专利汇可以提供基于硅基光电探测器的硬X射线探测器专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种基于 硅 基光电探测器的硬 X射线 探测器,其创新在于:所述 硬X射线 探测器包括 硅片 及形成在硅片上的硅光电探测器;所述硅片的周向面上设置有一平面,所述平面与硅片轴向平行,所述硅光电探测器的光敏面形成在所述平面上,硅光电探测器的轴向与所述平面垂直,硅片的径向尺寸远大于轴向尺寸。本发明的有益技术效果是:提供了一种基于硅基光电探测器的硬X射线探测器,该方案可有效提高硅基光电探测器对硬X射线的探测效率,使硅基光电探测器能够直接对硬X射线进行成像,避免了 现有技术 中存在的 光子 转换效率问题,可有效降低X射线医疗成像时人体所受到的幅照剂量。,下面是基于硅基光电探测器的硬X射线探测器专利的具体信息内容。
1.一种基于硅基光电探测器的硬X射线探测器,其特征在于:所述硬X射线探测器包括硅片及形成在硅片上的硅光电探测器;所述硅片的周向面上设置有一平面,所述平面与硅片轴向平行,所述硅光电探测器的光敏面形成在所述平面上,硅光电探测器的轴向与所述平面垂直,硅片的径向尺寸远大于轴向尺寸。
2.根据权利要求1所述的基于硅基光电探测器的硬X射线探测器,其特征在于:所述硅光电探测器与一读出电路连接,所述读出电路形成在所述硅片上。
3.根据权利要求1所述的基于硅基光电探测器的硬X射线探测器,其特征在于:所述硅光电探测器与一读出电路连接,所述读出电路形成在一电路板上,所述电路板通过倒焊柱焊接在硅片端面上,电路板的位置与硅光电探测器的位置对应。
4.根据权利要求1、2或3所述的基于硅基光电探测器的硬X射线探测器,其特征在于:所述硅光电探测器的吸收区的轴向长度范围为0.6mm~6cm。
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