A1N衬底及其清洗方法
阅读：840发布：2020-05-12
专利汇可以提供A1N衬底及其清洗方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且AlxGayIn1-x-yN衬底及其清洗方法，AlN衬底及其清洗方法提供了一种AlxGayIn1-x-yN衬底，其中当AlxGayIn1-x-yN衬底的直径为2英寸时，AlxGayIn1-x-yN衬底一个表面上晶粒大小至少为0.2μm的粒子数至多为20，以及可以获得该AlxGayIn1-x-yN衬底的清洗方法。此外，提供了一种AlxGayIn1-x-yN衬底(51)，其中在通过 X射线 光 电子 能谱学方法以10°检测 角 获得的该AlxGayIn1-x-yN衬底(51)表面 光电子 能谱中，C1s电子的峰面积和N1s电子的峰面积之间的比例至多为3，以及可以获得该AlxGayIn1-x-yN衬底的清洗方法。另外，提供了一种AlN衬底(52)，其中在通过 X射线光电子能谱 学方法以10°检测角获得的AlN衬底(52)表面的光电子能谱中，Al2s电子峰面积和N1s电子峰面积之间的比例至多为0.65，以及可以获得该AlN衬底的清洗方法。，下面是A1N衬底及其清洗方法专利的具体信息内容。
1.一种AlN衬底(52)，其中
在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的AlN衬底(52)表面的光电子能谱中，Al2s电子的峰面积和N1s电子的峰面积之间的比例(Al2s电子峰面积/N1s电子峰面积)至多为0.65。
2.一种AlN衬底(46)的清洗方法，其中
将所述的AlN衬底(46)浸泡在酸溶液(26)中，从而在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的AlN衬底(46)表面的光电子能谱中，使Al2s电子的峰面积和N1s电子的峰面积之间的比例(Al2s电子峰面积/N1s电子峰面积)至多为0.65。
3.权利要求2的AlN衬底(46)的清洗方法，其中
所述的酸溶液(26)是由选自硝酸、磷酸和醋酸中的至少一种酸制成的。
4.权利要求2的AlN衬底(46)的清洗方法，其中
所述酸溶液(26)的浓度至少为0.5重量百分比。
5.权利要求2的AlN衬底(46)的清洗方法，其中
所述AlN衬底(46)的浸泡时间至少为40秒。
AlN衬底及其清洗方法
技术领域
[0001] 本发明涉及一种AlxGayIn1-x-yN(0＜x≤1，0＜y≤1，x+y≤1)衬底和该AlxGayIn1-x-yN(0＜x≤1，0＜y≤1，x+y≤1)衬底的清洗方法。本发明还涉及一种能够稳定地生长低浊度水平(haze level)的外延膜的AlN衬底，以及该AlN衬底的清洗方法。本说明书中，AlxGayIn1-x-yN(0＜x≤1，0＜y≤1，x+y≤1)简写为AlxGayIn1-x-yN。
背景技术
[0003] 一种AlxGayIn1-x-yN晶体的代表性生长方法是HVPE(氢化物汽相取向生长)法，而从AlxGayIn1-x-yN晶体可以制造AlxGayIn1-x-yN衬底。通过在AlxGayIn1-x-yN衬底表面上生长各种外延膜，可以获得半导体器件，例如光学器件和/或电子器件。
[0004] AlxGayIn1-x-yN衬底中，AlN衬底的能带隙为6.2eV，热导率约为3.3WK-1cm-1，并且具有高电阻，因此将其用作各种半导体器件的衬底，例如光学器件和/或电子器件的衬底引起了人们的注意。
