专利汇可以提供用于沉积氧化硅膜的组合物和方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本文描述了用于形成 氧 化 硅 膜的组合物和方法。在一个方面,所述膜由至少一种硅前体化合物沉积,其中所述至少一种硅前体化合物选自如本文定义的下式A和B:,下面是用于沉积氧化硅膜的组合物和方法专利的具体信息内容。
1.一种将包含硅和氧的膜沉积到衬底上的方法,其包括以下步骤:
a)在反应器中提供衬底;
b)将至少一种硅前体化合物引入所述反应器,其中所述至少一种硅前体化合物选自式A和B:
其中,
R1独立地选自直链C1至C10烷基、支链C3至C10烷基、C3至C10环烷基、C3至C10杂环基、C3至C10烯基、C3至C10炔基和C4至C10芳基;
R2选自氢、直链C1至C10烷基、支链C3至C10烷基、C3至C10环烷基、C3至C10杂环基、C3至C10烯基、C3至C10炔基和C4至C10芳基,其中式A或B中的R1和R2连接以形成环状环结构或不连接以形成环状环结构;
R3-R8各自独立地选自氢、直链C1至C10烷基、支链C3至C10烷基、C3至C10环烷基、C2至C10烯基、C2至C10炔基和C4至C10芳基;
X选自氢、直链C1至C10烷基、支链C3至C10烷基、C3至C10环烷基、C2至C10烯基、C2至C10炔基、C4至C10芳基、卤素和NR9R10,其中R9和R10各自独立地选自氢、直链C1至C6烷基、支链C3至C6烷基、C3至C10环烷基、C3至C10烯基、C3至C10炔基和C4至C10芳基,其中R9和R10连接以形成环状环
1 9
结构或不连接以形成环状环结构,并且其中R 和R 连接以形成环状环或不连接以形成环状环;
c)用吹扫气体吹扫所述反应器;
d)将含氧源引入所述反应器中;和
e)用吹扫气体吹扫所述反应器,
其中重复步骤b至e,直到沉积期望厚度的所述膜,和
其中所述方法在约25℃至600℃的一个或多个温度下进行。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述至少一种硅前体化合物是选自以下的至少一种:1-二甲基氨基二硅氧烷、1-二乙基氨基二硅氧烷、1-二异丙基氨基二硅氧烷、1-二仲丁基氨基二硅氧烷、1-苯基甲基氨基二硅氧烷、1-苯基乙基氨基二硅氧烷、1-环己基甲基氨基二硅氧烷、1-环己基乙基氨基二硅氧烷、1-哌啶子基二硅氧烷、1-(2,6-二甲基哌啶子基)二硅氧烷、1-二甲基氨基-1,3-二甲基二硅氧烷、1-二乙基氨基-1,3-二甲基二硅氧烷、1-二异丙基氨基-1,3-二甲基二硅氧烷、1-二仲丁基氨基-1,3-二甲基二硅氧烷、1-苯基甲基氨基-
1,3-二甲基二硅氧烷、1-苯基乙基氨基-1,3-二甲基二硅氧烷、1-环己基甲基氨基-1,3-二甲基二硅氧烷、1-环己基乙基氨基-1,3-二甲基二硅氧烷、1-二甲基氨基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷、1-二乙基氨基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷、1-二异丙基氨基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷、1-二仲丁基氨基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷、1-苯基甲基氨基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷、1-苯基乙基氨基