优选实施例中，MDP=300象素／英寸(26．67mils／象素或 677．μm／象素)。在其他优选实施例中，MDP=1200象素／英寸。当然， 按照希望可采用任何其他MDP值。同样，副扫描方向中的数据分辨率 可按副方向象素(Secondary Direction Pixels，SDP)定义。而SDP 可由象素宽或由每单位长度象素数量来描述。在某些优选实施例中 SDP=MDP=300象素／英寸(26．67mils／象素或67．74μm／象素)。SDP 可以等于或不等于光栅行间的间距，而MDP可能等于或不等于沿各光 栅行的相继滴液地点之间的间隔。相继光栅行间的间隔可被定义为副 滴液地点(Secondary Drop Location，SDL)，而沿每个光栅行的 相继滴液地点之间的距离可定义为主滴液地点(MDL)。与SDP和MDP 相似，SDL和MDL，可按每单位长的滴液或滴液间隔定义。

如果SDP=SPL，沿副扫描方向的数据和滴液地点间存在着一对一 的对应的关系，象素间距等于光栅行间距。如MDP=MPL，沿主扫描方 向的数据和滴液地点间存在一对一的对应关系。

如果SDL和／或MDL各自大于SDP和／或MDP则需要喷射比数据存 在需要的更多的滴液，从而各象素将必须被用来控制多于一个滴液的 喷滴。这些额外液滴的撒布可由相继象素的中心之间的中间点撒布液 滴(即中间滴液“ID”)或者直接在象素中央顶部(即直接滴液“DD”) 来进行。在此二种情况下这种技术称之为“罩印”，并导致较快的材 料构成和缓和涉及最大扫描速度和加速度的机械设计的限制，因为在 较慢地移动打印头和／或物体时能进行同样的Z构成。图16a～d表 明ID罩印与非罩印即DD罩印中的差异。图16a表明在打印头在方向 64上运动时单个滴液60被沉积和相应的围绕它的凝固区62。另一 方面，图16b表明在打印头在方向64上运动时同一区的被处理但是 采用ID罩印技术，在此与单个数据点相关地沉积二滴液60和66。 为此二滴液充满的沉积区表示为区68。图16c表示对4滴液ID罩印 方案的类似情形，其中滴液被标以数码60、70、66和72，沉积区 被指明为76，其中扫描方向仍然表明为64。图16d表明对一行象素 78、80、82、84、86和88的类似情况，其中数码90表明无罩印 的沉积区的长度，数码92表明当采用4个滴液ID罩印技术时的沉积 区长度。以上可总括地说ID罩印将约1／2至1以下的附加象素长加 到采用它的任何区域。当然，采用的罩印滴液越多，象素区的垂直生 成就越多。

如果SDL和／或MDL各自少于SDP和／或MDP，滴液将在少于存在 数据的地点喷射，至少对于打印头一给定的通过。这种数据情况可被 用于实现上述的偏移象素和／或非均匀大小的象素技术。

图7表明一N行乘M列的网格，如图示，网格中的行标以R(1)、 R(2)……R(N)，而网格中的列被标以C(1)、C(2)、……C(M)。并表 示由象素组成的此网格。它们标以P(1，1)、P(1，2)……P(M， N)。

为构成横断面，首先以代表所希望断面(以及希望构成的任何支 撑)的数据装载位图。假定如某些优选实施例那样，采用单一的构成 和支撑材料。如果希望沉积材料在一给定象素地点，则对应于该地点 的存储器单元适当地加以标记(例如标以二进制“1”)而如果无材料 要沉积即采用相反标记(例如二进制“0”)。如采用多种，对应于沉 积方的单元被适当地加以标记以指明不仅滴液地点方而且要沉积的 材料类型。为便于作数据处理，可将定义对象或支撑区的压缩数据(例 如同时提交的对应于3D系统大概NO．USA．143的US专利申请NO-- 中说明的定义沿各光栅行的通--断位置点的RLE数据)与欲被用于 特定区的一填充模式说明(例如象Docket USA143中说明的style文 件信息)进行逻辑运算以推演用于使撒布喷嘴喷射的最终位图表达 式。喷嘴的实际控制可由随后被修正的位图管理，此图含有已作时滞 的或被修改以使得能更有效地传送数据到喷射控制系统的数据。这些 内容在基于3D系统大概USA143的U．S专利申请中有进一步说明。而 后构成网格的光栅行以先前讨论的状态分布到多个孔。特定的孔被指 定在对应于所希望滴液地点即象素位置喷射或不喷射(取决于位图中 对应单元如何被加以标记)。

如以上讨论的，打印头9能以许多不同分辨率沉积液滴。在本发 明的某些优选实施例中，SDP=SDL=300象素和滴液／英寸。在一些优 选实施例中还能在MDP保持固定时使MDL能取得三个不同值：1) MDL=300滴液／英寸和MDP=300象素／英寸；2)MDL=600滴液／英寸 和MDP=300象素／英寸；或3)MDL=1200滴液／英寸和MDP=300象素／ 英寸。当MDL与MDP之比大于1时，在象素的中心之间的中间位置进 行各象素的额外滴液(ID罩印)。以当前的优选打印头和材料，各滴 液的体积约为80至100微微升，这大致生成具有2mil(50．8μm)直径 的滴液。以当前的优选打印头，喷射的最大频率大约为20KHz。通过 比较，13ips时的喷射速率1200dpi涉及到约16KHz的喷射频率，在 允许极限范围内。

在某些优选实施例中，构成样式分别由物体数据定义，为易于数 据管理、传输和存储器装载。在这方面，如以上指出的，描述物体的 数据与描述构成样式的信息逐个象素地作逻辑处理到一起(如相交叉 地)，以生成任何给定地点的象素到象素的沉积模式表述。例如，如 果一完整的固定模式要在二次通过中撒布(例如二步骤式)，物体数据 将首先与表示欲作滴液沉积的象素部分的第一构成样式模式作逻辑 处理(如相交叉)(或者为便于术语说明，可与光基立体平版印刷中所 用的局部固化类似地称为“曝光”)。此所得的修正象素数据然后即 可被用来控制喷嘴喷射。接着对象数据与相补构成样式模式进行逻辑 处理(如相交叉)，以生成用于控制喷嘴的第二喷射的修正象素数据。 在另外优选实施例中，物体数据和支撑数据可根据其偏转被直接校正 到构成样式数据。在另外的优选实施例中构成样式信息还可能包含象 素位移信息、象素大小信息、罩印信息、为在多象素地点沉积的扫描 方向基准，平面化方向和旋转基准等。这里所述的构成样式增强系统 性能是由：1)增大构成速度；2)增加所形成物体的精确性；3)增加 表面光洁度；4)减少物体中的和／或物体的畸变；或5)这些中的一个 或多个的同时组合。

局部沉积成型系统的一个重大问题是保证材料沉积的可靠性，特 别是实现沉积断面的均匀厚度。另一个问题是实现所有构成样式的均 匀厚度。在墨水喷嘴系统中，这一可靠性问题可能采取误喷射或无喷 射喷嘴的形式。在一多喷嘴吸系统中，问题还在于喷嘴喷射方向的非 均匀性、喷嘴间的撒布量的非均匀性、和较少程度上由一单个喷嘴的 撒布量在时间上的非均匀性。

断面厚度的非均匀性问题也可能是由其他现象引起的。作为一 例，在一液滴离开一喷嘴时，在此液滴达到工作平面之前有一个漂落 时间。当离开喷嘴时，滴液以一初始向下速度分量喷射离开喷嘴，但 由于喷嘴在主扫描方向上运动，此液滴还具有一水平速度分量。一旦 液滴离开喷嘴它就经受各种外部和内部的力，包括重力、粘滞曳力和 表面张力。这些初始条件和力将导致的结果是，液滴可能不，且很可 能不直接落在它被发射的位置正下面的工作表面上。而是此液滴将在 稍稍偏离此理论滴液点的某处着陆，通常在打印头引进的方向。换句 话说，喷射地点与撞击(滴落)地点将不会有相同的XY座标，而是相 互之间有位移。所发生的水平距离的位移取决于上述因素但也取决于 在每一水平地点孔板10与工作表面的垂直位置(例如“Z”位置)之 间的距离(如X和／或Y位置)。如上面指出的，垂直位置的变化可能 因多个原因产生。例如，变化可能因一断面的不同部分之间在几何形 状上的不同所产生(多或少的材料喷散导致沉积厚度的大小)。另一例 是，变化可能因对一空间模式的沉积的暂时排序所引起(先前在一相 邻象素场所沉积的材料可能限制材料在该方向上的散播)。

如前面指出的，实现本发明的优选系统利用平面化来使各所沉积 的断面达到均匀高度，其中净层厚由Z方向中二连续层的平面化水平 得到。从而，如果希望平面化步骤形成一完全平滑和均匀地平整的 层，平面化之间的Z增量必须为或低于整个层上每一点的最小沉积／ 构成厚度。如果一喷嘴喷射很弱(或不喷射)，最小厚度构成可能导致 净层厚度远小于(即接近零或为零)所希望值，并因此要比所希望长得 多的构成时间。其他优选实施例可以是对断续的层而不是每一层作平 面化。例如可以对每二个、三个或更多间隔的层作平面化。另外，可 以根据物体的几何形状来确哪一层或层的部分作平面化。 漂落时间的校正

如上面指示的，保证液滴达到工作表面上所希望位置的一个困难 是液滴在漂落中的时间(即液滴的漂落时间)。如果此漂落总相同且如 果偏移的方向和量总相同就不会存在漂落时间问题，因为只有喷射座 标与沉积座标间的位移起作用。但是，在形成三维物体时通常希望打 印头在正、反主扫描方向两方向行进时均喷射材料(和其它包括例如 交替主和副扫描方向的定义)。这导致由于在不同方向(如相反方向) 上发生相对运动而产生的扫描之间的偏移方向中的变化(如偏移方向 逆转)。这一问题可容易地由使得在打印头实际到达直接在所希望位 置场所的上方点之前发生喷射信号来解决。这种对喷射时间的校正被 称之为“漂落时间的校正”。漂落时间可利用一应用到在多方向分别 扫描的校正因子来校正，或者可采用一单个校正因子来使由一扫描方 向的沉积进入以另一方向中作的未校正扫描的注册。漂落时间校正可 由多种方法实现。一种途径，例如是在各光栅行的起头定义初始喷射 地点(X位置)，该初始喷射地点将被用来对沿此光栅行上所有其他 象素来设定喷射地点。

