权利要求

一种碳纳米管阵列生长装置及多壁碳纳米管阵列的生长方法 【技术领域】本发明涉及一种碳纳米管阵列生长装置及多壁碳纳米管阵列的生长方法【背景技术】碳纳米管是九十年代初才发现的一种新型一维纳米材料。碳纳米管的特殊结构决定了其具有特殊的性质，如高抗张强度和高热稳定性；随着碳纳米 管螺旋方式的变化，碳纳米管可呈现出金属性或半导体性等。由于碳纳米管 具有理想的一维结构以及在力学、电学、热学等领域优良的性质，其在材料 科学、化学、物理学等交叉学科领域已展现出广阔的应用前景，包括场发射 平板显示，单电子器件，原子力显微镜(Atomic Force Microscope, AFM)针尖， 热传感器，光学传感器，过滤器等等。因此，实现碳纳米管的可控生长，降 低碳纳米管的合成成本，是将碳纳米管推向应用的关键。目前合成碳纳米管主要有三类方法：1991年S. Iijima在Nature, 354， 56, Helical microtubules of graphitic carbon上公开的电弧放电法；1992年T.W. Ebbesen等人在Nature, 358， 220， Large-scale Synthesis of Carbon Nanotubes 上公开的激光烧蚀法及1996年W. Z. Li等人在Science, 274， 1701， Large-Scale Synthesis of Aligned Carbon Nanotubes上公开的化学气相沉积 法。电弧放电法和激光烧蚀法不能控制碳纳米管的直径和长度，合成方法所 用设备昂贵，且碳纳米管的产量低，很难在大尺寸基片上大规模生长碳纳米 管，故目前主要用于实验阶段，难以走向工业应用。传统的化学气相沉积法是利用含碳气体作为碳源气，在多孔硅或沸石基 底上生长出多壁或单壁碳纳米管，和前两种方法相比具有产量高、可控性强、 与现行的集成电路工艺相兼容等优点，便于工业上进行大规模合成。但是，碳纳米管的有序性和产量通常不可兼得。2002年2月16日公告的美国专利第6，350,488号揭示 一种利用热化学气 相沉积法在大尺寸基片上合成垂直排列的高纯碳纳米管的方法。所述的方法 包括在基片上形成金属催化剂层；腐蚀金属催化剂层形成隔离的纳米级催化 金属颗粒；利用热化学气相沉积法由每个陽离的纳米级催化金属颗粒生长碳 纳米管，原位净化该碳纳米管。其中碳源气供应到热化学气相沉积设备中， 碳纳米管垂直排列于基片上。然而，该合成碳纳米管的方法尚有以下不足，其一，该方法会造成一些 金属颗粒以及非晶质的碳化合物粘附于碳纳米管的表面上，因而，在合成碳纳米管后需要对碳纳米管进行净化过程，方法较为复杂，亦可能会损坏碳纳 米管；其二，该方法合成温度较高，限制其工业应用的范围，不适合未来大规模生产碳纳米管的发展趋势；其三，该方法所使用的装置包括4个进气口 ， 设备较为复杂，且合成得到的碳纳米管为多壁碳纳米管与单壁碳纳米管的混 合产物，在实际应用中(如场发射显示)不易充分发挥碳纳米管的优良性能。因此，提供一种简单可控碳纳米管阵列的生长装置十分必要。 【发明内容】以下，将以若干实施例说明一种简单可控的碳纳米管阵列的生长装置。 以及通过这些实施例说明一种多壁碳纳米管阵列的生长方法。 为实现上述内容，提供一种碳纳米管阵列生长装置，其包括： 一反应炉， 该反应炉包括一进气口和一出气口； 一石英舟设置于反应炉内； 一生长碳納 米管用的基底设置于石英舟内，该基底一表面形成有一笫一催化剂层，其中 石英舟内进一步包括一第二催化剂粉末，该第二催化剂粉末靠近基底设置， 且设置于沿反应气体流动方向基底位置的前方。