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷、1-二甲基氨基-1,1,3,3,3-五甲基二硅氧烷、1-二乙基氨基-1,1,3,3,3-五甲基二硅氧烷、1-二异丙基氨基-1,1,3,3,3-五甲基二硅氧烷、1-二仲丁基氨基-1,1,3,3,3-五甲基二硅氧烷、1-吡咯基-1,1,3,3,3-五甲基二硅氧烷、1-吡咯烷基-1,1,3,3,3-五甲基二硅氧烷、1-哌啶子基-1,1,3,3,3-五甲基二硅氧烷、1-(2,6-二甲基哌啶子基)-3,3,3-五甲基二硅氧烷、1-异丙基氨基-3,3,3-三甲基二硅氧烷、1-叔丁基氨基-3,3,3-三甲基二硅氧烷、1-二甲基氨基-3,3,3-三甲基二硅氧烷、1-二乙基氨基-3,3,3-三甲基二硅氧烷、1-二异丙基氨基-3,3,3-三甲基二硅氧烷、1-二仲丁基氨基-3,3,3-三甲基二硅氧烷、1-环己基甲基氨基-3,3,3-三甲基二硅氧烷、1-环己基乙基氨基-3,3,3-三甲基二硅氧烷、1-哌啶子基-3,3,3-三甲基二硅氧烷、1-(2,6-二甲基哌啶子基)-3,3,3-三甲基二硅氧烷、1-二甲基氨基-3,3-二甲基二硅氧烷、1-二乙基氨基-3,3-二甲基二硅氧烷、1-二异丙基氨基-3,3-二甲基二硅氧烷、1-二仲丁基氨基-3,3-二甲基二硅氧烷、1-环己基甲基氨基-3,3-二甲基二硅氧烷、1-环己基乙基氨基-3,3-二甲基二硅氧烷、
1-哌啶子基-3,3-二甲基二硅氧烷、1-(2,6-二甲基哌啶子基)-3,3-二甲基二硅氧烷、1,3-双(二甲基氨基)二硅氧烷、1,3-双(二乙基氨基)二硅氧烷、1,3-双(二异丙基氨基)二硅氧烷、1,3-双(二仲丁基氨基)二硅氧烷、1,3-双(二甲基氨基)-1,3-二甲基二硅氧烷、1,3-双(二乙基氨基)-1,3-二甲基二硅氧烷、1,3-双(二异丙基氨基)-1,3-二甲基二硅氧烷、1,3-双(二仲丁基氨基)-1,3-二甲基二硅氧烷、1,3-双(二甲基氨基)-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷、1,3-双(二乙基氨基)-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷、1-二甲基氨基-1,1,3,3-四甲基-3-氯二硅氧烷、1-二乙基氨基-1,1,3,3-四甲基-3-氯二硅氧烷、1-二异丙基氨基-1,1,3,3-四甲基-3-氯二硅氧烷、1-二仲丁基氨基-1,1,3,3-四甲基-3-氯二硅氧烷、1-二甲基氨基-1,1,
3,3-四甲基-3-溴二硅氧烷、1-二乙基氨基-1,1,3,3-四甲基-3-溴二硅氧烷、1-二异丙基氨基-1,1,3,3-四甲基-3-溴二硅氧烷、1-二仲丁基氨基-1,1,3,3-四甲基-3-溴二硅氧烷、1-叔丁基氨基二硅氧烷、1-异丙基氨基二硅氧烷、1-叔丁基氨基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷、
1-异丙基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷、1-二甲基氨基三硅氧烷、1-二乙基氨基三硅氧烷、1-异丙基氨基三硅氧烷、1-二仲丁基氨基三硅氧烷、1-苯基甲基氨基三硅氧烷、1-苯基乙基氨基三硅氧烷、1-环己基甲基氨基三硅氧烷、1-环己基乙基氨基三硅氧烷、1-哌啶子基三硅氧烷、1-(2,6-二甲基哌啶子基)三硅氧烷、1-二甲基氨基-1,1,3,3,5,5-六甲基三硅氧烷、1-二乙基氨基-1,1,3,3,5,5-六甲基三硅氧烷、1-二异丙基氨基-1,1,3,3,5,5-六甲基三硅氧烷、1-仲丁基氨基-1,1,3,3,5,5-六甲基三硅氧烷、1-苯基甲基氨基-1,1,3,3,5,5-六甲基三硅氧烷、1-苯基乙基氨基-1,1,3,3,5,5-六甲基三硅氧烷、1,5-双(二甲基氨基)-1,1,3,
