一种复合量子阱外延片
专利汇可以提供一种复合量子阱外延片专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 提供的一种复合 量子阱 外延 片，包括GaAs衬底，在GaAs衬底上依次 外延生长 缓冲层 、AlGaAs/AlAs(DBR)反射层、n-AlInP限制层、n-AlGaInP 波导 层、突变MQW有源层、渐变MQW有源层、p-AlGaInP波导层、p-AlInP限制层和p-GaP 电流 扩展层；突变MQW有源层和渐变MQW有源层材料为AlGaInP。本发明公开的一种复合量子阱外延片，通过对突变量子阱和渐变量子阱的组合设计，限制 电子 在量子阱结构中的快速移动，增强空穴载流子的移 动能 力 ，从而提高电子与空穴载流子的复合几率，能提高LED芯片的内量子 发光效率 。，下面是一种复合量子阱外延片专利的具体信息内容。
1.一种复合量子阱外延片，其特征在于：包括GaAs衬底(100)，在所述GaAs衬底(100)上依次外延生长缓冲层(101)、AlGaAs/AlAs(DBR)反射层(102)、n-AlInP限制层(103)、n-AlGaInP波导层(104)、突变MQW有源层(105)、渐变MQW有源层(106)、p-AlGaInP波导层(107)、p-AlInP限制层(108)和p-GaP电流扩展层(109)，所述突变MQW有源层(105)和渐变MQW有源层(106)材料为AlGaInP；所述缓冲层(101)厚度为0.5μm，掺杂浓度为5×1017cm-3，所述AlGaAs/AlAs(DBR)反射层(102)厚度为1.6μm，掺杂浓度为2×1018。
2.如权利要求1所述的一种复合量子阱外延片，其特征在于：所述n-AlInP限制层(103)
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厚度为0.5μm，掺杂浓度为2×10 。
3.如权利要求1所述的一种复合量子阱外延片，其特征在于：所述n-AlGaInP波导层(104)厚度为0.1μm，掺杂浓度为3×1017cm-3。
4.如权利要求1所述的一种复合量子阱外延片，其特征在于：所述突变MQW有源层(105)厚度为6nm。
5.如权利要求1所述的一种复合量子阱外延片，其特征在于：所述渐变MQW有源层(106)厚度为4nm。
6.如权利要求1所述的一种复合量子阱外延片，其特征在于：所述p-AlGaInP波导层(107)厚度0.1μm，掺杂浓度为5×1017cm-3。
7.如权利要求1所述的一种复合量子阱外延片，其特征在于：所述p-AlInP限制层(108)厚度为0.8μm，掺杂浓度为6×1017。
8.如权利要求1所述的一种复合量子阱外延片，其特征在于：所述p-GaP电流扩展层(109)厚度为5μm，掺杂浓度大于1×1018cm-3。
一种复合量子阱外延片
技术领域
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发明内容
具体实施方式
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