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用于测量和校正 磁性写入器偏移误差的方法和系统

阅读：44发布：2021-05-25

专利汇可以提供用于测量和校正磁性写入器偏移误差的方法和系统专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且根据一个实施例，一种方法包含：利用写入器阵列写入多个重叠轨道；确定读取器阵列相对于重叠轨道的第一和第二位置，第一和第二位置高于和/或超出重叠轨道的轨道边缘；将读取器阵列重新定位于第一和第二位置之间的各种地址，并且从重叠轨道读取数据；当在第一和第二位置之间重新定位读取器阵列时执行读取期间，确定读取性能将是最高的读取偏移点；以及利用读取偏移点计算用于描述横向写入位置的数据，以在写入期间使用，使得在格式规定的地址写入重叠轨道。附加实施例中描述了其他系统、方法和计算机程序产品。，下面是用于测量和校正磁性写入器偏移误差的方法和系统专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种用于确定横向写入位置的方法，包括：
利用写入器阵列写入多个重叠轨道；
确定读取器阵列相对于所述重叠轨道的第一和第二位置，所述第一和第二位置高于和/或超出所述重叠轨道的轨道边缘；
将所述读取器阵列重新定位于所述第一和第二位置之间的各种地址，并且从所述重叠轨道读取数据；
当在所述第一和第二位置之间重新定位所述读取器阵列时执行所述读取期间，确定读取性能将是最高的读取偏移点；以及
利用所述读取偏移点计算描述横向写入位置的数据，以在写入期间使用，使得在格式规定的地址写入所述重叠轨道。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述确定所述读取器阵列相对于所述重叠轨道的所述第一和第二位置包括：
将所述读取器阵列定位于所述重叠轨道的预期中心；
沿着第一跨轨道方向将所述读取器阵列重新定位于各种地址，并且从所述重叠轨道读取数据；
基于所述读取期间的错误率，选择所述读取器阵列的所述第一位置作为最高位置；
沿着与所述第一跨轨道方向相反的第二跨轨道方向，将所述读取器阵列重新定位于各种地址，并且从所述重叠轨道读取数据；以及
基于所述读取期间的所述错误率，选择所述读取器阵列的所述第二位置作为最低位置。
3.根据权利要求1所述的方法，其中在少于2分钟内执行所述方法。
4.根据权利要求1所述的方法，包括：
将所述写入器阵列从标称写入位置重新定位到所述横向写入位置；
利用所述写入器阵列，在所述横向写入位置，写入多个更新重叠轨道；
确定所述读取器阵列相对于所述更新重叠轨道的第一和第二更新位置，所述第一和第二更新位置高于和/或超出所述更新重叠轨道的轨道边缘；
在所述第一和第二更新位置之间重新定位所述读取器阵列，并且从所述更新重叠轨道读取数据；
当将所述读取器阵列重新定位于所述第一和第二更新位置之间时执行所述读取期间，确定读取性能将最高的更新读取偏移点；以及
确定所述更新读取偏移点是否将在跨轨道方向上与标称读取位置对齐。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述数据包含离开标称写入位置的横向偏移。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述读取器阵列位于驱动器上，所述驱动器还具有所述写入器阵列。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述读取器阵列位于与具有所述写入器阵列的驱动器不同的驱动器上。
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述不同驱动器是校准驱动器。
9.根据权利要求1所述的方法，其中通过对由所述写入器阵列写入的所述多个重叠轨道的磁畴成像，确定所述读取器阵列相对于所述重叠轨道的所述第一位置和第二位置。
10.根据权利要求1所述的方法，其中利用所述写入器阵列中的所述写入器的磁极的物理特性，确定所述读取器阵列相对于所述重叠轨道的所述第一和第二位置。
11.根据权利要求1所述的方法，包括在后续重叠写入期间，应用用于描述所述横向写入位置的所述数据。
12.一种用于确定横向写入位置的装置，包括：
驱动器机构，用于使磁介质越过写入器阵列；
控制器，电耦合到所述写入器阵列；以及
逻辑，所述逻辑与所述控制器集成和/或可由处理器执行，从而执行权利要求1所述的方法。
13.根据权利要求12所述的装置，包括逻辑，配置所述逻辑以应用所述横向写入位置，用于从标称写入位置重新定位所述写入器阵列的写入位置。
14.一种用于确定横向写入位置，以在写入重叠数据轨道期间使用的方法，所述方法包括：
利用写入器阵列，写入多个重叠轨道；
确定读取器阵列相对于所述重叠轨道的第一和第二位置，所述第一和第二位置高于和/或超出所述重叠轨道的轨道边缘；
在所述第一和第二位置之间重新定位所述读取器阵列，并且从所述重叠轨道读取数据；
当将所述读取器阵列重新定位于所述第一与第二位置之间时执行所述读取期间，确定读取性能将最高的读取偏移点；以及
利用所述读取偏移点，计算描述横向写入位置的数据，以在写入期间使用，使得将重叠轨道写入格式规定的地址。
15.根据权利要求14所述的方法，其中确定所述读取器阵列相对于所述重叠轨道的所述第一和第二位置包括：
将所述读取器阵列定位于所述重叠轨道的预期中心；
沿着第一跨轨道方向重新定位所述读取器阵列，并且从所述重叠轨道读取数据；
基于所述读取期间的错误率，选择所述读取器阵列的所述第一位置作为最高位置；
沿着与所述第一跨轨道方向相反的第二跨轨道方向，重新定位所述读取器阵列，并且从所述重叠轨道读取数据；以及
基于所述读取期间的所述错误率，选择所述读取器阵列的所述第二位置作为最低位置。
16.根据权利要求14所述的方法，包括：
应用所述横向写入位置用于从标称写入位置重新定位所述写入器阵列的写入位置；
利用所述写入器阵列，从所述重新定位写入位置，写入多个更新重叠轨道；
确定所述读取器阵列相对于所述更新重叠轨道的第一和第二更新位置，所述第一和第二更新位置高于和/或超出所述更新重叠轨道的所述轨道边缘；
将所述读取器阵列重新定位于所述第一和第二更新位置之间，并且从所述更新重叠轨道读取数据；
当在将所述读取器阵列重新定位于所述第一和第二更新位置之间时执行所述读取期间，确定读取性能将最高的更新读取偏移点；以及
确定所述更新读取偏移点是否将在跨轨道方向上与标称读取位置对齐。
17.根据权利要求14所述的方法，其中所述数据包含距标称写入位置的横向偏移。
18.一种包括用于执行权利要求1－11、14－17中的任何一项所述的方法的任意步骤的组件的系统。

说明书全文

用于测量和校正磁性写入器偏移误差的方法和系统

技术领域

[0001] 本发明涉及数据存储系统，更具体地，本发明涉及写入数据的边缘布局以实现对齐的重叠写入。

背景技术

[0002] 在磁性存储系统中，磁性转换器从磁记录介质读取数据并将数据写到磁记录介质上。通过将磁记录转换器移动到待存储该数据的介质上的位置，数据被写到磁记录介质上。磁记录转换器然后产生磁场，将数据编码到磁介质中。通过类似地定位磁读取转换器，然后感测该磁介质的磁场，数据从该介质中被读取。读取和写入操作可以独立地与介质移动同步，以确保数据能够从该介质所想要的位置上被读取和写入。

[0003] 数据存储产业中的重要的并且持续的目标是提高介质上的数据存储密度。对于磁带存储系统，其目标是增加记录磁带上的轨道和线性比特密度，以及减少磁带介质的厚度。然而，小型化封装的、更高性能的磁带驱动系统的开发已经在此类系统使用的磁带磁头组装的设计中造成了各种各样的问题。

[0004] 在磁带驱动系统中，驱动以高速在磁带磁头的表面上移动磁带。通常，会设计磁带磁头为使其与磁带之间的间距最小。磁头与磁带之间的间距是至关重要的，因此这些系统的目标是具备转换器的记录间隙，这是在与磁带的近接触中产生写入锐变化的磁记录流量的来源，以及具有与磁带靠近接触的读取元件，以提供从磁带到读取元件的磁场的有效耦合。

[0005] 存储在磁带上的数据量可以通过增加磁带上的数据轨道的数量进行扩大。而且，通过数据轨道的交叠部分(例如，重叠数据轨道)，取得了数据存储量的改善。

发明内容

[0006] 根据一个实施例，一种方法包括使用写阵列写多个重叠轨道，确定读取器阵列相对于重叠轨道的第一位置和第二位置，该第一位置和第二位置是在重叠轨道的轨道边缘之上和/或者越过轨道边缘，将读取器阵列重新定位到第一和第二位置之间的各个位置并从该重叠轨道读取数据，当在第一和第二位置之间重新定位读取器阵列时执行读取期间，确定其读取性能将是最高的读取偏移点，并且使用该读取偏移点，计算描述横向写入位置以在写入期间使用的数据，使得在由格式指定的地址写入重叠轨道。因此，根据本发明实施例的方法能够提供所希望的轨道对齐，并对于要写入磁介质的重叠轨道的数据提供降低的回读错误率。

[0007] 此外，根据另一实施例，一种存储数据的磁记录产品包括，线性磁记录介质，以及靠近线性磁记录介质的第一端在磁记录介质上的保留区，保留区被配置以接收可用于确定在写入期间使用的横向写入位置的重叠轨道，使得重叠轨道被写在由格式指定的地址。磁记录介质具有保留区，希望允许在该保留区重复执行操作而不覆写用户数据，或反之影响数据的余数和/或在磁记录介质上未使用的轨道。而且，使用保留区确定的横向写入位置确保所要求的轨道对齐，以及对于写到如前所述的磁介质的重叠轨道的数据确保降低的回读错误率。

[0008] 根据另一实施例，一种计算机程序产品包括，计算机可读存储介质，具有随其嵌入的程序指令，由控制器可执行的程序指令使得该控制器执行一种方法，该方法包括：由该控制器使用写入器阵列写入多个重叠轨道；由该控制器确定读取器阵列相对于重叠轨道的第一位置和第二位置，该第一位置和第二位置是在重叠轨道的轨道边缘之上和/或者越过轨道边缘；由该控制器在该第一和第二位置之间重新定位读取器阵列，并从该重叠轨道读取数据；由该控制器确定读取偏移点，当在第一和第二位置之间重新定位读取器阵列时其读取性能在所执行的读取期间将是最高的；以及由该控制器使用该读取偏移点计算将在写入期间使用的描述了横向写入位置的数据，使得重叠轨道被写入由格式指定的地址处。根据本发明实施例的方法能够提供所要求的轨道对齐，以及对于写入磁介质的重叠轨道的数据提供降低的回读错误率。而且，能够取得如此良好结果的程序指令可以由能够处理计算机可读程序指令的若干组件的任何一个执行，从而大大地增加了本发明实施例的适用范围。

[0009] 这些实施例的任何一个可以在磁性数据存储系统中实施，诸如磁带驱动系统，其可以包括磁头、用于将磁介质(例如，记录磁带)越过磁头的驱动机制、以及电耦合到磁头的控制器。

[0010] 本发明的其他方面和实施例从下面的详细描述中将变得显而易见了，其采取结合附图，通过举例阐明本发明的原理。

附图说明

[0011] 图1A是根据一个实施例的简化的磁带驱动系统的原理图。

[0012] 图1B是根据一个实施例的磁带盒的原理图。

[0013] 图2举例说明了根据一个实施例的扁平折叠的、双向的、双模块磁带的侧视图。

[0014] 图2A是从图2的线2A取得的磁带支承面视图。

[0015] 图2B是从图2A的圆圈2B取得的详细视图。

[0016] 图2C是一对模块的局部磁带支承面的详细视图。

[0017] 图3是具有写-读-写配置的磁头的局部磁带支承面视图。

[0018] 图4是具有读-写-读配置的磁头的局部磁带支承面视图。

[0019] 图5是根据一个实施例的具有三个模块的磁带磁头的侧视图，其中各模块一般都沿着平行平面排布。

[0020] 图6是具有以正切(角度)配置的三个模块的磁带磁头的侧视图。

[0021] 图7是具有以外包装(overwrap)配置的三个模块的磁带磁头的侧视图。

[0022] 图8A-8F是根据不同实施例的重叠数据轨道的部分代表性视图。

[0023] 图9是根据一个实施例的方法的流程图。

[0024] 图10A-10B是应用横向写入位置偏移前后，字节/C2回读错误率相对于横向读取偏移的曲线图。

[0025] 图11是根据一个实施例的方法的流程图。

[0026] 图12A是根据一个实施例的以非蛇形写入的重叠轨道的磁带示意图。

[0027] 图12B是根据一个实施例的以蛇形写入的重叠轨道的磁带示意图。

[0028] 图12C是根据一个实施例的以蛇形写入并显示定向缓冲区的重叠轨道的磁带示意图。

[0029] 图13A是根据一个实施例的方法的流程图。

[0030] 图13B是图13A方法的可选子操作的流程图。

[0031] 图14是根据一个实施例的具有重叠数据轨道的磁带的代表性示意图。

[0032] 图15A是根据一个实施例的重叠数据轨道的代表性示意图。

[0033] 图15B是根据一个实施例的举例说明回读误差相对于读取器偏移的曲线图。

[0034] 图16是根据一个实施例的方法的流程图。

[0035] 图17是具有保留区的产品的代表性示意图。

[0036] 图18是根据示例性实施例的方法的流程图。

[0037] 图19是根据示例性实施例的方法的流程图。

具体实施方式

[0038] 给出以下描述的目的是举例说明本发明的一般原理，并不是限定在此权利要求的本发明概念。而且，在此描述的特殊的特征能够用于在每个各种可能的组合和置换中与其他所描述的特征进行组合。

[0039] 除非另外在此特别明确的，所有条款给出了其最宽泛的可能解释，包括从说明书暗指的含义，以及由那些本领域技术人员所理解的含义和/或者在字典、论文等中所定义的含义。