图27a～e表明喷射地点、滴液地点、和漂落的时间之间的关系， 其中同样部件标以相同数码。图27a表明喷射位置404a和404b两者 均与所希望的滴液位置402相一致(即不利用漂落校正时间因子)的 情况。部件404a表示在打印头在正X方向以部件406a表示通过时的 喷射地点，部件404b表示在打印头在负X方向以部件406b表示通过 时的喷射地点，部件408a和408b分别表示后跟以离开喷射地点404a 和404b后的液滴的标称通路。此标称通路408a和408b指引液滴到 实际滴液地点410a和410b，在此液滴撞击表面而形成撞击的液滴 412a和412b。所发射液滴的交点(即焦点)在双方向扫描时被表明为 号码414。由整个层的交点所定义的平面可称之为焦平面。部件416a 和416b表示在喷射地点和所希望的滴液地点之间的X位移方向所用 的漂落时间因子。实际滴液地点是否与所希望的滴液地点相符合确定 校正因子的合适性。图27a中可以看到，液滴在偏离的方向移动从而 撞击液滴不与工作表面重叠，导致材料在Z方向最小的构成和不准确 的XY位移。图27b表示采用很小的漂落时间校正因子416a和416b 的情况，导致焦点位于所希望工作表面之上并导致与图27a中所示的 相比撞击液滴412a和412b相距更接近。如果漂落时间校正较大，则 由于撞击液滴412a和412b重叠或叠加Z构成将增大。图27c表示的 情况是，采用的漂落时间校正因子导致被撞击液滴412a和412b的最 准确的位移(假定与滴液距离418相比撞击液滴412a的厚度较小，且 不一致角度不太大)。如果最佳漂落时间校正是基于最大的Z累积， 则图27c即表明此最佳情况。图27d表示的情形是，漂落时间校正因 子416a和416b稍大于图27c中所采用的那些，但仍然导致基于二液 滴的重叠的Z累积。液滴的X方向位移仍然相当准确，而撒布的焦点 414较低于所希望的工作表面(和实际工作表面)。图27e表示的情形 是，采用更大的漂落时间校正因子使得Z累积能被降至一最小量，而 此时焦点更低于所希望的工作表面。

如果忽略曳力和重力对漂落时间的作用，漂落时间校正值(时间) 将等于孔距工作表面的隔开距离(长度)除以液滴撒布的向下速度(长 度／时间)。但认为曳力是一重要因素。例如，在某些优选实施例中打 印头扫描速度接近13英寸／秒，由孔板至工作表面的距离近似0．020 英寸，和认为初始垂直喷射速度在200～360英寸／秒的范围内。如 果忽略曳力或其他摩擦力，在这样的初始条件下，预计喷射地点与滴 液地点之间的位移将为0．8至1．3mils。但在这些条件下，实际上观 察到的喷射地点和曳力地点间在主扫描方向上的位移约为2mils。

设法在双方向扫描时在单个X地点沉积液滴和重复以不同的校 正值进行此试验直至二滴液在同一点着陆，这就能容易地试验确定合 适的校正值。如以上指出的，在某些优选实施例中，漂落校正值的最 合适时间是液滴命中相同位置的一个。按照上例，如忽视曳力，预计 漂落时间校正因子接近为60～100μs。实践中发现校正因子接近于 150～200μs将较合适。

在另外的优选实施例中，最佳漂落时间校正因子不是被设为产生 最准确的命中目标的值(即焦点不是在工作表面上)而是代之以被设 定为产生最准确地命中在实际工作表面之下某一距离(即焦点位于工 作表面之下)。这些实施例称之为“表面外命中”实施例。在这种意 义上说，最准确的命中被认为是发生在垂直累积速率最大时而多半是 在X位置被最精确地撞击时。图27a说明这些表面外命中实施例的命 中示例。这些表面外命中实施例被认为是对不采用额外的为将所希望 的和实际的工作面保持在同一水平的部件来产生构成时特别有用(例 如无平面化器或无象表面平整检测装置和调整机构或配置等的附加 部件)。

这些表面外命中实施例的一个特点是Z累积是自纠正的，即自补 偿的。只要相继层的沉积间的Z增量是在一适当的范围内，而沉积模 式使得能不仅仅垂直累而且还能作撒布材料的水平扩散。则在一层上 的过量的Z累积就会使一或多后续层上的Z积累减少，而使得净累积 将焦点保持在实际工作表面之下某处。另一方面，也只要连续层的沉 积之间的增量在一适当范围之内且沉积模式使得能仅垂直累积而且 能作撒布材料的水平扩散，则在一层上很小的Z累积造成一或多个后 续层上的Z累积增加，由此使净累积将焦点保持在实际工作表面之下 某处。此优选的Z增量范围在下面进一步讨论。

这种自校正特性可由研究和比较27c、27d、27e得到了解。在 开始沉积时(如在平台上)选择漂落时间校正因子以使得焦点低于实 际工作平面某处，如图27d中所示(亦即，应将焦点设置得在一适当 位置以使得图27c和图27e中所示情况不会发生)。如在形成第一层 时对所采用的给定Z增量沉积的材料太小，则实际表面将低于此被改 变位置的焦面(但只要Z增量不太大将仍然会高于它)。这导致形成下 一层时的更理想的聚焦沉积，这又导致如图27c中所示的沉积厚度上 的增加。如果由沉积第二层得的净Z叠积仍然太低(与所作的二Z增 量相比)，则下一层在被沉积时将具有较原始表面更接近理想的焦平 面的实际表面。这一更接近优化定位的方法导致将再次驱使净累加的 厚度向Z增量所需的方向变化。另一方面，如果由沉积第二层得的净 累积大于被二Z增量所表示的时，实际工作表面将进一步离开焦平 面，在形成下一层后将发生较少的Z累积，由此驱使净累积向Z增量 所要求的量变化。这是图27e中表明的情形。

当焦平面适当地低于实际工作平面，当Z增量值被适当地选择到 适当地匹配的沉积速率，当物体／支撑被以非固体状态形成(不是全部 象素位置均被直接沉积)时，系统被稳定化且支撑及物体均能以准确 的垂直尺寸形成而无明确地需要一平面化器。当然在希望时仍可利用 平面化器。为最佳地进行这些实施例，最好此Z增量应被选择在最佳 命中期间每层所累积的平均量(如图27c)与在不发生重叠时累积的平 均量(如图27e之间)。而且最好层的厚度要大大低于最佳聚焦平面 (如图27c)距不再发生重叠处的平面(如图27d)的分隔距离。

如以上指出的，在某些实施例中，物体可被形成为使得材料区能 根据命中优良水平不仅垂直累积还作水平扩展，由此使得能作Z累积 自校正。一个这样的实施例可以是将物体形成为整体层和方格盘层交 替的组合。另外的这种实施可以是形成整体面向外表面和方格盘、偏 移方格、或内部物体区间中的其他开口结构。其他的适当的构成模式 可由构成和分析测试部分经验确定。

在某些这种偏移表面命中实施例中，将大多数优选初始目标表面 ／焦平面位置选择成接近于图27c和27e中表明的情况的中央。实现 这一点的一种方法是忽略设想的焦点而集中于漂落的时间上。漂落时 间校正值可选择得使它们大于漂落时间校正值(如上讨论的)且低于 立即生成邻接的但不重叠(不叠置的)撞击区的漂落时间校正值。最好 此被选择的漂落时间值取此二极限值的平均值。

某些偏移表面命中实施例被用来同时形成不同的物体部分和／或 支撑，以使得在任一给定层形成后它们的上表面有意成为不同的高 层。这些不同高度实施例可能得益于采用象SMLC技术这样的数据管 理技术，如先前引用的US专利申请NO．08／428，951以及某些其他 先前引用的US专利和申请中讨论的。

除上面提示的漂落的时间外，还引起利用修正的漂落时间校正因 子进行校正的其它问题。例如，在利用ID罩印技术来促使更多构成 时，在被作反方向扫描的扫描行上的结构细节将失去准直，因为此结 构细节在一行上将向一方向延伸而在另一行上向其他方向延伸。这种 情形如图17a和图17b所示。图17a说明各自属于在方向64和104 上行进的扫描行的二点60和100。区域62和102分别表明与点60 和100相关的沉积材料的范围。图17b表明利用4次罩印(即每象素4 个液滴沉积)发生喷射处的相同点60和100。沉积的范围分别以数码 76和106表示。可以看到，由于不同方向的罩印，而丧失二行上的 物理细节之间的对准。上述的不对准可由试验地或者在可能时理论地 确定的附加的漂落时间校正因子来加以纠正，从而使得在不同扫描行 上的结构细节得到重对准。当然，这一纠正形式没有计及沿扫描行加 到物体细节上的任何额外的长度。

所提示的能避免这二个问题的不同校正形式是确认一给定象素 在扫描方向上那一边与也要求作材料沉积的相邻象素来相邻接。根据 这一确认不对这样一个非邻接的象素采用罩印。作为另一替代，额外 的行长度可采用类似于光基立体平版印刷术中所用的行宽补偿的一 种滴液宽补偿形式来加以补偿。如前引用的US专利申请 NO．08／475，730、和08／480，670中所述，但仅应用于沿着表示由沉积 转变到不沉积的各扫描行的点。作为一适宜的校正，这些“终端点” 在它们将在1／2到被采用紧邻接象素的ID罩印完全复查的范围中时 仅仅将其由沉积模式删除。另一种变体是利用移位漂落时间校正数据 来实现子象素化沉积。

漂落时间校正因子也可被以变型方式用于与以上所述某种相反 的目的。在这些实施例中，漂落时间校正因子可用于在中间象素(即 子象素)地点沉积材料以实现增强的构成技术。这些增强的构成技术 可包括有面向下表面的形成、支撑的形成和布置、增强的垂直材料构 成、改善分辨率、等。在优选实施例中，增强的物体形成可在单次通 过或多次通过实现中来达到。 液滴宽度补偿

在有些情况下可能希望以进行液滴宽补偿(即沉积宽补偿)来修 正物体数据。补偿(依靠向内对整体的一个或多完全的象素宽作偏移) 可被用来达到改善的准确度，如果滴液宽至少在某种程度上大于象素 宽和／或长的话。这一技术可与上述的任一实施例或后述的任一实施 例相结合应用。在滴液宽接近或超过象素宽(和／或长)的二倍时，由 单个或多个象素偏移能得到越来越好的准确度。液滴宽补偿可以根据 US专利申请NO．08／475，730和08／480，670中揭示的那些技术。 或者它们可以是基于象素的腐蚀例程。在某些实施例中，基于象素的 腐蚀可以是多次通过一位图，其中满足一定标准的“实心”象素将会 变换成“空心”象素。

