1.一种微流体设备，其包括：
一个或多个磁体，其中每个磁体可操作地发射磁场；
邻近于所述一个或多个磁体的可磁化层，其中所述可磁化层配置为在至少一个所述磁体的磁场中诱导梯度，其中在离所述可磁化层的表面至少20μm的位置处，所述梯度为至
3
少10T/m，并且其中所述可磁化层包括
第一高导磁性材料，和
邻近所述高导磁性材料布置的，或者至少部分地与所述高导磁性材料接界的低导磁性材料；和
布置在所述可磁化层的表面上的微流体通道，其中所述微流体通道的中心纵轴以与在所述高导磁性材料和所述低导磁性材料之间的界面成一定角度布置，或者偏离该界面在侧面布置。
2.权利要求1的微流体设备，其中所述高导磁性材料和所述低导磁性材料是细长的。
3.权利要求1和2中任一项的微流体设备，还包括第二高导磁性材料，其以离所述第一高导磁性材料一定的距离布置从而在它们之间形成间隙，其中所述间隙用低导磁性材料填充。
4.权利要求3的微流体设备，其中在所述间隙中的低导磁性材料与在所述可磁化层的其它部分中的低导磁性材料相同。
5.权利要求1至4中任一项的微流体设备，其中在离所述可磁化层的表面至少20μm
4
的位置处，例如，在离所述可磁化层的表面至少50μm的位置处，所述梯度为至少10T/m。
6.权利要求1至5中任一项的微流体设备，其中所述可磁化层的厚度大于或等于约
10μm，例如，大于或等于约100μm，或1mm。
7.权利要求1至6中任一项的微流体设备，其中所述第一高导磁性材料的饱和磁通密度大于约1T，例如，大于约1.5T。
8.权利要求1至6中任一项的微流体设备，其中所述第一高导磁性材料的饱和磁通密度为约1.8T。
9.权利要求1至8中任一项的微流体设备，还包括在所述一个或多个磁体和所述可磁化层之间的低导磁性分隔层。
10.权利要求3至9中任一项的微流体设备，其中所述间隙的厚度等于或小于第一和第二高导磁性材料各自的厚度，而所述间隙的宽度等于或大于约100nm，例如，等于或大于约500nm，等于或大于约1μm，等于或大于约10μm，等于或大于约50μm，等于或大于约
75μm，或等于或大于约100μm。
11.权利要求1至10中任一项的微流体设备，其中所述角度是斜角。
12.权利要求1至11中任一项的微流体设备，其中所述高导磁性材料含有铁。
13.权利要求1至12中任一项的微流体设备，其中所述高导磁性材料选自镍，钴，镍-铁合金，SiFe合金，FeAlN合金，CoFe合金，CoFeNi，钢，含有磁性粒子的聚合物复合材料，含有磁性粒子的玻璃复合材料，和含有磁性粒子的陶瓷复合材料。
14.权利要求1至13中任一项的微流体设备，还包括细长的覆盖物，其限定所述微流体通道的上表面和侧表面。
15.权利要求1至14中任一项的微流体设备，其中所述低导磁性材料包括聚合物或者空气。
16.权利要求1至15中任一项的微流体设备，其包括布置在所述可磁化层的表面上并且形成所述微流体通道的下表面的钝化层。
17.权利要求1至16中任一项的微流体设备，其中所述低导磁性材料的宽度从所述可磁化层的第一侧面至所述可磁化层的第二相对侧面变窄。
18.权利要求1至17中任一项的微流体设备，其包括两个或更多个磁体的阵列，每个磁体的磁极取向与在该阵列中的相邻磁体的磁极取向相对从而使得在该阵列中每个磁体的磁场延伸至该阵列中的相邻磁体。
19.权利要求18的微流体设备，其中所述低导磁性材料与该阵列的两个相邻磁体之间的界面基本上对齐。
20.权利要求1至19中任一项的微流体设备，还包括：
偏转通道；和
与所述偏转通道分开的输出通道，其中所述输出通道和所述偏转通道二者都流体连接至所述微流体通道的出口。
21.权利要求1至20中任一项的微流体设备，其中所述可磁化层包括多个低导磁性材料的片，其中每片低导磁性材料都布置在所述第一高导磁性材料中的或者在分开的高导磁性材料的片之间的相应的细长的间隙内。
22.权利要求21的微流体设备，其中所述多个细长的间隙平行布置。
23.权利要求21至22中任一项的微流体设备，其中至少一个间隙的厚度完全延伸贯穿所述高导磁性材料的厚度。
24.权利要求21至23中任一项的微流体设备，其中，对于一个或者多个所述低导磁性材料的片，所述一个或多个片各自的宽度沿着与所述相应的片相关的中心纵轴变窄。
