提高基板温度均匀度的基座
专利汇可以提供提高基板温度均匀度的基座专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了提高 基板 温度 均匀度的 基座 ,包括PECVD腔室和基座，所述PECVD腔室的底部连接有反应腔室，PECVD腔室的顶部插有气体注入管，气体注入管的底部连接有等离子 电极 ，反应腔室的底部插有竖直的移送手段，移送手段的顶部安装有基座，所述基座包括板状本体、电热线和主杆体，基座上放置有基板，基座的板状本体底面形成有凹槽槽体，凹槽槽体内放置有主电热线，主杆体为两侧开口的中空管状，主电热线向基座的中心延伸，并穿过基座的中心槽，中心槽内设有中心电热线，中心电热线上设有电热缠线，电热缠线内缠绕有 云 母板，本发明体加热均匀，平衡了中心槽温度与周边温度的差别，保证蒸 镀 膜 成膜厚度均匀。，下面是提高基板温度均匀度的基座专利的具体信息内容。
1.提高基板温度均匀度的基座，包括PECVD腔室（1）和基座（6），其特征在于，所述PECVD腔室（1）的底部连接有反应腔室（2），PECVD腔室（1）的侧面设有腔室盖（3），PECVD腔室（1）的顶部设有通孔，且通孔内插有气体注入管（8），气体注入管（8）竖直放置，且气体注入管（8）的底部连接有等离子电极（7），反应腔室（2）的底部插有竖直的移送手段（4），移送手段（4）沿反应腔室（2）的中心向反应腔室（2）内延伸，移送手段（4）的顶部安装有基座（6），所述基座（6）包括板状本体、电热线和主杆体，基座（6）上放置有基板（5），基座（6）的板状本体底面形成有凹槽槽体，凹槽槽体内放置有主电热线（12），主杆体为两侧开口的中空管状，主电热线（12）向基座（6）的中心延伸，并穿过基座（6）的中心槽（14），中心槽（14）内设有中心电热线（10），中心电热线（10）上设有电热缠线（11），电热缠线（11）内缠绕有云母板（13）。
2.根据权利要求1所述的提高基板温度均匀度的基座，其特征在于，所述等离子电极（7）的结构为T字型结构，T字杆倒立放置，等离子电极（7）的竖直部分连接有气体注入管（8），等离子电极（7）的水平部分设有喷射孔（7a），并且喷射孔（7a）位于远离气体注入管（8）的一侧。
3.根据权利要求1所述的提高基板温度均匀度的基座，其特征在于，所述等离子电极（7）与高频电源（9）的输出端电性相连。
4.根据权利要求1所述的提高基板温度均匀度的基座，其特征在于，所述基座（6）的凹槽槽体包括主电热线埋设槽和中心槽，且主电热线埋设槽设有特定纹理，中心槽形成在底面中央部位，并且主电热线埋设槽的两端连接于中心槽的侧面。
5.根据权利要求1所述的提高基板温度均匀度的基座，其特征在于，所述电热缠线（11）的曲折部位沿垂直于中心槽（14）底面的方向向外侧延伸。
6.根据权利要求1所述的提高基板温度均匀度的基座，其特征在于，所述云母板（13）由多层云母片叠加，并且云母板（13）的层与层之间缠绕有电热丝。
提高基板温度均匀度的基座
技术领域
背景技术
发明内容
图3为本发明提出的提高基板温度均匀度的基座的A-A剖视结构示意图。
具体实施方式
14，中心槽14内设有中心电热线10，中心电热线10上设有电热缠线11，电热缠线11内缠绕有云母板13，等离子电极7的结构为T字型结构，T字杆倒立放置，等离子电极7的竖直部分连接有气体注入管8，等离子电极7的水平部分设有喷射孔7a，并且喷射孔7a位于远离气体注入管8的一侧，等离子电极7与高频电源9的输出端电性相连，基座6的凹槽槽体包括主电热线埋设槽和中心槽，且主电热线埋设槽设有特定纹理，中心槽形成在底面中央部位，并且主电热线埋设槽的两端连接于中心槽的侧面，电热缠线11的曲折部位沿垂直于中心槽14底面的方向向外侧延伸，云母板13由多层云母片叠加，并且云母板13的层与层之间缠绕有电热丝。
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