一种磁性金属薄膜磁畴调控方法
专利汇可以提供一种磁性金属薄膜磁畴调控方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 涉及一种 磁性 薄膜 ，特别涉及一种磁性金属薄膜 磁畴 调控方法。为了解决目前存在的问题，提出了一个有效的磁畴调控方法：采用 磁控溅射 方法实现磁性薄膜的磁畴调控。通过磁控溅射过程中对磁性薄膜表面 磁场 的控制，实现了对磁性薄膜磁畴方向的调控，亥姆霍兹线圈产生的是匀强磁场，磁场方向及大小可控可调，对于磁畴在形成过程中的操控性强。，下面是一种磁性金属薄膜磁畴调控方法专利的具体信息内容。
1.一种磁性金属薄膜磁畴调控方法，采用磁控溅射方法实现磁性薄膜的磁畴调控，其特征在于：采用磁控溅射方式沉积，磁性薄膜在沉积过程中，表面施加匀强磁场，匀强磁场大小方向可调。
2.根据权利要求1所述所述一种磁性金属薄膜磁畴调控方法，其特征在于：匀强磁场通过亥姆霍兹线圈获得。
3.根据权利要求2所述所述一种磁性金属薄膜磁畴调控方法，其特征在于：亥姆霍兹线圈垂直安装在磁控溅射台上，与沉积薄膜方向垂直。
4.根据权利要求3所述所述一种磁性金属薄膜磁畴调控方法，其特征在于：施加一个磁场强度为0至1×105A/m的外磁场来调控磁性薄膜的磁化状态。
5.根据权利要求4所述所述一种磁性金属薄膜磁畴调控方法，其特征在于：铁磁层材料是CoFe、NiFe、FeGa、FeCoTa、FeSiB、FeTaN中的一种。
一种磁性金属薄膜磁畴调控方法
技术领域
背景技术
发明内容
具体实施方式
姆霍兹线圈启动，有匀强磁场产生，沉积台水平面与匀强磁场平面重合，调节升降台高度，最终使磁场方向平行于磁性薄膜。开启匀强磁场，磁场强度为0至1×105A/m的外磁场来调控磁性薄膜的磁化状态。
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