当石英舟为两端开口，该第二催化剂粉末设置于基底远离出气口方向的 至少一侧边；当石英舟为一端开口，另一端封闭，该石英舟开口正对进气口， 该第二催化剂粉末设置于基底远离进气口方向的至少一侧边。该第二催化剂粉末材料选自金属铁粉、金属铁网、金属镍粉、金属镍网 或氧化铝和金属铁的粉末混合物。以及，提供一种多壁碳纳米管阵列的生长方法，其包括以下步骤：提供 一基底，该基底的一表面沉积有一第一催化剂层；将上述基底设置于一石英 舟内；设置一第二催化剂粉末于石英舟内，该第二催化剂粉末靠近基底设置， 且设置于沿气体流动方向基底位置的前方；将上述石英舟置于一反应炉内， 该反应炉包括一进气口；加热使得反应炉达到一预定温度并通入碳源气以在 基底上生长得到多壁碳纳米管阵列。与现有的热化学气相沉积法合成碳纳米管的技术相比较，本技术方案所提供的一种碳纳米管阵列的生长装置具有如下优点：其一生长温度低，在 600〜720摄氏度均能生长碳纳米管阵列，其中在620〜6卯摄氏度的温度范围 内可生长出排列非常规整的碳纳米管阵列；其二，生长速率快，产量多，生 长30〜60分钟所得到得碳纳米管阵列的高度均可达到几百微米，有时甚至可 以达到毫米量级；其三，重复性好，本技术方案中使用的第二催化剂粉末在 生长完碳纳米管阵列后可以收集并进行简单处理后重复使用，可反复使用多 次，可重复性能好；其四，成本低廉，栽气与碳源气可选用氩气和乙炔等廉 价气体，由于第二催化剂粉末的使用，故无需使用价格昂责的氢气，在降低 了危险性的同时降低了成本，同时，第一催化剂层可采用廉价的铁，使得整 个生长方法的成本进一步降低，适合工业上大批量生产。 【附图说明】图1是第一实施例的化学气相沉积法制备碳纳米管阵列的装置示意图。 图2是第一实施例所使用的石英舟的俯视图。图3是第二实施例的化学气相沉积法制备碳纳米管阵列的装置示意图。 图4是第二实施例所使用的石英舟的橫向剖视图。 图5是第二实施例所使用的石英舟的左视图。图6是本技术方案实施例获得的多壁碳纳米管阵列的扫描电镜照片。 图7是本技术方案实施例获得的多壁碳纳米管的透射电镜照片。 【具体实施方式】下面将结合附图及具体实施例对本技术方案进行详细说明。 请一并参阅图1和图2，本技术方案第一实施例提供一种碳纳米管阵列的 生长装置IO，其包括： 一反应炉19，该反应炉19包括一进气口191与一出气口 193，本实施例反应炉19优选为管径为一寸的石英管。 一石英舟15设置于反应 炉19内，该石英舟15为两端开口形，本实施例优选为一船形， 一生长碳纳米 管用的基底11设置于石英舟15内，该基底11包括一第一催化剂层13形成于基 底11一表面，基底ll材料选用硅，也可选用其它材料，如玻璃、石英等。第 一催化剂层13材料选用铁，也可选用其它材料，如钴、镍及其合金材料等。 一第二催化剂粉末17设置于石英舟15内，该第二催化剂粉末17紧靠基底 11设置于远离反应炉19的出气口 193的至少一侧边。该第二催化剂粉末17材料 选自金属铁粉、金属铁网、金属镍粉、金属镍网或氧化铝和金属铁的粉末混 合物，本实施例优选为氣化铝和金属铁的粉末混合物。本实施例第二催化剂 粉末17设置于基底11正对进气口191的侧边。该第二催化剂粉末17的作用是在 生长碳纳米管阵列的过程中能与通过进气口 191通入的碳源气反应生成少量 氢气，用来活化第一催化剂层13，使得碳纳米管生长速度较快且生长高度较 高。