一些实施例可包括如下步骤，其中位图的各个边是：1)在第一 次通过此位图时所有在右侧与“空心”象素相邻接的“实心”象素均 被变换到“空心”象素；2)在第二次通过中，所有在左侧与一“空 心”象素邻接的“实心”象素均被变换到“空心”象素；3)在第三 次通过中，所有在其上侧与一“空心”象素邻接的“实心”象素均被 变换到“空心”象素；和4)在第四次通过中，所有在其下侧与一“空 心”象素邻接的“实心”象素均被变换成“空心”象素。其他的实施 例可能改变步骤1)至4)多次直至达到正确的降低量。这些实施例可 以执行合理的液滴宽补偿，但他们的缺点是实心角区中的象素(物体 的角或物体边缘不平行于X或Y轴)被以比表明边缘区平行于X或Y 轴的象素要快的速率去除。

其他的为处理腐蚀速率中的这些差别的实施例可包括下列步 骤：1)第一次通过位图时，所有在其右侧与“空心”象素邻接的“实 心”象素均被变换为“空心”象素；2)第二次通过时所有在其左侧 与“空心”象素邻接的“实心”象素均被变换为“空心”象素；3) 第三次通过时所有至少在其上侧与“空心”象素邻接的“实心”象素 均被变换成“空心”“象素”；和4)第四次通过时所有至少其下侧 与“空心”象素相邻接的“实心”象素均被变换成“空心”象素。其 他实施例可能改变步骤1)至4)的顺序或将作为变换根据的条件。如 果需要作象素腐蚀的不只一个，可重复步骤1)至4)多次直到实现正 确的减少量。这些实施例能有效地将角区中过分的减少降到最小。

另一些实施例可以是根据一象素是否是二、三或四个边与“空 心”象素邻接来设定腐蚀条件。其他的实施例可依据已通过位图的次 数来改变腐蚀条件。另外的实施例可利用腐蚀的组合和与原始断面或 其他部分补偿的位图的逻辑比较来推演得欲曝光的象素的最终位图 表示。为在着重于减少或维持一定的物体结构细节的腐蚀象素的多种 其他实施例和算法对于本技术领域内的熟知人员将是显见的。

在X和Y象素的尺寸明显不同的情况下，仅需要沿一个轴而不是 两个轴进行液滴宽补偿。在这些情况下，类似于上述这些的实施例可 加以利用，其中各个腐蚀仅执行部分步骤。可以预见，带有补偿措施 的沉积也可利用X和Y尺寸之一两者中的子象素偏移量来加以应用。 随机化

构成过程中可利用一被称为随机化的技术(方法和设备)。这种 技术可与任一上述的或后面描述的实施例相结合使用。按照这一技 术，对二接续断面的各个地点的撒布材料的方式将不同。这可达到在 一层(薄层)上作较均匀的构成，使得有可能潜在地利用较厚层从而改 善构成时间。这一技术还使得来自可能不正常喷射的单个或多个喷嘴 的影响最小。可有数种方式改变沉积。例如变型的发生可由：1)相 对于在紧前面的对应部分上沉积材料的喷嘴改变对一层上的给定部 分上的沉积材料的喷嘴；2)相对于一层的任何其他部分改变在该层 的任何给定部分上撒布的暂时次序或空间次序；和3)它们的组合， 例如改变主扫描定向(方向)和／或改变副扫描定向(或方向)。层到层 沉积的变化可以是完全随机地发生，或者周期地或以安排好的状态发 生。光基立体平版印刷术中已采用了类似技术，虽然是出于完全不同 的目的(见前面引用的US专利申请NO．08／473，834中的交替顺序)。

现在说明改变沉积的特定实施例。当前优选的随机化技术保持主 和副扫描方向的定向但采用不同的撒布器(如喷嘴)沿两层间的对应 扫描行沉积。换句话说，第一撒布器用来扫描第一层上的特定主扫描 行，第二撒布器可用来扫描一随后层上的特定的主扫描行(紧靠第一 层上特定扫描行的一行)。在某些优选实施例中，一特定扫描行利用 不同的喷嘴逐行地曝光(即沉积)直至96层均被沉积和96个喷嘴的每 一个均已在此特定扫描行上沉积为止，此后沉积重复。这些实施例是 “全头”随机化的示例。在另一些优选实施例中，以“半头”随机化 作为优选的。半头随机化可减少按照物体几何形状必须在任一断面上 进行通过的次数。根据采用当前的优选96喷头的构成头随机化是由 来自喷嘴1至48或喷嘴49至96产生的随机化撒布通过任一给定地 点的扫描。

为更详细解释全头随机化实施例，参看图4a和6。对一特定层， 可用孔10(1)跟踪扫描行R(1)～R(8)；孔10(2)--行R(9)～R(16)； 孔10(3)--行R(17)～R(25)；孔10(4)--行R(26)～R(33)等。 但在下一层，这些配置被改变来使得一给定孔不跟踪下一层的相同扫 描行。例如可作下面新的安排；孔10(1)--行R(257)～R(264)；孔 10(2)--行R(256)～R(272)；孔10(3)--行R(273)～R(280)等。

另外的实施例是在二层的沉积之间旋转部分形成的物体和／或打 印头某种大小(如30°、60°、90°)，以使得主、副扫描定向从其前 面的定向改变。这导致由任一喷嘴在当前层(即薄层)上的材料沉积基 本上发生在先前层上由其他喷嘴沉积的材料之上。这如图8所示，其 中与第一层相关的扫描行被标明为行R1(1)、R1(2)、R1(3)、R1 (4)……R1(N-3)，R1(N-2)，R1(N-1)，R1(N)，而与后续层 相关的扫描行被表明为R2(1)，R2(2)，R2(3)……R2(N-2)，R2 (N-1)，R2(N)，它们被相对于第一层的扫描行作90°旋转。旋转量 在后续层之间可以改变或者为一恒定值。角度可这样选择，即如果对 一足够大数量的层连续旋转，同等的喷嘴将在前面层上发生沉积的相 同扫描行上沉积材料。或者，角度也可选择得不致发生相同喷嘴作重 沉积扫描行。

另外的实施例可以是改变由一扫描行到另一行前进的次序(在副 扫描方向)。这在图9中说明，其中对第一层主扫描行上的材料沉积 次序以在最高扫描行R3(1)开始，前进到扫描行R3(2)、R3(3)…… R3(N-2)、R3(N-1)，和以最低扫描行R3(N)结束。扫描行前进 的次序以箭头R3P表示。对随后层扫描行上的材料沉积以最低扫描行 R4(2)、R4(3)……R4(N-2)、R4(N-1)，和以最高扫描行R4(N) 结束。在这一后续层上扫描行的前进次序与第一层上行的前进次序为 反方向，以前头R4P表明。

图10a、10b中表明另外的实施例，其中沿对应扫描行的扫描方 向在2相继层间被反向。图10a表明第一层上扫描行的扫描的扫描方 向，其中扫描行R5(1)和R5(3)被由左向右扫描，扫描行R5(2)被由 右到左扫描。图10b表明在一后续层上扫描方向被反转，其中扫描行 R5(1)、R5(2)和R5(3)分别叠加R5(1)、R5(2)、和R5(3)，其中 扫描行R6(1)和R6(3)被由右向左扫描而扫描行R6(2)被由左向右扫 描。

许多其他随机化模式也可能，包括上述技术的组合。取决于所选 择的随机化技术，随机化过程可造成层沉积时间的全面增加，因为它 可能导致需要进行附加的主扫描过程。但这一可能的缺点被认为是被 均匀层构成的增强所克服的。另外，因为在利用提高撒布温度(如被 用于使材料能流通)时热消散是一重大问题，这些额外的通过可被有 效地用于使得能在沉积随后层之前作附加的冷却。 滴液地点偏移

如以上指出的，某些构成技术可由偏移扫描行和／或沿扫描行的 滴液地点的偏移来增加。这些偏移技术可与上面提到的随机化技术相 结合应用，虽然应当理解的是相继层上的对应行和滴液地点可相互偏 移。这些技术也可与此前或以后所揭示的其他实施例结合应用。其他 优选实施例中，这种偏移可达1／2行间隔或滴液间隔。偏移象素的一 个应用是在一断面的面向下部分沉积材料以便有助于桥接相邻支撑 部件间的间隙。事实上，面向下的区可在多次通过中处置，其中相继 通过之间的前进的或交替的偏移被用来桥接支撑部件间的宽间隔。在 这些实施例中，断面的任一非面向下部分可利用一次或多次沉积和偏 移或非偏移象素来曝光，而任何面向下部分中的沉积可由象素区部分 重叠的多次沉积(即曝光)来产生。优选实施例中整个的沉积高度可由 不面化来修整到适当的水平以实现一致。

在某些实施例中，在为增强拱状支撑、桥路、或分歧支撑(如树 枝状)的形成的支撑结构形成期间可能发生象素的偏移和因而滴液场 所的偏移。某些实施例中，在为增强突出一限定量进紧前面的物体薄 层的边界后的物体部分的构成的物体形成期间可能发生象素偏移。突 出的支撑和物体部分不可用偏移象素来形成，但据信，偏移象素可有 助于很少材料能陷入被撒布的层水平之下区间这样的结构的形成。

实施例可能包括每一层上象素的偏移或者可能是仅在间隔的层 上象素的偏移。在此最后的替代方案中，材料按照对多层的同样的象 素位置沉积。按照此替代方案，依靠在期望形成随后的悬垂部分之前 在起始悬垂部分上构成多个层，可能提高悬垂区的稳定性。

象素的偏移，例如为构成分叉支撑或呈尖形向外的物体结构，导 致经过空间距离向外伸出的结构的形成。这种伸出的程度被限制为低 于每层一液滴宽。不管是每层伸出进其紧前面的层的边界，还是在另 一个后随以周期伸进紧前面层的边界的层上构成多个层，总可以根据 通过多层的平均伸出确定一伸出角。最大伸出角部分地取决于材料接 近和在伸出部分中凝固的速度，这进而取决于接近和在伸出部分中所 伸出部分中所撒布的材料量。可以以任何角度构成层，其中材料凝固 足够快能支撑下一层材料。在某优选实施例中，伸出角已实现接近 30°。相信伸出角接近或甚至超过45°是可能的。

由于材料冷却速率，最好悬垂的固体物体部分的形成在多次通 过中达到。在一优选实施例中，伸出区在一个或多个起始通过中被沉 积，而整个支撑区在一个或多个随后的通过中曝光。这一实施例使伸 出区中的材料能在没有可能与从撒布在内部区中的材料吸热量有关 的附加延迟的情况下冷却和凝固。在另一优选实施例中，层内部最初 被曝光，而伸出区在一或多个后续通过中曝光。这一实施例使得内部 区的材料冷却的时间能稍前于撒布区，由此来减少伸出材料保持为 可流通太长时间的危险。对给定组的构成参量，可由构成和检验测试 部分来试验确定可用的伸出角。

象素偏移可与多次通过一层的给定部分相结合应用来使得能以 预定的顺序和偏移模式围绕给定的几何形状细节作材料构成。例如， 可在一结构的一侧产生偏移使得象素在位置上的象素位移的一部分 离开此结构的该侧向，而同时可利用不同的偏移使得能在结构的相对 侧上相反方向中得到同样部分的位移。

