专利汇可以提供泡沫镍/ITO-NWs材料、超级电容器及其制备方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种 泡沫 镍/ITO‑NWs材料、超级电容器及其制备方法,泡沫镍/ITO‑NWs材料的制备方法包括:步骤1:将泡沫镍完全浸泡在稀 盐酸 中,静置后超声处理,然后取出,在 真空 条件下干燥;步骤2:先将PS小球平铺在超纯 水 的表面,通过自组装的方式转移到步骤1中预先处理过的泡沫镍表面,然后在真空、室温环境下干燥;步骤3:利用 电子 束蒸 镀 方式在PS小球模板生长ITO 纳米线 ,然后在真空环境下自然冷却至室温,得到泡沫镍/ITO‑NWs材料。本发明的泡沫镍/ITO‑NWs材料电化学性能优异,在10mA的 电流 下恒流充放电,单个 电极 容量达到112μAh/cm2,是一种理想的超级电容器电极材料。,下面是泡沫镍/ITO-NWs材料、超级电容器及其制备方法专利的具体信息内容。
1.基于泡沫镍/ITO-NWs材料的超级电容器,其特征在于,超级电容器的工作电极由泡沫镍/ITO-NWs材料制成;泡沫镍作为工作电极的集流体,ITO-NWs作为工作电极的活性材料;
所述泡沫镍/ITO-NWs材料的制备方法包括:
步骤1:将泡沫镍完全浸泡在稀盐酸中,静置后超声处理,然后取出,在真空条件下干燥;
步骤2:先将PS小球平铺在超纯水的表面,通过自组装的方式转移到步骤1中预先处理过的泡沫镍表面,然后在真空、室温环境下干燥;
步骤3:利用电子束蒸镀方式基于PS小球模板生长ITO纳米线,然后在真空环境下自然冷却至室温,得到泡沫镍/ITO-NWs材料。
2.根据权利要求1所述的基于泡沫镍/ITO-NWs材料的超级电容器,其特征在于,步骤1中稀盐酸的浓度为0.5mol/L。
3.根据权利要求1所述的基于泡沫镍/ITO-NWs材料的超级电容器,其特征在于,步骤1中泡沫镍完全浸泡在稀盐酸中,静置10min后超声20min取出,在真空条件下干燥;步骤3中利用电子束蒸镀方式生长ITO纳米线时腔室温度为300℃,速率为0.1nm/s,生长时长为
2000s。
4.根据权利要求1所述的基于泡沫镍/ITO-NWs材料的超级电容器,其特征在于,所述泡沫镍为三维多孔泡沫结构,ITO-NWs单根形貌为针状,整体呈现三维树状结构。
5.根据权利要求1所述的基于泡沫镍/ITO-NWs材料的超级电容器,其特征在于,泡沫镍厚度为1.7mm,纯度为99.8%,孔隙率为95-98%,孔径为0.2-0.6mm,每英寸孔数为110,ITO-NWs中纳米线长度为200nm-2μm,直径为15-30nm。
6.根据权利要求1所述的基于泡沫镍/ITO-NWs材料的超级电容器,其特征在于,ITO纳米线直接生长于泡沫镍骨架,均匀密集分布于泡沫镍孔壁和表面。
7.根据权利要求1所述的基于泡沫镍/ITO-NWs材料的超级电容器,其特征在于,所述超级电容器以泡沫镍/ITO-NWs材料作为工作电极,铂丝为对电极,饱和甘汞为参比电极。
8.基于泡沫镍/ITO-NWs材料的超级电容器的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1:将泡沫镍完全浸泡在稀盐酸中,静置后超声处理,然后取出,在真空条件下干燥;
步骤2:先将PS小球平铺在超纯水的表面,通过自组装的方式转移到步骤1中预先处理过的泡沫镍表面,然后在真空、室温环境下干燥;
步骤3:利用电子束蒸镀方式在PS小球模板生长ITO纳米线,然后在真空环境下自然冷却至室温,得到泡沫镍/ITO-NWs材料;
步骤4:采用泡沫镍/ITO-NWs材料作为工作电极制作获得超级电容器;
步骤1中稀盐酸的浓度为0.5mol/L;步骤1中泡沫镍完全浸泡在稀盐酸中,静置10min后超声20min取出,在真空条件下干燥;
步骤3中利用电子束蒸镀方式生长ITO纳米线时腔室温度为300℃,速率为0.1nm/s,生长时长为2000s;
所述泡沫镍为三维多孔泡沫结构,ITO-NWs单根形貌为针状,整体呈现三维树状结构;
泡沫镍厚度为1.7mm,纯度为99.8%,孔隙率为95-98%,孔径为0.2-0.6mm,每英寸孔数为
110,ITO-NWs中纳米线长度为200nm-2μm,直径为15-30nm。
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