一种具有线性磁滞回线的磁芯
专利汇可以提供一种具有线性磁滞回线的磁芯专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种具有线性 磁滞 回线 的磁芯，包括磁芯本体，磁芯本体由 铁 基 纳米晶 软磁 合金 制成，铁基纳米晶软磁合金由以下组分按 原子 比组成：铁72~76份、 硅 12~16份、 硼 5.2~7.5份、铌1.5~3份、 钒 1~1.8份、 铜 0.8-1.1份和稀有金属0.2~3份。本发明的磁芯具有线性磁滞回线，剩余磁感应强度Br小于0.02T， 矫顽 力 小于1.5A/m，饱和磁感应强度大于1.1T，且生产出的不同磁芯的线性段磁导率可在1500~35000之间调控。，下面是一种具有线性磁滞回线的磁芯专利的具体信息内容。
1.一种具有线性磁滞回线的磁芯，包括磁芯本体，其特征在于，所述磁芯本体由铁基纳米晶软磁合金制成，所述铁基纳米晶软磁合金由以下组分按原子比组成：铁72 76份、硅12~ ~
16份、硼5.2 7.5份、铌1.5 3份、钒1 1.8份、铜0.8-1.1份和稀有金属0.2 3份。
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2.根据权利要求1所述的一种具有线性磁滞回线的磁芯，其特征在于，所述稀有金属为镍、钴或镍和钴的混合物中的一种，所述镍和钴的混合物中镍与钴的原子比为1：4。
3.根据权利要求1所述的一种具有线性磁滞回线的磁芯，其特征在于，所述磁芯由厚度为22 32μm的非晶薄带卷绕而成。
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4.如权利要求1所述的一种具有线性磁滞回线的磁芯的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1、采用单辊甩带法制备具有上述铁基纳米晶软磁合金成分的非晶薄带；
S2、将非晶薄带卷绕成磁芯；
S3、在真空环境下进行晶化退火处理，在470 480℃下保温120min，然后升温至540 550~ ~
℃，保温90 120 min，然后冷却去掉真空后出炉；
~
S4、将经过真空退火晶化后的磁芯在氩气环境下进行横向磁场退火处理，升温至450~
480℃，保温60 120min，然后冷却出炉，在保温和冷却阶段施加0.2 0.4T的外加磁场，并使~ ~
磁力线方向与磁芯的轴线方向平行，出炉后即得到具有线性磁滞回线的磁芯。
5.根据权利要求4所述的一种具有线性磁滞回线的磁芯的制作方法，其特征在于，所述步骤S1中，制备过程中喷带时的浇铸温度为1350 1450℃。
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6.根据权利要求4所述的一种具有线性磁滞回线的磁芯的制作方法，其特征在于，所述步骤S3中，磁芯冷却的温度为200℃。
7.根据权利要求4所述的一种具有线性磁滞回线的磁芯的制作方法，其特征在于，所述步骤S3中，升温至540 550℃期间的升温速率为1℃/min。
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8.根据权利要求4所述的一种具有线性磁滞回线的磁芯的制作方法，其特征在于，所述步骤S4中，升温至450 480℃期间的升温速率为5 10℃/min。
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9.根据权利要求4所述的一种具有线性磁滞回线的磁芯的制作方法，其特征在于，所述步骤S4中，磁芯的冷却温度为80℃。
一种具有线性磁滞回线的磁芯
技术领域
背景技术
发明内容
1.5 3份、钒1 1.8份、铜0.8-1.1份和稀有金属0.2 3份。
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S2、将非晶薄带卷绕成磁芯；