偏移象素的一替换方案是直接利用高分辨率数据和相应的构成 模式，即样式来构成，它生成可能低于数据本来提供的，但仍然能生 成整体结构或其他所希望结构的形式的所希望的滴液密度。 扫描行交错

交错是可用来加强物体的形成的另一种技术。如在这里所揭示的 所有其他实施例中那样，本节的实施例也可与这里所揭示的其他实施 例相结合。如前面讨论的，如果喷射头未定向于指导角，喷嘴之间的 间距就不等于所希望的分辨率因而不等于主扫描即光栅行的所希望 的问题。这按照其性质说，如果确要求沿所有主扫描行沉积材料的话 就必须采用一种主扫描行交错的形式。但是，由于多个原因(例如加 强层冷却和／或材料构成)可以进行附加的交错。

可以采用多种扫描行交错模式，而不管打印头是否被定向于主导 角，不管是否采用优选的光栅扫描技术，不管是否利用向量扫描技 术，不管是否利用某些其他扫描技术或组合技术。

在一实施例中，如前述，头定向于垂直于主扫描方向并采用每英 寸300扫描行的分辨率。这种组构中连续的喷嘴相隔8／300英寸。头 被作成进行8次扫描，其中最初的7个后跟以宽等于光栅行间的间距 (光栅宽)的副扫描，而其第8个后跟宽等于有效头宽加光栅宽的副扫 描。重复进行上述扫描模式直至副扫描方向中增量的宽等于或超过构 成区的宽。

替换实施例将主扫描的X范围限制为足以有效地被下列所要求 的工作区：被物体、被扫描的特定物体断面、被为作8个接近地间隔 开的主扫描所需的物体长度的各段、或被其他导致扫描时间减少的其 他方案。同样，沿副扫描轴的布置同样被限制到物体、被扫描的断面、 被扫描的断面的特定部分等的宽和位置。在优选实施例中，随机化的 应用可能增加必须执行的转位量，而使得适当喷嘴能跟踪适当的主扫 描行。其他实施例可将主扫描限制到实际包括有效滴液地点的通路。

作为第一个优选替代交错技术，在至少第一次通过后非邻接的 扫描行将保持不加曝光，然后在一或多个后续的通过中间的行将被曝 光。在另外的优选实施例中，希望沉积材料到任一相邻光栅行之前或 在沉积材料到一相邻行之后作出中间光栅行。图11a、11b和22a～ 22d中表明这类实施例的示例。图11a、11b表明在第一次通过时每 隔一行被跳越的情况。图11a有4个扫描行，其中2行在第一通过要 被光(即要采用的滴液地点)。图11b表明相同的4个扫描行，其中另 二行要在第二次通过中曝光(即要被应用的滴液地点)。图22a～22b 中还表示交错模式示例。这些图中，双向箭头30表示主扫描方向， 间隔dr表示相继的光栅行间的间距，而为清楚起见行的起点和终点 被表示为偏移的，虽然实际上这些行将具有同样的起点和终点。图 22a表示一系列要在主扫描方向被扫描的光栅行。图22b表明按照图 11a和11b的示例的要在第一次通过曝光的第一光栅行32和要在第 二次通过形成的第二光栅行34。图22c表明分别要在第一、第二、 第三和第四次通过时曝光的光栅行32、34、36和38。图22d表明 分别要在第一、二、三、四、五和六次通过曝光的光栅行32、34、 36、38、40和42。在图22d的示例中，也可采用其他的光栅行次 序而仍然保证在中间行被沉积时它们或者不邻接到先前沉积的光栅 行的任一侧或者邻接到其两侧。例如，其他可用的扫描次序可以是 32、34、38、36、40、和42、32、36、34、40、38和42 等。

在一优选实施例中，为采用最小的通过次数来以概括化的方式完 全地实现这些实施例，在由一喷嘴(例如第一喷嘴)扫描的行与由相邻 喷嘴(如第二喷嘴)扫描的行之间必须存在有奇数的光栅行。换句话 说，相邻喷嘴之间的间距dr的数量必须为偶数，由此要求必须将二 相邻喷嘴分布得能扫描光栅行M和M+N，这里M和N为整数而N为 偶数。在喷嘴间的间距不适当(如不为偶数)的情况下，总可能在第一 次通过中仅扫描合适的光栅行(例如与每隔一喷嘴相关的那些)，然后 在一或多次随后的通过中曝光其余的光栅行。在沉积宽可能大大宽于 行间距时，另外优选实施例可不根据第一次通过时每隔一扫描行跳越 而是根据在第一次通过为沉积(即曝光)选择扫描行以使得所沉积材 料行不直接相互接触然后在一或多个后续曝光填充任何被跳越的 行。

此第一替换交错技术即使在相邻喷嘴被作不适应于所希望扫描 行分辨率地布置时也能完全地或接近地实现(即喷嘴位置和扫描行分 辨率使得由一个喷嘴扫描的行与相邻喷嘴扫描的行之间存在偶数的 光栅行)。这可由至少三种途经完成：1)各喷嘴被用于在其初始位置 与由相邻喷嘴起初形成的行的位置之间作每隔一光栅行扫描，除非要 被各喷嘴扫描的至少二相邻光栅行在至少第二次通过剩余光栅行将 被曝光之前保持不曝光；2)各喷嘴在其还扫描邻接到由相邻喷嘴扫 描的第一行的光栅行之前被用来作每隔一光栅行的扫描，然后剩余的 未曝光行将在第二次通过中作有选择的曝光；和／或3)仅每隔一喷嘴 被用于扫描过程中，由此保证任意二个相邻喷嘴之间存在奇数的光栅 行。在这些以及前面的实施例中，最好在开始第二次通过曝光中间行 之前对所有层曝光交替的行，但有可能在即使第一次通过层的其他部 分之前完成某些或所有相邻喷嘴的起点之间所有扫描行的曝光。

许多其他交错实施例对研究过本发明的本技术领域中的普通熟 练人员将是很显见的。例如具有较高数量通过的交错可被用于在第一 次通过中曝光的行间发生某种接触的交错。当然也能采用交错与前述 随机化技术的接合，后续层的曝光还可改变扫描多组行的次序和／或 行本身的扫描方向(例如倒转第一、第二和更高组序的扫描次序)。实 施例还可以是对第一层完成交错曝光同时在形成一或多个接触层期 间曝光区间。 滴液地点交错

如同采用扫描交错那样，物体形成可利用沿个别扫描行作滴液地 点交错。在这种情况中，各扫描行将由至少二次通过曝光，其中第一 通过将曝光许多滴液，然后在一或更多的后续的通过，其余滴液地点 被曝光。作为二步骤(即通过)示例，第一次通过对每隔一滴液场所曝 光而在第二次通过则对中间滴液位置曝光。此情形如图12a和12b中 所示。图12a表明带4个滴液地点的4扫描行，其中在第一次通过曝 光每隔一滴液地点，而图12b表明同一行和地点但在第二通过仅要曝 光在补滴液地点。作为第二个二步骤示例，在第一次通过为每隔三个 位置曝光一次，而第二次通过，它们之间的二个中间位置被曝光。作 为三步骤示例，第一次通过从第一位置起始每第5个位置曝光一个， 而后在第二次通过从第三位置起始每第5个位置曝光一个，最后在第 三次通过从第二位置起始每隔一位置曝光一次。

如这里揭示的所有其他实施例那样，本节的实施例也可与所揭示 的其他实施例相结合。

在这些交错技术中，相继的扫描行可采用不同的或作位移的交错 模式曝光，以使得能实现二维交错模式(也可采用偏移象素)。例如， 可对各扫描行采用二步骤交错模式，其中相继行的起点移位一象素来 形成盘格式的第一次通过模式。图13a、13b说明此例。图13a表 明第一次通过盘格模式而图13b则表明在第二次通过曝光的相补棋 盘模式。

如扫描行交错那样，滴液地点交错可在曝光随后行之前完成对单 个行全部通过，虽然最好是在起动对部分地曝光的行的后续通过之前 由各次通过曝光所有的行。而且，对单个行的部分的所有通过的完成 可在对这些行的其他部分起动曝光之前实现。

第三种交错技术是对敏感的结构细节交错。在此技术中给定滴液 位置被曝光的次序取决于直接的断面单独的几何形状或者多个断面 几何形状。敏感结构细节交错可以是扫描行交错和滴液地点交错之一 或二者。例如，在一单层实施例中可以确定断面的边界区并保证此边 界区在第一次通过中被曝光。断面的某些内部区域也可在第一次通过 曝光或者也可将所有内部的曝光延迟到进行一或多个后续的通过。例 如，内部区可在第一通过与所有边界区也在第一次通过曝光相结合地 采用棋盘式交错来加以曝光。而后在第二次通过将其余科的内部区曝 光。也有可能对第一次通过的曝光定义很宽的边界宽度以使得能在进 行随后的通过之前将大于一滴液位置的边界布置到断面周围。这种宽 边界区可利用上述关于滴液宽补偿那样的腐蚀例子程序来实现。另一 替换方案，集中于保证在第一次通过时仅一个扫描行边界场所或滴液 地点边界场所(沿副扫描方向的边界)被曝光。再一个替代方案是，内 部区域可在边界区撒布材料之前整体地或部分地曝光。可以相反，首 先撒布边界区到垂直方向中构成且最后曝光边界区可导致改善物体 的水平准确性。再一个替代方案可以是首先撒布接近边界区，随后撒 布断面的较深的内部区，和最后撒布外断面边界本身。

多断面敏感结构细节交错技术的示例可以是首先曝光那些形成 当前断面的部分但却是前面的断面上的边界或实体内部物体区的地 点。前面断面上的边界和实体内部区可包括支撑结构以及物体结构的 边界区和实体内部区。在采用这一实施例中，至少关键的(即重要的) 面向下物体区中的沉积不发生在第一次通过，除非这些面向下区域由 某些性质的支撑实际支撑着(例如下面直接有支柱)。在一次或多次随 后的曝光中材料被撒布来形成无支撑的面向下结构细节。由于沉积宽 通常宽于象素宽度，多半是与连续向下落到在预期的以下的断面相反 地，被撒布着陆在该断面上与前面撒布的材料相邻接的一象素地点的 液滴，此液滴将击中并有希望粘接到相邻的沉积材料上。而且由于在 优选实施例中支撑结构相距通常不大于一个象素，当发生无支撑的面 向下区域的曝光时，与被夹在撒布在前面层上的材料之间相反，被撒 布的材料多半将被嵌在已撒布在当前层上的材料之间。但由于液滴直 径通常小于沉积直径(亦撞击的液滴直径)和因为它可能小于象素 宽，沉积在相邻象素地点的材料可能不足以伸进下落液滴的通路中来 保证质粒的触及和停止。