[0040] 也必须注意到，如在说明书中和所附权利要求中使用的，单数形式“一个”和“该”包括复数指称对象，除非另有说明。

[0041] 下列描述披露了磁存储系统以及其中操作码部分和/或者组件部分的几个优选实施例。例如，各种实施例使得在写重叠数据轨道时使用的横向写入位置能被确定。这使得重叠轨道按照所想要的格式被定位于记录介质上合适的位置，也就改善了回读可靠性。

[0042] 在一个一般实施例中，一种方法包括写入多个使用写入器阵列的重叠轨道，确定相对于重叠轨道的读取器阵列的第一和第二位置，该第一和第二位置是在重叠轨道的轨道边缘之上和/或者越过轨道边缘，将该读取器阵列重新定位到第一和第二位置之间的各个位置并从该重叠轨道读取数据，确定一个读取偏移点，当在第一和第二位置之间重新定位读取器阵列时其读取性能在所执行读取时将是最高的，并且使用该读取偏移点，计算描述了横向写入位置以在写入时使用的数据，使得重叠轨道被写在由格式指定的位置处。

[0043] 在另一个一般实施例中，一种用于存储数据的磁记录产品包括一种线性磁记录介质，以及靠近线性磁记录介质的第一端在磁记录介质上的保留区，该保留区被配置以接收可用于确定在写入时使用的横向写入位置的重叠轨道，使得重叠轨道被写在由格式指定的位置处。

[0044] 在又一个一般实施例中，一种计算机程序产品包括，一种计算机可读存储介质，具有随其嵌入的程序指令，由控制器可执行的程序指令使得该控制器执行一种方法，该方法包括：写入，由该控制器，使用写入器阵列的多个重叠轨道；确定，由该控制器，相对于重叠轨道的读取器阵列第一位置和第二位置，该第一位置和第二位置是在重叠轨道的轨道边缘之上和/或者越过轨道边缘；由该控制器重新定位在该第一和第二位置之间的读取器阵列并从该重叠轨道读取数据；由该控制器确定读取偏移点，当在第一和第二位置之间重新定位读取器阵列时其读取性能在所执行读取时将是最高的；以及由该控制器使用该读取偏移点计算将在写入时使用的描述了横向写入位置的数据，使得重叠轨道被写在由格式指定的位置处。

[0045] 图1A示出基于磁带的数据存储系统的简化磁带驱动器100，可以在本发明的背景下使用。虽然图1A示出了磁带驱动器的一个特定实施例，应该注意到在此描述的实施例可以在任何类型磁带驱动系统的环境下实施。

[0046] 如所示出的，提供磁带供带盒120和收带卷盘121以支撑磁带122。一个或者多个卷盘可以构成一个可移动带盒的部分并不必是驱动100的部分。诸如图1A中所例举的，磁带驱动器可以进一步包括驱动马达以驱动磁带供带盒120和收带卷盘121使得磁带122在一个任意类型的126上移动。这种磁头可以包括读取器阵列、写入器阵列、或者两者。

[0047] 向导125引导磁带122穿过126。这种126接着被耦合到一个控制器128通过电缆130。该控制器128，可以是或者包括一个处理器和/或者用于控制所述驱动100的任意子系统的任意逻辑。例如，该控制器128典型地控制诸如伺服下列的数据写入、数据读取等的磁头功能。该控制器128可以包括至少一个伺服通道和至少一个数据通道，其每个通道包括被配置的数据流处理逻辑，以处理和/或者存储有待写入磁带122和/或者有待从磁带122读取的信息。该控制器128可以根据本领域公知的逻辑或者在此披露的任意逻辑进行操作，并因此在各种实施例中其可以被认为是对于在此包含的任意描述的磁带驱动的一种处理器。该控制器128可以耦合到任何已知类型的存储器136，其可以存储可由控制器128执行的指令。
而且，该控制器128可以被配置和/或者可编程以执行或控制一些或者所有在此提出的方法。如此，可以认为该控制器128被配置通过被编程为一个或者多个碎片、模块、和/或者块的逻辑，软件，固件，和/或者对于一个和/或者多个处理器可行的其他指令，等等，以及由此的组合，执行各种操作。

[0048] 电缆130可以包括读取/写入电路，以将数据传输到该磁头126记录在磁带122上，以及接收通过该磁头126从磁带122读取的数据。致动器132控制该磁头126相对于磁带122的位置。

[0049] 接口134还可以提供在磁带驱动器100和主机(内部和外部)之间的通信以发送和接收数据，以及控制磁带驱动器100的操作并向主机通信磁带驱动器100的状态，以及所有由本领域技术人员所理解的。

[0050] 图1B例举说明了根据本发明一个实施例的典型磁带盒150。这种磁带盒150可以作为系统使用，诸如在图1A示出的。如所示出的，磁带盒150包括外壳152，在该外壳152中的磁带122，以及被耦合到外壳152中的非易失性存储器156。在某些方法中，非易失性存储器156可以嵌入在外壳152内，如图1B所示。在更多的方法中，非易失性存储器156可以贴附于外壳152的里面或者外面，而不更改此外壳152。例如，非易失性存储器可以在不干胶标签154中嵌入。在一个优选实施例中，非易失性存储器156可以是一个闪存装置、只读存储器装置(ROM)等，被嵌入或者耦合到磁带盒150的里面或者外面。非易失性存储器是由磁带驱动器和磁带运转软件(驱动器软件)和/或者其他装置可接入的。

[0051] 作为例子，图2举例说明了可以在本发明背景下实施的一种扁平折叠的、双向的、双模块200的侧视图。如所示出的，该包含一对基底202，每个配备有模块204，以及相对于彼此以一个小角度α固定。此基底可以是被胶着地耦合在一起的U型梁。每个模块204包含一个基板204A和一个具有薄膜部分的闭合件204B，通常称为“间隙”，在其中读取器和/或者写入器206被成形。使用中，磁带208越过模块204沿着介质(磁带)支承面209以示出的使用该读取器和写入器在磁带208上读取和写入数据的方式移动。磁带208以边缘进入和退出平面介质支承面209的返转角θ通常约为0.1度到3度之间。

[0052] 基板204A典型地是由诸如陶瓷的耐磨性材料构造。闭合件204B是由与基板204A同样的或者类似的陶瓷制造的。

[0053] 读取器和写入器可以以背负式或者合并式配置进行排列。说明性的背负式配置包含位于(磁屏蔽的)读取器转换器(例如，磁阻式读取器，等等)的顶端(或者下方)的(磁感应的)写入器转换器，其中写入器的杆和读取器的罩通常是分离的。说明性的合并式配置包含如写入器杆在同样的物理层中的读取器罩(因此，是合并的)。该读取器和写入器也可以是以交错式配置进行排列。

[0054] 可替换地，通道的每个阵列可以只是读取器或者写入器。这些阵列的任何一个可以包含一个或者多个用于读取介质上伺服数据的伺服轨道读取器。

[0055] 图2A举例说明了从图2的线2A取得的模块204之一的磁带支承面209。一个典型的磁带208以虚线示出。模块204优选地足够长，当磁头在数据带之间步进时能够支撑磁带。

[0056] 在此例子中，磁带2018包括4到32个数据带，例如，如图2A所示在二分之一英寸宽的磁带208上，有16个数据带和17个伺服轨道210。数据带被限定在伺服轨道210之间。每个数据带可以包括若干数据轨道，例如1024个数据轨道(未示出)。在读取/写入操作时，读取器和/或写入器206被定位到在数据带之一之内的特定轨道位置。外部读取器，有时称为伺服读取器，读取伺服轨道210。伺服信号接着用于保持读取器和/或者写入器206与特殊的一组轨道在读取/写入操作时对齐。

[0057] 图2B描述了图2A的圆圈2B中在模块201上的缺口218中成形的多个读取器和/或者写入器206。如所示出的，读取器和写入器阵列206包括，例如，16个写入器214，16个读取器216和两个伺服读取器212，尽管元件的数量可以变化。说明性的实施例包括每个阵列8、16、
32、40和64个主动读取器和/或写入器206，以及可替换地交错设计含有诸如17、25、33等奇数个读取器或写入器。说明性的实施例包括每个阵列32个读取器和/或每个阵列32个写入器，此处转换器元件的实际数量可能更大，例如，33、34等等。这允许磁带行进得更慢，由此减少速度诱导跟踪和机械困难，和/或进行较少的“包裹”以填充或读取磁带。虽然读取器和写入器可以以如图2B所示的背负式配置进行排列，读取器216和写入器214还可以以交错配置进行排列。可替换地，读取器和/或写入器206的每个阵列可以只是读取器或者写入器，并且阵列可以包含一个或者多个伺服读取器212。同时考虑图2和图2A-B注意到，每个模块204可以包括互补的一组读取器和/或写入器206，用于诸如双向读取和写入、边写边读能力、向后兼容性等等此类事情。

[0058] 图2C示出了根据本发明一个实施例的磁带头200的互补模块的局部磁带支承面视图。在此实施例中，每个模块具有以背负式配置成形在共同基板204A上的多个读/写(R/W)对，以及可选的电绝缘层236。由写入转换器214示例的写入器和由读取转换器216示例的读取器以平行于磁带介质行进的预定方向对齐，由此形成一个读/写对，由读/写对222示例。注意到，磁带行进的预定方向在此有时称之为磁带行进的方向，并且此类术语可以交换地使用。磁带行进的这个方向可以由该系统的设计推测，例如，通过检查向导，通过观察相对于参考点磁带行进的实际方向，等等。此外，在可操作双向读取和/或写入的系统中，两个方向上的磁带行进方向典型地是平行的，并由此两个方向可以视为是相互等同的。

[0059] 数个读/写对222可以给出，诸如8对、16对、32对等等。如所示出的，读/写对222通常在垂直于磁带过此行进的方向的方向上成直线地对齐。可是，这些对还可以对角对齐，等等。伺服读取器212安置在读/写对阵列的外部，其功能是众所周知的。

[0060] 通常，磁带介质在向前或反向的方向之一移动，如箭头220指示的那样。磁带介质和磁头组件200由本领域众所周知的方式以换能关系运转。背负式磁阻(MR)磁头组件200包括两个具有通常完全相同结构的薄膜模块224和226。

[0061] 模块224和226被连接在一起，由此在闭合件204B(未示出)之间呈现一个间距，以形成单个物理单元，通过启动具有主导模块的写入器和具有跟随模块的读取器对齐提供边写边读能力，主导模块写入器平行于对应其的磁带行进方向。当背负式磁头200的模块224、226构造时，在构建于导电基板204A(部分示出)上方的间隙218中形成多层，例如，铝钛碳合金(AlTiC)的,通常对于读/写对222按下列顺序，绝缘层236，典型铁合金的第一屏蔽层232，诸如镍铁合金(NiFe(-))、碲锌镉(CZT)或者铁硅铝(Al-Fe-Si(Sendust))合金，传感器234用于传感磁介质上的数据轨道，典型镍铁合金的第二屏蔽层238(例如，～80％/20％的镍铁，也公认为镍铁导磁合金)，第一和第二写入器极尖228、230，以及线圈(未示出)。此传感器可以具有任何公知类型，包括那些基于磁阻(MR)、巨磁阻(GMR)、自适应磁阻(AMR)、隧穿磁阻抗(TMR)的，等等。

[0062] 第一和第二写入器极228、230可以由高磁矩材料制造，诸如～45/55的镍铁(NiFe)。请注意这些材料只是举例给出的，并且可以使用其他材料。可以存在诸如在屏蔽层和/或极尖之间绝缘的附加层，以及一个围绕传感器的绝缘层。例举说明的绝缘材料包括氧化铝和其他氧化物、绝缘聚合物，等等。

[0063] 磁带磁头126的结构根据本发明一个实施例包括多个模块，优选地三个或者更多。在写-读-写(W-R-W)磁头中，对于写入的外部模块位于对于读取的一个或多个内部模块的侧面。参照图3，描述写-读-写(W-R-W)的结构，外部模块252、256各自包括写入器260的一个或多个阵列。图3中的内部模块254以类似结构包括读取器258的一个或多个阵列。多模块磁头的变型包括一个读-写-读(R-W-R)磁头(图4)，读-读-写(R-R-W)磁头，写-写-读(W-W-R)磁头，等等。在又一其他变型中，模块中的一个或多个可以具有读/写对转换器。此外，可以有多于三个的模块存在。在进一步的方法中，两个外部模块可以位于两个或多个内部模块的侧面，例如，以写-读-读-写(W-R-R-W)、读-写-写-读(R-W-W-R)排列，等等。为了简化，在此主要使用写-读-写(W-R-W)磁头，以举例说明本发明实施例。在此获知了本发明技术内容的本领域技术人员将可以领会如何变换本发明应用于不同于写-读-写(W-R-W)结构的其他结构。

[0064] 图5示出根据本发明一个实施例的磁头126，其包括第一、第二和第三模块302、304、306，各自分别含有磁带支承面308、310、312，可以是平坦的、起伏的等等。请注意虽然术语“磁带支承面”似乎意指面向磁带315的表面是与磁带支承面物理接触的，但这不是必须的情况。相反地，仅磁带的一部分可能是与磁带支承面接触的，持续或间歇地与骑(or“飞”)在磁带支承面之上的磁带其他部分在空气层上接触，有时称之为“空气支承”。第一模块302称之为“主导”模块，因为在磁带以指定方向移动的三模块设计中，它是磁带遇到的第一模块。第三模块306称之为“跟随”模块。此跟随模块跟随中间模块，并且是在一个三模块设计中磁带看到的最后的模块。主导模块和跟随模块302、306共同被称之为外部模块。还需注意外部模块302、306将交替作为主导模块，取决于磁带315的行进方向。

[0065] 在一个实施例中，第一、第二和第三模块302、304、306的磁带支承面308、310、312位于大约平行的平面上(是指包括平行的和几乎平行的平面，例如，在如图6中平行的和切向的之间)，并且第二模块304的磁带支承面310是在第一和第三模块302、306的磁带支承面308、312的上方。如下面描述的，这具有产生磁带相对于第二模块304的磁带支承面310所需的返转角α2的效果。