然而，本实施例第二催化剂粉末17的设置位置不限于正对反应炉19的进 气口191，其还可设置于基底ll的其它側边或其它位置，只需保证提供氢气对 基底11表面的第一催化剂层13进行活化即可。请一并参阅图3、图4和图5，本技术方案第二实施例提供一种碳纳米管阵 列的生长装置20，其包括： 一反应炉29,该反应炉29包括一进气口291与一出 气口293,本实施例反应炉29优选为管径为一寸的石英管。 一石英舟25设置于 反应炉29内，该石英舟25为一端开口， 一端封闭形，本实施例优选为一端开 口的盒体。 一基底21设置于石英舟25内，该基底21包括一第一催化剂层23形 成于基底21—表面，基底21材料选用硅，也可选用其它材料，如玻璃、石英 等。第一催化剂层23材料选用铁，也可选用其它材料，如钴、镍及其合金材 料等。 一第二催化剂粉末27设置于石英舟25内，该第二催化剂粉末27紧靠基 底21设置于远离进气口291的至少一侧边。第二催化剂粉末17材料选自金属铁 粉、金属铁网、金属镍粉、金属镍网或氧化铝和金属铁的粉末混合物，本实 施例优选为氧化铝和金属铁的粉末混合物。该第二催化剂粉末27的作用是在 生长碳纳米管阵列的过程中能与通过进气口291通入的碳源气反应生成少量 氢气，用来活化第一催化剂层23，使得碳纳米管生长速度较快且生长高度较 高。本实施例第二催化剂粉末27的亦可设置于靠近基底21的其它位置，只需 保证提供氢气对基底21表面的第 一催化剂层23进行活化即可。本技术方案采用第一实施例与第二实施例生长碳纳米管阵列装置的一 种碳纳米管阵列的生长方法包括以下步骤：首先提供一基底，并在该基底将要生长碳纳米管的一表面均匀形成一层 第一催化剂层，该第一催化剂层的形成可利用热沉积、电子束沉积、蒸镀或 賊射法来完成。提供一石英舟，将上述具有金属催化剂层的基底放入该石英舟中，并将 一第二催化剂粉末撒入该石英舟内。该第二催化剂粉末材料包括氧化铝(AU03)和铁(Fe)。上述基底与第二催化剂粉末均设置于该石英舟的底部，该 第二催化剂粉末靠近基底设置，并进一步设置于基底的一側边。提供一反应炉，该反应炉包括一进气口与一出气口。将设置有基底与第 二催化剂粉末的上述石英舟装入反应炉内。在常压下从反应炉的进气口通入栽气气体，并通过加热装置（图未示)对 反应炉进行加热。将反应炉的温度升高到预定温度后，通入碳源气。本技术 方案载气气体优选为廉价气体氩气，也可选用其它气体如氮气或其它惰性气 体。本技术方案的碳源气优选为廉价气体乙炔，也可选用其它碳氩化合物如 曱烷、乙烷、乙烯等。栽气气体与碳源气的通气流量比例为5: 1~10: 1， 本技术方案优选为通以300sccm的氩气和30sccm的乙炔。反应炉温度可为 600-720摄氏度，优选为620-690摄氏度。反应预定时间后，由于催化剂的作用，供应到反应炉的碳源气热解成碳 单元(C-C或C)和氯气(H2)。碳单元吸附于第一催化剂层表面，从而生长出 碳纳米管。本技术方案中，使用乙炔作为碳源气生长的碳纳米管阵列为多壁 碳纳米管阵列。本技术方案通过改变例如栽气与碳源气的流量、反应温度、反应时间等 条件，可以控制生长得到的多壁碳纳米管的密度、直径和长度.按照上述实 施例获得的多壁碳纳米管的直径为10~30纳米。第二催化剂粉末能与碳源气 反应生成少量氢气，用来活化第一催化剂层，同时降低局部乙炔的浓度，使 得碳纳米管生长速度较快且生长高度较高。本实施例中，反应时间为30〜60 分钟，整个多壁碳纳米管阵列的高度大于100微米，甚至可以达到毫米量级。请一并参阅图6和图7，从本技术方案的多壁碳纳米管阵列的扫描隧道 显微镜照片和透射电镜照片可以看出，多壁碳纳米管阵列生长得非常规整， 整个阵列的高度为几百微米。