在另一优选实施例中，滴液地点在撒布无支撑的面向下区域和最 好相邻区域时沿主和／或副扫描方向(最好两者)将位移象素宽度的一 部分(最好接近一象素宽的1／2)，这样液滴多半至少部分地被前面撒 布的材料所支撑而不是将液滴完全对准地沉积。最好在部分地未支撑 区域上的液滴在一随后的通过中由那些已撒布的对完全支撑的区域 进行撒布。但是有可能在保证在部分地未被支撑区域中液滴的合理的 垂直位移下仅领先与前面的断面的叠合(而不涉及到与前面撒布在给 定断面上的材料粘合的任何附加得益)。在此实施例中至少当前层的 支撑区(如柱)不会被位移。这就保证层到层的登记。更理想的是，宽 的间隙利用在断面上的多次通过由间隙的被撑边向内逐渐操作沉积 地点(即多级的)来闭合，其中每次通过由紧前面的通过部分地偏移以 保证液滴的合适的重叠从而能限制任何超过所要求的水平的材料位 移。而且在一优选实施例中采用如US专利申请NO．08／428，951中 所述的同时多层处理技术(Simutaneous Multiple Layer Curing Techniques)来向上偏移关键的面向下数据一层或数层以便能在沉积 后形成面向下层的材料将被分配到正确的水平。

图23a～23h中表示采用1／2象素水平偏移和1层厚垂直偏移的 这种水平和垂直偏移实施例的举例。图23a表明欲形成的物体120的 侧视图。图23b表明在正常分为层122、124、126、128、和130 时的物体120。图23c将被分成层122、124、126、128＇、和130＇ 时的物体120。层128＇与128的不同在于该层的面向下部分已被去 掉，如预料中的它在利用一系列连续地偏移曝光在下一层上沉积材料 间将被产生。层130＇类似于层130，除开在其形成中可利用不同的沉 积模式外。图23d再次表明层122、124、126和128＇，但另外还表 明在形成层130＇期间可被沉积材料的沉积地点，即象素位置132～ 137。图23e类似于图23d，除替代表示滴液地点132～137外，表 示出滴液地点140～146。如由滴液地点的相对位置可看到的，地点 132～137与140～146相互偏移1／2象素宽。图23f表明在形成层 130＇中由打印头的第一次通过形成的沉积模式。液滴150、151、152 和153分别被沉积在滴液地点141、145、142和144。可看出液滴 152和153仅被层128＇部分地支撑，结果可认为它们将部分地伸入(如 图示)原先属于层128的区。图23g表明形成层130＇由第一次通过得 的沉积模式，以及在第二次通过中沉积的附加材料。区域160和162 在第一次通过被沉积，在图23g中被表示作为区150、152、151和 153。按照图23d中所示的象素配置进行第二次通过的沉积。液滴155 和156被沉积在滴液地点132和137。实践中，液滴155和156的撒 布最初将导致被施加到区域160和162的一部分过剩材料，但这种过 剩在平面化过程中将被修整掉。液滴157和158被沉积在滴液地点 134和135但由于这些地点并未从下面与前面沉积的材料完全粘合， 所以认为所撒布材料的一部分将向下伸进原先为层128的部分的区 域。撒布液滴152、153、157和158的偏移导致已被由层128＇去消 的层128的面向下部分的形成。在第三和最后通过中，液滴164被沉 积到滴液地点143上完成层130＇的形成。

在其他的优选实施例中，可改变上例中的各种不同方面。例如， 材料伸进下面层区间(假定液滴即滴液地点仅部分地被支撑)可取值 不是上述的1层厚度伸长。此伸长可以小于1层厚度或者至少与整数 层厚不同。也许此伸长将为层厚的整数(例如2至5层厚或更多)。在 这种情况下，为作最准确的形成，将希望使最初的物体表述被变换成 一修正的表达，如US专利申请NO．08／428951中所述(在产生断面数 据之前或之后)，以便在材料按此修正表述撒布时，面向下的结构细 节能恰当地定位。其他的变体可以是采用在多次通过中沿用不同的偏 移值如1／4象素(从而3／4的滴液区为未被支撑的)或3／4象素(从而 仅1／4滴液地点为未加支撑的)的基于几何形状的沉积。这些不同的 偏移量可带来对延伸进前面的层区域中量的更多控制。其他的变体可 采用不同的沉积次序、不同的罩印量、或者甚至各液滴的不同沉积 量。再有的变体可不采用偏移象素而代之以采用较高的分辨率象素， 也有可能与生成正确液滴密度的沉积模式相结合。

另外的交错技术结合：1)结构细节敏感度；和2)在曝光物体细 节时选择扫描方向。在此实施例中，来自当前层的断面几何形状(如 断面边界信息)和可能的来自紧前面层的断面几何形状(如断面边界 信息)将被用来确定在断面的不同区域曝光时应取的扫描方向。例 如，当曝光一断面实体区的最左部分时，如果希望液滴不桥接或不部 分地桥接任何小间隙则使头(即用于曝光欲形成的行的喷嘴)由左向 右扫描可能是有利的。另一方面，如果希望产生某种桥接，则保证反 方向上的扫描可能有利。同样，在曝光断面的一实体区的最右部分时 则自右向左(为不发生桥接)或从左向右(为作桥接)进行扫描可能是 有利的。由控制沉积边界区时的扫描方向能保证液滴的水平动量不至 于加到桥接间隙，或者增强间隙的桥接。

图24a～24d表示非桥接技术示例。图24a～d为被形成的并为在 XZ平面作切面的侧视图。Z方向垂直于断面的平面，而X方向为主 扫描方向。标号108指被形成的断面，标号100、102、104和106 是指前面形成的断面。图24a指明用断线表明未发生材料沉积的断面 108。图24b指明扫描方向110向右和液滴112在第一次通过中被沉 积在各列的最左边上。图24c表明扫描方向124向左和液滴114在第 二次通过中被沉积在各列的最右面上。图24d指明扫描在任一方向 126上发生和液滴116、118、120和122在第三次通过中被沉积来 完成断面的形成。与此所说明的三通过实施例相反，可采用二通过实 施例，其中液滴116、118、120和122在液滴112和114已被沉积 时在一个或双方的第一或第二通过中应被沉积到它们各自的地点。

可以预见，可将物体针对打印头(即喷嘴)的相对扫描方向作相对 的再定向(如围绕垂直轴作一次或多次旋转)，以便使得任何所希望的 断面细节的边缘能被曝光同时在所希望的方向上相对地移动打印头 来增强或减小桥接小间隙的概率。

如上面指出的，如果孔板至工作表面的距离太小，液滴在它们击 中工作表面时将具有拉长的形状(即大的形态比)。在被拉长液滴的构 成情况中，可预见到对在整体细节的边缘上沉积的以上指出的扫描方 向可能产生与上面指出的那些相反的结果。其他的交错技术可以是相 邻光栅行或非相邻光栅行的双向打印。

上述的构成技术可被应用到形成整体物体或与其他技术相结合 来形成部分地空心的、即半实体的物体。在一物体的原始设计中，物 体的部分被假定为实心的(即由凝固的材料形成)且部分假定为空心 的(即空洞的区域)。实际上这些有意的空心(空虚的)区没有被看作是 物体的部分，因为按定义只要有物体就认为是材料的。在本发明的涵 义中，非实心、空心、或半实心的物体是按照某些优选实施例的内容 构成的或欲加构成的物体，其中就为整体对象的一部分已被去掉。其 典型例子可以是挖空的，部分地挖空，或将原先为物体的实心结构作 成蜂窝状。这些原始的实体结构有时被称之为物体壁而不管它们的空 间定向。某些优选构成样式形成完整实心物体，而其他构成样式则形 成物体的实心表面区但挖空或部分地挖空内部区域。例如，一物体的 内部区域可被形成为一盘格的、截面线的、六方晶的、空心的、或作 成蜂窝状的(这些和其他构成样式在此是很有用的，如在光基立体平 印刷术实现的，如上面引用的专利和申请中介绍的)。上述非实心沉 积模式可被看作是内部物体支撑结构。这样，这里说明的其他支撑结 构也可被用作为内部物体支撑结构。这样的非实心物体重量将比实心 物体较轻，它们将利用较少材料，取决于特殊的构成参数的细节甚至 可被形成得较快，它们们可能较少碰到散热问题地形成，因为在它们 的形成期间所沉积的加热材料少得多。这些物体可用于作熔模铸造模 式，因而铸模破裂的可能性降低。 温度控制

另外的物体形成实施例是形成物体时将部分地形成的物体维持 在它被形成时那样所希望的温度范围内，或者至少被维持使穿过部分 的温度差(即温度梯度)很小。如果在物体形成期间，物体的不同部分 处在不同的温度，物体在其被冷却到室温或者在被带进其使用温度 (将被投入应用时的温度)时将经受不同的收缩量。收缩中的这一差异 可导致物体内部产生应力和相应的变型或甚至物体的破裂。最好温度 维持在能有效维持物体变型在合理限度内的范围内。穿过物体的温差 最好维持在20℃的范围内，更好在10℃的范围内，再好点在5℃的 范围内而最好在3℃的范围内。不管如何，可由改虑材料的热膨胀系 数和在将所形成的物体冷却(或加热)到均匀温度时将发生的收缩(或 膨胀)差来估算所希望的温度。如果收缩中的差异导致超过所希望的 允许范围之外的误差时，可调整上面说的温度范围。

在物体形成中，初始物体数据可被定标来改虑在物体由其喷射温 度(在此优选实施例中约130℃)冷却到其凝固温度(在弱DSC能量传 送温度约为56℃时约50℃～80℃)到其构成温度(约40℃～45℃)和 最低到其应用温度(例如室温，约25℃)将发生的物体中尺寸的变化。 此定标因数可被用来由一适当的热收缩补偿因数扩充初始物体设计 以使之能在其应用温度时被适当地定大小。还可预料到，一或多个随 几何形状或至少随轴而定的收缩因数可被用来在构成期间针对预期 的物体温度中的变化至少部分补偿物体的关键区域。

前面形成的薄层的温度和正形成中薄层的冷却速率已被发现为 具有减低的畸变和特别是降低翘曲畸变来形成物体的重要参数。当前 优选材料在由它们的凝固温度冷却到室温时承受约15％的收缩。这种 收缩产生巨大的激发力引起翘曲畸变，构成内应力，以及相应的后期 处理畸变(在上述引用的专利和申请中对这些畸变就光基立体平版印 刷术方面进行了说明，其中许多被说明的构成技术根据本申请中提出 的能被有效地用于SDM和TSL的实践中)。已看到，如果物体构成温 度和特别是如果最后形成的层的温度在构成过程中被维持在室温以 上的温度时，翘曲畸变就会减少。最好整个部分地形成的物体的温度 被维持在室温之上，而尤其是，其温度保持在鉴于上面讨论的差分收 缩原因的严格的容许范围内。