[0066] 磁带支承面308、310、312位于沿着平行的或几乎平行但偏移的平面，直观地，磁带应该剥离主导模块302的磁带支承面308。可是，已经由实验发现由主导模块302的切片边缘318产生的真空足以保持磁带黏着到主导模块302的磁带支承面308。主导模块302的后缘
320(磁带离开主导模块302的那一端)是确定第二模块304的磁带支承面310上的返转角α2的近似参考点。磁带保持邻近于磁带支承面直到靠近主导模块302的后缘320。因此，读取和/或写入元件322可以定位在靠近外部模块302、306的后缘。这些实施例尤其适合于写-读-写的用途。

[0067] 在此描述的这个和其它实施例的益处是，由于外部模块302、306是固定在一个相对第二模块304确定的偏移位置处，当模块302、304、306被联接在一起或者另外地固定为一个磁头时内部返转角α2是固定的。内部返转角α2近似为tan-1(δ/W)，其中，δ是磁带支承面308、310的平面之间的高度差，W是磁带支承面308、310的相对端之间的宽度。一个说明性的内部返转角α2是在大约0.3°到大约1.1°的范围内，尽管它能是由设计要求的任何角度。

[0068] 有益地，在接收磁带(前缘)的模块304一边的内部返转角α2会比后缘上的内部返转角α3大，因为磁带315骑在跟随模块306的上面。这个差别通常是有好处的，因为一个较小的α3趋于反对此前已经是比较陡峭出口的有效返转角。

[0069] 请注意外部模块302、306的磁带支承面308、312被定位以在主导模块302的后缘320处获得一个负返转角。这在辅助减少由于与后缘320接触产生的摩擦方面通常是有益处的，若对于在磁带中其剥离磁头的位置处形成的撬棒区域的定位予以适当考虑。这个负返转角还减少了对主导模块302上元件的颤振和擦洗损伤。此外，在跟随模块306处，磁带315飞过磁带支承面312，因此当磁带在这个方向移动时对元件几乎没有磨损。尤其是，磁带315携带空气，因此不会显著地骑在第三模块306的磁带支承面312上(某种接触可以出现)。这是可允许的，因为当跟随模块306闲置时主导模块302正在写入。

[0070] 写入和读取功能是由不同的模块在任意给定时间执行的。在一个实施例中，第二模块304包括多个数据和可选的伺服读取器331，但是无写入器。第一和第三模块302、306包括多个写入器322，但是无数据读取器，例外情况下外部模块302、306可以包括可选的伺服读取器。伺服读取器可以用于在读取和/或写入操作时定位磁头。在各个模块上的伺服读取器被典型地定位到读取器或写入器阵列的末端。

[0071] 通过仅有读取器或者并排的写入器以及伺服读取器位于基板和闭合件之间的间隙中，间隙长度能够大幅度减小。典型的磁头具有背负式读取器和写入器，其中写入器被形成在各个读取器的上方。典型的间隙是20-35微米。然而，磁带上的不规则可能会下垂进入间隙，并产生间隙磨损。因此，间隙是越小越好。在此允许的较小间隙展示了所涉及问题下更少的磨损。

[0072] 在某些实施例中，第二模块304具有一个闭合件，而第一和第三模块302、306不具有闭合件。若没有闭合件时，优选地对该模块添加硬质涂层。一种优选的涂层是类金刚石碳(DLC)。在图5所示的实施例中，第一、第二和第三模块302、304、306各自具有闭合件332、334、336，其扩展了相关联模块的磁带支承面，从而有效地布置读取/写入元件远离磁带支承面的边缘。第二模块304上的闭合件332可以是一类典型地用于磁带磁头上的陶瓷闭合件。然而，当平行于磁带行进过各自的模块进行测量时，第一和第三模块302、306的闭合件
334、336可以比第二模块304的闭合件332更短。这能使这些模块被布置得更靠近在一起。产生较短的闭合件334、336的一种方法是重叠额外数量的第二模块304的标准陶瓷闭合件。另一种方法是薄膜加工时在元件上面镀上或沉积薄膜闭合件。例如，一种诸如铁硅铝或(例如，45/55的)镍铁合金的硬质材料的薄膜闭合件能够在模块上形成。

[0073] 在外部模块302、306上采用减小厚度的陶瓷或者薄膜闭合件334、336或者没有闭合件，写-到-读间隙的间距能够减小到约小于1mm，例如大约0.75mm，或者是小于通常使用的钛酸锂(LTO)磁带磁头间距的50％。在模块302、304、306之间的公共空间仍然能够设置为大约0.5mm到0.6mm，这在某些实施例中对于稳定磁带在第二模块304之上运动是理想的。

[0074] 依赖于磁带的张力和刚度，给出外部模块的磁带支承面相对于第二模块的磁带支承面的角度可能是所需要的。图6例举说明了一个实施例，其中模块302、304、306是按照相切的或几乎相切的(成角度)配置。尤其是，外部模块302、306的磁带支承面是以第二模块304所需的返转角α2大致平行于磁带的。也就是说，外部模块302、306的磁带支承面308、312的平面是以磁带315相对于第二模块304的大约所需的返转角α2取向的。在此实施例中磁带也会突然离开跟随模块306，从而减小了在跟随模块306的元件上的磨损。这些实施例在写-读-写的应用中是特别有用的。此外，这些实施例的附加方面与上面给出的那些是类似的。

[0075] 典型地，磁带返转角可以设置为如图5和图6所示的实施例的中间情况。

[0076] 图7举例说明了一个实施例，其中模块302、304、306是以外包装配置。特别是，当以相对于第二模块304的所需返转角α2设置时，外部模块302、306的磁带支承面308、312所成角度稍大于磁带315。在此实施例中，磁带不会突然离开跟随模块，允许它被用于写入或读取。因此，主导和中间模块两者能够执行读取和/或写入功能，而跟随模块能够读取任何刚写入的数据。因此，这些实施例对于写-读-写、读-写-读和写-写-读的用途是优选的。在后面的实施例中，闭合件应该比磁带盖更宽，以确保读取能力。更宽的闭合件可以需要一个更宽的隙-到-隙分离。因此，一个优选的实施例具有写-读-写配置，其可以使用由此允许更近的隙-到-隙分离的缩短的闭合件。

[0077] 图6和图7示出的本发明实施例的其他方面是与上面给出的那些类似的。

[0078] 多模块磁头126的32通道形式可以使用具有与通用的16通道背负式线性磁带开放协议(LTO)模块相同间距或者较小间距引线的电缆350，或者可替换地，模块上的连接可以是管风琴键盘式排布的，以减少50％的电缆跨度。上下重叠式写入对非屏蔽电缆可以用作写入器，它可以集成伺服读取器。

[0079] 外部返转角可以在驱动中设置，诸如由本领域技术人员公知的诸如可调节的滚轴、滑动等任何磁带导向，或者可替换的由悬臂梁，这些对于磁头是不可或缺的。例如，具有偏移轴的滚轴可以用于设置返转角。偏移轴产生一个旋转轨道弧，允许返转角α1的精确对齐。

[0080] 为了装配以上所述的实施例的任何一个，可以使用传统的U型梁装配。因此，组合磁头的质量可以保持不变或者相对于前几代的磁头还减小了。在其他方法中，模块们可以构造为单一整体。那些本领域技术人员利用本发明教授的内容，将领会制造这种磁头的其他公知方法可以适用于用在构造这种磁头。而且，除非另外指定的，本技术领域公知类型的流程和材料可以适用于用在与在此教授内容一致的各种实施例中，因为根据阅读了本发明说明内容，这对于本领域技术人员将变得显而易见。

[0081] 如前所述，存储在磁带上的数据量可以通过重叠部分数据轨道(例如，重叠数据轨道)进行扩展，因此增加了轨道上数据轨道的数量。重叠可用于调整被写轨道宽度，以使用较宽的传统写入器写较窄的轨道，使得能够所谓的向下兼容。因此，取得了数据存储量的改善。可是，数据存储量的这些改善在传统的产品中可以以回读性能为代价实现。特别地，传统产品可以经受由于写入器特性的不确定程度，并因此由写入器所写轨道特性的不确定程度，导致的回读性能的下降。

[0082] 当所写轨道宽度减小，写入磁头的不规则倾向于对写入性能有较多的影响。为此，由于这些写入磁头不规则所经受的误差已经增加到，它们对驱动性能和制造产量已构成显著(例如，可测量的)影响。尤其是，“侧写入”作用(被写轨道的任意一侧的条带有效擦除下面的数据的情形)，当其与实施重叠写入组合时，导致轨道错位。

[0083] 例如，一个或多个写入器在磁头中的实际尺寸和/或位置可以是不同于一个或多个写入器的标称设计尺寸和/或位置。写入器的实际和标称设计特性之间的差异，可以导致写入介质时重叠的轨道边缘的位移。驱动试图回到标称设计的读取位置处的重叠的轨道进行读取，但是根据重叠的轨道从标称设计的位置偏移程度，重叠的轨道可以引起回读误差增大和/或完全无法读取。尽管误差恢复操作也许能够抵消一些这种不良的效果，依赖于误差恢复程序暂时解决已知被写入的偏移能够引进大量的更多来回的磁带运动(诸如背挂)和/或产生更多的永久误差的情况。在任一种情况中，读取边距在总的操作中被减小，因此产生在误差恢复中出现其他问题的更高可能性。

[0084] 图8A-图8C分别图示说明了在重叠轨道的标称设计特性和实际特性(例如，尺寸、定位、等等)之间可能存在的差异。图8A描述了被写入磁带的重叠轨道的标称设计特性，基于用于写重叠轨道的写入器的标称设计特性。概念上，这是使用中所预期出现的。如所示出的，依照磁带在相对于读取器802的磁带行进方向上移动，读取器802以所预期对齐于磁带上被写轨道804的位置进行取向设计。虚线803描述了重叠轨道804的预计边缘，例如，根据一种格式。

[0085] 可是，由于薄膜晶片处理变化，写入器的实际尺寸可以不同于设计规格，即使写入器尺寸是在容差内。其结果是，重叠轨道的边缘位置可以不同于标称设计，由此可能导致引起读取器与轨道错边并甚至跨越到相邻轨道。

[0086] 例如，如图8A和图8B所表示的，当实际写入器宽度小于标称设计写入器宽度，物理轨道的实际宽度WA是比设计宽度WD窄，其引起图8B中磁带上的被写轨道804的特性不同于该轨道的标称设计特性，如图8A中所描述的。尤其是，尽管被写轨道(前-重叠的)的中心线805保持相同，并且重叠轨道的宽度WS在图8A和图8B中是相同的，图8B中的重叠轨道804的上边缘是沿着线803以跨轨方向806从预计位置偏移的(Offset)，由于较窄的实际写入器宽度。驱动编码将读取器802定位在标称的重叠轨道位置的中心，如图8A所描述的。因此，虽然在预计与被写轨道804的标称设计特性对准的位置处进行取向，读取器802的重要部分是重叠轨道804的外部。

[0087] 如下面更详细的说明，各种实施例可以被用于确定在磁带上已写轨道的特性与此轨道的标称设计特性之间的差异的存在和/或程度。例如，下面介绍的某些实施例可以用于确定在磁带上所写重叠轨道的轨道边缘的大概位置(例如，参看图13A-13B)。而且，根据确定的重叠轨道的轨道边缘的大概位置，一个横向校正写入位置就可以被计算，并且优选地被应用，以最小化在标称位置回读时的不对准，由此能够使重叠轨道可读取部分写入与标称设计位置一致的位置处。然后，当驱动执行一个回读操作时，读取器恰好定位在重叠轨道上面。图8C描述了一个采用校正的横向写入位置所写的重叠轨道804，用于最小化读取器不对准。而且，首选地计算横向校正写入位置，并且优选地分别应用于各个驱动，例如，找出驱动-到-驱动的变化。

[0088] 因此，缓解重叠轨道的标称设计特性与重叠轨道的实际特性的差异是需要的。此外，通过改进标称设计特性与磁带驱动环境中实际特性的匹配，还可以获得制造产量的显著改善。应该注意到，尽管在图8A-8C中例举说明了使用数据轨道的一个外部边缘测量的偏移，根据其他方法，偏移可以使用数据轨道的中心点或者任何其他给定的参考点进行测量。

[0089] 同样地，其同类组件具有与图8A-8C共同编号的图8D-8F描述实际写入器宽度大于设计宽度的实例。图8D例举说明了当被写时一个(前-重叠的)轨道的设计宽度。图8E例举说明了当实际写入器宽度大于设计写入器宽度时出现的效果，由此引起重叠轨道804的边缘沿着线803从标称设计位置被移位。各种实施例校正写入位置以最小化此位移，从而使重叠轨道能够写在标称设计所指定的预计位置。然后，当驱动执行回读操作时，读取器被恰好定位在重叠轨道上面。图8F描述了一个采用校正的写入位置所写的重叠轨道804，用于最小化读取器不对准。

[0090] 为了减小回读错误率，需要审视读取器的重新定位，但是对于可以由多个驱动附加数据的可移动介质这被认为是不切实际的，每个驱动具有不同的重叠轨道位移误差并由此需要重新定位需求的不同的读取磁头。同样地，已经发现，试图先预算再补偿不合要求的重叠轨道定位导致降低了可达到的面密度。最后，减小读取器宽度被认为会导致降低回读幅值宽带信噪比而不可取。

[0091] 因此，在此描述的各种实施例能够准确并最优实施在磁性介质上的重叠写入。通过考虑写入器和/或写入轨道的标称设计和实际特性，可以获得被写入介质的重叠轨道的准确的、可预测的和优化的特性。因此，在某些实施例中，一个给定的介质可以在任一个多个驱动中被准确地读取，而无需对驱动之间的读取磁头位置作显著调节，这将在下面进一步详细地描述。

[0092] 现在参考图9，示出了根据本发明一个实施例的一种方法900的流程图。该方法900可以在图1至图7所描述的任何环境中执行，其中，在各种实施例中。当然，比那些在图9中明确描述的或多或少的操作可以包括在方法900中，将会被阅读了本发明说明的本领域技术人员所理解。

