专利汇可以提供基于F‑P结构的光纤微悬桥磁场传感探头专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 针对在狭窄空间的 磁场 测量,设计了一种基于F‑P结构的超 磁致伸缩 镀 膜 光纤微悬桥磁场传感 探头 。结构包括:光纤、固支端、光纤微悬桥、中间反射体、法布里‑珀罗 谐振腔 、铬金属膜和超磁致伸缩 薄膜 。光纤微悬桥位于光纤端面,通过固支端与光纤连接,光纤微悬桥与光纤端面构成法布里‑珀罗谐振腔,光纤微悬桥外表面依次镀铬金属膜和超磁致伸缩膜。本发明采用法布里‑珀罗谐振腔结构可以达到高 精度 检测磁场的需要,中间反射体能有效保持法布里‑珀罗谐振腔两个极板平行,增加量程。,下面是基于F‑P结构的光纤微悬桥磁场传感探头专利的具体信息内容。
1.一种基于F-P结构的光纤微悬桥磁场传感探头,包括:光纤1,对称固支端2,基于中间反射体的光纤微悬桥3,铬金属膜4,超磁致伸缩薄膜5,光纤微悬桥位于光纤端面,形成光纤一体化结构,光纤微悬桥与光纤端面通过固支端连接,并且构成法布里-珀罗谐振腔,光纤微悬桥外表面依次镀铬金属膜和超磁致伸缩薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种基于F-P结构的光纤微悬桥磁场传感探头,其特征是:光纤微悬桥3长度为95μm-105μm,其中中间反射体长为35μm-45μm,宽为35μm-45μm,微悬桥厚度为3μm-5μm,与光纤端面构成法布里-珀罗谐振腔。固支端2长度为10μm-15μm,宽度与光纤微悬桥的宽度相同,为20μm-30μm。
3.根据权利要求1所述的一种基于中间反射体的超磁致伸缩镀膜的光纤微悬桥磁场传感探头,其特征是铬金属膜和超磁致伸缩薄膜依次镀在光纤微悬桥的外表面,铬金属膜厚度为30nm-50nm,超磁致伸缩薄膜材料为TbDyFe材料,厚度为1μm-1.5μm。
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