3,5,5-六甲基三硅氧烷、1,5-双(二乙基氨基)-1,1,3,3,5,5-六甲基三硅氧烷、1,5-双(二异丙基氨基)-1,1,3,3,5,5-六甲基三硅氧烷、1,5-双(仲丁基氨基)-1,1,3,3,5,5-六甲基三硅氧烷、1,5-双(苯基甲基氨基)-1,1,3,3,5,5-六甲基三硅氧烷、1,5-双(苯基乙基氨基)-1,1,3,3,5,5-六甲基三硅氧烷、1-二异丙基氨基-3,3,5,5,5-五甲基三硅氧烷、1-仲丁基氨基-3,3,5,5,5-五甲基三硅氧烷、1-环己基甲基氨基-3,3,5,5,5-五甲基三硅氧烷、1-环己基乙基氨基-3,3,5,5,5-五甲基三硅氧烷、1-哌啶子基-3,3,5,5,5-五甲基三硅氧烷、
1-(2,6-二甲基哌啶子基)-3,3,5,5,5-五甲基三硅氧烷、1-二甲基氨基-1,1,3,3,5,5,5-七甲基三硅氧烷、1-二乙基氨基-1,1,3,3,5,5,5-七甲基三硅氧烷、1-二异丙基氨基-1,1,3,
3,5,5,5-七甲基三硅氧烷、1-仲丁基氨基-1,1,3,3,5,5,5-七甲基三硅氧烷、1-环己基甲基氨基-1,1,3,3,5,5,5-七甲基三硅氧烷、1-环己基乙基氨基-1,1,3,3,5,5,5-七甲基三硅氧烷、1-哌啶子基-1,1,3,3,5,5,5-七甲基三硅氧烷、1-(2,6-二甲基哌啶子基)-1,1,3,3,5,
5,5-七甲基三硅氧烷、1-吡咯基-1,1,3,3,5,5,5-七甲基三硅氧烷和1-吡咯烷基-1,1,3,3,
5,5,5-七甲基三硅氧烷。
3.根据权利要求1所述的方法,其中所述含氧源选自臭氧、氧等离子体、包含氧和氩的等离子体、包含氧和氦的等离子体、臭氧等离子体、水等离子体、一氧化二氮等离子体、二氧化碳等离子体、一氧化碳等离子体及其组合。
4.根据权利要求1所述的方法,其中所述含氧源包括等离子体。
5.根据权利要求4所述的方法,其中所述等离子体原位产生。
6.根据权利要求4所述的方法,其中所述等离子体远程产生。
7.根据权利要求4所述的方法,其中所述膜的密度为约2.1g/cc或更高。
8.根据权利要求1所述的方法,其中所述膜还含有碳。
9.根据权利要求8所述的方法,其中所述膜的密度为约1.8g/cc或更高。
10.根据权利要求8所述的方法,其中通过X射线光电子能谱测量,所述膜的碳含量为
0.5原子重量%(at.%)或更大。
11.一种用于使用气相沉积法沉积选自氧化硅或碳掺杂氧化硅膜的膜的组合物,所述组合物包含:至少一种选自式A和B的硅前体化合物:
其中,
R1独立地选自直链C1至C10烷基、支链C3至C10烷基、C3至C10环烷基、C3至C10杂环基、C3至C10烯基、C3至C10炔基和C4至C10芳基;
R2选自氢、直链C1至C10烷基、支链C3至C10烷基、C3至C10环烷基、C3至C10杂环基、C3至C10烯基、C3至C10炔基和C4至C10芳基,其中式A或B中的R1和R2连接以形成环状环结构或不连接以形成环状环结构;
R3-R8各自独立地选自氢、直链C1至C10烷基、支链C3至C10烷基、C3至C10环烷基、C2至C10烯基、C2至C10炔基和C4至C10芳基;
X选自氢、直链C1至C10烷基、支链C3至C10烷基、C3至C10环烷基、C2至C10烯基、C2至C10炔基、
9 10 9 10