[0093] 方法900的每个步骤可以由运行环境的任何合适的组件执行。例如，在各种实施例中，方法900可以部分地或者整体地执行由控制器(例如，参看图1A的128)、处理器、等等，或者某些其中具有一个或多个处理器的其他装置。处理器，例如，处理电路、芯片和/或以硬件和/或软件实施的模块，并且优选地具有至少一个硬件组件，可以运用于任一装置以执行方法900的一个或多个步骤。说明性处理器包括，但是不局限于，一个中心处理单元(CPU)，专用集成电路(ASIC)，现场可编程门阵列(PFGA)，等等，由此的组合，或者本领域公知的任何其他适合的计算设备。

[0094] 如图9所示出的，方法900包括操作902，其特征在于收集关于一个写入器阵列怎样实际写和/或被预期怎样在重叠记录时写磁性介质的信息。此外，在写入器打算怎样写磁性介质与写入器实际怎样写和/或被预期怎样写磁性介质之间的差异导致了回读性能的退化。因此，通过收集关于一个写入器阵列怎样实际写和/或被预期怎样写磁性介质的信息，如操作902中所示，这种信息可以用于改善回读性能，例如，通过执行一个从否则会是一个标称的实际写入位置横向移位的横向写入位置，以补偿在实际的和标称设计的写入器特性之间的任何差异，这不久将会变得显然。

[0095] 根据本发明的某些实施例，在操作902中收集的信息可以用于确定由写入器阵列所写的重叠轨道的外部范围(例如，轨道边缘)的大概位置。如前面所述的，写入器阵列的实际特性可以从其标称设计变化。因此，在写入器已构成后而在其被检查之前，写入器阵列的实际特性此时可以是未知的。这样，使用写入器所写的重叠轨道边缘的位置最初可以是未知的。例如，即刻再次参考图8A-8B和图8D-8E，重叠轨道804的轨道边缘之间的偏移(Offset)在检查物理轨道之前可以是未知的。但是，根据确定的由写入器阵列所写的重叠轨道边缘的实际位置(例如，通过执行下面的方法1300的一个或多个操作)，一个从否则会是一个标称的实际写入位置横向移位的横向写入位置就可以被确定，这优选地补偿了在写入器阵列的实际特性和标称设计特性之间的任何差异。

[0096] 可是，在某些实施例中，在操作902中收集的信息可以指示写入器的标称设计的特性和实际的特性是被匹配的，例如，在写入器的标称设计的和实际的特性之间的差异是在容差内的。这样，在某些实施例中，具有其特性充分匹配标称设计特性的写入器阵列可以写数据轨道。继续参考方法900，可选的决策904包括，确定是否实际写入器性能与标称设计写入器性能之间的差异是可接受的，例如，在可接受的范围内，小于某个预定义值，从不可接受性能中划出了可接受性能，等等。根据确定差异是可接受的，方法900可以结束，或者进行操作902，以致可以收集关于另一个写入器如何写入的信息，例如，一个对面的模块上的写入器。因此，数据可以被写入并且有效地读取，而无需使横向写入位置生效。这样，在某些方法中，标称横向写入位置的偏移应用可以通过这种确定、通过用户重载进行脱离，根据检测到预定的条件可以放弃，等等。

[0097] 可替换地，根据确定实际写入器性能与标称设计写入器性能的差异是不可接受的，方法900进行操作902，包括使用所收集的信息，计算描述写入时要使用的偏移横向写入位置的数据，以致将重叠轨道边缘按照一个格式对齐。例如，描述横向写入位置的数据可以表示一个横向偏移，以在写操作时应用于标称写入位置，例如，导致写入位置从图8B向8C转变以及从8E向8F转变。横向写入位置可以基于，至少部分基于，写入器和/或者由写入器所写的数据轨道的标称设计特性与实际特性之间的横向偏移。换句话说，在写入时执行一个计算的横向写入位置可最好地克服写入器的标称设计特性与实际特性的任何差异(例如，横向不对准)。因此，在操作908中，数据通过使用描述横向写入位置的数据被写入磁性介质(例如，磁带)，例如，通过将偏移应用于标称写入位置。此解决方案可以使不同的驱动能够准确地读取数据，而不必试图通过重新定位离开标称的读取位置为重叠轨道边缘偏移进行补偿，因为从一开始数据就被写入在正确的位置。

[0098] 此外，根据某些方法，横向写入位置可以进一步调整以补偿附加的轨道特性，例如，为了避免和/或补偿对于沿着数据轨道的边缘形成的磁过渡的弯曲边缘。根据一个例子，横向写入位置可以被横向重新定位，通过向所读取轨道的磁过渡的弯曲边缘附加大约2％-10％重叠轨道宽度，或者反之亦然。由此，在某些实施例中，所写轨道的可读取部分可能由弯曲部分的程度被减少。在这种情形下，重叠轨道的“边缘”可以指恰好被写入部分的边缘。

[0099] 根据某些实施例，描述横向写入位置的数据可以对于每一个驱动计算一次，例如，在制造点。作为例子，一个驱动残骸(例如，没有磁头)可以接纳并连接到给定的磁头，此后可以执行一个或多个在此描述的过程，以确定偏移的横向写入位置，在以后的写入操作中进行执行。在其他实施例中，描述横向写入位置的数据可以根据某些准则计算，诸如根据高误码率，根据接收到执行计算的指令(例如，按要求的)，根据驱动器的修理，在驱动器预定的使用量后，等等。

[0100] 在某些实施例中，操作902中收集的信息可以基于写入器自身的物理构造。在一种方法中，以上操作902中收集的信息可以通过确定阵列中写入器磁极的物理特性进行收集。磁极的物理特性可以包括条纹高度、厚度、跨轨宽度，(例如，中心到中心)一个阵列的写入器之间的间距，等等，取决于所要的实施例。而且，写入器的物理特性可以使用原子力显微镜(AFM)或者任何其他精密分析装置进行确定，这对于本领域的技术人员将是显然的，例如，检测各个磁极边缘的位置。

[0101] 如前面所述的，写入器的特性可以变化作为制造缺陷、材料性质、操作员差错，等等。例如，重叠轨道的不合需要和/或未预报的定位可以由写入轨道宽度偏离了标称设计值所造成。其结果是，两个写入器可以有明显不同的物理特性，尽管可以打算它们的物理特性实质上是相同的。因此，由写入器的一个所写的数据轨道可以是明显不同于由第二个写入器所写的数据轨道(例如，如上面的图8B和图8E中所示的)。通过实施方法900的操作，这些不同可以得到所想要的说明。

[0102] 写入器的标称设计特性与实际特性的差异可以导致当写入介质时在数据轨道的标称位置与实际位置之间有一个横向位移，例如，如图8A至图8F所见的。例如，由写入器阵列所写入磁带的数据轨道可以有在磁带上数据轨道的标称设计位置处的参考点与在磁带上数据轨道的实际位置处的参考点之间的一个横向偏移。通过确定相应于给定的写入器阵列的横向偏移，描述了在写入时要使用的横向写入位置的数据可以被计算，这使得重叠轨道边缘按照一个格式被对齐。这样，当对磁介质写入数据时，执行所计算的横向写入位置，可以导致改善轨道位移和降低回读错误率。

[0103] 此外，如前面所述的，可以从各种源和/或使用各种过程收集关于一个写入器阵列怎样实际写和/或被预期怎样对介质写数据的信息。根据其他实施例，通过评价写入器阵列在各个驱动中的写入性能，可以收集关于在重叠记录时一个写入器阵列怎样实际写入和/或被预期怎样对磁介质写入的信息。应该注意到，在此描述的各种实施例可以在具有能够同时写多个轨道的多个写入器的实施例中实施。因此，在一个给定的实施例中的多个写入器的每个之间可以有距离，由此能对多个轨道同时进行重叠写入，这会被本领域技术人员根据阅读本发明说明书而领会。

[0104] 在一个方法中，在数据轨道由写入器阵列写入到磁介质后，可以通过数据轨道的成像磁畴收集关于在重叠记录时一个写入器阵列怎样实际写入和/或被预期怎样对磁介质写入的信息。由此，由写入器阵列所写的数据可以自我检查，确定关于写入器阵列怎样实际写入和/或被预期怎样对磁介质写入的信息。取决于所要的方法，所写数据轨道的成像磁畴可以使用磁力显微镜(MFM)、磁流体显像等等来实现。通过所写数据轨道的成像磁畴，对应的写入器阵列的特性可以由此得到，并有意地用于计算在写入时要用的描述了偏移横向写入位置的数据(例如，参看上面的操作906)，诸如可以通过确定具有笔直的(不弯曲的)过渡的已写轨道部分的宽度进行部分地推断。而且，当对磁介质写入数据时执行所计算的横向写入位置导致轨道位移的改善和回读错误率的降低。

[0105] 根据本发明的示例性实施例，写入器阵列可以用于向磁介质写入数据，当具有此写入器的磁头被定位在驱动中的一个标称写入位置时。可以使用任何常规方法选择标称写入位置。例如，标称写入位置可以是一个按照格式预定义的写入位置，驱动的缺省写入位置，计算位置，等等，取决于所要用的方法。因此，标称写入位置可以与写入器的标称设计特性(例如，尺寸，位置，等等)一致。

[0106] 一旦数据由定位于标称写入位置的写入器写入轨道后，当试图从该轨道读取数据时，分开了数据轨道的标称设计位置和实际位置的横向偏移，可以通过在跨轨方向上扫描磁头的位置进行确定。根据一个典型的方法，读取器可以定位在相对于对应的数据轨道的最靠外的位置处，借此该读取器可以开始从该数据轨道读取或者尝试读取数据。进行一次后，诸如过了一些时间后，磁带走了一些长度后，一些数据已经读取后，等等，读取器的位置可以重新定位。读取器相对于数据轨道的位置，可以通过在跨轨方向上以某个预定的距离从最靠外的位置处增量步进读取器，进行逐步地改变，例如，对于大约10个或者更多个数据集大约每步10nm至大约每步100nm。由此，随着读取器的位置被频繁地重新定位，读取器跨过数据轨道的跨轨宽度到与含有已写数据的轨道相关的各种横向读取位置递增地进行重新定位。

[0107] 在各种横向读取位置处读取的数据可以进行分析，以确定在后续写入时要使用的恰当的写入偏移。例如，根据评估当读取器跨数据轨道进行扫描时由该读取器收集的回读信息，可以确定读取器的一个优选的横向读取位置。根据一个方法，其没有意图要限制本发明，横向读取位置之一可以选择为至少部分地基于在读取时所经受的错误率的优选横向读取位置。

[0108] 例如，对应于在读取数据轨道时经受最少错误率的横向读取位置可以选择为优选的横向读取位置。错误率可以是一个C2错误率，或者可以是任何错误率度量，诸如一个C1错误率，原始误码率，中值误码率，平均误码率，均方误差(MSE)，等等，取决于将会被本领域技术人员根据阅读本发明说明书而领会的所需实施例。

[0109] 尽管单个读取器的数据可以用于确定在读取时经受的错误率，优选地来自多个读取器的数据，例如来自一个阵列的，被用于确定读取偏移点。由此，来自一个阵列的多个读取器的数据可以实现使用相关值的一个平均的，中间值的，最差的情况，等等。其结果是，使用来自一个阵列多个读取器的数据的实施例，通过平均多个值的结果，导致更准确的确定所经受的错误率。在一个示例性实施例中，在读取时经受的错误率可以使用从一个阵列中所有读取器同时获取的测量值来确定，并且组合为一个单个的值(例如，通过所有的读取器被平均的)，形成均方误差(MSE)值。因此，每个错误率读取可以代表在那个时刻及时地对整个读取器阵列的均方误差性能的一个合理的抓拍。

[0110] 此外，所选择的横向读取位置可以用于计算在写入时要实施的描述横向写入位置的数据，这样重叠轨道边缘按照一个格式被对齐。例如，所选择横向读取位置从标称位置处的偏移，可以指示重叠轨道边缘的偏移，例如，如图8B和图8F示出，并由此用于确定如何重新定位横向写入位置。其结果是，关于所给定的写入器阵列的横向偏移的信息，可以从标称写入位置已写入磁记录介质的数据中收集，通过在与含有对此已写数据的轨道相关的各种横向隔开的读取位置处读取此数据。

[0111] 根据某些实施例，数据可以使用与含有写该数据轨道的写入器阵列的驱动相同的驱动从数据轨道中读取。由此，所选择的横向读取位置可以与偏移的横向写入位置一致，特定地对于此驱动。

[0112] 可是，在其他方法中，数据可以使用与含有写该数据轨道的写入器阵列的驱动不同的驱动从数据轨道中读取。特别地，相应于各种实施情况的数据轨道可以使用一个普通驱动读取，其不同于含有写该数据轨道的写入器阵列的每个驱动。普通驱动可以包括一个校准的读取磁头，具有读取器设计容差。可以基于来自普通驱动的回读信号计算描述横向写入位置的数据。注意到，所计算的描述横向写入位置的数据被应用到写该数据轨道的驱动上，用于校正后续所写的重叠轨道。可选择地，普通驱动可以含有一个由明显更窄的、可以改善确定最优偏移精度的读取器组成的磁头。

[0113] 根据另一个示例性实施例，当含有写入器的磁头的位置在驱动中相对于磁带重新定位时，一个写入器阵列可以用于对磁带写数据。写入器阵列可以在写入时相对于磁介质在各种横向写入位置之间重新定位，因此引起所写轨道的边缘每一步横向重新定位到随后的横向写入位置。根据示例性实施例，写入器可以定位在相对于对应数据轨道的最靠外位置，借此写入器可以开始对数据轨道进行写入。进行一次后，诸如过了一些时间后，磁带走了一些长度后，一些数据已经写入后，等等，写入器的位置可以横向重新定位。写入器相对于数据轨道的位置，可以在跨轨方向上以某个预定的距离从最靠外的位置处通过增量步进写入器，进行逐步地改变，例如，对于大约10个或者更多个数据集以大约10nm至大约100nm。由此，随着写入器的位置横向地连续移动，在向数据轨道写数据时，写入器递增地扫描通过数据轨道的跨轨宽度。