[0005] 可以用通过HVPE方法或者升华方法生长出来的AlN晶体来制造AlN衬底。通过在AlN衬底表面上生长各种外延膜，可以获得半导体器件，例如光学器件和/或电子器件。
[0006] 例 如，Toshio Nishida等 人 在Appl.Phys.Lett.，2003年，82 卷，第1期 的“GaN-free transparent ultraviolet light-emitting diodes”中公开了一种通过在AlN衬底上生长AlGaN膜等而获得的发光二极管。另外，Toshio Nishida等人的“The Characteristics of UV-LED Grown on Bulk AlN Substrate UnderLarge Current Injection”，the Japan Society of Applied Physics and RelatedSocieties第51届春季会议，扩展摘要，2004年3月，409页，还公开了一种在大块(bulk)AlN衬底上形成的发光二极管。
发明内容
[0007] 发明概述
[0008] 当在AlxGayIn1-x-yN衬底表面上生长外延膜时，有时生长出的是有大量缺陷和/或失泽(tarnishes)的低质量外延膜。使用这种低质量外延膜的半导体器件的器件特性差，所以，需要稳定地生长出很少有缺陷和/或失泽的高质量外延膜。
[0009] 因此，为了稳定地生长很少有缺陷和/或失泽的高质量外延膜，附着在AlxGayIn1-x-yN衬底表面上的粒子和/或有机物已经通过清洗被除去。但是，由于没有涉及AlxGayIn1-x-yN衬底表面上粒子和/或有机物清除程度的常规技术参考资料，而且其标准也不清楚，存在AlxGayIn1-x-yN衬底表面条件的变化直接导致外延膜的质量变化的问题。
[0010] 另外，当在AlN衬底表面上生长外延膜时，有时生长出高浊度水平的外延膜。使用这种外延膜的半导体器件的器件特性差，所以，需要稳定地生长出低浊度水平的外延膜。
[0011] 因此，为了稳定地生长低浊度水平的外延膜，AlN衬底是已经被清洗过的。但是，由于可以稳定生长低浊度水平的外延膜的AlN衬底表面的标准不清楚，存在AlxGayIn1-x-yN衬底表面条件的变化直接导致外延膜质量变化的问题。
[0012] 本发明的一个目的是提供一种能够稳定地生长高质量外延膜的AlxGayIn1-x-yN衬底，以及获得该AlxGayIn1-x-yN衬底的清洗方法。本发明的另一个目的是提供一种能够稳定地生长低浊度水平的外延膜的AlN衬底，以及该AlN衬底的清洗方法。
[0013] 本发明涉及一种AlxGayIn1-x-yN衬底，其中当AlxGayIn1-x-yN衬底的直径为2英寸时，AlxGayIn1-x-yN衬底一个表面上晶粒大小至少为0.2μm的粒子数至多为20。此处，在本说明书中，AlxGayIn1-x-yN衬底指的是包含铝(Al)的氮化物晶体衬底，而且除了铝和氮之外它还可以包含镓(Ga)和/或铟(In)。
[0014] 此外，本发明涉及一种AlxGayIn1-x-yN衬底的清洗方法，其中将AlxGayIn1-x-yN衬底浸泡在一种由选自氨水、氢氧化铵(ammonia hydroxide)/过氧化氢混合物和有机碱水溶液中的溶液制成的清洗溶液中，同时进行超声，从而当该AlxGayIn1-x-yN衬底的直径为两英寸时，使AlxGayIn1-x-yN衬底一个表面上晶粒大小至少为0.2μm的粒子数至多为20。
[0015] 此处，在本发明的AlxGayIn1-x-yN衬底的清洗方法中，优选使用氨浓度至少为0.5重量百分比的氨水，过氧化氢溶液浓度至少为0.1重量百分比且氨浓度至少为0.1重量百分比的氢氧化铵/过氧化氢混合物，以及有机碱浓度至少为0.5重量百分比的有机碱水溶液作为清洗溶液。
