专利汇可以提供一种单模半微盘谐振腔专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 涉及一种单模半微盘 谐振腔 ,包括分别闭合的内、外轮廓线,内、外轮廓线之间为 波导 (3),所述内轮廓线由用于电学连接或机械连接的扇形连接区域(2),以及实现波导宽度从窄到宽的渐变过渡曲线(1)组成,所述扇形连接区域(2)的 角 度小于或等于270度且大于0度。连接区域(2)最大允许270度范围的连接结构,从而连接 电阻 小,可实现高速响应。过渡曲线(1)可以使谐振腔波导逐渐变宽的同时保证不激发高阶模式和 泄漏 模式,降低腔损耗。本发明提出的半微盘谐振腔为单模工作,不会导致自由 光谱 范围的减小,可以满足滤波、调制等应用对光场模式的严格要求,在集成领域有众多潜在的用途,包括低能耗高速电光 调制器 、光学逻辑运算器件、有源 滤波器 、加热/调谐装置、热光 开关 、电/机械/光换能器等需要电学或机械连接的谐振腔结构。,下面是一种单模半微盘谐振腔专利的具体信息内容。
1.一种单模半微盘谐振腔,包括分别闭合的内、外轮廓线,内、外轮廓线之间为非良导体材料的波导(3),或非良导体材料与金属结合的表面等离子体波导(3),其特征在于,所述内轮廓线由用于电学连接或机械连接的扇形连接区域(2),以及实现波导宽度从窄到宽的渐变过渡曲线(1)组成,所述扇形连接区域(2)的角度小于或等于270度且大于0度。
2.根据权利要求1所述的单模半微盘谐振腔,其特征在于,所述扇形连接区域(2)为半圆形。
3.根据权利要求1所述的单模半微盘谐振腔,其特征在于,所述外轮廓线为圆形或过渡曲线形。
4.根据权利要求1所述的单模半微盘谐振腔,其特征在于,所述的过渡曲线(1)设有平板波导连接或者侧壁光栅连接。
5.根据权利要求1至4中任意一项所述的单模半微盘谐振腔,其特征在于所述过渡曲线(1)是用于平滑连接的曲线,包括样条曲线、插值曲线、最小变化曲线、欧拉螺线。
6.一种高速调制器,其特征在于,包含权利要求1至5中任意一项所述的单模半微盘谐振腔,所述单模半微盘谐振腔的波导(3)上制作有PN结,上层为P型硅(5),下层为N型硅(4),在单模半微盘谐振腔的连接区域(2)连接有电学连接结构,所述的电学连接结构上层为P+型硅(7),中层为本征硅(8),下层为N+型硅(6),在N+型硅(6)上表面以及P+型硅(7)上表面连接有金属电极(9)。
7.一种高速调制器,其特征在于,包含权利要求1至5中任意一项所述的单模半微盘谐振腔,所述单模半微盘谐振腔的波导(3)上制作有PN结,下层为P型硅(5),上层为N型硅(4),在单模半微盘谐振腔的连接区域(2)连接有电学连接结构,所述的电学连接结构下层为P+型硅(7),中层为本征硅(8),上层为N+型硅(6),在N+型硅(6)上表面以及P+型硅(7)上表面连接有金属电极(9)。
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