[0114] 已写入轨道的数据由位于预定义读取位置的读取器读取，例如，标称的读取位置。标称读取位置可以是按照一种格式的预定义读取位置，驱动的缺省读取位置，所计算的位置，等等。因此，标称读取位置可以与写入器的标称设计特性一致(例如，尺寸，位置等)。

[0115] 当读取器通过横向移位的重叠数据轨道，并且由此读取数据，回读信息可以被收集和评估。而且，根据评估回读信息，在随后写入时要用的、基于读取时获得的回读信息描述横向写入位置的数据可以被计算。例如，可以确定一个优选偏移的横向写入位置。根据一个方法，其没有意图要限制本发明，横向写入位置之一可以选择为至少部分地基于在读取当写入器在特殊的横向位置时被写入的数据时所经受的错误率的优选横向写入位置。例如，相应于读取数据轨道时经受的最低错误率的横向写入位置可以选择为优选的横向写入位置。在另一个方法中，一种算法可以处理信息从以不同横向定位所写的轨道中读回的信息，并且输出描述写入位置的数据以使用，可能地基于中值，误码率，C2错误率，均方误差率，等等。

[0116] 这样，不同于在特定位置进行写入以及读取器扫描通过此位置以确定优选的横向读取位置，当对磁带写数据时写入器可以以跨轨方向步进通过磁带，以致读取器可以从一组标称读取位置读取数据以确定优选的横向写入位置。

[0117] 如上所述，数据可以由与含有写此数据轨道的写入器阵列的驱动同样的驱动进行读取，由此将偏移的横向写入位置特定地与所给定的驱动关联。可是，在其他的方法中，数据可以从数据轨道使用与含有写入此数据轨道的写入器阵列的驱动不同的驱动进行读取。普通驱动可以包括一个校准的读取磁头，具有小的读取器设计容差。这样，描述横向写入位置的所计算的数据可以是基于读取器和写入器校准数据。注意到，所计算的描述横向写入位置的数据被应用到写该数据轨道的驱动上，用于校正后续所写的重叠轨道。

[0118] 偏移的横向写入位置使用所述的和/或所建议的过程确定后，偏移的横向写入位置被优选地应用在随后的重叠写入中。如上所述的，偏移的横向写入位置可以用于从标称写入位置重新定位写入器阵列的写入位置，以更好地反映写入器和/或给定驱动的读取器的实际特性。通过在随后的重叠写入时应用偏移的横向写入位置，可以如愿地实现改善轨道位移并降低回读错误率，还并可以实现所写磁带互换的改进。

[0119] 参看图10A，曲线图1000描述了当采用常规的过程读取磁带所经受的bytes/C2回读错误率随横向读取偏置(横向读取位置)变化。特定地，在曲线图1000中标绘的结果产生于向磁带写数据轨道和从磁带读取数据轨道，这依赖于写入器和读取器的标称设计特性。可是，如前所述的，写入器的标称设计特性和实际特性可以存在差异，由此导致了想要的数据轨道与实际数据轨道的不同，例如，图8A-8F中所见的。因此，根据写入器阵列的标称设计特性，读取器可以被定位在预期的与数据轨道对齐的位置处，但是所写轨道的实际特性可以不同，由此引起读取器与该轨道未对准并且甚至可能跨入相邻轨道。

[0120] 仍然参考图10A，“0”沿着曲线图1000的x轴，表示从一个根据标称设计的给定磁带读取轨道时的最佳读取位置。可是，曲线图1000中示出图的峰表示最高实现的bytes/C2回读错误率，是通过从轨道的一边到另一边横向步进强行跨越读取器取得的。因此，图的峰代表了当从磁带读取时为读取器所确定的实际最佳读取位置。其结果是，假如重叠轨道的标称设计特性反映了重叠轨道的实际特性，对于磁带向前和反向两个行进方向均产生不准确的结果。

[0121] 在锐的对比度下，图10B的曲线图1050图示说明了执行偏移的横向写入位置后所得到的结果，该位置是采用在此描述的方法取得的。使用在此描述的任何方法能够预期得到同样的结果。如曲线图1050所示出的，对于磁带向前和反向两个行进方向，“0”沿着x轴(根据标称设计的最佳读取位置)显然与图的峰(实际最佳读取位置)对齐。因此，通过实施最佳横向写入位置说明写入器的标称设计和实际特性的差异，能够获得改进的回读性能。

[0122] 可是，如前所述的，不可能要求当对磁介质写入时实施偏移的横向写入位置。在某些实施例中，写入器的标称设计和实际特性可以被匹配，写入器的标称设计和实际特性的差异可以是在一个设计容差内，等等。这样，在某些实施例中，写入器阵列可以写具有特性与由此的标称设计特性匹配的数据轨道。因此，数据可以被写入并被有效地读取，无需实施偏移的横向写入位置。其结果是，在某些方法中，偏移的横向写入位置的使用可以通过用户重载进行脱离，可以根据检测到预定条件后放弃，等等(例如，参见上面的决策904)。

[0123] 现在参考图11，示出了根据说明性的实施例的一种方法1100的流程图。该方法1100可以依照本发明在图1至图7所描述的任何环境中执行，尤其，在各种实施例中。当然，比那些在图11中特定描述的或多或少的操作可以包括在方法1100中，将会被阅读了本发明说明的本领域技术人员所理解。

[0124] 方法1100的每个步骤可以由运行环境的任何合适的组件执行。例如，在各种实施例中，方法1100可以部分地或者整体地由控制器(例如，参看图1A的128)、处理器、等等执行，或者由某个其中具有一个或多个处理器的其他装置执行。处理器，例如，(各)处理电路、(各)芯片和/或以硬件和/或软件实施的(各)模块，并且优选地具有至少一个硬件组件，可以运用于任一装置以执行方法1100的一个或多个步骤。说明性处理器包括，但是不局限于，CPU、ASIC、PFGA、等等，由此的组合，或者本领域公知的任何其他适合的计算设备。

[0125] 如图11所示出的，方法1100包括操作1102，对于第一写入方向，得到标称写入位置的横向偏移。根据某些实施例，使用上面参考图9的方法900所描述的任何一个或者多个操作，可以得到此横向偏移。

[0126] 仍然参考方法1100，操作1104包括应用横向偏移，在以第一方向写入时从标称写入位置重新定位写入器阵列的写入位置。如上所述的，此横向偏移可以用于确定一个偏移的横向写入位置，其重新定位了离开标称写入位置的写入器阵列的写入位置，以更好地反映写入器和/或给定驱动的读取器的实际特性。通过在随后的重叠写入时应用偏移的横向写入位置，可以如愿地实现改善轨道位移并降低回读错误率。

[0127] 实施双向写入的实施例，可以包括获得一个当以与第一方向反向的第二方向写入时所要使用的第二横向偏移，因此，方法1100进一步包括可选的操作1106，其中得到第二横向偏移是为了在与第一方向反向的第二方向写入。此外，可选的操作1108包括在以第二方向写入时使用第二横向偏移，此第二横向偏移是不同于横向偏移在操作1102中得到的横向偏移。

[0128] 双向重叠写入可以使用执行蛇形的或者非蛇形的写入。而且，依赖于给定模块中换能器的配置，可以有一种以上的方法用于写重叠数据轨道。例如，磁头中具有一个读取器-写入器-读取器(RWR)换能器配置的模块可以执行非蛇形写入。这主要是由于一个RWR换能器配置允许由相同的写入阵列写各个毗邻的数据轨道，而当向其写入时不管磁带方向的反转和/或换能器的取向，如一般在蛇形写入中所实现的。这可以降低写入误差、回读误差、数据丢失等等，还降低了不对准预算要求，因为只有一组轨道公差起作用。而且，使用同样的写入阵列写毗邻的数据轨道能保证写入时的一致性，例如，能够有准确的横向偏移、横向写入位置、对称的伺服模式读取、整体较高的面密度，等等。

[0129] 尽管相同的写入阵列可以用于在第一和第二两个方向上写毗邻的数据轨道，不同偏移的横向写入位置可以被用于写入器阵列对于每个方向。如上面方法1100中所述的，一个第一横向偏移可以得到和/或被应用于在以第一方向写入时从标称写入位置向偏移的横向写入位置重新定位写入器阵列的写入位置，当第二横向偏移可以得到和/或被应用于在以与第一方向相反的第二方向写入时从标称写入位置向不同偏移的横向写入位置重新定位写入器阵列的写入位置，诸如将会需要，当使用单个写入磁头进行蛇形写入时，其中相反的写入边缘被用于相反的方向。

[0130] 此外，应该注意到在某些实施例中，横向偏移可以预先确定(例如，由一个特定的驱动在磁带的一个写入点处)并存储在存储器中。这样，根据某些方法，横向偏移可以从诸如盒式存储器的媒体物，从本身编码在磁介质上的数据，等等中获得，如在下面进一步详细描述的。然而，在其他方法中，横向偏移也可以和/或可替代地从执行此方法仪器的存储器中得到，例如，磁带驱动器存储器。在进一步方法中，偏移可以从数据库，从主机，从库控制器等等中得到。

[0131] 在一个实施例中，在操作时，一个标示指示了，当写入可以在介质上被附加到一个数据集时，横向偏移被使用。等同地，描述了使用写入偏移写某个轨道的元数据可以存储到诸如盒式存储器的一个存储器中。

[0132] 现在参看图12A-12C，示出了根据本发明的不同的实施例的重叠写入的有代表性的示意图。通过在之前所写轨道的部分写入一个轨道1206，一个重叠轨道1204可以在磁带1202上形成，由此定义了重叠轨道1204作为之前所写轨道的剩余部分。在不同的实施例中，重叠轨道1204可以使用蛇形或非蛇形写入形成，不久将变得显然了。

[0133] 如图12A的代表性示意图所示出的，其没有意图要限制本发明，在各个轨道中箭头的取向意图是代表当相应的轨道被写入到磁带1202时磁带行进的方向，优选地由配置为在两个写入方向写入的一个单写入器阵列写入。因此，当以第一方向对轨道写入数据时，一个第一偏移的横向写入位置可以应用于该写入阵列，以及当以与第一方向相反的第二方向对轨道写入数据时，一个第二偏移的横向写入位置可以应用于该写入阵列，但是当采用给定的写入磁头进行重叠操作时这并不是必须的。

[0134] 注意到，当非理想情况下，在磁头中的一种写入器-读取器-写入器(WRW)换能器配置可以用于某些实施例的非蛇形书写。在此类实施例中，优选地，当向毗邻的数据轨道写入数据时，尤其是重叠数据轨道，相同的写入器阵列被用于毗邻的数据轨道。而且，类似于上面给出说明，不同的写入器阵列可以不是完全相同的，由于生产变化，并由此可以具有不同对准特性，并因此写数据不同于所预想的。例如，一个写入器阵列的写入换能器可以不具有与另一个写入器阵列的写入换能器同样的间距、间隔等，尽管其一致性是被预期的。因此，使用多个写入器阵列向毗邻数据轨道写数据可以导致小的轨道位移误差，因为向轨道所写的数据可以有区别地在每个通道上对准。根据另一例子，使用不同的写入器阵列可以导致在毗邻轨道上复写数据，如果对此公差不进行恰当预算，由此会引起数据丢失。

[0135] 可是，根据另一个说明性实施例，一个模块可以具有WRW换能器配置，是一种用其进行蛇形写入的优选配置。当用WRW配置写入数据时，主导写入器和读取器优选地是主动的，而跟随写入器不是主动的，取决于磁带行进的预期方向。因此，主导写入器阵列可以用于为磁带行进的第一方向写入毗邻的数据轨道，而跟随写入器阵列可以用于为磁带行进的与第一方向相反地第二方向写入毗邻的数据轨道。而且，第一横向偏移可以得到和/或用于在以第一方向写入时从标称写入位置到一个偏移的横向写入位置重新定位写入器阵列的写入位置，而第二横向偏移可以得到和/或用于在以与第一方向相反地第二反向写入时从标称写入位置到一个不同偏移的横向写入位置重新定位写入器阵列的写入位置。

[0136] 现在参看图12B中代表性的示意图，无论如何，其不旨在限制本发明，在各个轨道中箭头的取向有意代表当相应的被写入到磁带1202时磁带行进的方向。对照图12A中的示意图，此处相应于磁带行进的第一方向的数据轨道被写入到数据分区的顶部，而相应于磁带行进的第二方向的数据轨道被写入到数据分区的底部并且。这优选地降低了写入错误、回读错误、数据丢失，等等，并且确保写入时的一致性，例如，由对称的伺服模式读取。

[0137] 此外，图12C描述了又一个蛇形写入模式。缓冲器1210，有时称为方向缓冲器，提供以相反方向所写入的最近的轨道之间的间距。在一种方法中，横向重新定位的数量可以从理想数量略有减少，保证不会遇到随后的写入错误，例如以致方向缓冲器被充分保持。

[0138] 相邻于方向缓冲器所写的第一轨道和由最后的写入操作覆写的轨道当数据带被完全填满时，具有与所有其他重叠轨道一样的跟踪容差范围。

[0139] 在一个方法中，用于选择最佳写入位置的算法解释了方法缓冲器，并且确保重新定位的写入位置对此方向缓冲器没有不利影响，例如，通过覆写方向缓冲器和或许在方向缓冲器的相反的一边上进入数据轨道。

[0140] 在一个实施例中，轨道以蛇形从外边被写入在相反的方向，其格式可以规定为，在一个数据带中所写的最后轨道覆盖以相反方向所写的最后轨道，以最大化使用的面积。用于选择最佳写入位置的算法可以解释这点，并且确保任何重新定位的写入位置将不产生错误，诸如由覆写在相反方向所写的最后轨道的一部分所产生的。