[0016] 在本发明的AlxGayIn1-x-yN衬底清洗方法中，优选有机碱水溶液是溶解在水中的有机碱，该有机碱是氢氧化四甲铵和氢氧化2-羟乙基三甲铵中的一个。
[0017] 此外，在本发明的AlxGayIn1-x-yN衬底清洗方法中，AlxGayIn1-x-yN衬底的浸泡时间至少为30秒。
[0018] 另外，本发明涉及一种AlxGayIn1-x-yN衬底，其中在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的AlxGayIn1-x-yN衬底表面光电子能谱中，C1s电子的峰面积和N1s电子的峰面积之间的比例(C1s电子峰面积/N1s电子峰面积)至多为3。
[0019] 另外，本发明涉及一种AlxGayIn1-x-yN衬底的清洗方法，其中将AlxGayIn1-x-yN衬底浸泡在酸溶液中，从而使通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的AlxGayIn1-x-yN衬底表面光电子能谱中，C1s电子的峰面积和N1s电子的峰面积之间的比例(C1s电子峰面积/N1s电子峰面积)至多为3。
[0020] 此处，在本发明的AlxGayIn1-x-yN衬底的清洗方法中，优选酸溶液是由选自氢氟酸、盐酸和硫酸中的至少一种酸制成的溶液，或者是由选自氢氟酸、盐酸和硫酸中的至少一种酸和过氧化氢溶液的混合物制成的溶液。
[0021] 此外，在本发明的AlxGayIn1-x-yN衬底的清洗方法中，当酸溶液是由选自氢氟酸、盐酸和硫酸中的至少一种酸制成的溶液时，优选酸溶液中氢氟酸、盐酸和硫酸的总浓度至少为0.5重量百分比，而当酸溶液是由选自氢氟酸、盐酸和硫酸中的至少一种酸和过氧化氢溶液的混合物制成的溶液时，优选酸溶液中氢氟酸、盐酸和硫酸的总浓度至少为0.1重量百分比，同时过氧化氢溶液的浓度至少为0.1重量百分比。
[0022] 另外，在本发明的AlxGayIn1-x-yN衬底清洗方法中，优选AlxGayIn1-x-yN衬底的浸泡时间至少为30秒。
[0023] 本发明涉及一种AlN衬底，其中在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的AlN衬底表面光电子能谱中，Al2s电子的峰面积和N1s电子的峰面积之间的比例(Al2s电子峰面积/N1s电子峰面积)至多为0.65。
[0024] 此外，本发明涉及一种AlN衬底的清洗方法，其中将AlN衬底浸泡在酸溶液中，从而使通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的AlN衬底表面光电子能谱中，Al2s电子峰面积和N1s电子峰面积之间的比例(Al2s电子峰面积/N1s电子峰面积)至多为0.65。
[0026] 此外，在本发明的AlN衬底清洗方法中，优选酸溶液的浓度至少为0.5重量百分比。
[0027] 此外，在本发明的AlN衬底清洗方法中，优选AlN衬底的浸泡时间至少为40秒。
[0028] 依照本发明，可以提供一种能够稳定地生长高质量外延膜的AlxGayIn1-x-yN衬底和获得该AlxGayIn1-x-yN衬底的清洗方法。
[0029] 此外，可以提供一种能够生长低浊度水平的外延膜的AlN衬底和获得该AlN衬底的清洗方法。
附图说明
[0031] 图1和2是图示本发明检测角为10°的X射线光电子能谱的一个实例的示意图。
[0032] 图3是实施例1中使用的清洗仪器示意性截面图。
