正交结构B0.4～0.6C0.1～0.3N0.1～0.3晶体及其制备方法
专利汇可以提供正交结构B0.4～0.6C0.1～0.3N0.1～0.3晶体及其制备方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 涉及一种功能材料及其制造方法。一种功能材料 正交 结构的B0.4～0.6C0.1～0.3N0.1～0.3,其特征是:外观为白色晶体粉末,其化学成分为:B 40－60%、C 10－30%、N 10－30%, 晶体结构 为正交结构,晶格参数a=0.45～0.49nm,b=0.44～0.47nm,c=0.34～0.38nm。具有 光致发光 性质:在紫外 光激发 下发射出蓝紫光,发射 光谱 的最高峰对应的 波长 范围为360～420μm。这种化合物可以作为一种新型 半导体 材料和发光材料。，下面是正交结构B0.4～0.6C0.1～0.3N0.1～0.3晶体及其制备方法专利的具体信息内容。
1、一种正交结构B0.4～0.6C0.1～0.3N0.1～0.3化合物，其特征在于：其化学 成分为：B 40～60％、C 10-30％、N 10-30％；晶体结构为正交结构；晶 格参数a＝0.45～0.49nm，b＝0.44～0.47nm，c＝0.34～0.38nm.；外观为 白色晶体粉末，具有光致发光性质，在紫外光激发下发射出蓝紫光， 发射光谱的最高峰对应的波长范围为360～420μm。
2、权利要求1所述的正交结构B0.4～0.6C0.1～0.3N0.1～0.3化合物的制备 方法，其特征在于：采用Ca3B2N4触媒和自制的B0.4～0.6C0.1～0.3N0.1～0.3前驱 物混合后压成圆片(3)；将这些圆片(3)装入由带通孔的叶腊石立方 体(4)和石墨炉(2)及两个钢帽(1)、(5)组成的叶腊石组装块中， 经过1200～1800℃的高温和3～6GPa高压处理之后；用硫酸和硝酸混合 液溶掉触媒，得到正交结构的B0.4～0.6C0.1～0.3N0.1～0.3化合物。
本发明涉及一种功能材料及其制造方法。
Cohen等人对BC2N理论计算的结果引起了材料科学工作者的广 泛关注，近年来，人们采用化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、 高温高压(HPHT)和冲击等方法试图合成出与理论预测相一致的B-C-N化合物。然而，到目前为止，理论预测提出的BC2N化合物的晶体结 构仅限于六方和立方结构。合成产物的结构大部分为乱层石墨结构， 未能合成出结晶性好的六方和立方B-C-N晶体。目前的大部分研究集 中在含碳量较高的BCxN(x＝2～4)型化合物上，尤其是对BC2N化 合物的理论和实验研究都比较广泛，而对含硼量较高的B-C-N化合物 的研究未见报道，在B-C-N三元系的高硼区可能会形成一些新的亚稳 相，这些亚稳相可能具有某些新奇的特性。
本发明的目的在于提供一种新型B0.4～0.6C0.1～0.3N0.1～0.3晶态化合物及 其制备方法，这种化合物可以作为一种新型半导体材料和发光材料。
这种正交结构B0.4～0.6C0.1～0.3N0.1～0.3化合物，其特征在于：化学成分 为：B 40～60％、C 10-30％、N 10-30％；晶体结构为正交结构；晶格参 数a＝0.45～0.49nm，b＝0.44～0.47nm，c＝0.34～0.38nm.；外观为白色 晶体粉末；具有光致发光性质，在紫外光激发下发射出蓝紫光，发射 光谱的最高峰对应的波长范围为360～420μm。；其制备方法为：采用 Ca3B2N4触媒和自制的B0.4～0.6C0.1～0.3N0.1～0.3前驱物混合后压成圆片3；将 这些圆片3装入由带通孔的叶腊石立方体4和石墨炉2及两个钢帽1、 5组成的叶腊石组装块中，经过1200～1800℃的高温和3～6GPa高压处 理之后；用硫酸和硝酸混合液溶掉触媒，得到正交结构的 B0.4～0.6C0.1～0.3N0.1～0.3化合物。
图1为高压腔示意图
实施例：图1为本发明公开的一个实施例(见图1)，将三聚氰胺 和硼酸溶入沸腾的蒸馏水中，再将溶液加热脱去水分，得到含H、O的B-C-N前驱物，然后将这种前驱物放入坩埚中，在N2气体保护下升 温到1600℃进行高温处理，可以得到成分为B2CN的前驱物。采用这 种前驱物和Ca3B2N4触媒混合后压成圆片，经高温高压1600℃、5.5GPa 处理后，用硫酸和硝酸混合液溶掉触媒，得到正交结构的B2CN化合 物。其发射光谱的最高峰对应的波长为374μm。
与化学气相沉积、物理气相沉积、冲击合成等方法相比，本发明 的特点如下：
1、本发明制备的B0.4～0.6C0.1～0.3N0.1～0.3化合物具有正交结构，这是本 发明与其它方法的显著区别。
2、采用Ca3B2N4触媒和B0.4～0.6C0.1～0.3N0.1～0.3前驱物，在高温高压 (1200～1800℃，3～6GPa)下合成正交结构的B0.4～0.6C0.1～0.3N0.1～0.3化合物。
3、本发明制备的正交结构的B0.4～0.6C0.1～0.3N0.1～0.3化合物含硼量较 高，其化学成分为：B 40～60％、C 10-30％、N 10-30％。
4、本发明制备的正交结构的B0.4～0.6C0.1～0.3N0.1～0.3化合物具有光致发 光性质：在紫外光激发下发射出蓝紫光，发射光谱的最高峰对应的波 长范围为360～420μm。
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