C4至C10芳基、卤素(Cl、Br、I)和NRR ,其中R和R 各自独立地选自氢、直链C1至C6烷基、支链C3至C6烷基、C3至C10环烷基、C3至C10烯基、C3至C10炔基和C4至C10芳基,其中R9和R10连接以形成环状环结构或不连接以形成环状环结构,并且其中R1和R9连接以形成环状环或不连接以形成环状环,并且其中所述组合物基本上不含选自卤化物,水,金属离子及其组合的一种或多种杂质。
12.根据权利要求11所述的组合物,其中所述至少一种硅前体化合物是选自以下的至少一种:
1-二甲基氨基二硅氧烷、1-二乙基氨基二硅氧烷、1-二异丙基氨基二硅氧烷、1-二仲丁基氨基二硅氧烷、1-苯基甲基氨基二硅氧烷、1-苯基乙基氨基二硅氧烷、1-环己基甲基氨基二硅氧烷、1-环己基乙基氨基二硅氧烷、1-哌啶子基二硅氧烷、1-(2,6-二甲基哌啶子基)二硅氧烷、1-二甲基氨基-1,3-二甲基二硅氧烷、1-二乙基氨基-1,3-二甲基二硅氧烷、1-二异丙基氨基-1,3-二甲基二硅氧烷、1-二仲丁基氨基-1,3-二甲基二硅氧烷、1-苯基甲基氨基-
1,3-二甲基二硅氧烷、1-苯基乙基氨基-1,3-二甲基二硅氧烷、1-环己基甲基氨基-1,3-二甲基二硅氧烷、1-环己基乙基氨基-1,3-二甲基二硅氧烷、1-二甲基氨基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷、1-二乙基氨基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷、1-二异丙基氨基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷、1-二仲丁基氨基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷、1-苯基甲基氨基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷、1-苯基乙基氨基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷、1-二甲基氨基-1,1,3,3,3-五甲基二硅氧烷、1-二乙基氨基-1,1,3,3,3-五甲基二硅氧烷、1-二异丙基氨基-1,1,3,3,3-五甲基二硅氧烷、1-二仲丁基氨基-1,1,3,3,3-五甲基二硅氧烷、1-吡咯基-1,1,3,3,3-五甲基二硅氧烷、1-吡咯烷基-1,1,3,3,3-五甲基二硅氧烷、1-哌啶子基-1,1,3,3,3-五甲基二硅氧烷、1-(2,6-二甲基哌啶子基)-3,3,3-五甲基二硅氧烷、1-异丙基氨基-3,3,3-三甲基二硅氧烷、1-叔丁基氨基-3,3,3-三甲基二硅氧烷、1-二甲基氨基-3,3,3-三甲基二硅氧烷、1-二乙基氨基-3,3,3-三甲基二硅氧烷、1-二异丙基氨基-3,3,3-三甲基二硅氧烷、1-二仲丁基氨基-3,3,3-三甲基二硅氧烷、1-环己基甲基氨基-3,3,3-三甲基二硅氧烷、1-环己基乙基氨基-3,3,3-三甲基二硅氧烷、1-哌啶子基-3,3,3-三甲基二硅氧烷、1-(2,6-二甲基哌啶子基)-3,3,3-三甲基二硅氧烷、1-二甲基氨基-3,3-二甲基二硅氧烷、1-二乙基氨基-3,3-二甲基二硅氧烷、1-二异丙基氨基-3,3-二甲基二硅氧烷、1-二仲丁基氨基-3,3-二甲基二硅氧烷、1-环己基甲基氨基-3,3-二甲基二硅氧烷、1-环己基乙基氨基-3,3-二甲基二硅氧烷、