本技术方案热化学气相沉积法中优选使用的第二催化剂粉末的制备方 法包括以下步骤：将11.32克硝酸铁(Fe(N03)3.9H20)和8克氧化铝(八1203)粉 末溶入100毫升的乙醇中搅拌8小时，然后将其在80摄氏度进行旋转蒸发 12小时，取出后将其球磨成细粉末即可。 将生长完碳纳米管后反应炉中的该第二催化剂粉末收集，并在空气或氧 气环境中将附着于其上的碳纳米管、无定形碳等烧掉后，该第二催化剂粉末 还可以重复使用，具有可重复使用性。本技术方案中使用的第二催化剂粉末亦可使用金属铁粉、铁网或金属镍粉、镍网替代。该第二催化剂粉末的主要作用在于：其在高温下会与通入的 碳源气反应得到少量的氢气，在本技术方案多壁碳纳米管阵列的生长过程 中，氩气能够活化第一催化剂层，同时降低局部碳源气浓度，使得整个碳纳 米管阵列生长速度快且高度较高。本技术方案中碳纳米管阵列的高度能够达 到几百微米甚至达到毫米量级。本技术领域的技术人员应明白，本技术方案热化学气相沉积设备中所使 用的石英舟亦可采用其它类似结构，第二催化剂粉末的摆放位置与石英舟以 及气体流动方向有一定关系。当石英舟为两端开口结构时（请参阅本技术方 案第一实施例的船形石英舟），可在基底远离出气口方向的至少一边设置第 二催化剂粉末；当石英舟为一端开口，另一端封闭的结构时（请参阅本技术 方案第二实施例的一端开口的盒体形石英舟），将该石英舟的开口正对反应炉的进气口放置，可在远离进气口的基底的至少一其余侧边设置第二催化剂 粉末。进一步的，由于本技术方案中第二催化剂的作用是提供氢气给第一催 化剂层，故，第二催化剂粉末摆放位置需满足以下条件：其一，该第二催化 剂粉末需靠近基底设置，以保证生成的氢气能直接作用于基底上的第一催化 剂层；其二，该第二催化剂粉末需设置于沿气体流动方向基底位置的前方或 附近，以保证产生的氢气能随气体流动方向流动到基底第一催化剂层表面。 虽然本技术方案所采用的热化学气相沉积设备为卧式结构，但本技术方案的方法亦可应用其它如立式、流动床式热化学气相沉积设备等。采用该热化学气相沉积方法还可以进行批量合成，即，可以同时在设备 中装入大量基底进行碳纳米管阵列的生长，可以进一步提高产量。在应用于 基于碳纳米管阵列的场发射器件或其它电子器件时，本技术方案的方法亦可 通过设计基底第一催化剂的图案来实现碳纳米管阵列的可控生长。另外，本技术方案中揭露的碳纳米管阵列的生长时间范围与生长温度范 围仅为本技术方案的较佳实施例，本技术领域的技术人员应明白，更高的生 长温度亦可同样生长出该多壁碳纳米管阵列，生长时间将决定该碳纳米管阵 列的高度。与现有的热化学气相沉积法合成碳纳米管的技术相比较，本技术方案所提供的一种碳纳来管阵列的生长装置具有如下优点：其一生长温度低，在 600〜720摄氏度均能生长碳纳米管阵列，其中在620〜690摄氏度的温度范围 内可生长出排列非常规整的碳纳米管阵列；其二，生长速率快，产量多，生 长30〜60分钟所得到得碳纳米管阵列的高度均可达到几百微米，有时甚至可 以达到毫米量级；其三，重复性好，本技术方案中使用的第二催化剂粉末在 生长完碳纳米管阵列后可以收集并进行简单处理后重复使用，可反复使用多 次，可重复性能好；其四，成本低廉，栽气与碳源气可选用氳气和乙炔等廉 价气体，由于第二催化剂粉末的使用，故无需使用价格昂贵的氢气，在降低 了危险性的同时降低了成本，同时，第一催化剂层可采用廉价的铁，使得整 个生长方法的成本进一步降低，适合工业上大批量生产。