25.一种微流体设备，其包括：
一个或多个磁体，其中每个磁体可操作地发射磁场；布置在所述一个或多个磁体的表面上的可磁化层，其中所述可磁化层含有高导磁性材料和邻近所述高导磁性材料的或者至少部分地与所述高导磁性材料接界的低导磁性材料，其中所述高导磁性材料的厚度为大于
10μm，和所述高导磁性材料的饱和磁通密度为大于0.2T，其中所述可磁化层配置为在至少一个所述磁体的磁场中诱导梯度；和
布置在所述可磁化层的表面上的微流体通道，其中所述微流体通道的中心纵轴以与在所述高导磁性材料和所述低导磁性材料之间的界面成一定角度布置，或者偏离该界面在侧面布置。
26.权利要求25的微流体设备，还包括：
偏转通道；和
与所述偏转通道分开的输出通道，其中所述输出通道和所述偏转通道二者都流体连接至所述微流体通道的出口。
27.使用权利要求20-24和26中任一项的微流体设备对目标分析物进行分类的方法，所述方法包括：
使流体样品流动通过所述微流体通道，所述流体样品含有所述目标分析物和结合至所述目标分析物的一个或多个磁性粒子；
在操作所述微流体设备的过程中，将所述流体样品暴露于所述磁场中的梯度，其中所述磁场中的梯度将所述目标分析物偏转朝向远离所述流体样品的初始流体流动轨迹的通道；和
在所述偏转通道的出口收集所述目标分析物。
28.权利要求27的对目标分析物进行分类的方法，其中所述一个或多个磁性粒子选自超顺磁珠，抗磁珠，铁磁珠，及其组合。
29.权利要求27至28中任一项的对目标分析物进行分类的方法，其中所述目标分析物的尺寸与结合至所述目标分析物的磁性粒子的数目的比为大于约10μm，例如，大于约
15μm，20μm，或25μm。
30.权利要求27至29中任一项的对目标分析物进行分类的方法，其中所述一个或多个磁性粒子的直径小于或等于约0.5μm，例如，小于或等于约0.1μm。
31.权利要求27至30中任一项的对目标分析物进行分类的方法，其中所述一个或多个磁性粒子的磁矩小于或等于约35kA/m。
32.权利要求27至31中任一项的对目标分析物进行分类的方法，还包括使所述磁场在打开和关闭之间循环变化。
33.制造微流体设备的方法，所述方法包括：
提供一个或多个磁体，其中每个磁体可操作地发射磁场；
形成邻近于所述一个或多个磁体的可磁化层，其中所述可磁化层配置为在至少一个所述磁体的磁场中诱导梯度，其中在离所述可磁化层的表面至少20μm的位置处，所述梯度
3
为至少10T/m；和
在所述可磁化层的表面上形成微流体通道。
34.权利要求33的方法，其中形成所述可磁化层包括：
提供高导磁性材料的层；和
在所述高导磁性材料中形成一个或多个细长的间隙。
35.权利要求34的方法，其中提供高导磁性材料的层包括浇铸该高导磁性材料的层，模塑该高导磁性材料的层，热成型该高导磁性材料的层，或使用溅射、热沉积、等离子体沉积、电镀或者电子束沉积来沉积该高导磁性材料的层。
36.权利要求34的方法，其中提供高导磁性材料的层包括将磁性带置于所述一个或多个磁体的表面上。
37.权利要求34至36中任一项的方法，其中形成所述一个或多个细长的间隙包括机械加工该高导磁性材料的层。
38.权利要求37的方法，还包括贯穿该高导磁性材料的层的整个厚度进行机械加工。
39.权利要求34至38中任一项的方法，还包括用低导磁性材料填充所述一个或多个细长的间隙，其中填充所述一个或多个细长的间隙包括对所述低导磁性材料进行注塑或者对所述低导磁性材料进行热压花。
40.权利要求34至39中任一项的方法，还包括以相对于至少一个所述细长的间隙成一定的角度布置所述微流体通道的中心纵轴。
41.权利要求34至40中任一项的方法，还包括：
将低导磁性基板置于所述一个或多个磁体的表面上；和
在所述低导磁性基板的表面上形成所述可磁化层。
42.一种微流体设备，其包括：
一个或多个磁体，其中每个磁体可操作地发射磁场；
邻近于所述一个或多个磁体的可磁化层，所述可磁化层包括第一高导磁性部分和至少一个低导磁性部分；和
与所述可磁化层相邻的微流体通道，其中所述微流体通道包括：
第一分析物隔离区；和