[0141] 其结果是，在此描述的各种实施例可以由一个产品实施，该产品包括一个磁记录介质，以及在写入时要使用的、描述偏移的横向写入位置的数据，以使重叠轨道边缘按照一个格式被对齐。如上所述的，描述横向写入位置的数据可以指示从标称写入位置的横向偏移。换句话说，描述横向写入位置的数据可以表示写入器阵列应该从标称写入位置偏移的空间量，当向磁带写入为了匹配数据轨道的实际和标称设计位置的数据时。

[0142] 根据说明性的方法，描述横向写入位置的数据可以包括一个驱动可用的信息(例如，参看图1A的100)，具有计算横向写入位置的算法。数据可以包括某些值，其被输入到算法中用以确定在哪儿和/或如何定位一个优选地含有写入器阵列的磁头，以使重叠轨道边缘按照一个格式被对齐。

[0143] 而且，根据某些方法，数据可以存储在连接到磁记录介质的存储器中。可是，根据其他方法，数据本身可以被编码在磁记录介质上。例如，数据可以被写入磁带的一个所设计区域。

[0144] 此外，某些具有向其已写入数据的产品，可以指示是否当写入数据时使用了一个横向写入位置偏移。例如，一个当在横向写入位置处偏移时具有由写入器阵列所写入重叠数据轨道的磁带，可以包括一个对其所写的重叠轨道被对齐的标示，作为实施偏移的横向写入位置的结果。该标示可以被存储在盒式存储器中，被写入到磁带的一个所设计区域(例如，一个数据头)，被存储在一个不在介质上或者盒带上的跟踪表中(例如，查找表)，例如，在一个库控制器中，等等。而且，标示可以是指示是否给定磁带的特定包使用一个或者多个偏移的横向写入位置被写入。由此，一个标示可以包括信息可使用的，例如由一个驱动，用以确定怎样将数据从磁记录介质读回和/或怎样进一步执行重叠写入。例如，当从一个未使用偏移的横向写入位置所写的磁带读取数据时，一个驱动可以进行横向读取器偏移(例如，追踪)，但当从另一个使用偏移的横向写入位置所写的磁带读取数据时，该驱动可以使用标称读取位置从其读取数据。因此，驱动器，存取器，控制器，等等，可以能够辨别那些由此存储于具有对齐的重叠轨道的库和/或包中的磁带和那些由此存储于具有不对准的重叠轨道的库和/或包中的磁带。

[0145] 其结果是，使用任何在此所描述和/或所建议的过程所写的磁带是非常可互换的，并且考虑到改进的轨道对准，可以采用任何驱动进行有效地使用。这是由于轨道边缘，根据此处的方法已经得到校正的，更近地接近于标称设计轨道边缘的位置，其各种驱动可以看作为一个缺省，例如，根据一个标准。

[0146] 而且，通过比较磁头上实际写入器的特性和使用该写入器所写的数据轨道的特性，执行偏移的横向写入位置的实施例可以被辨别。根据确定磁头上实际写入器的特性从(例如，不匹配的)使用该写入器所写的数据轨道的特性偏移，可以确定已经使用一个横向写入位置对数据轨道写入数据。

[0147] 如上所述的，在某些实施例中，收集信息是所需要的，该信息可以用于确定由写入器阵列所写的重叠轨道的外部范围(例如，轨道边缘)的实际位置。再者，写入器阵列的实际特性可以从其标称设计变化。而且，重叠轨道的特性可以从理想的情况变化，由于诸如边写入的效应。因此，在写入器已形成后而在其被检查之前，写入器阵列的实际特性此时可以是未知的。这样，使用写入器所写的重叠轨道边缘的位置最初可以是未知的。例如，即刻再次参考图8A-8B和图8D-8E，重叠轨道804的轨道边缘之间的偏移(Offset)在检查物理轨道之前可以是未知的。但是，根据所确定的由写入器阵列所写的重叠轨道边缘的实际位置，一个从否则会是一个标称的实际写入位置横向移位的横向写入位置就可以被确定，这优选地补偿了在写入器阵列的实际特性和标称设计特性之间的任何差异，和/或诸如边写入的效应。

[0148] 参看图13A，方法1300的流程图，根据本发明的一个实施例所示，用于测量由于例如边写入效应引起的轨道位置中的偏差和/或写入器宽度对于设计规格的偏差。其中在各种实施例中，可以在图1－7所示的任何环境下执行方法1300。当然，阅读了本说明书后，本技术领域内的技术人员明白，方法1300中可以包含比图13A中具体描述的多或者少的操作。

[0149] 方法1300的每个步骤可以由运行环境下的任何适当组件执行。例如，在各种实施例中，方法1300可以部分地或者整体地由控制器(例如，请参见图1A的128)、处理器等等或者内部具有一个或者多个处理器的某个其他设备执行。在任何设备中可以采用处理器，例如，以硬件和/或者软件实现的并且优选地具有至少一个硬件组件的(各)处理电路、(各)芯片和/或者(各)模块，以执行方法1300的一个或者多个步骤。说明性处理器包含但并不局限于CPU、ASIC、FPGA等等、其组合或者本技术领域内公知的任何其他适当计算设备。

[0150] 如图13A所示，方法1300包含操作1302，在操作1302，利用写入器阵列对磁介质(例如，磁带)写入多个重叠轨道。优选地，通过写入三个叠置轨道，形成重叠轨道。暂时返回图14，带1400示出第一写入轨道WT1、第二写入轨道WT2以及第三写入轨道WT3。如图所示，轨道WT1和WT2重叠(例如，部分地复写)，使得WT2介于WT1与WT3之间，从而重叠轨道WT2的外部范围(轨道边缘)。优选地，在与WT2不同地写入第一和第三写入轨道WT1、WT3时，利用公知数据，写入第二写入轨道WT2。这样可以使具有读取器阵列的驱动器当读取对WT2写入的数据时确定靠近或者处于WT2的轨道边缘的第一和/或者第二位置，如下所做的进一步详细描述。

[0151] 根据优选方法，本技术领域内的技术人员阅读了本说明书后明白，WT2可以包含来自任何信源的格式化数据，例如，诸如用户数据。例如，格式化数据可以包含对多个通道去串行化的、利用纠错信息编码的、时间交错的和/或压缩的数据。相反，第一和/或者第三写入轨道WT1、WT3可以包含擦除条、色调数据等等或者与写入WT2的数据是不同类型的任何其他数据模式。然而，应当注意，在一些方法中，这些方法无论如何都不旨在限制本发明，WT2可以具有对其写入的与写入WT1和/或者WT3的相同和/或者类似的数据，但是线性偏移，从而可以区别WT2的轨道边缘。

[0152] 再参考图13A，操作1304包含确定读取器阵列相对于重叠轨道的第一位置和第二位置。优选地，第一和/或者第二位置高于和/或超出重叠轨道的轨道边缘。因此，位于每个相应的第一和第二位置对之间的轨道面积可以包含重叠轨道的至少大多数宽度。再临时观看图14，在操作1304确定的第一和第二位置可以分别对应于WT1/WT2边界和WT2/WT3边界之上的位置。然而，在其他方法中，第一和第二位置可以超出WT1/WT2和WT2/WT3边界，使得第一和第二位置分别在WT1和WT3上以跨轨道方向延伸。此外，写入器阵列的实际特性可以与其标称设计不同。因此，在形成写入器之后而尚在检查其之前的时间，可能不知道写入器阵列的实际特性。因此，最初不知道利用写入器写入的重叠轨道边缘的地址。

[0153] 根据示例性方法，无论如何该示例性方法不旨在限制本发明，利用图13B所示的任何一个或者多个子操作，可以确定读取器阵列相对于重叠轨道的第一和第二位置。因此，操作1304可以包含将读取器阵列定位于重叠轨道的预期中心。请参见子操作1304a。此外，横向偏移可以使标称设计(例如，预期尺寸)与数据轨道的实际地址分离。此外，最初例如在检查之前可能不知道写入重叠轨道的实际特性。因此，例如，在确定重叠轨道的实际中心之前，重叠轨道的预期中心可以是最初确定读取器阵列的方位的希望位置。

[0154] 仍参考图13B，子操作1304b包含沿着第一跨轨道方向逐步地、连续地等等地重新定位(例如，位移)读取器阵列，并且从重叠轨道读取数据。在不同方法中，根据重新定位读取器阵列的方式和/或者根据要求的实施例，可以在重新定位时，在每个步长之后等等，从重叠轨道连续地读取数据。根据特定方法，除了在每个大步长之后，从重叠轨道读取数据外，可以利用大步长(例如，大于约10nm，但是可以比10nm小或者大)，可以沿着第一跨轨道方向定位读取器阵列。

[0155] 此外，根据一些方法，利用与具有写入重叠数据轨道的写入器阵列的驱动器相同的驱动器，可以从重叠数据轨道读取数据。然而，在其他方法中，利用与具有写入重叠数据轨道的写入器阵列的驱动器不同的驱动器，可以从重叠数据轨道读取数据。具体地说，利用与具有写入重叠数据轨道的写入器阵列的每个驱动器不同的公用驱动器，可以读取对应于各种实现的重叠数据轨道。公用驱动器可以包含具有读取器设计冗余从而实现改善精确性结果的校准读取头，如上所述。

[0156] 在从重叠轨道读取数据时，可以分析和/或使用诸如MSE的错误率信息来确定读取器阵列相对于重叠轨道的第一位置。因此，请参见子操作1304c，当在第一跨轨道方向上重新定位阵列时，在读取时，根据错误率，可以选择读取器阵列的第一位置作为最高位置。参考本说明书，“最高位置”旨在指在该处理时，在第一跨轨道方向上，读取器阵列相对于重叠轨道的最外位置。换句话说，最高位置可以是与重叠轨道的轨道边缘中的一个关联的点。此外，最高位置可以是根据诸如满足条件，例如，诸如达到和/或超过可以预定的阈值的错误率的某个判据选择的、根据操作数据计算的、根据用户输入设定的等等的事先不知道的位置。

[0157] 根据例子，无论如何，该例子不旨在限制本发明，子操作1304b和1304c可以包含：沿着第一跨轨道方向以大步长重新定位读取器阵列；进行单个读取并在每个位置计算MSE，并且继续沿着第一跨轨道方向执行大步长，直到达到阈值(例如，约高于最低观测MSE值的
150％)，例如，请参见下面的图18的方法1800。然而，应当注意，该阈值可以包含任何要求值。此外，可以将与达到和/或突破该阈值的MSE读取关联的位置存储为“最高位置”，从而捕获重叠轨道的预期中心与最高位置之间的偏移。

[0158] 此外，子操作1304d包含沿着与第一跨轨道方向相反的第二跨轨道方向逐步地、连续地等等地重新定位(例如，位移)读取器阵列；并且从重叠轨道读取数据。如上所述，根据重新定位读取器阵列的方式和/或根据要求的实施例，在重新定位时，在每个步长之后等等，可以从重叠轨道连续读取数据。此外，根据要求的方法，子操作1304d的重新定位可以从在子操作1304c选择的第一位置、对其复位时的重叠轨道的预期中心或者二者之间的任何位置开始。根据特定方法，除了在每个大步长之后从重叠轨道读取数据，可以利用大步长(例如，大于约100nm，但是可以小于或者大于100nm)，沿着第二跨轨道方向重新定位读取器阵列。

[0159] 在从重叠轨道读取数据时，可以分析和/或使用诸如MSE的错误率信息来确定读取器阵列相对于重叠轨道的第二位置。因此，请参见子操作1304c，当以例如发现最高位置的方式相同的方式在第二跨轨道方向上重新定位该阵列时，在读取时，根据错误率，可以选择读取器阵列的第二位置作为最低位置。参考本说明书，“最低位置”旨在指在该处理时，在第二跨轨道方向上，读取器阵列相对于重叠轨道的最外位置。换句话说，最低位置可以是和与最高位置关联的轨道边缘对置的重叠轨道的轨道边缘基本上关联的点。如上所述，最低位置可以是根据诸如满足条件，例如，诸如达到和/或超过可以预定的阈值的错误率的某个判据选择的、根据操作数据计算的、根据用户输入设定的等等的事先不知道的位置。

[0160] 再参考图13A，方法1300还包含将读取器阵列重新定位于第一位置与第二位置之间的各种地方并且从重叠轨道读取数据。请参见操作1306。根据要求的实施例，可以逐步地、连续地(例如，恒定扫描运动)等等地执行读取器阵列的重新定位。根据一些方法，可以在每次发生了，例如，已经超过某个时间量、已经经过某个长度的带、已经读取某个数量的数据等等后重新定位读取器阵列。因此，通过在第一位置与第二位置之间，对于10个或者10个以上的数据集，以例如约10nm至约100nm的某个预定量，使读取器在跨轨道方向上递增步进，可以逐渐改变读取器阵列相对于重叠数据轨道的位置。因此，因为连续重新定位读取器阵列，所以该阵列可以跨重叠数据轨道的跨轨道宽度递增扫描，以覆盖相对于具有写入数据的重叠轨道的各种横向读取位置。此外，可以在重新定位时连续地执行从重叠轨道读取数据、可以在每个重新定位步骤之后执行从重叠轨道读取数据、等等。应当注意，尽管在子操作1304b和1304d的重新定位中可以使用大步长，但是优选地采用较小(例如，较精细)步长执行在操作1306中执行的重新定位。

[0161] 此外，操作1308包含当在例如分别利用子操作1304c和1304e确定的第一位置与第二位置之间重新定位读取器阵列时执行读取时，确定读取性能最高的读取偏移点。因此，当读取器阵列从重叠轨道读取数据时，可以分析和/或存储错误率信息。此外，利用采用读取器的均方根错误率、C2错误率、C1错误率等等的任何公知过程可以确定最高读取性能。

[0162] 由此得出，通过在重叠数据轨道上选择性地定位读取器阵列并且尝试从其读取数据，可以确定读取性能将最高的读取偏移点，例如，如最低错误率等等举例说明。具体地说，在从重叠轨道读取数据或者尝试从重叠轨道读取数据时，通过在重叠数据轨道的第一位置与第二位置之间重新定位读取器阵列，可以确定读取偏移点。