[0033] 图4显示了实施例1中在AlN衬底表面上生长的外延膜中的粒子数和缺陷数之间的关系。
[0034] 图5是实施例2中使用的清洗仪器示意性截面图。
[0035] 图6是实施例3中使用的清洗仪器示意性截面图。
[0036] 图7显示了实施例3中清洗过后的AlN衬底上Al2s电子峰面积和N1s电子峰面积之间的比例(Al2s电子峰面积/N1s电子峰面积)和生长在该AlN衬底表面上的外延膜的浊度水平的关系。
[0037] 优选实施方案描述
[0038] 本发明涉及一种AlxGayIn1-x-yN衬底，其中当AlxGayIn1-x-yN衬底的直径为2英寸时，AlxGayIn1-x-yN衬底一个表面上晶粒大小至少为0.2μm的粒子数至多为20。这是基于本发明人的如下发现：当AlxGayIn1-x-yN衬底表面上晶粒大小至少为0.2μm的粒子被控制在上述数量之内时，可以生长出很少有缺陷的高质量外延膜。
[0039] 此处，AlxGayIn1-x-yN衬底表面上的粒子数是用如下方法计算的：对AlxGayIn1-x-yN衬底表面上晶粒大小至少为0.2μm的所有粒子进行计数，然后将数出的粒子数转化成假设AlxGayIn1-x-yN衬底直径为2英寸时的数值。因此，本发明中，对AlxGayIn1-x-yN衬底的大小没有限制。例如，直径为4英寸的AlxGayIn1-x-yN衬底的面积是直径为2英寸的AlxGayIn1-x-yN衬底面积的四倍。因此，当使用直径为4英寸的AlxGayIn1-x-yN衬底时，其表面上粒子总数的1/4相当于此处使用的粒子数。应当指出，粒子计数是用众所周知的光散射方案等的衬底表面检查仪器进行的。另外，对粒子的材料没有特殊限制。
[0040] 本发明涉及一种清洗方法，其中将AlxGayIn1-x-yN衬底浸泡在选自氨水、氢氧化铵/过氧化氢混合物和有机碱水溶液中的清洗溶液中，同时进行超声，从而当该AlxGayIn1-x-yN衬底的直径为两英寸时，使AlxGayIn1-x-yN衬底一个表面上晶粒大小至少为0.2μm的粒子数至多为20。
[0041] 此处，氢氧化铵/过氧化氢混合物指的是过氧化氢溶液和氨水的混合物。另外，有机碱水溶液指的是溶解在水中的有机碱，并且优选使用下面结构式(1)表示的氢氧化四甲铵和结构式(2)表示的氢氧化2-羟乙基三甲铵其中之一作为有机碱：
[0042]
[0043] 当使用氨水作为清洗溶液时，优选氨浓度相对于整个清洗溶液而言至少为0.5重量百分比。当使用氢氧化铵/过氧化氢混合物作为清洗溶液时，优选相对于整个清洗溶液而言，过氧化氢溶液的浓度至少为0.1重量百分比，且氨的浓度至少为0.1重量百分比。当使用有机碱作为清洗溶液时，优选有机碱相对于整个清洗溶液的浓度至少为0.5重量百分比。通过如上限定清洗溶液的浓度，AlxGayIn1-x-yN衬底表面上的粒子数趋向于被更稳定地如上控制。
[0044] 优选AlxGayIn1-x-yN衬底在清洗溶液中的浸泡时间至少为30秒。在这种情况下，由于AlxGayIn1-x-yN衬底被充分浸泡在清洗溶液中，AlxGayIn1-x-yN衬底表面上的粒子数趋向于被更稳定地如上控制。此处，AlxGayIn1-x-yN衬底的浸泡时间是从对清洗液进行超声的时间点开始计算的。