为有效的形成物体，很显然部分地形成的物体的构成温度必须维 持低于材料的熔点。另外，构成温度必须维持低于使凝固的材料能有 具有足够的剪切和压缩强度和甚至张力强度的温度(特别是如果采用 侧向或颠倒物体形成实施例的话)以便使物体能被准确地形成同时经 受典型的与构成过程相关的力(例如，与物体将经受的加速度相关的 内力，与接触或靠紧地通过物体的平面化器和打印头相关的曳力或真 空力，与任何用于冷却物体的气流相关的空气压力，和因其自重产生 的物体上的重力)。其中某些力依赖于物体的质量并随进入部分的深 度增加。这样，由较高到较低层的稍许负的温度梯度(即由最近形成 的层至最早形成的层的温度中的降低)可在必须的区间中提供增长的 强度，而同时使最近形成的层能在足够高的温度中而导致最小的翘曲 和其他畸变。可以对该部分中的一个或多个位置采用与惯性力计算作 总和的简单重力计算(根据此部分的质量和它所经受的Y方向加速度) 作为由凝固的材料所需的最小剪切强度的近似。这与材料剪切应力随 温度变化的试验确定相结合可被用于对物体中任一位置作近似的构 成温度上限进行计算。当然最好另外专门改虑到接近物体的最近形成 的薄层，因为在部分形成的物体与正被撒布的材料的接触处发生动态 热效应，这涉及到取决于物体的几何参数、温差、和冷却技术的再熔 化现象和热容量现象。因此，实际上整个的最大构成温度多半低于以 上的估算值。

另一方面，如上面指出的，由在升高的温度中构成可大大降低翘 曲和其他畸变，此时温度越高畸变越少。认为这种畸变的减少由于材 料的被增大在提高的温度下流动的能力与其支撑剪切负荷的较低的 能力相结合取得的，这使得某些材料能产生再分布由此而降低造成畸 变的应力。还认为，在接近、处于、或最好高于任何固态相变化温度 (如晶化温度或玻璃的临界温度)操作将导致应力和畸变的最快的和 可能是最重大的降低。由于这些相变化通常在一很广的范围发生，各 种不同水平的效益认为将取决于工作温度在这些范围中的位置和可 能的处理时间。熔融温度和／或凝固温度及固态临界温度可利用差分 扫描热量计(Differential Scanning Calovimetry DSC)技术确 定，然后它再用于适当的构成温度范围。另外，适当构成温度范围也 可作试验确定。已经肯定，依靠在室温之上任何温度操作能获得某些 收益，并预计移动到越接近于熔融温度和／或凝固温度，收益越大。 这样，工作温度范围就可被设定作为沿室温与熔融或凝固温度，或室 温与估算的最小剪切强度的温度之间的距离的百分数。或者，可将工 作温度选择为材料具有其室温剪切强度的某一百分数时的温度。例如 可希望将工作(构成)温度设定得使剪切强度成为其最大室温值的 75％、50％、25％或甚至为10％。 增加表面光洁度

另外的有用于加强物体表面光洁度的构成实施例是利用由优选 SDM技术的实践取得的美观的面向上表面。在这些实施例中有效的面 向上表面(如整个区域)的数量增加而有效面向下表面的数量则由原 先的物体设计所定义的减少。这包括将物体分成为二个或更多个部分 并改变分开的部分的定向，以使得能将尽可能多的关键表面作成面向 上的表面、垂直表面或组合的面向上／垂直表面，而没有真实外表面 或仅仅很少关键表面仍作为面向下的表面。这些分开的物体部件然后 被相互独立地构成，各自取合适的定向。然后去除支撑并将最后得的 部件由粘接等组合，以使得一完整的物体主要由面向上和垂直表面区 域形成。如果希望粗糙的表面而不是光滑表面，则上述技术可被用来 保证关键表面被形成为面向下的表面。作为一替换方案，欲作成粗糙 的面向上的表面可简单地由从其伸出的支撑形成。

图25a～e说明这种构成技术的举例。图25a表明欲采用SDM形 成的物体60的结构(那样希望的物体设计)。如果物体直接由此设计 形成，物体将由面向上的表面即表面50、52和54和面向下表面即 表面56和58双方形成。如前面讨论的，面向下的结构细节的形成要 求前面形成一支撑结构，它将用作为形成此面向下的细节的材料撒布 在其上面的工作表面。在物体形成和去掉支撑后，发现留下的面向下 的表面具有粗糙和不规则的表面光洁度。如果希望此面向下的表面平 滑，此物体就必须经受可能需要仔细地喷砂或填充的附加的后处理。

图25b表明实施上述技术的第一步骤。此第一步是将原始的即所 希望的物体设计分成为二个或更多部分。执行此分割以使得物体的所 有关键细节能被形成为垂直表面或面向上的表面(最好作为面向上的 表面而更好的是作为其上面没有面向下的表面的面向上的表面，以使 得将不必形成由此面向上的表面开始并损伤它的支撑)。关于支撑形 成的其他细节和与之相关的问题将在后面作进一步讨论。本例中，所 有表面50、52、54、56和58均被看作为关键的而应被形成为面 向上的表面。

图25b表明被分为二部分62和64的物体60。部分62包含原始 面向外细节50、52和54以及新的即临时的面向外细节72和74。 部分64包含原始的即所希望的面向外细节56和58以及新的即临时 的面向外细节72＇和74＇。

图25c表明形成期间部分62的优选定向(正面向上)，以使得表 面50、52和54能被形成为面向上的细节。图25d表明形成期间部 分64的优选定向(颠倒)以使表面56和58能形成为面向上的细节。 在形成各部分62和64之后，去除支撑和临时表面对72和72＇，及74 和74＇以准备进行配合。图25e表明部分62和64连接形成物体60， 其中所有关键面向外部分(即原始表面50、52、54、56和58)均具 有良好的表面光洁度。 附加构成样式

其他构成样式包含以下一或多个：1)采用较高分辨率在扫描方 向撒布；2)在形成面向下表面中采用高于形成物体内部区域中的单 位面积滴液密度；3)采用延伸至少在面向下表面之上N倍(如5～10) 的面向下表层区；4)在形成面向上表面时采用高于形成物体内部区 时的单位面积滴液密度；5)采用延伸在面向上表面之下至少N层(如 5～10)的面向上表层区；6)在形成物体的边缘区时采用高于在形成 内部区时的单位面积的滴液密度，此边缘区延伸进物体内部至少L滴 液宽(如2～4)；和7)通过光栅扫描形成物体的内部区和通过向量扫 描形成边缘区。 支撑样式

本申请的下一部分主要针对支撑的形成。但应理解，因为支撑是 由沉积的材料形成的，所以所有前述构成技术均适用于支撑构成过 程。如将理解的，支撑构成过程的所有方面也均适用于物体构成。

支撑结构必须满足数种可能是对立的需要：1)它们最好形成用 于在其上面构成物体薄层和甚至接续的支撑薄层的良好工作面；2) 它们最好易于从它们支撑的面向下的表面去除；3)如果它们由物体 的面向上的表面开始，它们最好易于由它们去除；4)在去除时支撑 最好对面向上表面和面向下的表面仅造成最小的危害，最好在这些表 面上具有至少容许的良好表面光洁度；5)它们最好在垂直方向(如Z 方向)上以各断面合理的速率构成；6)它们最好利用每层最小的通过 数量来形成；和7)它们的形成最好是可靠的。已开发或建议能在这 些需求间达到不同的平衡的许多不同支撑样式。

为优化构成速度，垂直累积很重要，因而希望支撑的构成能与物 体构成具有接近相同的速率。特别是，最好支撑的垂直累积(如由每 层的单次通过)至少与应用平面化器所设定的所希望层厚一样大。支 撑累积越接近物体的累积，可用的层越厚则平面化期间将被去除层越 少，因而提高了构成过程的效率。对于一给定材料和设备，由不同的 支撑和构成样式进行的材料垂直构成可试验确定，如前所述，依靠构 成各沉积样式的测试部分和采用不同层厚的模式(水平化等级)，然后 测量这些部分以确定材料的构成何时滞后于由所沉积的层数所要求 的预计厚度和所期望的层厚。由这种信息可对所希望的构成和支撑样 式的组合将层厚(水平化等级)设定到适当的值，或者可设定为达到所 希望的层厚所需的支撑和构成样式。

某些优选的支撑样式实施例着重于形成速度、维持去除容易性， 但在被去除支撑的区间留下粗糙的表面光洁度。这些支撑样式包括形 成被小间隙隔开实心柱。特别是，在一优选系统中，数据在X和Y双 方向上以每英寸300象素地提供，物体及支撑利用4次ID罩印在X 方向(主扫描方向)形成。每一支撑层包含3×3象素区，其中支撑材 料要以多个柱来撒布，这些柱被在主扫描方向(X方向)上以二个无象 素定义的沉积的象素区和在副扫描方向(Y方向)上以一个无象素定义 的沉积的象素区分开。定义这些象素区的数据情况如图15a中所示。 图中的“X”表明含有液滴数据的象素，而图中“0”指明“无液滴” 数据的象素。方框50被注明围绕“X”区以便突出沉积区的形状。 但由于X方向的ID罩印，在发生实际沉积时二象素间隙实际上被作 相当的变窄(几乎一个象素宽)。这样实际得到沉积模式更接近地近似 4×3象素宽(12～14mils×9～10mils)柱，虽然带有圆角，这些 柱在X和Y双方向以一象素宽的间隙(3．3mils)分开。此情形大致如 图18所示。

在构成物体的实践中已看到，上述构成的支撑以接近与物体相同 的速率累积，因而可利用对各滴液场所单次通过来形成各层上的支撑 和物体。还发现上述支撑结构易于由物体分离但造成很差的面向下表 面的光洁度。因此，就构成速度来说上述样式是优越的，但从表面光 洁度看，还有要改善的很大余地。

一种变体是采用撒布头的多次通过以形成一断面的支撑。另一替 代方案是周期地撒布一额分的支撑断面以便能均衡支撑与物体间的 垂直材料累积。

另一种变体是使支撑形成能滞后物体的形成一或多层，以便消除 或减小在构成脆弱支撑时可能发生的平面化问题。问题在于，如果一 断面的支撑部分在与该断面的对应物体部分相同的通过期间被撒布 的话，平面化器就能使得这些支撑发生畸变。借助使能发生一或多层 的滞后，能避免支撑与平面化器间过量的接触。而能预见最后得的支 撑畸变将为最小。