流体连接至所述第一分析物隔离区的第二分析物隔离区，其中所述可磁化层配置为在至少一个所述磁体的磁场中诱导梯度，其中在所述第一分析物隔离区中诱导的磁场梯度不同于在第二分析物隔离区中诱导的磁场梯度，和其中在离所述可磁化层的表面至少20μm的位置处，在所述第一分析物隔离区和所述第二分析物隔离区中的至少一个中诱导的磁场
3
梯度为至少10T/m。
43.一种微流体模块，其包括：
可磁化层，所述可磁化层含有高导磁性材料和邻近所述高导磁性材料布置的，或者至少部分地与所述高导磁性材料接界的低导磁性材料；
布置在所述可磁化层的表面上的微流体通道，其中所述微流体通道的中心纵轴以与在所述高导磁性材料和所述低导磁性材料之间的界面成一定角度布置，或者偏离该界面在侧面布置；和
布置在所述可磁化层的表面上并且形成所述微流体通道的下表面的钝化层，其中所述可磁化层的表面配置为可移动地固定于一个或多个磁体。
44.权利要求43的微流体模块，其中所述可磁化层的表面包含突起结构，所述突起结构配置为可移动地锁止到所述一个或多个磁体的相应部分中。
45.权利要求43至44中任一项的微流体模块，其中所述微流体通道的中心纵轴以与在所述高导磁性材料和所述低导磁性材料之间的界面成一定角度布置，或者偏离该界面在侧面布置。
46.权利要求43至45中任一项的微流体模块，其中所述低导磁性材料布置在所述高导磁性材料中的间隙内或者布置在分开的所述高导磁性材料的片之间的间隙内。
47.权利要求43至46中任一项的微流体模块，其中所述高导磁性材料的第一表面和所述低导磁性材料的第一表面与所述钝化层直接接触，并且其中从钝化层测得的所述低导磁性材料的厚度大于所述高导磁性材料的厚度。
48.一种微流体装置，其包括：
一个或多个磁体，其中每个磁体可操作地发射磁场；和
邻近所述一个或多个磁体布置的可磁化层，其中所述可磁化层配置为在至少一个所述磁体的磁场中诱导梯度，和其中所述可磁化层含有高导磁性材料，和邻近所述高导磁性材料的或者至少部分地与所述高导磁性材料接界的低导磁性材料，
其中所述可磁化层的表面配置为可移动地固定于含有一个或多个微流体通道的微流体模块。
49.权利要求48的微流体装置，其中所述可磁化层的表面包括突起结构，所述突起结构配置为可移动地锁止到所述微流体模块的相应部分中。
50.权利要求48至49中任一项的微流体装置，其中所述低导磁性材料布置在所述高导磁性材料中的间隙内或者布置在分开的所述高导磁性材料的片之间的间隙内。
51.权利要求48至50中任一项的微流体装置，其中所述高导磁性材料第一表面和所述低导磁性材料的第一表面形成所述可磁化层的表面，和其中所述低导磁性材料的从所述可磁化层的表面测得的厚度大于所述高导磁性材料的厚度。
52.使用权利要求1至26和42-51中任一项的微流体设备，微流体模块，或微流体装置对目标分析物进行分类的方法，所述方法包括：
使流体样品流动通过所述微流体通道，所述流体样品含有所述目标分析物和结合至所述目标分析物的一个或多个磁性粒子；和
在操作所述微流体设备或者所述微流体模块的过程中，将所述流体样品暴露于所述磁场中的梯度，其中所述磁场中的梯度将所述目标分析物的轨迹偏转远离所述流体样品的初始流体流动轨迹。
53.权利要求52的方法，其中所述磁场中的梯度在朝向所述可磁化层的第一方向上在目标分析物上施加力。
54.权利要求53的方法，其中所述磁场中的梯度也在不同于所述第一方向的第二方向上在所述目标分析物上施加力。
55.权利要求3的微流体设备，其中所述间隙的宽度为等于或大于约100nm，例如，等于或大于约500nm，等于或大于约1μm，等于或大于约10μm，等于或大于约50μm，等于或大于约75μm，或等于或大于约100μm。
56.权利要求1至26和42-51中任一项的微流体设备，微流体模块，或微流体装置，其中所述微流体通道是弯曲的。
57.权利要求1至26和42-51中任一项的微流体设备，微流体模块，或微流体装置，其中所述高导磁性材料和所述低导磁性材料之间的边界线是弯曲的。
58.权利要求48-51中任一项的微流体装置，其中所述装置配置为以相对于所述微流体模块成多个不同取向中的任一个取向可移动地固定于所述微流体模块。