[0045] 此外，本发明涉及一种AlxGayIn1-x-yN衬底，其中在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的AlxGayIn1-x-yN衬底表面光电子能谱中，C1s电子的峰面积和N1s电子的峰面积之间的比例(C1s电子峰面积/N1s电子峰面积)至多为3。这是基于本发明人的如下发现：当C1s电子的峰面积和N1s电子的峰面积之间的比例被如上控制时，可以生长出高质量的没有任何失泽的外延膜。此处，通过X射线光电子能谱学(XPS)方法以10°检测角获得的AlxGayIn1-x-yN衬底表面光电子能谱中C1s电子的峰面积和N1s电子的峰面积之间的比例指明了AlxGayIn1-x-yN衬底表面上有机物相对于接近AlxGayIn1-x-yN衬底表面的氮的数量。通过将其比例如上控制，可以生长出没有任何失泽的高质量外延膜。
[0046] 此处，C1s电子指的是C(碳)1s轨道上的电子，而N1s电子指的是N(氮)1s轨道上的电子。如图1所示，通过X射线61的辐照，AlxGayIn1-x-yN衬底51表面上的C1s电子和N1s电子以光电子71形式被释放出来。此后，以和AlxGayIn1-x-yN衬底51表面成10°的方向释放出的光电子71被监测器81检测到(检测角10°)，从而获得光电子能谱。确定这个光电子能谱的C1s电子的峰面积和N1s电子的峰面积之间的比例。
[0047] 此外，本发明涉及一种清洗方法，其中将AlxGayIn1-x-yN衬底浸泡在一种酸溶液中，从而使通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的AlxGayIn1-x-yN衬底表面光电子能谱中，C1s电子的峰面积和N1s电子的峰面积之间的比例(C1s电子峰面积/N1s电子峰面积)至多为3。
[0048] 此处，优选酸溶液是选自氢氟酸、盐酸和硫酸中的至少一种酸的溶液。更优选酸溶液是选自氢氟酸、盐酸和硫酸中的至少一种酸和过氧化氢溶液的混合物。在这种情况下，如上光电子能谱中C1s电子的峰面积和N1s电子的峰面积之间的比例倾向于被更稳定地控制在至多为3。
[0049] 此外，当酸溶液是由选自氢氟酸、盐酸和硫酸中的至少一种酸制成的溶液时，优选酸溶液中氢氟酸、盐酸和硫酸的总浓度至少为0.5重量百分比。此外，当酸溶液是由选自氢氟酸、盐酸和硫酸的至少一种酸和过氧化氢溶液的混合物制成的溶液时，优选酸溶液中氢氟酸、盐酸和硫酸的总浓度至少为0.1重量百分比，同时过氧化氢溶液的浓度至少为0.1重量百分比。在这种情况下，如上光电子能谱中C1s电子的峰面积和N1s电子的峰面积之间的比例倾向于被更稳定地控制在至多为3。
[0050] 还优选AlxGayIn1-x-yN衬底在酸溶液中的浸泡时间至少为30秒。在这种情况下，由于AlxGayIn1-x-yN衬底被充分浸泡在酸溶液中，如上C1s电子的峰面积和N1s电子的峰面积之间的比例倾向于被更稳定地如上控制。
[0051] 此外，本发明涉及一种AlN衬底，其中在通过X射线光电子能谱学(XPS)方法以10°检测角获得的AlN衬底表面光电子能谱中，Al2s电子的峰面积和N1s电子的峰面积之间的比例(Al2s电子峰面积/N1s电子峰面积)至多为0.65。这是基于本发明人的如下发现：
当Al2s电子峰面积和N1s电子峰面积之间的比例被如上控制时，可以生长出低浊度水平的外延膜。
当Al2s电子峰面积和N1s电子峰面积之间的比例被如上控制时，可以生长出低浊度水平的外延膜。
[0052] 当使用MOVPE法(金属有机汽相外延生长法)或者MBE法(分子束外延法)在AlN衬底生长外延膜时，在生长膜之前加热AlN衬底的表面。由于通过加热AlN衬底表面，AlN衬底表面N(氮)的挥发量超过Al(铝)，当生长外延膜时，AlN衬底表面的化学组成中包含大量的Al。因此，通过使AlN衬底表面预先在其化学组成中包含大量的N，可以生长出低浊度水平的外延膜。这是基于本发明人的如下发现：可以使用这样一种AlN衬底，在通过X射线光电子能谱学(XPS)方法以10°检测角获得的该AlN衬底表面的光电子能谱中，Al2s电子的峰面积和N1s电子的峰面积之间的比例至多为0.65，作为AlN衬底表面的标准。