1-哌啶子基-3,3-二甲基二硅氧烷、1-(2,6-二甲基哌啶子基)-3,3-二甲基二硅氧烷、1,3-双(二甲基氨基)二硅氧烷、1,3-双(二乙基氨基)二硅氧烷、1,3-双(二异丙基氨基)二硅氧烷、1,3-双(二仲丁基氨基)二硅氧烷、1,3-双(二甲基氨基)-1,3-二甲基二硅氧烷、1,3-双(二乙基氨基)-1,3-二甲基二硅氧烷、1,3-双(二异丙基氨基)-1,3-二甲基二硅氧烷、1,3-双(二仲丁基氨基)-1,3-二甲基二硅氧烷、1,3-双(二甲基氨基)-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷、1,3-双(二乙基氨基)-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷、1-二甲基氨基-1,1,3,3-四甲基-3-氯二硅氧烷、1-二乙基氨基-1,1,3,3-四甲基-3-氯二硅氧烷、1-二异丙基氨基-1,1,3,3-四甲基-3-氯二硅氧烷、1-二仲丁基氨基-1,1,3,3-四甲基-3-氯二硅氧烷、1-二甲基氨基-1,1,
3,3-四甲基-3-溴二硅氧烷、1-二乙基氨基-1,1,3,3-四甲基-3-溴二硅氧烷、1-二异丙基氨基-1,1,3,3-四甲基-3-溴二硅氧烷、1-二仲丁基氨基-1,1,3,3-四甲基-3-溴二硅氧烷、1-叔丁基氨基二硅氧烷、1-异丙基氨基二硅氧烷、1-叔丁基氨基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷、
1-异丙基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷、1-二甲基氨基三硅氧烷、1-二乙基氨基三硅氧烷、1-异丙基氨基三硅氧烷、1-二仲丁基氨基三硅氧烷、1-苯基甲基氨基三硅氧烷、1-苯基乙基氨基三硅氧烷、1-环己基甲基氨基三硅氧烷、1-环己基乙基氨基三硅氧烷、1-哌啶子基三硅氧烷、1-(2,6-二甲基哌啶子基)三硅氧烷、1-二甲基氨基-1,1,3,3,5,5-六甲基三硅氧烷、1-二乙基氨基-1,1,3,3,5,5-六甲基三硅氧烷、1-二异丙基氨基-1,1,3,3,5,5-六甲基三硅氧烷、1-仲丁基氨基-1,1,3,3,5,5-六甲基三硅氧烷、1-苯基甲基氨基-1,1,3,3,5,5-六甲基三硅氧烷、1-苯基乙基氨基-1,1,3,3,5,5-六甲基三硅氧烷、1,5-双(二甲基氨基)-1,1,3,
3,5,5-六甲基三硅氧烷、1,5-双(二乙基氨基)-1,1,3,3,5,5-六甲基三硅氧烷、1,5-双(二异丙基氨基)-1,1,3,3,5,5-六甲基三硅氧烷、1,5-双(仲丁基氨基)-1,1,3,3,5,5-六甲基三硅氧烷、1,5-双(苯基甲基氨基)-1,1,3,3,5,5-六甲基三硅氧烷、1,5-双(苯基乙基氨基)-1,1,3,3,5,5-六甲基三硅氧烷、1-二异丙基氨基-3,3,5,5,5-五甲基三硅氧烷、1-仲丁基氨基-3,3,5,5,5-五甲基三硅氧烷、1-环己基甲基氨基-3,3,5,5,5-五甲基三硅氧烷、1-环己基乙基氨基-3,3,5,5,5-五甲基三硅氧烷、1-哌啶子基-3,3,5,5,5-五甲基三硅氧烷、
1-(2,6-二甲基哌啶子基)-3,3,5,5,5-五甲基三硅氧烷、1-二甲基氨基-1,1,3,3,5,5,5-七甲基三硅氧烷、1-二乙基氨基-1,1,3,3,5,5,5-七甲基三硅氧烷、1-二异丙基氨基-1,1,3,
3,5,5,5-七甲基三硅氧烷、1-仲丁基氨基-1,1,3,3,5,5,5-七甲基三硅氧烷、1-环己基甲基氨基-1,1,3,3,5,5,5-七甲基三硅氧烷、1-环己基乙基氨基-1,1,3,3,5,5,5-七甲基三硅氧烷、1-哌啶子基-1,1,3,3,5,5,5-七甲基三硅氧烷、1-(2,6-二甲基哌啶子基)-1,1,3,3,5,
