一种用于测量深低温强磁场下样品表面态的吸收式谐振腔
专利汇可以提供一种用于测量深低温强磁场下样品表面态的吸收式谐振腔专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种用于测量深低温、强 磁场 下样品表面态的吸收式 谐振腔 ，谐振腔主要由同轴 电缆 组件、 微波 隔板和面板安装式连接器、谐振腔盖板、谐振腔、 铜 片A、铜片B、螺丝A、螺丝B等组成。谐振腔的主要特征在于利用同轴电缆将微 波导 入深低温、强磁场环境的谐振腔中，实现了微波测量与深低温、强磁场输运测量的结合。该系统为对诸如拓扑绝缘体等二维 纳米结构材料 表面态的深低温磁输运研究提供了一种有效工具。，下面是一种用于测量深低温强磁场下样品表面态的吸收式谐振腔专利的具体信息内容。
1.一种用于测量深低温、强磁场下样品表面态的吸收式谐振腔，包括：同轴电缆组件(101)、微波隔板和面板安装式连接器(102)、谐振腔盖板(103)、谐振腔(104)、铜片A(105)、铜片B(106)、螺丝A(107)和螺丝B(108)；其特征在于：
所述的同轴电缆组件(101)和微波隔板和面板安装式连接器(102)连接，所述的同轴电缆组件(101)的连接器采用公头，它与微波隔板和面板安装式连接器(102)的母头连接器直接相连；有两组微波隔板和面板安装式连接器(102)分别与两组同轴电缆组件(101)相连，其末端有天线，分别用于发射微波和接收微波；两组微波隔板和面板安装式连接器(102)固定于谐振腔盖板(103)上，微波隔板和面板安装式连接器(102)下端天线对准谐振腔盖板(103)中间孔洞；谐振腔盖板(103)短边两个三等分点上各有一个螺孔，与谐振腔(104)两端螺孔对应，通过螺丝A(107)与谐振腔(104)固定；谐振腔盖板(103)中央开有两个小孔，微波通过左边微波隔板和面板安装式连接器(102)的天线发射端通过左边小孔进入谐振腔(104)，经谐振腔(104)吸收后沿右边小孔传出，再经由右边微波隔板和面板安装式连接器(102)、右边同轴电缆组件(101)输出，或者微波通过右边微波隔板和面板安装式连接器(102)的天线发射端通过右边小孔进入谐振腔(104)，经谐振腔(104)吸收后沿左边小孔传出，再经由左边微波隔板和面板安装式连接器(102)、左边同轴电缆组件(101)输出；谐振腔盖板(103)由螺丝A(107)固定在谐振腔(104)上，调节谐振腔大小的铜片A(105)和铜片B(106)竖直放置在谐振腔(104)内以调节其谐振腔的大小，从而调节谐振腔(104)的谐振频率，实现不同频率微波下的测量；螺丝B(108)用于将谐振腔(104)固定于测试所需位置。
2.根据权利要求1所述的一种用于测量深低温、强磁场下样品表面态的吸收式谐振腔，其特征在于：所述的同轴电缆组件(101)工作频率范围应与谐振腔(104)谐振频率相对应，其损耗、驻波、机械相位稳定性应符合测试要求。
3.根据权利要求1所述的一种用于测量深低温、强磁场下样品表面态的吸收式谐振腔，其特征在于：所述的微波隔板和面板安装式连接器(102)的工作频率应满足包含谐振腔(104)的谐振频率。
4.根据权利要求1所述的一种用于测量深低温、强磁场下样品表面态的吸收式谐振腔，其特征在于：所述的谐振腔(104)形状为中空有底圆柱形，中间挖空一长方体，形成谐振腔，四周可为圆弧状，两边有支架，用螺丝B(108)固定于测试所需位置；另两侧边上朝上有用于固定谐振腔盖板(103)的螺孔；谐振腔(104)采用紫铜，表面镀银。
5.根据权利要求1所述的一种用于测量深低温、强磁场下样品表面态的吸收式谐振腔，其特征在于：所述的螺丝A(107)及螺丝B(108)采用铜质螺丝。
一种用于测量深低温强磁场下样品表面态的吸收式谐振腔
技术领域
背景技术
发明内容
附图说明
具体实施方式
20mm*9.5mm*9.5mm可调，对应的谐振频率可在10.6GHz至17.5GHz范围内调谐。
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