[0053] 此处，Al2s电子指的是Al(铝)2s轨道上的电子，而N1s电子指N的1s轨道上的电子。如图2所示，通过X射线62的辐照，AlN衬底52表面上的Al2s电子和N1s电子以光电子72形式被释放出来。此后，以和AlN衬底52表面成10°的方向释放出的光电子72被监测器82检测到(检测角10°)，从而获得光电子能谱。确定这个光电子能谱的Al2s电子的峰面积和N1s电子的峰面积之间的比例。
[0054] 此外，本发明涉及一种清洗方法，其中将AlN衬底浸泡在酸溶液中，从而使通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的AlN衬底表面光电子能谱中，Al2s电子的峰面积和N1s电子的峰面积之间的比例(Al2s电子峰面积/N1s电子峰面积)至多为0.65。
[0055] 此处，优选酸溶液是由选自氢氟酸、盐酸和硫酸中的至少一种酸制成的溶液，或者是由这些酸中至少两种制成的混合溶液。在这种情况下，如上Al2s电子的峰面积和N1s电子的峰面积之间的比例倾向于被更稳定地控制在至多为0.65。
[0056] 此外，优选酸溶液的浓度相对于整个酸溶液而言至少为0.5重量百分比。在这种情况下，如上光电子能谱中Al2s电子的峰面积和N1s电子的峰面积之间的比例倾向于被更加稳定地控制在至多为0.65。
[0057] 优选AlN衬底在酸溶液中的浸泡时间至少为40秒。在这种情况下，由于AlN衬底被充分浸泡在酸溶液中，Al2s电子峰的面积和N1s电子的峰面积之间的比例倾向于被更稳定地如上控制在至多为0.65。
具体实施方式
[0058] 实施方案
[0059] 实施例1
[0060] 首先，制备50片直径为2英寸的AlN衬底，每个衬底都是对通过HVPE法生长的AlN晶体进行镜面研磨，然后由于镜面研磨而除去损坏层而获得的。此处，50片AlN衬底每一片的厚度都是400μm，而且AlN衬底表面是偏离取向(0001)2°的平面。
[0061] 接着，使用如图3示意性截面图所示的清洗仪器，将50片AlN衬底以各自不同的浸泡时间进行清洗。此处，图3中所示的清洗浴13充满各种浓度的氢氧化四甲铵水溶液作为清洗溶液23。将频率为900kHz的超声波33应用于浸泡了AlN衬底43的清洗液23，超声条件对于50片AlN衬底43每一个都是相同的。
[0062] 然后，对于每个清洗后的AlN衬底，用光散射方案的衬底表面检查仪器对AlN衬底表面上晶粒大小至少为0.2μm的粒子进行计数。
[0063] 此后，在相同条件下，通过MOVPE法(金属有机汽相外延生长法)在50片AlN衬底的每一个衬底表面上生长出1μm厚的由AlN晶体形成的外延膜。然后，用与上述仪器相同的衬底表面检查仪器对外延膜的缺陷数进行计数。
[0064] 图4显示了该实验的结果。图4中，横坐标表示用上述方式计数的清洗后AlN衬底表面上晶粒大小至少为0.2μm的粒子数，而纵坐标表示与横坐标粒子数相对应的、数出的AlN衬底表面上生长的外延膜的缺陷数。
[0065] 如图4可见，当直径为2英寸的AlN衬底表面上晶粒大小至少为0.2μm的粒子数至多为20时，该表面上生长的外延膜中缺陷数小于50。因此，与粒子数超过20的情况相比，获得的是缺陷较少的高质量外延膜。
[0066] 表面上晶粒大小至少为0.2μm的粒子数至多为20的AlN衬底是用清洗溶液清洗的，清洗溶液中氢氧化四甲铵的浓度相对于整个清洗溶液而言至少为0.5重量百分比，而且浸泡时间至少为30秒。