[0163] 请参见图15A所示的示例性实施例，示出读取器1502处于相对于重叠轨道1504的第一位置附近。可以在跨轨道方向1506上，始终连续地或者递增地重新定位读取器1502，例如，直到到达靠近与第一位置对置的重叠轨道1504的最外位置的第二位置(阴影线示出)。由此得出，在读取器1502相对于重叠轨道1504的位置发生变化时，在上面写入了重叠轨道
1504的磁介质在期望的带运动方向1508上行进时，在从重叠轨道1504读取数据时，回读性能也发生变化。

[0164] 应当注意，尽管在本实施例中示出单个读取器1502，但是无论如何，本实施例不旨在限制本发明。相反，利用阵列中的所有读取器可以实现类似的运动和类似的输出。尽管可以利用来自单个读取器的数据确定读取性能将最高的读取偏移点，但是优选地，利用来自阵列中的多个读取器的数据确定该读取偏移点。利用有关值的平均值、中值、最坏情况等等，可以实现由阵列的多个读取器读取数据。由此得出，例如，通过均化多个值的结果，使用来自多个读取器的数据的实施例常常更精确确定读取偏移点。在一个示例性实施例中，在计算读取偏移点时可以包含在中值的预定间隔内回读数据。

[0165] 此外，还应当注意，尽管将图15A中的最左位置称为第一位置，而将最右位置(阴影中的)称为第二位置，但是无论如何，第一位置和第二位置的相对方位不旨在局限于此。例如，在另一个实施例中，第一位置可以由最右位置表示，而第二位置可以由最左位置表示。

[0166] 此外，图15B包含曲线图1550，该曲线图1550概括示例性回读性能，在读取器1502跨重叠数据轨道1504扫描时，可以计算该示例性回读性能。如图所示，因为当读取器1502位于对应于在处理中使用的相对于重叠轨道1504的最外位置的第一位置附近时，由于发生最多次数的读取错误，所以回读性能最不利。然而，因为读取器1502移动到重叠数据轨道1504的中心，所以读取器1502承受的读取错误的次数降低，直到在再次升高之前实现最低值。读取器1502相对于与投影于曲线图1550上的最低值关联的重叠数据轨道1505的方位对应于最佳读取器位置，如图所示。换句话说，优选地，最佳读取器位置代表读取性能将最高的读取偏移点。此外，偏移是0(即，曲线图1550的原点)的最佳读取器位置与标称读取位置之间的差指出最佳读取偏移。

[0167] 再次参考图13A，方法1300还包含利用读取偏移点计算用于描述横向写入位置的数据，以在写入时使用，使得在格式规定的地址，写入重叠轨道。请参考操作1310。用于描述横向写入位置的数据是离开标称读取位置的横向偏移的表示。换句话说，用于描述横向写入位置的数据可以表示当为了与数据轨道的实际位置和标称设计位置匹配而对带写入数据时，写入器阵列应当从标称写入位置偏移的空间量。因此，横向写入位置可以实现应用于写入器阵列相对于磁介质的位置的横向偏移。

[0168] 根据说明性方法，用于描述横向写入位置的数据可以包含具有计算(各)横向写入位置的算法的驱动器(例如，请参见图1A的100)可以使用的信息。因此，优选地，该数据可以包含输入算法以确定在何处和/或者如何定位具有写入器阵列的头的值。

[0169] 计算了用于描述横向写入位置的结果数据后，可以将该数据存储于存储器中，例如，非易失性存储器的查用表中，与其关联的驱动器、关联驱动器的控制器、驱动器的用户等等可以访问该存储器。因此，当在未来时间点要求时，例如，即使在驱动器供电周期之后，用于描述横向写入位置的数据对关联驱动器可用。

[0170] 根据该方法，横向写入位置可以基于轨道边缘、重叠轨道中心、对侧面写入效应补偿的理想写入位置等等。优选地，选择横向写入位置偏移，使得可以在利用本方法的一个或者多个操作确定的理想读取位置写入轨道。尽管在各种实施例中，期望沿着重叠轨道的中心线可以对准标称读取位置应用横向写入位置，但是在其他实施例中，可以有意地使横向写入位置从重叠轨道的中心偏移标称读取位置，例如，以考虑到弯曲过渡边缘和/或者侧面写入效应。根据例子，可以向着正在读取的轨道的磁过渡的弯曲边缘约附加2－10％的重叠轨道宽度，可以在横向重新定位横向写入位置。此外，根据另一个例子，在横向上以要求的量重新定位横向写入位置，以对侧面写入补偿。

[0171] 可以在短时间周期内理想地执行方法1300的操作。根据执行操作的方式，可以在不到2分钟内，优选地在不到90秒内，理想地在不到1分钟内执行方法1300。通过在其各种操作中执行MSE，可以实现较快性能时间(例如，不到约1分钟执行方法1300的操作)。然而，根据要求的实施例、错误率信息可用等等，可以实现任何类型的错误率信息，例如，C2错误率信息、C1错误率信息等等。

[0172] 如上所述，图13B所示的子操作提供用于确定一个阵列的读取器相对于重叠轨道的第一位置和第二位置的示例性方法，无论如何该示例性方法也不旨在限制本发明。因此，根据替换方法，在操作1304，可以不同地确定读取器阵列相对于重叠轨道的第一和/或者第二位置。例如，在一些方法中，通过对写入器阵列写入的多个重叠轨道的磁畴成像，可以确定阵列的第一和/或者第二位置。因此，写入器阵列写入的数据自身可以检验，以确定关于轨道位置因为例如侧面写入效应(side-writing effect)产生的偏差和/或者写入器宽度相对于设计规范的偏差的信息。根据要求的方法，可以利用磁力显微镜(MFM)、磁性流体扩展(magnetic fluid developing)等等或者上面描述的任何其他方法，执行对写入数据轨道的磁畴成像。

[0173] 在其他方法中，利用写入器阵列的磁极的物理特性，可以确定该阵列的第一和/或者第二位置。根据要求的实施例，磁极的物理特性可以包含条状高度、厚度、跨轨道宽度、写入器阵列之间的间距(例如，中心到中心)等等。此外，利用原子力显微镜(AFM)或者例如本技术领域内的技术人员显而易见的任何其他精细分析设备，可以确定写入器的物理特性，以检测每个极的边缘的地址。

[0174] 如上所述，因为制造不完善、材料性质、操作员错误等等，写入器的特性可能发生变化。例如，因为写入轨道与标称设计值之间的偏差，可以导致重叠轨道的定位不理想和/或者不可预测。由此得出，2个写入器可以具有显著不同的物理特性，但是其旨在其物理特性基本上相同。因此，写入器中的一个写入的数据轨道可以与第二写入器写入的数据轨道显著不同(例如，上面在图8B和8E中可以看出)。

[0175] 当对介质写入时，写入器的标称设计与实际特性之间的差异可以导致数据轨道的标称设计与实际地址之间的横向差异，例如，在图8A－8F中可以看出。例如，写入器阵列对磁带写入的数据轨道可以在磁带上的数据轨道的标称设计位置的基准点与磁带上的数据轨道的实际位置的基准点之间存在横向偏移。通过确定对应于给定阵列的写入器的横向偏移，可以计算描述横向写入位置的数据，以在写入时使用，使得重叠轨道边缘根据格式对齐。因此，当对磁介质写入数据时实现计算的横向写入位置可以产生改善的磁轨道布局和降低的回读错误率。

[0176] 鉴于通过实现上面描述的一些方法，实现改善磁轨道布局和降低的回读错误率，所以希望在后续重叠写入时，应用描述横向写入位置的数据(例如，在操作1310计算的)。根据一些方法，对于对磁介质写入的用户数据，对于未来重叠写入，可以直接应用描述横向写入位置的数据，例如，以确保理想的轨道对齐、降低回读错误率等等。在一个说明性实施例中，无论如何，该说明性实施例不旨在限制本发明，可以配置与控制器集成的逻辑和/或者控制器可执行的逻辑(例如，请参见图1A中的128)，以对根据标称写入位置重新定位写入器阵列的写入位置，应用横向写入位置。然而，在其他方法中，可以在后续重叠写入应用之前可以首先检验描述横向写入位置的数据，下面将做进一步详细描述。

[0177] 参见图16，根据一个实施例示出用于检验描述横向写入位置的数据的方法1600的流程图。在各种实施例中，其中可以在图1－7和图13A－13B所示的任何环境中执行方法1600。当然，本技术领域内的技术人员通过阅读本说明书明白，在方法1600中可以包含比图
16特别示出的多或者少的操作。

[0178] 利用运行环境的任何适当组件可以执行方法1600的每个步骤。例如，在各种实施例中，方法1600可以部分地或者整体地由控制器(例如，请参见图1A的128)、处理器等等或者内部具有一个或者多个处理器的某个其他设备执行。在任何设备中可以采用处理器，例如，以硬件和/或者软件实现的并且优选地具有至少一个硬件组件的(各)处理电路、(各)芯片和/或者(各)模块，以执行方法1600的一个或者多个步骤。说明性处理器包含但并不局限于CPU、ASIC、FPGA等等、其组合或者本技术领域内公知的任何其他适当计算设备。

[0179] 如图16所示，方法1600包含将写入器阵列从标称写入位置重新定位到横向写入位置。请参考操作1602。因此，写入器阵列可以例如根据描述横向写入位置的数据在横向上从标称写入位置偏移。

[0180] 此外，方法1600包含利用写入器阵列从重新定位的写入位置写入多个更新重叠轨道。请参考操作1604。可以对磁介质的新(例如，未使用的)部写入多个更新的重叠轨道和/或根据要求的实施例通过用于确定描述横向写入位置的数据的重叠轨道写入多个更新重叠轨道。此外，通过写入三个叠置轨道，可以形成多个更新重叠轨道，例如，请参见图14。

[0181] 此外，操作1606包含确定读取器阵列相对于更新的重叠轨道的第一和第二更新位置。如上所述，优选地，第一和/或者第二更新位置高于和/或超出更新重叠轨道的轨道边缘。因此，位于每个相应的第一和第二位置对之间的轨道面积可以包含更新重叠轨道的至少大多数宽度。

[0182] 此外，方法1600包含在第一和第二更新位置之间重新定位读取器阵列，并且从更新重叠轨道读取数据(请参见操作1608)，并且当在第一和第二更新位置之间重新定位读取器阵列时执行阅读时，确定读取性能将最高的更新读取偏移点。请参见操作1610。应当注意，利用上面分别参考图13A的操作1304、1306和1308描述的任何一个或者多个处理，可以执行操作1606和/或者1608和/或者1610。

[0183] 继续参考图16，操作1612包含确定更新读取偏移点在跨轨道方向上是否与标称读取位置对齐。换句话说，操作1612例如以与上面的操作1308中确定的方式类似的方式检验更新的读取偏移现在是否接近0。例如，通过在重叠数据轨道上选择性地定位读取器阵列并且尝试由其读取数据，可以执行检验更新的读取偏移。特别是，在从重叠轨道读取数据时或者尝试读取数据时，通过在重叠数据轨道的第一位置与第二位置之间重新定位读取器阵列，可以执行读取偏移点，例如，请参考上面的图15A和15B。因此，通过确定更新的读取偏移处于0或者接近0的操作1612，可以成功执行检验处理。

[0184] 尽管利用各种磁介质类型，特别是各种各种磁记录带类型，可以实现在此描述的各种处理，但是图17示出利用在此描述的各种处理实现的优选产品的说明图。

[0185] 现在参考图17，产品1700的说明图包含线性磁记录介质，例如，诸如磁记录带。此外，线性磁记录介质1702包含靠近线性磁记录介质1702的第一端1706的保留区1704(例如，校准区)。

[0186] 可以配置保留区1704，以接收可用于确定横向写入位置的重叠轨道，以在对线性磁记录介质1702的余部写入重叠轨道时使用。由此得出，参考各种方法，保留区1704可以用于制定上面描述的任何一个或者多个操作。因此，理想地，可以使用产品1700，使得对保留区1704写入重叠轨道，例如，以确定描述横向写入位置的数据，从而在写入时使用，使得在格式规定的地址，对线性磁记录介质1702的余部可以写入重叠轨道。因此，保留区1704可以用于执行一个或者多个操作，以确定读取偏移点(例如，因为侧面写入效应)和/或者用于描述横向写入位置的数据，从而在写入时使用，使得在格式规定的地址写入重叠轨道、应用读取偏移点和/或者用于描述横向写入位置的数据以及使确定的信息生效。

[0187] 如图17所示，保留区1704可以位于带的开头。此外，例如，根据带的总长度、预期使用保留区的数量等等，保留区1704的长度可以从约1米到约50米，但是根据要求的实施例可以较长或者较短。保留区1704可以包含在两个方向上写入。产品1700可以利用标题信息等等指出存储器中存在保留区1704和/或者保留区1704的大小。此外，最好是没有客户数据可以写到或者存在于保留区1704上。因此，在保留区1704中可以重复执行操作，而不复写用户数据，否则将影响介质1702上的其余数据和/或者未使用轨道。这样还使得保留区1704用于确定用于描述横向写入位置的数据，以在写入时使用，使得在返回维修等等时，用户在现场，在制造时的格式规定的地址写入重叠轨道。

[0188] 由此得出，尽管优选地在制造时执行在此描述的各种处理，但是在需要时，可以在现场，例如，在已经安装于客户环境中、返回维修的驱动器等等上，执行任何一个或者多个处理。

[0189] 示例性实施例：

[0190] 图18示出根据示例性实施例的方法1800的流程图，无论如何，该示例性实施例不旨在限制本发明。其中在各种实施例中，在图1－7所示的任何环境下，根据本发明可以执行方法1800。当然，本技术领域内的技术人员阅读了本说明书后明白，比图18具体示出的多或者少的操作可以包含于方法1800中。

