专利汇可以提供制造复合产物的系统及方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 涉及一种制造复合产物的方法。该方法包括在 流化床 反应器中提供金属 氧 化物颗粒的流化床,在流化床反应器中提供催化剂或催化剂前体,在流化床反应器中提供 碳 源以生长碳 纳米管 , 碳纳米管 在碳纳米管生长区中生长,以及收集包含金属氧化物颗粒和碳纳米管的复合产物。本发明还涉及一种用于制造复合产物的系统。,下面是制造复合产物的系统及方法专利的具体信息内容。
1.一种制造复合产物的方法,所述方法包括:
在流化床反应器内流化一定量的金属氧化物颗粒;
在所述流化床反应器中提供催化剂或催化剂前体;
将碳源提供到所述流化床反应器的碳纳米管生长区;
在所述碳纳米管生长区中生长碳纳米管;以及
提供载气流到所述流化床反应器并运载包括所述碳纳米管和所述金属氧化物颗粒的复合产物通过所述流化床反应器。
2.根据权利要求1所述的方法,其中运载所述复合产物通过所述流化床反应器包括将所述复合产物朝向限定在所述流化床反应器的顶部附近的出口输送。
3.根据权利要求1所述的方法,还包括在收集容器中接收从所述流化床反应器的出口排出的复合产物。
4.根据权利要求1所述的方法,还包括在所述流化床反应器中连续地和/或周期性地补充所述金属氧化物颗粒。
5.根据权利要求1所述的方法,还包括将所述碳纳米管生长区加热至大于约450℃至小于约850℃的温度。
6.根据权利要求1所述的方法,其中提供所述催化剂或催化剂前体包括从所述流化床反应器的底部注射所述催化剂或催化剂前体并注射到所述纳米管生长区中。
7.根据权利要求1所述的方法,其中提供所述载气包括将所述载气流排放到所述纳米管生长区中,并将所述催化剂通过所述纳米管生长区朝向所述流化床反应器出口输送。
8.根据权利要求1所述的方法,其中所述流化床反应器包括位于所述纳米管生长区下方的气体分配器,并且在所述流化床反应器内流化所述金属氧化物颗粒包括以足以使所述流化床反应器内的金属氧化物颗粒流化的速率供给流化气体通过所述气体分配器。
9.根据权利要求1所述的方法,其中所述金属氧化物颗粒是混合的金属氧化物颗粒,并且所述碳纳米管是单壁碳纳米管。
10.根据权利要求1所述的方法,其中所述金属氧化物颗粒是锂化的混合的金属氧化物颗粒,并且所述碳纳米管是单壁碳纳米管。
11.根据权利要求1所述的方法,其中所述金属氧化物颗粒是锂镍锰钴氧化物颗粒,并且所述碳纳米管是单壁碳纳米管。
12.根据权利要求1所述的方法,其中将所述流化床反应器加热到大于约450℃至小于约850℃的温度。
13.根据权利要求1所述的方法,其中将所述流化床反应器加热至大于约800℃的温度。
14.一种用于制造复合产物的系统,所述系统包括:
流化床反应器,其包括包含在其中的一定量的金属氧化物颗粒,所述流化床包括出口;
催化剂或催化剂前体源,其与所述流化床反应器流体连通以在所述流化床反应器中提供催化剂或催化剂前体流;以及
载气源,其与所述流化床流体连通以运载包括金属氧化物颗粒和在所述流化床中生长的碳纳米管的复合产物。
15.根据权利要求14所述的系统,还包括第一喷射器,该第一喷射器与所述催化剂或催化剂前体源流体连通地联接,并且延伸使得所述催化剂或催化剂前体流被排放到在所述流化床反应器中的纳米管生长区反应中。
16.根据权利要求14所述的系统,还包括与所述载气源流体连通地联接的第二喷射器,并且所述第二喷射器延伸使得从其排出的载气流将在所述纳米管生长区中生长的碳纳米管向所述出口输送。
17.根据权利要求14所述的系统,还包括与所述流化床反应器的入口能操作连通地联接的金属氧化物颗粒源,所述金属氧化物颗粒源构造成选择性地补充所述流化床反应器中的金属氧化物颗粒。
18.根据权利要求14所述的系统,还包括与所述流化床反应器的出口流体连通地联接的收集容器,所述收集容器构造成接收从所述出口排出的所述复合产物。
19.一种制造复合产物的方法,包括:
在流化床反应器中提供金属氧化物颗粒的流化床;
在流化床反应器中提供催化剂或催化剂前体;
在所述流化床反应器中提供用于生长碳纳米管的碳源;
在所述流化床反应器的碳纳米管生长区中生长碳纳米管;以及
收集包括金属氧化物颗粒和碳纳米管的复合产物。
20.根据权利要求19所述的方法,其中所述流化床反应器包括顶部和底部,气体分配器位于所述纳米管生长区下方靠近所述流化床反应器的底部,并且通过以足以使所述流化床反应器内的金属氧化物颗粒流化的速率供给流化气体通过所述气体分配器,所述金属氧化物颗粒在所述硫化床反应器中流化。
21.根据权利要求19所述的方法,其中所述催化剂或催化剂前体包括二茂铁。
22.根据权利要求19所述的方法,其中所述催化剂前体包括二茂铁和醇,并且其中所述醇是用于生长碳纳米管的碳源。
23.根据权利要求19所述的方法,其中提供所述催化剂或催化剂前体包括经由入口将所述催化剂或催化剂前体注射到所述流化床反应器中,其中所述入口位于所述纳米管生长区下方和所述气体分配器上方。
24.根据权利要求19所述的方法,还包括将载气提供到所述纳米管生长区中,用于将所述碳纳米管通过所述纳米管生长区朝向所述流化床的出口输送。
25.根据权利要求19所述的方法,其中所述载气包括用于生长碳纳米管的碳源。
26.根据权利要求19所述的方法,还包括在收集容器中接收从所述流化床反应器的出口排出的所述复合产物。
27.根据权利要求19所述的方法,还包括将所述碳纳米管生长区加热至大于约1000℃的温度。
28.根据权利要求19所述的方法,其中所述金属氧化物颗粒是混合的金属氧化物颗粒,并且所述碳纳米管是单壁碳纳米管。
29.根据权利要求19所述的方法,其中所述金属氧化物颗粒是锂化的混合的金属氧化物颗粒,并且所述碳纳米管是单壁碳纳米管。
30.根据权利要求19所述的方法,其中所述金属氧化物颗粒是锂镍锰钴氧化物颗粒,并且所述碳纳米管是单壁碳纳米管。
31.根据权利要求19所述的方法,其中将所述流化床反应器加热到大于约450℃至小于约850℃的温度。
32.根据权利要求19所述的方法,其中将所述流化床反应器加热至大于约800℃的温度。
33.一种电极,其包括根据权利要求1制造的复合产物。
34.一种阴极,其包括根据权利要求1制造的复合产物。
35.一种电极,其包括根据权利要求19制备的复合产物。
36.一种阴极,其包括根据权利要求19制备的复合产物。
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