[0067] 尽管在上述实施例1中使用的是AlN衬底，但是认为使用不同于AlN衬底的AlxGayIn1-x-yN衬底也可以获得类似的结果。另外，如上所述，对AlN衬底的厚度和平面取向没有限制，它们为任意数值时都可以获得类似于实施例1的结果。
[0068] 实施例2
[0069] 首先，类似于实施例1，制备50片直径为2英寸的AlN衬底，每个衬底都是对AlN晶体进行镜面研磨，然后由于镜面研磨除去损坏层而获得的。此处，50片AlN衬底每一片的厚度都是400μm，而且AlN衬底表面是偏离取向(0001)2°的平面。
[0070] 接着，使用如图5示意性截面图所示的清洗仪器，将50片AlN衬底以各自不同的浸泡时间进行清洗。此处，图5中所示的清洗浴15充满各种浓度的盐酸作为酸溶液25，以浸泡各个AlN衬底45。
[0071] 然后，对于每个清洗过的AlN衬底，用X射线光电子能谱仪，采用Mg的Kα射线作为X射线源，以10°检测角测量AlN衬底表面的光电子能谱，计算C1s电子的峰面积和N1s电子的峰面积之间的比例(C1s电子峰面积/N1s电子峰面积)。
[0072] 此后，在相同条件下，通过MOVPE法在50片AlN衬底的每一个衬底表面上生长出1μm厚的由AlN晶体形成的外延膜。然后，对于每个以这种方式生长出的外延膜，基于下面的标准目测评估失泽是否存在。对于如表1所示的每一类(C1s电子峰面积/N1s电子峰面积)，数出具有失泽的外延膜数量，结果见表1。
[0073] 表1
[0074](C1s电子峰面积 至多为3 大于3且至多为5 大于5
/N1s电子峰面积)
具有失泽的AlN 0/25 5/27 7/8
衬底数/AlN衬底
总数
/N1s电子峰面积)
具有失泽的AlN 0/25 5/27 7/8
衬底数/AlN衬底
总数
[0075] 失泽存在的评估标准
[0076] 失泽存在——外延膜的一部分未被抛光成为一个镜面
[0077] 失泽不存在——外延膜全部被抛光成为一个镜面
[0078] 如表1可见，存在C1s电子的峰面积和N1s电子的峰面积之间的比例(C1s电子峰面积/N1s电子峰面积)越小失泽越少的趋势。特别是当该比例至多为3时，外延膜上没有失泽，生长出的是高质量外延膜。
[0079] C1s电子的峰面积和N1s电子的峰面积之间的比例(C1s电子峰面积/N1s电子峰面积)至多为3的AlN衬底是用清洗溶液清洗的，所述的清洗溶液中盐酸的浓度相对于整个清洗溶液而言至少为0.5重量百分比，而且浸泡时间至少为30秒。
[0080] 尽管在上述实施例2中使用的是AlN衬底，但是认为使用不同于AlN衬底的AlxGayIn1-x-yN衬底也可以获得类似的结果。另外，如上所述，对AlN衬底的厚度和平面取向没有限制，它们为任意数值时都可以获得类似于实施例2的结果。
[0081] 实施例3
[0082] 首先，制备50片直径为2英寸的AlN衬底，每个衬底都是对通过HVPE法生长的AlN晶体进行镜面研磨，然后由于镜面研磨除去损坏层而获得的。此处，50片AlN衬底每一片的厚度都是400μm，而且AlN衬底表面是偏离取向(0001)2°的平面。
[0083] 接着，使用如图6示意性截面图所示的清洗仪器，对50片AlN衬底每一个都进行清洗。此处，图6中所示的清洗浴16充满各种浓度的硝酸、磷酸和醋酸混合溶液作为清洗溶液26，以不同的清洗时间清洗AlN衬底46。
[0084] 然后，对于每个清洗过的AlN衬底，用X射线光电子能谱仪，采用Mg的Kα射线作为X射线源，以10°检测角测量AlN衬底表面的光电子能谱，计算Al2s电子的峰面积和N1s电子的峰面积之间的比例(Al2s电子峰面积/N1s电子峰面积)。