[0191] 运行环境中的任何适当组件可以执行方法1800的每个步骤。例如，在各种实施例中，方法1800可以部分地或者整体地由控制器、处理器等等或者内部具有一个或者多个处理器的某个其他设备执行。在任何设备中可以采用处理器，例如，以硬件和/或者软件实现的并且优选地具有至少一个硬件组件的(各)处理电路、(各)芯片和/或者(各)模块，以执行方法1800的一个或者多个步骤。说明性处理器包含但并不局限于CPU、ASIC、FPGA等等、其组合或者本技术领域内公知的任何其他适当计算设备。

[0192] 通过首先擦除与校准区(例如，保留区1704)的返转N-2关联的所有轨道，可以利用方法1800执行重叠轨道准备请参见操作1802。此外，操作1804包含对与校准区的返转N关联的所有轨道写入数据模式，而操作1806包含擦除与校准区的返转N+2关联的所有轨道。

[0193] 方法1800还包含将读取器阵列定位于与校准区的返转N关联的轨道的预期中心(使得读取偏移为0)，并且从与返转N关联的轨道读取数据。请参考操作1808。在从与返转N关联的轨道读取数据时，可以产生和/或分析错误率信息。因此，请参见操作1810，可以通过返转N的所有轨道均化MSE。

[0194] 此外，判定1812确定平均(Ave)MSE值是否可以作为新最低值。因此，判定1812可以将在操作1810确定的平均MSE值与存储于存储器中的最低值进行比较。作为对确定平均MSE值作为新最低MSE值的响应，方法1800进入操作1814，在操作1814，将平均MSE值存储为新最低MSE值。此外，在执行操作1814时，方法1800可以进入操作1820，操作1820包含在第一跨轨道方向上使具有写入器阵列的头的位置递增(或者步进)，如下所述。

[0195] 然而，返回判定1812，作为对确定平均MSE值不作为新最低MSE值的响应，方法1800进入判定1816，判定1816确定平均MSE值是否是存储器内存储的最低MSE值的150％。如上所述，沿着第一跨轨道方向，可以以大步长将读取器阵列重新定位于各种地方，直到达到阈值(例如，比最低观测MSE值大约150％)。在达到阈值(在此是存储于存储器中的最低MSE值的150％)时，可以确定已经达到数据轨道沿着第一跨轨道方向的外部大小。

[0196] 因此，再参考判定1816，作为确定平均MSE值是存储于存储器中的最低MSE值的150％的响应，将平均MSE值存储为最高位置。请参见操作1818。然而，作为确定平均MSE值小于存储于存储器中的最低MSE值的150％的响应，方法1800可以进入操作1820。如图所示，操作1820包含在第一跨轨道方向上使具有写入器阵列的头的位置递增(例如，步进)。此外，作为对完成操作1820的递增的响应，方法1800可以返回操作1810。

[0197] 在操作1818确定了最高位置后，方法1800可以进入操作1822，在操作1822，在与返转N关联的所有轨道上，再一次确定平均MSE值。例如，与上面的判定1812类似，判定1824包含确定平均MSE值是否作为新最低值。因此，作为确定平均MSE值作为新最低值的响应，方法1800进入操作1826，在操作1826，将平均MSE值存储为新最低MSE值，此后，方法1800进入操作1830，操作1830包含在与第一跨轨道方向相反的第二跨轨道方向上使头的位置递增(例如，步进)。

[0198] 然而，返回判定1824，作为对确定平均MSE值不作为新最低MSE值的响应，方法1800进入判定1828，判定1828确定平均MSE值是否是存储于存储器中的最低MSE值的150％。作为对确定平均MSE值小于存储于存储器中的最低MSE值的150％的响应，方法1800可以进入操作1830。如上所述，操作1830包含在与第一跨轨道方向相反的第二跨轨道方向上，使头的位置递增(例如，步进)。此外，作为对完成操作1830的递增的响应，方法1800可以返回操作1822。

[0199] 然而，再参考判定1828，作为确定平均MSE值是存储于存储器中的最低MSE值的150％的响应，将平均MSE值存储为最低位置。

[0200] 此外，图19示出根据示例性实施例，用于确定用于描述横向写入位置的数据从而在写入时使用的方法1900的流程图，无论如何，该示例性实施例不旨在限制本发明。其中在各种实施例中，在图1－7所示的任何环境下，根据本发明可以执行方法1900。当然，阅读了本说明书后，本技术领域内的技术人员明白，方法1900中可以包含比图19中具体描述的多或者少的操作。

[0201] 方法1900的每个步骤可以由运行环境下的任何适当组件执行。例如，在各种实施例中，方法1900可以部分地或者整体地由控制器、处理器等等或者内部具有一个或者多个处理器的某个其他设备执行。在任何设备中可以采用处理器，例如，以硬件和/或者软件实现的并且优选地具有至少一个硬件组件的(各)处理电路、(各)芯片和/或者(各)模块，以执行方法1900的一个或者多个步骤。说明性处理器包含但并不局限于CPU、ASIC、FPGA等等、其组合或者本技术领域内公知的任何其他适当计算设备。

[0202] 如图19所示，方法1900包含利用MSE数据确定读取性能将最高的读取偏移点，例如，最低MSE值举例说明，并且保存该读取偏移点作为“理想位置”。请参见操作1902。此外，判定1904确定是否已经为了确定在实施时“理想位置”是否产生要求的结果已经应用检验处理。当判定1904确定未应用检验处理时，方法1900进入操作1906，在操作1906，对后续写入处理应用理想位置，并且应用检验处理(例如，请参见图16)。因此，在格式规定的地址，可以写入重叠数据轨道。

[0203] 再参考判定1904，作为对确定已经执行了检验处理的响应，方法1900进入判定1908。判定1908包含例如通过分析从检验处理收集的数据，确定在操作1902确定的理想位置是否处于或者接近与标称读取位置0偏移。当确定理想位置处于或者接近与标称读取位置0偏移时，方法1900进入操作1910，在操作1910，将该理想位置保存到存储器，并且优选地，在后续写入操作时应用该理想位置。此外，在完成操作1910时，方法1900进入操作1914，并且结束。

[0204] 然而，当判定1908确定理想位置不处于或者不接近与标称读取位置0偏移时，方法1900进入操作1912，在操作1912，可以确定校准操作不能确定精确理想位置，可以废弃偏移变化，并且方法1900结束。请参见操作1914。

[0205] 此外，应当注意，无论如何，该图18－19所示的示例性实施例不旨在限制本发明，并且相反仅作为例子提供示例性实施例。

[0206] 本发明可以是系统、方法和/或计算机程序产品。计算机程序产品可以包括计算机可读存储介质，其上载有用于使处理器实现本发明的各个方面的计算机可读程序指令。

[0207] 计算机可读存储介质可以是可以保持和存储由指令执行设备使用的指令的有形设备。计算机可读存储介质例如可以是――但不限于――电存储设备、磁存储设备、光存储设备、电磁存储设备、半导体存储设备或者上述的任意合适的组合。计算机可读存储介质的更具体的例子(非穷举的列表)包括：便携式计算机盘、硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、可擦式可编程只读存储器(EPROM或闪存)、静态随机存取存储器(SRAM)、便携式压缩盘只读存储器(CD-ROM)、数字多功能盘(DVD)、记忆棒、软盘、机械编码设备、例如其上存储有指令的打孔卡或凹槽内凸起结构、以及上述的任意合适的组合。这里所使用的计算机可读存储介质不被解释为瞬时信号本身，诸如无线电波或者其他自由传播的电磁波、通过波导或其他传输媒介传播的电磁波(例如，通过光纤电缆的光脉冲)、或者通过电线传输的电信号。

[0208] 这里所描述的计算机可读程序指令可以从计算机可读存储介质下载到各个计算/处理设备，或者通过网络、例如因特网、局域网、广域网和/或无线网下载到外部计算机或外部存储设备。网络可以包括铜传输电缆、光纤传输、无线传输、路由器、防火墙、交换机、网关计算机和/或边缘服务器。每个计算/处理设备中的网络适配卡或者网络接口从网络接收计算机可读程序指令，并转发该计算机可读程序指令，以供存储在各个计算/处理设备中的计算机可读存储介质中。

[0209] 用于执行本发明操作的计算机程序指令可以是汇编指令、指令集架构(ISA)指令、机器指令、机器相关指令、微代码、固件指令、状态设置数据、或者以一种或多种编程语言的任意组合编写的源代码或目标代码，所述编程语言包括面向对象的编程语言—诸如Smalltalk、C++等，以及常规的过程式编程语言—诸如“C”语言或类似的编程语言。计算机可读程序指令可以完全地在用户计算机上执行、部分地在用户计算机上执行、作为一个独立的软件包执行、部分在用户计算机上部分在远程计算机上执行、或者完全在远程计算机或服务器上执行。在涉及远程计算机的情形中，远程计算机可以通过任意种类的网络—包括局域网(LAN)或广域网(WAN)—连接到用户计算机，或者，可以连接到外部计算机(例如利用因特网服务提供商来通过因特网连接)。在一些实施例中，通过利用计算机可读程序指令的状态信息来个性化定制电子电路，例如可编程逻辑电路、现场可编程门阵列(FPGA)或可编程逻辑阵列(PLA)，该电子电路可以执行计算机可读程序指令，从而实现本发明的各个方面。

[0210] 这里参照根据本发明实施例的方法、装置(系统)和计算机程序产品的流程图和/或框图描述了本发明的各个方面。应当理解，流程图和/或框图的每个方框以及流程图和/或框图中各方框的组合，都可以由计算机可读程序指令实现。

[0211] 这些计算机可读程序指令可以提供给通用计算机、专用计算机或其它可编程数据处理装置的处理器，从而生产出一种机器，使得这些指令在通过计算机或其它可编程数据处理装置的处理器执行时，产生了实现流程图和/或框图中的一个或多个方框中规定的功能/动作的装置。也可以把这些计算机可读程序指令存储在计算机可读存储介质中，这些指令使得计算机、可编程数据处理装置和/或其他设备以特定方式工作，从而，存储有指令的计算机可读介质则包括一个制造品，其包括实现流程图和/或框图中的一个或多个方框中规定的功能/动作的各个方面的指令。

[0212] 也可以把计算机可读程序指令加载到计算机、其它可编程数据处理装置、或其它设备上，使得在计算机、其它可编程数据处理装置或其它设备上执行一系列操作步骤，以产生计算机实现的过程，从而使得在计算机、其它可编程数据处理装置、或其它设备上执行的指令实现流程图和/或框图中的一个或多个方框中规定的功能/动作。

[0213] 附图中的流程图和框图显示了根据本发明的多个实施例的系统、方法和计算机程序产品的可能实现的体系架构、功能和操作。在这点上，流程图或框图中的每个方框可以代表一个模块、程序段或指令的一部分，所述模块、程序段或指令的一部分包含一个或多个用于实现规定的逻辑功能的可执行指令。在有些作为替换的实现中，方框中所标注的功能也可以以不同于附图中所标注的顺序发生。例如，两个连续的方框实际上可以基本并行地执行，它们有时也可以按相反的顺序执行，这依所涉及的功能而定。也要注意的是，框图和/或流程图中的每个方框、以及框图和/或流程图中的方框的组合，可以用执行规定的功能或动作的专用的基于硬件的系统来实现，或者可以用专用硬件与计算机指令的组合来实现[0214] 此外，根据各种实施例的系统可以包含处理器和与处理器集成的和/或处理器可执行的逻辑，配置该逻辑，以执行在此陈述的一个或者多个处理步骤。通过集成，意味着该处理器具有作为硬件逻辑嵌入的逻辑，诸如专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)等等。用处理器可执行，意味着逻辑是硬件逻辑、诸如固件的、操作系统的一部分、应用程序的一部分等等软件逻辑、处理器可以访问的硬件和软件逻辑的某种组合，配置该组合，以在处理器执行时，使处理器执行某种功能。软件逻辑可以存储在任何存储器类型的逻辑和/或者远程存储器上，在本技术领域中公知。可以使用本技术领域内公知的任何处理器，诸如软件处理器模块和/或者诸如ASIC、FPGA、中央处理单元(CPU)、集成电路(IC)等等的硬件处理器。

[0215] 应当明白，可以以任何方式使上述系统和/或者方法的各种特征组合，由在此提供的说明书创建多个组合。

[0216] 还应当明白，可以以代表客户采用的服务的方式，提供本发明的实施例。

[0217] 为了在多个说明性情况、实施例和/或者实施中说明本发明的无数特征，作为例子提供在此公开的发明原理。应当明白，可以将在此一般地公开的原理看作模块，并且可以以其任何组合、置换或者合成方式实施在此公开的原理。此外，阅读了当前描述后，本技术领域内的技术人员明白，还应当认为当前公开的特征、功能和原理的任何修改、变更或者等同落入本公开的范围内。

[0218] 尽管上面描述了各种实施例，但是应当明白，仅作为例子提供各种实施例，并且不作为限制。因此，本发明实施例的宽度和范围不应当受到上述任何示例性实施例的限制，而且仅应当根据下面的权利要求及其等同限定本发明实施例的宽度和范围。

标题	发布/更新时间	阅读量
包括多个垂直磁畴的磁性隧道结单元	2020-05-12	400
磁畴数据存储装置及其制造方法	2020-05-16	820
利用磁畴运动的磁存储器	2020-05-13	955
利用磁畴牵引的磁存储器件	2020-05-13	200
观测耐热钕铁硼磁体磁畴结构的方法	2020-05-13	174
提供高畴壁速率的铁磁器件	2020-05-15	105
使用磁畴运动的磁存储器装置	2020-05-12	495
包含多个磁畴的磁性隧道结单元	2020-05-13	31
利用等离子体离子注入的磁畴图案化	2020-05-15	473
一种磁性金属薄膜磁畴调控方法	2020-05-13	439

用于测量和校正磁性写入器偏移误差的方法和系统

用于测量和校正磁性写入器偏移误差的方法和系统

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发明内容

附图说明

具体实施方式

该功能需要专业版企业版VIP权限，您可以：