S3、在真空环境下进行晶化退火处理，在470 480℃下保温120min，然后升温至540 550~ ~
℃，保温90 120 min，然后冷却去掉真空后出炉；
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S4、将经过真空退火晶化后的磁芯在氩气环境下进行横向磁场退火处理，升温至450~
480℃，保温60 120min，然后冷却出炉，在保温和冷却阶段施加0.2 0.4T的外加磁场，并使~ ~
磁力线方向与磁芯的轴线方向平行，出炉后即得到具有线性磁滞回线的磁芯。
（2）本发明生产出的的不同磁芯的线性段磁导率可在1500 35000之间调控，具有不同~
线性段磁导率的磁芯的应用领域不同，扩宽了其应用领域；
（3）当线性段磁导率比较小时，磁芯的线性段磁导率在很宽的外加磁场强度H变化范围内都是恒定的，因而采用本发明磁芯制作的抗直流分量互感器进行服役使用时，即使在正常大小的交流电流外突然有直流电流通过，即外加磁场强度H的数值发生了较大的变化，但是此时磁芯的磁导率不变，即互感器的输出稳定不变化，从而使得互感器具有优异的抗直流分量性能；
（4）当线性段磁导率比较大时，磁芯的有效磁导率也比较大，用作共模电感及尖峰抑制器时，尤其是在大电流大功率场合，可以减小磁芯尺寸；
（5）磁芯的组成合金易于喷制成非晶薄带，且晶化退火和横磁场退火工艺简单，退火后磁芯的性能稳定。
附图说明
图3是本发明中实施例3的静态磁滞回线图。
具体实施方式
1.5份、铜1份、镍2份和钴0.5份；
上述的具有线性磁滞回线的磁芯的制备方法，步骤如下：
S1、采用单辊甩带法制备具有上述铁基纳米晶软磁合金成分的非晶薄带，喷带时浇铸温度为1420℃；
S2、将非晶薄带卷绕成磁芯；
S3、在真空环境下进行晶化退火处理，在470℃下保温120min，然后以1℃/min的升温速率升温至540℃，保温90 min，然后冷却至200℃以下去掉真空后出炉；
S4、将经过真空退火晶化后的磁芯在氩气环境下进行横向磁场退火处理，以5℃/min的升温速率升温至460℃，保温120min，然后冷却到80℃以下出炉，在保温和冷却阶段施加
0.4T的外加磁场，并使磁力线方向与磁芯的轴线方向平行，出炉后即得到具有线性磁滞回线的磁芯。
上述的具有线性磁滞回线的磁芯的制备方法，步骤如下：
S1、采用单辊甩带法制备具有上述铁基纳米晶软磁合金成分的非晶薄带，喷带时浇铸温度为1400℃；
S2、将非晶薄带卷绕成磁芯；
S3、在真空环境下进行晶化退火处理，在475℃下保温120min，然后以1℃/min的升温速率升温至545℃，保温120 min，然后冷却至200℃以下去掉真空后出炉；
S4、将经过真空退火晶化后的磁芯在氩气环境下进行横向磁场退火处理，以5℃/min的升温速率升温至470℃，保温120min，然后冷却到80℃以下出炉，在保温和冷却阶段施加
0.4T的外加磁场，并使磁力线方向与磁芯的轴线方向平行，出炉后即得到具有线性磁滞回线的磁芯。
1.2份、铜1份、镍0.5份和钴0.2份；
上述的具有线性磁滞回线的磁芯的制备方法，步骤如下：
S1、采用单辊甩带法制备具有上述铁基纳米晶软磁合金成分的非晶薄带，喷带时浇铸温度为1380℃；
S2、将非晶薄带卷绕成磁芯；
S3、在真空环境下进行晶化退火处理，在480℃下保温120min，然后以1℃/min的升温速率升温至550℃，保温90 min，然后冷却至200℃以下去掉真空后出炉；
S4、将经过真空退火晶化后的磁芯在氩气环境下进行横向磁场退火处理，以5℃/min的升温速率升温至465℃，保温120min，然后冷却到80℃以下出炉，在保温和冷却阶段施加
0.2T的外加磁场，并使磁力线方向与磁芯的轴线方向平行，出炉后即得到具有线性磁滞回线的磁芯。
化率在10%以内。
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