[0085] 此后，在相同条件下，通过MOVPE法在50片AlN衬底的每一个衬底表面上生长出1μm厚的由AlN晶体形成的外延膜。然后，用光散射方案的衬底表面检查仪器，对每个以这种方式生长出的外延膜进行浊度水平评估。结果见图7。图7中，横坐标表示用X射线光电子能谱仪获得的、清洗后的AlN衬底的Al2s电子的峰面积和N1s电子的峰面积之间的比例(Al2s电子峰面积/N1s电子峰面积)，而纵坐标表示在具有横坐标所示(Al2s电子峰面积/N1s电子峰面积)数值的每个AlN衬底上生长出的外延膜的浊度水平。
[0086] 如图7可见，存在Al2s电子的峰面积和N1s电子的峰面积之间的比例(Al2s电子峰面积/N1s电子峰面积)越小外延膜的浊度水平越低的趋势。特别是当该比例至多为0.65时，外延膜的浊度水平低于2ppm，生长出的外延膜是极好的。
[0087] Al2s电子峰面积和N1s电子峰面积之间的比例(Al2s电子峰面积/N1s电子峰面积)至多为0.65的AlN衬底是用酸溶液清洗的，所述的酸溶液中硝酸、磷酸和醋酸的浓度相对于整个清洗溶液而言至少为0.5重量百分比，而且浸泡时间至少为40秒。
[0088] 尽管在上述实施例3中使用的是硝酸、磷酸和醋酸的混合溶液，但是认为使用硝酸、磷酸和醋酸中的一种酸，或者由这些酸中的两种制成的混合溶液也可以获得类似的结果。
[0089] 另外，如上所述，对AlN衬底的厚度和平面取向没有限制，它们为任意数值时都可以获得类似于实施例3的结果。
[0090] 本发明可以适用于制造使用AlxGayIn1-x-yN衬底的半导体器件。此外，本发明还适用于制造使用AlN衬底的半导体器件。
| 标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
|---|---|---|
| 光学膜及其制造方法 | 2020-05-16 | 867 |
| 锂离子二次电池用负极材、锂离子二次电池用负极材的制造方法、锂离子二次电极用负极及锂离子二次电池 | 2020-05-12 | 594 |
| 镀覆纤维、碳纤维、线束以及镀覆方法 | 2020-05-15 | 533 |
| GaxIn1-xN衬底以及GaxIn1-xN衬底清洗方法 | 2020-05-14 | 841 |
| 催化剂、膜电极组件和燃料电池 | 2020-05-15 | 243 |
| 镀覆纤维、碳纤维、线束以及镀覆方法 | 2020-05-15 | 345 |
| 一种氧化铜及其制备方法 | 2020-05-15 | 829 |
| AlxGayIn1－x－yN衬底及其清洗方法,AIN衬底及其清洗方法 | 2020-05-12 | 883 |
| 使用结合的XPS和XRF技术测定锗化硅厚度和组成 | 2020-05-16 | 883 |
| X射线光电子能谱原位电场样品台 | 2020-05-11 | 81 |
高效检索全球专利专利汇是专利免费检索,专利查询,专利分析-国家发明专利查询检索分析平台，是提供专利分析，专利查询，专利检索等数据服务功能的知识产权数据服务商。
我们的产品包含105个国家的1.26亿组数据，免费查、免费专利分析。
分析报告
专利汇分析报告产品可以对行业情报数据进行梳理分析，涉及维度包括行业专利基本状况分析、地域分析、技术分析、发明人分析、申请人分析、专利权人分析、失效分析、核心专利分析、法律分析、研发重点分析、企业专利处境分析、技术处境分析、专利寿命分析、企业定位分析、引证分析等超过60个分析角度，系统通过AI智能系统对图表进行解读，只需1分钟，一键生成行业专利分析报告。
QQ群二维码
意见反馈
意见反馈