另外的柱状支撑结构也是可能的，包括不同尺寸或形状的柱。例 如，可将数据格式与罩印技术相结合来生成实际柱的大小接近于：3 ×3象素尺寸(9～10mils×9～10mils)、2×3或3×2象素尺 寸(这些可导致垂直累积减少)、2×2象素尺寸(6～7mils×6～ 7mils)(在垂直累积速率上可能有损失)、4×4象素尺寸(12～ 14mils×12～14mils)(可能较难去除并使得进一步危及物体表 面)、或者更大的尺寸。也可采用其他断面形状的柱。这些包括作成 更接近圆形形状的结构(例如八角形或六角形)、十字形结构、具有不 同的长与宽的形状比的结构、或者可加以混合的结构的组合。

另外的替代方案包括在主、副扫描方向之一或双方偏移交替的支 撑柱。例如在副扫描方向每隔一支撑柱偏移柱间间隔的1／2。这如图 19中所示。有可能使支撑柱的间距较宽，特别是如果某种技术例如 采用拱形或分叉支撑来在碰到物体的面向下的表面之前减小支撑柱 之间的间隙。图21a和21b表明二个拱形支撑的示例，其中采用的象 素偏移量(或至少滴液位移控制)不同。 分叉支撑

如上面数个地点所说明的，一些优选实施例采用可作为分叉支撑 说明的支撑。上面讨论的拱式支撑为分叉支撑的一种类型的示例。分 叉的或分叉式支撑是这样构成的支撑结构，即某些薄层的部分以悬臂 状态从紧前面的薄层上的已凝固区向外伸出。这些向外伸出可以层与 层间相同(即固定)的象素位置为依据。或者说，这些向外伸出可以某 些或全部层间的象素位置中的分数象素宽位移作为依据。再一种替换 方案可以是以改变某些或全部层间的象素模式为依据。某些分叉支撑 实施例产生较之在一较低层分叉支撑所起源的支撑结构的数量更多 的要被支撑的表面的个别支撑结构。

除前面揭示的各种实施例(基本上可看作为分叉支撑)之外，图 28a、28b、29a～e、30a～m、31a～c、32a～d表明另外的 优选分叉结构示例。图28a表示以表面500开始和向表面502行进的 柱支撑504、506、和508的侧视图。这些柱支撑由分叉部件510、 512、514和516相互连接。图28b表示从表面500向表面502工作 的分叉式支撑实施例的测视图。表明支撑每两层分叉。在此二维空间 视图中，某些分叉表现为二路叉状模式而其他的分叉仅沿一单通路分 枝出。图28b所示同一支撑结构在图31a～c和32a～d中被由不同 视野观察。

图29a～e中例示另外的优选分叉模式。图29a～e表示一单个 支撑树的连续分叉断面的顶视图，这里仅用X和Y的分叉且由单个支 撑主干得到总共4个支撑分叉。此单个支撑结构可被称之为支撑树或 结构的“主干”。如下面将会清楚的，为易于数据管理，可将此主干 看作是由4个分开的但是相同的维持它们独立个体的部件组成，它们 可以一起作逻辑处理来为任一给定层生成扫描模式。当然，实践中要 加以支撑的现实区域可能需要多个相互间适当地的隔开的这种主干 元件。

图29b表明X方向的第一分叉。如下面其他图中那样，图示阴影 实心区表示当前断面的沉积区，而以虚线表示的区代表紧前面的分 叉。作这种表明沉积区的方法是为使分叉间的登记清确。此第一分叉 可发生在形成一或多个主干层之后。如有关此图和后面的图在下面将 说明的其他分叉那样，分叉可使撒布的材料由被支撑区伸出一象素的 部分、整个象素、或多个象素，这取决于所采用的拖拉次序、与滴液 宽相比的象素宽度、当前层以上要形成的同样层的数量(可补偿当前 层的不足)、被部分地不加支撑的能力等等。如后面要讨论的某些其 他分叉那样，这一分叉可被看成是二或更多个最初重叠的成分的二路 分叉(即正X方向中一路和负X方向中的另一路)或看成是二或更多个 最初重叠的成分的单路分叉。如将由后面的说明看到的，此第一分叉 可被认为是4个最初部件的一单路分叉，其中二个部件跟随各分叉方 向。由这4个部件作为实际的材料沉积可依据这些部件的布尔和，以 使得避免在重叠区上的多重沉积。

图29c表明树的下一分叉，其中这一分叉可在图29b中表明的分 叉后的一或多层发生。物体部件的这种分叉以与图29b中看到的同样 方向发生。

图29d表明图29c所示二分叉的每一个的Y方向中的二个分叉。 原理上这仍可被看作为独立成分的Y方向上的单个分叉。图29d中所 示分叉是开始所有4个成分的分开过程的第一分叉。

图29e表明此实施例的最后分叉，其中作各部件的附加的Y方向 分叉。这最后的分叉可在适宜时被用来支撑物体表面。如果物体表面 被置于这些最后的分叉之上数层，即可延伸图29e的结构(如柱)直至 达到物体表面。如果所有4个分叉的物体表面不是在同一水平，则柱 的个别柱或部分在需要时可延伸。这种支撑高度的延伸类似于这里讨 论的其他优选柱支撑实施例，而可包括桥层等的应用。当然，如果希 望此四柱分叉的支撑有不同的结构(例如形状、位置等)，可对所说明 的实施例作变型(如改变分叉次序、分叉方向、延伸类、分叉之间的 层数等等)而这对本技术熟练人员根据这里的原则将是显见的。图29a 中所示支撑主干可最初形成在一前面的物体断面或初始衬基上。或 者，此主干可在另一支撑结构如图28a中所示的顶部开始。而且如欲 采用多个树，树的分叉可在也可不在同一层上开始，并可能会也可能 不会导致在相同层数之后形成各个分叉。选择何处开始分叉和其后何 时作后续分叉，可根据欲形成物体的几何形状。有可能希望对一特定 的树在最先碰到一欲预支撑的表面(如面向下的物体表面)之前数层 达到最终的分叉模式。

与图29a～e中说明的实施例相关执行的分叉例程可概括于大表 中： 部件#1     部件#2     部件#3     部件#4 无分叉地构成所希望的层数(图29a) +X方向分叉所希望的量 A (图29b)     +X方向分叉所     希望的量A     (图29b)     -X方向分叉所     希望的量A     (图29b)     -X方向分叉所     希望的量A     (图29b) 无分叉构成所希望层数 +X方向分叉所希望的量 A (图29c)     +X方向分叉所希 望的量A     (图29c)     -X方向分叉所     希望的量A     (图29c)     -X方向分叉所     希望的量A     (图29c) 无分叉地构成所希望的层数 +Y方向分叉所希望的量 A (图29d)     -Y方向分叉所 希望的量A     (图29d)     +Y方向分叉所希 望的量A     (图29d)     -Y方向分叉所希 望的量A     (图29d) 无分叉地构成所希望的层数 +Y方向分叉所希望的量 A     -Y方向分叉所希 望的量     +Y方向分叉所希 望的量A     -Y方向分叉所希 望的量A 无分叉地构成直至实现一新的支撑样式或直至碰到物体的一表面

按照希望，上表中概括的各个参数可加修改。例如，这里取量A 的分叉量。如合适，此量可随不同的分叉级改变，或者甚至可在同一 分叉级对不同部件改变。

图30a～30m表明类似于图29a～29e的分叉支撑实施例，不同 处是图30a中所示的单一主干将产生如图30m中指明的16个分叉。 为便于理解和有可能实现，图30a中所示主干可被认为是由16个别 的但相同的部件组成。在对一给定部件作分叉操作期间仅沿X或Y方 向中一个进行偏移。图29a～e的说明中指出的上述所有考虑均可应 用于这些图中例示的实施例以及随后的实施例。

图31a～c表明另一实施例，其中如图31a所示单个主干分叉成 图31c中所示的4个元件。这一实施例与图29a～29c中的不同处是， 分叉同时发生在X和Y方向两方面。如所说明的，分叉范围在X和Y 方向双方是相同的。但分叉范围可在这些方面之间改变。

图32a～32d继续图31a～31c中说明的实施例以生成16个独 立的分叉支撑。这些图还说明图28b中的结构，其中说明每一分叉的 二层。

在其他优选实施例中也可能有其他分叉模式。例如，取代如上述 例中表明那样的由个别主干生成被分叉支撑的矩形阵列，可以形成六 角形阵列、三角形阵列、半园形阵列，等等。如果所得到的模式不能 满意地共同配合，可希望采用混合模式，它以适宜的形式相交替来得 到最后支撑结构的良好的配合或啮合，以使得面向下的表面能被合适 地支撑。其他的优选实施例可能采用多个主干来支撑单个组的分叉支 撑。

可以预见到这些分叉支撑实施例可能产生较某些其他实施例达 到的更好的面向下的表面，因为可以相信接触到物体的最终支撑结构 将被更均匀地隔开。如上面指出的，这里说明的分叉的支撑实施例可 以是一更大支撑结构或混合支撑结构的一部分。对以上实施例的其他 变型对研究这些揭示内容的本技术领域的熟练人员将是很显见的。

如果采用上述的几何形状和方向敏感的交错技术，就可能构成较 小直径和／或较接近地隔开的结构来提供更好的工作表面，同时仍然 具有合理的垂直累积速率。

在此优选实施例中，沉积的滴液直径接近与优选的象素直径(约 2．9～3．4mils)相同。但一般支撑间的象素分隔(例如支撑柱间的分 隔)较之有关落下的滴液直径(如2mils)和撞击的(即沉积的)滴液直 径的分隔较不关键。最好支撑间(如支撑柱)的水平间距要小于在含有 要被支撑的面向下的表面的层的紧前面的层上的6个滴液直径。更好 的是，此间距小于3个落下滴液直径，而最好此间距小于1到2个落 下滴液直径。

已发现，在支撑柱之间包含有间断的桥接元件有利于在它们的高 度增长时限制它们由它们所希望的XY位置位移的能力。通常支撑柱 直径越小，就越经常需要桥接元件和层。这些桥接元件在高度上可延 伸一或多层。在此优选实施例中，已发现一单层(1～2mils)的桥接 元件是不完全有效的，而多于5层(5～10mils)则使整个支撑结构太 硬。这样，在采用优选的3×3象素支撑时，桥接层理想的是高度在 2层(2～4mils)与5层(5～10mils)之间，而最理想的是高度为3 层(3～6mils)。而且还发现，桥接层最好每75mils到2寸重复，较 理想的是每100至300mils重复，最好为每100～200mils重复。为 用于其他材料、构成参数、或构成条件，可利用对测试部分的形成和 分析来确定有效的桥接厚度和隔离厚度。