5,5-七甲基三硅氧烷、1-吡咯基-1,1,3,3,5,5,5-七甲基三硅氧烷和1-吡咯烷基-1,1,3,3,
5,5,5-七甲基三硅氧烷,及其组合。
13.根据权利要求11所述的组合物,其中所述卤化物包括氯离子。
14.根据权利要求13所述的组合物,其中所述氯离子的浓度小于50ppm。
15.根据权利要求13所述的组合物,其中所述氯离子的浓度小于10ppm。
16.根据权利要求13所述的组合物,其中所述氯离子的浓度小于5ppm。
17.一种通过权利要求1所述的方法获得的膜。
18.一种包含以下特征中的至少一种的膜:密度为至少约2.1g/cc;在1:100的HF:水的酸溶液(0.5重量%dHF)中测量的湿蚀刻速率小于约 直至6MV/cm下漏电小于约
1e-8A/cm2;和通过SIMS测量的氢杂质小于约5e20at/cc。
19.一种将包含硅和氧化物的膜沉积到衬底上的方法,其包括以下步骤:
a)在反应器中提供衬底;
b)将至少一种硅前体化合物引入所述反应器,其中所述至少一种硅前体化合物选自式A和B:
其中,
R1独立地选自直链C1至C10烷基、支链C3至C10烷基、C3至C10环烷基、C3至C10杂环基、C3至C10烯基、C3至C10炔基和C4至C10芳基;
2
R选自氢、直链C1至C10烷基、支链C3至C10烷基、C3至C10环烷基、C3至C10杂环基、C3至C10烯基、C3至C10炔基和C4至C10芳基,其中式A或B中的R1和R2连接以形成环状环结构或不连接以形成环状环结构;和
R3-R8和X是甲基;
c)用吹扫气体吹扫所述反应器;
d)将含氧源引入所述反应器中;和
e)用吹扫气体吹扫所述反应器,
其中重复步骤b至e,直到沉积期望厚度的膜,和
其中所述方法在约600℃至800℃的一个或多个温度下进行。
20.根据权利要求19所述的方法,其中所述至少一种硅前体化合物是选自以下中的至少一种:1-二甲基氨基-1,1,3,3,3-五甲基二硅氧烷、1-二乙基氨基-1,1,3,3,3-五甲基二硅氧烷、1-二异丙基氨基-1,1,3,3,3-五甲基二硅氧烷、1-二仲丁基氨基-1,1,3,3,3-五甲基二硅氧烷、1-吡咯基-1,1,3,3,3-五甲基二硅氧烷、1-吡咯烷基-1,1,3,3,3-五甲基二硅氧烷、1-哌啶子基-1,1,3,3,3-五甲基二硅氧烷、1-(2,6-二甲基哌啶子基)-3,3,3-五甲基二硅氧烷、1-二甲基氨基-1,1,3,3,5,5,5-七甲基三硅氧烷、1-二乙基氨基-1,1,3,3,5,5,
5-七甲基三硅氧烷、1-二异丙基氨基-1,1,3,3,5,5,5-七甲基三硅氧烷、1-仲丁基氨基-1,
1,3,3,5,5,5-七甲基三硅氧烷、1-环己基甲基氨基-1,1,3,3,5,5,5-七甲基三硅氧烷、1-环己基乙基氨基-1,1,3,3,5,5,5-七甲基三硅氧烷、1-哌啶子基-1,1,3,3,5,5,5-七甲基三硅氧烷、1-(2,6-二甲基哌啶子基)-1,1,3,3,5,5,5-七甲基三硅氧烷、1-吡咯基-1,1,3,3,5,
5,5-七甲基三硅氧烷、1-吡咯烷基-1,1,3,3,5,5,5-七甲基三硅氧烷。
21.一种通过权利要求19所述的方法获得的膜。
22.一种通过权利要求19形成的膜,其包含以下特征中的至少一种:密度为至少约
2.1g/cc;在1:100的HF:水的酸溶液(0.5重量%dHF)中测量的湿蚀刻速率小于约直至6MV/cm下漏电小于约1e-8A/cm2;和通过SIMS测量的氢杂质小于约5e20at/cc。
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