在桥接层被断续地应用时，它们可将所有支撑柱粘结到一起或者 仅将它们的一部分粘结到一起，其中，其他柱固定作前面的桥层用或 将固定作随后的桥接应用。换句话说，桥接元件可形成被沉积材料的 固体平面，或者它们可仅形成固体平面(如棋盘模式)，它将某些柱连 接到一起。支撑柱在它们在形成桥接层之后再开始时可能或不可能由 它们先前的XY位置移动。

另一被称为棋盘式支撑的优选支撑结构着重于易于去除和对物 体生成的良好的面向下表面的光洁度。图14中表明此支撑结构的断 面组成。沿各光栅行利用每隔一象素(300象素／英寸)发生沉积，而 在相邻光栅行中沉积象素被沿着该行作一象素宽位移。此支撑的一个 优选方案不采用ID罩印而能采用DD罩印或多次曝光每层增加沉积。 无DD罩印或多重曝光，层厚在采用此优选实施例中的这种型式的支 撑时限制到0．4至0．5mils之下，而不是由前述某些优选实施例可得 到的接近1．3mils。不采用这些结构的DD罩印或多重曝光，有可能 不利用物体的优选ID罩印，仅在较薄的层中沉积材料(例如每层0．3 至0．5mils)。无需利用物体的罩印因为额外的材料仅需在平面化期 间被去除。由于采用光栅扫描且形成一层的速度与或不与罩印的速度 相同，所以按照这些技术的构成样式接近低于采用4次罩印的相当的 构成样式的3～4倍。虽然在构成时间上有重大增加但表面光洁度上 的改善可保证它在一定情况下的应用。

在构成棋盘式支撑时，桥接层的正常应用被优先(例如Z高度的 每30至100mils)来保证柱的完整性。桥接层应包括足够的数量的层 以保证其有效性(例如约为上面讨论的桥接层的同样厚度)。滴液-通 ／滴液-断模式(按滴液宽)为凝固的元件是1滴液宽(沉积宽)，相继 元件的中心点间的间距大于1滴液宽但小于2滴液宽。

行支撑(按滴液宽)包括宽度接近-撞击液滴直径的行元件，其中 与行的方位相切的元件之间的间距小于1滴液宽(即重叠)，而垂直于 行方位的元件间的间距大于1滴液宽。最好垂直于行方位的元件间的 间距也小于2滴液宽。

NXN柱支撑(按象素)在主方向上为N-通(最好1)或2-断， 在转位方向上为N-通，和最好1-断。柱的宽和其间的间距可根据 对象素的间距、滴液直径和所用的任一罩印的情况进行计算。相邻柱 中沉积的材料间的优选间距在一或二液滴直径之下。

另一可能的支撑样式是采用整体的或间断的虚线，其最好小于3 象素宽(小于10mils)而更理想的是宽度为1～2象素或更小(小于 3．3-6．6mils)，且被分隔以1到2象素或更少的未沉积的材料(小 于3．3～6．6mils)。这些支撑可沿主扫描方向、副扫描方向、或其 他方向运行。另一种型式的支撑是跟随物体边缘的曲线支撑。或者， 此支撑模式在断面的不同区域可不同。它也可能在扫描方向由物体的 边缘位移N象素(或滴液宽)，或在转移方向位移M象素(或滴液宽)。

某些其他替代方案包括由与形成物体的表面或边缘区所用材料 不同的材料构成支撑。另外的替代方案可仅在一或多个邻接到物体的 层采用不同的支撑材料。 混合支撑

再有的可用于局部沉积成型的支撑结构类型为混合支撑。在最简 单意义上，混合支撑是一种至少包括有两种不同类型支撑结构的支撑 结构。最好，混合支撑中所采用的结构按支撑的高度改变，而更具体 点说，在任何给定点的结构可随由该点至物体的一面向上和／或面向 下的表面的距离而定。换句话说，支撑结构被根据在物体上的距离修 整为最合适的结构。在一典型实施例中，当点位于一面向下的表面之 下预定层数(如4～9)时改变支撑模式。另一个中，支撑的单位面积 的滴液密度即滴液密度比(被定义为每单位面积的滴液与非滴液之比) 在接近面向下的表面时减少。在这些实施例的变体中当由较高的向较 低的滴液密度比支撑结构过渡时采用一个或多个倾斜(中间)层的 层。

在再一个典型实施例中，在离开面向上的表面(例如离开一面向 上的表面4或更多层)时滴液密度比增加。这一实施例的可选变体 中，在由较低的向较高滴液密度比支撑结构过渡时利用一或多层的倾 斜(中间)层。也可取的是支撑结构不只根据到物体的垂直距离同样也 根据水平距离改变。例如当水平地邻近此物体时不同类型的支撑可能 比离开物体某一距离时更有用。

图20中侧视地表明一混合支撑示例。如图示，此结构由可能是 构成平台、或者可能是正构成中的物体的一面向上的表面的表面23 伸出以支撑面向下的表面24。图中表明，此支撑结构由5个部件组 成：1)接触表面23的细纤维状柱25(如果表面23不是物体的面向上 的表面多支撑结构的这一部件可省略)；(2)设置在纤维状柱25顶部 较粗大的柱26；(3)中间层27(即最终桥接层)；(4)设置在中间层顶 部的直接接触面向下的表面24的细纤维状柱28；和(5)用于将二个 或更多的粗柱熔化到一起并分布在柱26中各个地点的桥接层29。

细柱25和28两者断面上均为1象素(3．3×3．3mils)并形成如 图14a中所示的“棋盘”模式。结果得到距相邻柱1象素并易于从表 面23和24分离的一系列细的纤维状柱。这些相当于上面讨论的棋盘 式支撑。根据一象素通、一象素断的这些支撑的沉积模式，滴液密度 比接近于1。如果支撑不是在物体的面向上的表面开始则柱25可跳 除。

柱25和28在高度上应在3mils与15mils之间而最好为约4～ 6mils。此高度应保持为最小，因为希望这些支撑与正以4次ID罩 印形成的物体相结合利用，且因为在对这些支撑结构采用单次通过不 作罩印时它们将以远低于物体的速率累积。另一方面，还希望这些支 撑具有某种高度，针状元件在物体的面向下表面被撒布时倾向于熔化 到它们上面。

柱26横断面为3～3象素(9．9mils×9．9mils)，在扫描方向距 相邻柱2个象素，在转位方向距相邻柱1象素。这些柱结构相当于上 面讨论的最佳支撑。如上述，主扫描方向上额外空间的主要原因是在 于这些支撑将接收4次罩印。由这些柱形成的断面模式如图15和18 中所示。所得结果为一系列粗于纤维状柱25与28的柱。

这些柱与其他的不同，可为随意的高。原因是这些柱的较大的断 面使得柱能与该部分本身同样的速率生长(约1．3mils／层)。如前面 讨论的，最好利用桥接29将相邻的柱26间断地熔结到一起以防止在 按某一距离构成后可能发生的这些柱的“漂移”。桥接的间距最好在 先前讨论的范围内。

中间层27代表可起柱26与柱28之间的过渡作用的任选桥接最 终层。过渡层有用的理由是，柱28为约与柱26间的间距相同或较小 的大小时，结果会是如无此过渡层柱28就可能落在这些间距中间。 这一优选办法中，不利用作为一整体的中间层而是在柱26的顶部仔 细地位移柱28或者仅利用层27的必要部分。

最好是如果被采用，这些中间层就与前面讨论的桥接层为同样的 厚度。

应当理解，在柱25与柱28之间是无需中间层的，因为柱26在 断面上大于柱25之间的间距。因而，这些柱能直接建立在较小柱的 顶部而无需中间层。

其他可能的混合结构是采取另外的与前述支撑元件的组合。混合 和其他支撑结构也可被用来形成物体的内部部分。

为构成支撑还存在另外的替代方案。例如，也可能由与用于构成 该部分的材料不同的材料来构成支撑。另一种可能性是在上述支撑结 构的间隔中加以流体例如水以便提供附加支撑且也有助于散热。在这 样的措施中，采用一种较构成材料具有更大密度的流体是有益的。这 将给于落在柱的间隔间的构成材料的滴液以浮力。此材料还应被选择 得使其表面能量与构成材料的相匹配以便能防止在流体与柱之间形 成凹凸面。这样一种材料的例子是表面活化剂。

另一种可能是在柱的间隔之间向上喷射空气流。在此方法中能取 得散热效果和浮力。另一可能是以质粒填满被降低数量的柱支撑的间 隔(如间隔开0．1至1英寸或更多的柱)。而这样的质粒由构成材料形 成，这一点可依靠促使液滴能在它们到达工作表面之前凝固(例如以 增加撒布头与工作表面之间的距离)，或者依靠在液滴以升华的、亦 即直接由固态进入汽态的材料着陆之前涂覆它们。

支撑最好将物体由构成平台的表面隔开50到300mils。另外， 物体可直接构成到平台上。在此替代方案中，平台可被覆盖以一柔性 片材，这将使物体能易于由硬平台分离而再由此片材分离。电切刀可 被用来将支撑由平台分离，在这种情况下最好将物体置于平台表面之 上150～300mils。已发现一种带长齿的细梳状装置对由平台去除支 撑很有效。在这种情况下，装置的厚度要求物体与平台间所需的间距 一般在50至200mils之间。支撑由物体去除可借助擦净、刷除、或 者依靠利用小的控侧装置如牙科器具。

另一种变体是将此实施例结合进一包含有自动部件去除的能力 和一冷却台的综合系统中。另一些替代方案则是采用低熔点材料作为 构成材料、一材料过滤器、或不同光栅行或滴液地点的不同的材料。

再一些替代方案是对支撑构成采用大于部分构成的滴液。另一替 代方案是采用如上述那样的使液滴能在它们抵达工作表面之前凝固 来成形的粉末化支撑。

其他实施例可根据不同的主扫描方向定位(如Y或Z)、另外的副 扫描方向定位(如X或Z)和另外的堆积定位(如X和Y)来构成。其他 的实施例可利用另外的绝对运动方案来实现物体与打印头间所希望 的相对运动。例如在某些实施例中打印头的绝对运动发生在所有三个 方向上，而在其他实施例中绝对物体运动可存在于所有三个方向。在 再一些其他的实施例中可采用打印头或物体的非笛卡尔运动和逐层 地或层的逐个部分地改变喷射方向。

虽然某些实施例是在被指出说明书中的标题下说明的但这些实 施例不能被认为仅适用于标题所指明的主题。而且虽然标题以用来增 加此说明的可读性，但有关标题所叙述的特定主题的所有揭示不应被 认为是限于这些单个章节之内。这里揭示的所有实施例均可分开地或 与所揭示的其他实施例相结合地应用。

虽然已表示和说明了本发明的实施例和应用，但对本技术领域中 的熟练人士将很显然，不背离本发明的原理可作许多修正。因此本发 明除所列权利要求中的精神实质外不受其他限制。